專利名稱：：氧化物燒結(jié)體、其制造方法、透明導(dǎo)電膜、以及采用它所得到的太陽(yáng)能電池的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種氧化物燒結(jié)體、其制造方法、透明導(dǎo)電膜、以及采用它所得到的太陽(yáng)能電池。更詳細(xì)地說(shuō)提供以氧化鋅為主要成分，進(jìn)一步含有鋁、鎵的氧化物燒結(jié)體及其制造方法；采用濺射法、離子電鍍法完全不產(chǎn)生異常放電、能夠連續(xù)且長(zhǎng)時(shí)間成膜的靶；以及采用它得到的低電阻且高透射性的高品質(zhì)的透明導(dǎo)電膜；進(jìn)而采用它的高轉(zhuǎn)換效率的太陽(yáng)能電池。
背景技術(shù)：
：具有高導(dǎo)電性和在可見(jiàn)光領(lǐng)域的高透射率的透明導(dǎo)電膜利用于太陽(yáng)能電池、液晶顯示元件、以及其它各種感光元件的電極等，也利用于其它的汽車窗、建筑用的熱線反射膜、抗靜電膜或者冰拒等的各種防起霧用的透明發(fā)熱體。在透明導(dǎo)電膜中，已知氧化錫(Sn02)類薄膜、氧化鋅(ZnO)類薄膜以及氧化銦(111203)類薄膜。在氧化錫類中，使用含銻摻雜劑的薄膜(ATO)和含氟摻雜劑的薄膜(FTO)。另外，在氧化鋅類中，使用含鋁摻雜劑的薄膜(AZO)和含鎵摻雜劑的薄膜(GZO)。工業(yè)上最廣泛應(yīng)用的透明導(dǎo)電膜是氧化銦類薄膜。其中含錫摻雜劑的氧化銦被稱作為ITO(Indium-Tin-Oxide)膜，特別由于其易于制得電阻小的膜，一直以來(lái)被廣泛地應(yīng)用。電阻小的透明導(dǎo)電膜可適用于太陽(yáng)能電池、液晶、有機(jī)電致發(fā)光和無(wú)機(jī)電致發(fā)光等的表面元件和接觸面板。在對(duì)這些有用的透明導(dǎo)電膜的制造中，較多采用濺射法和離子電鍍法。特別是濺射法，是低蒸氣壓材料成膜時(shí)以及需要控制精密膜厚時(shí)有效的方法，由于其操作非常簡(jiǎn)便，因而在工業(yè)上被廣泛地應(yīng)用。濺射法是采用濺射靶作為薄膜原料的成膜法。靶是構(gòu)成所要形成的薄膜的含金屬元素的固體，其采用金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬碳化物等的燒結(jié)體或者根據(jù)情況采用單晶。在該方法中，通常使真空裝置一旦抽成高真空后，通入氬氣等稀有氣體，在約10Pa以下的氣壓下，以基板為陽(yáng)極，濺射靶作為陰極，在兩者之間引起輝光放電，產(chǎn)生氬等離子體，等離子體中的氬陽(yáng)離子轟擊陰極濺射靶，使如此彈出的靶成分微粒堆積在基板上形成膜。又，濺射法以氬等離子體的發(fā)生方法分類，采用高頻等離子體的稱作為高頻濺射法，采用直流等離子體的稱作為直流濺射法。通常，直流濺射法由于與高頻濺射法相比成膜速度更快、電源設(shè)備更廉價(jià)、成膜操作更簡(jiǎn)便等原因而在工業(yè)上被廣泛地應(yīng)用。可是，與用絕緣性靶也可成膜的高頻濺射法相比，直流濺射法中必須采用導(dǎo)電性靶。采用濺射法的成膜時(shí)的成膜速度與靶物質(zhì)的化學(xué)鍵有密切的關(guān)系。賊射法利用具有動(dòng)能的氬陽(yáng)離子沖擊靶電極表面，使耙表面的物質(zhì)獲取能量而彈出的現(xiàn)象，靶物質(zhì)的離子間的鍵或者原子間的鍵越弱，則通過(guò)濺射而濺出的概率越高。將ITO等氧化物的透明導(dǎo)電膜以濺射法成膜的方法，包括使用構(gòu)成膜的元素的合金靶(對(duì)于ITO膜的情況為In-Sn合金)在氬氣和氧氣的混合氣體中根據(jù)反應(yīng)性濺射法成膜氧化物膜的方法，和使用構(gòu)成膜的元素的氧化物燒結(jié)體靶(對(duì)于ITO膜的情況為In-Sn-0燒結(jié)體)，在氬氣和氧氣的混合氣體中根據(jù)反應(yīng)性濺射法成膜氧化物膜的方法。其中，在使用合金靶的方法中，雖然濺射中將氧氣進(jìn)行略多供給，但在成膜速度和膜的特性(比電阻、透射率)的成膜中對(duì)導(dǎo)入的氧氣量有極大的依賴性，制造穩(wěn)定的具有一定厚度、希望特性的透明導(dǎo)電膜很困難。相比之下，在釆用氧化物靶的方法中，由于供給膜的氧的一部分由靶根據(jù)濺射提供，其余的不足的氧的量作為氧氣提供。因此，成膜速度和膜的特性(比電阻、透射率)對(duì)成膜中導(dǎo)入的氧氣的量的依賴性，較使用合金靶的場(chǎng)合小，能夠形成更加穩(wěn)定的具有一定厚度、特性的透明導(dǎo)電膜。因此，在工業(yè)上采用使用氧化物靶的方法。如果考慮生產(chǎn)性和制造成本，直流濺射法比高頻濺射法更容易高速成膜。也就是說(shuō)，如將相同的電力輸入相同的靶，對(duì)成膜速度進(jìn)行比較，直流濺射法要快2~3倍左右。并且，在直流濺射法中，由于輸入的直流電力越高，則成膜速度越快，因而在生產(chǎn)性的方面是有用的。因此，即使輸入高直流電力也能夠穩(wěn)定地成膜的濺射靶在工業(yè)上是有用的。一方面，離子電鍍法是將成膜的靶材的表面通過(guò)電弧放電進(jìn)行局部的加熱、升華、離子化，在負(fù)極使帶電的工件附著進(jìn)行成膜的方法。無(wú)論哪個(gè)，均具有如下特征，在低溫得到貼緊性好的膜、能夠選擇非常多的基板性質(zhì)和膜性質(zhì)、可進(jìn)行合金和化合物的成膜、是對(duì)環(huán)境有利的流程。以離子電鍍法進(jìn)行氧化物成膜的場(chǎng)合也與濺射同樣，在使用氧化物燒結(jié)體小片的場(chǎng)合能夠制造穩(wěn)定、具有一定膜厚、特性的透明導(dǎo)電膜。如上所述，ITO等氧化銦類材料被廣泛地應(yīng)用于工業(yè)，但是稀有金屬銦價(jià)高，銦元素含有會(huì)對(duì)環(huán)境和人體產(chǎn)生不良影響的毒性成分，因而近年來(lái)正在尋求非銦類的透明導(dǎo)電膜材料。作為非銦類材料，如上所述，已知GZO和AZO等氧化鋅類材料、FTO和ATO等氧化錫類材料。特別是氧化鋅類，作為資源被豐富地埋藏，作為低成本的材料、或者作為對(duì)環(huán)境和人體有益的材料而被注視。在氧化鋅類透明導(dǎo)電膜材料中，關(guān)于AZO,提出了AZO透明薄膜的制造方法(參照專利文件1),在該方法中，將氧化鋅作為主成分，采用混合氧化鋁的乾以直流磁控濺射法制造將C軸取向了的AZO透明導(dǎo)電膜。又，也提出了由氧化鋅燒結(jié)體構(gòu)成的濺射靶(參照專利文件2),該氧化鋅燒結(jié)體含有燒結(jié)密度5g/cm3以上、比電阻在1Q'cm以下的正三《介以上的原子價(jià)的元素。這些AZO輩巴中，為了高速進(jìn)行成膜而提高在靶中投入的功率密度、進(jìn)行直流濺射成膜，則多發(fā)打火狀況(異常放電)。在成膜線的生產(chǎn)工序中如果發(fā)生打火，則會(huì)產(chǎn)生膜的缺陷，不會(huì)得到規(guī)定膜厚的膜，不可能穩(wěn)定地制造出高品質(zhì)的透明導(dǎo)電膜。又，關(guān)于GZO,提出了由氧化鋅燒結(jié)體構(gòu)成的濺射靶(參照專利文件3),該氧化鋅燒結(jié)體含有以熱壓燒結(jié)法制作的鎵。如果采用該GZO作靶，與AZO相比難以產(chǎn)生異常i支電、可得到低電阻的薄膜，但是靶的腐蝕(因?yàn)R射而被挖取的部分)以外的表面附著的GZO膜容易剝落，會(huì)產(chǎn)生容易出現(xiàn)顆粒等的問(wèn)題。在成膜量產(chǎn)工序中進(jìn)行連續(xù)成膜時(shí)，在真空槽中如果產(chǎn)生此種顆粒，因成膜氣體的氣流而使其在真空槽內(nèi)飛舞、附著在基板上。如果在附著顆粒的基板上成膜，則僅會(huì)得到有氣孔等缺陷的膜，無(wú)法制造高品質(zhì)的透明導(dǎo)電膜。又，若顆粒堆積在腐蝕部，則成為打火的原因。因此，在這樣的場(chǎng)合，不得不停止連續(xù)生產(chǎn)線的操作，進(jìn)行除去作業(yè)，存在生產(chǎn)線的生產(chǎn)性大幅降低的問(wèn)題。因此，本申請(qǐng)人提出了根據(jù)添加第三元素(Ti、Ge、Al、Mg、In、Sn)減少異常放電的濺射靶(參照專利文件4)。在此，GZO燒結(jié)體將ZnO相作為組織的主要構(gòu)成相，該ZnO相固溶了2重量％以上從包括Ga、Ti、Ge、Al、Mg、In、Sn的群組中選出的至少一種，其它的構(gòu)成相為沒(méi)有固溶上述至少一種的ZnO相、ZnGa204(尖晶石相)表示的中間化合物相。如此的添加Al等的第三元素的GZO靶中，如專利文件4記載那樣的異常放電確實(shí)可以減少，但是不能使異常放電完全消失。在成膜的連續(xù)生產(chǎn)線上，如果即使一次發(fā)生異常放電，也會(huì)使該成膜時(shí)的制品成為缺陷品，造成對(duì)制造成品率的影響，因此，一直希望得到實(shí)質(zhì)上不產(chǎn)生異常放電的濺射靶的燒結(jié)體。專利文獻(xiàn)1日本特開(kāi)昭62-122011號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2日本特開(kāi)平2-149459號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3日本特開(kāi)平7-138745號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)4日本特開(kāi)平10-306367號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容鑒于上述
背景技術(shù)：
的課題，本發(fā)明的目的是提供以氧化鋅為主要成分，進(jìn)一步含有鋁、鎵的氧化物燒結(jié)體及其制造方法；采用濺射法、離子電鍍法完全不產(chǎn)生異常放電、能夠連續(xù)且長(zhǎng)時(shí)間成膜的靶；以及采用它得到的低電阻且高透射性的高品質(zhì)的透明導(dǎo)電膜；進(jìn)而采用它的高轉(zhuǎn)換效率的太陽(yáng)能電池。本發(fā)明者為了解決上述以前的問(wèn)題點(diǎn)，進(jìn)行了多次的深入研究，發(fā)現(xiàn)如下在以氧化鋅為主要成分，進(jìn)一步含有作為添加元素的鋁、鎵的氧化物燒結(jié)體中，在將鋁和鎵的含量?jī)?yōu)化的同時(shí)，對(duì)在焙燒中生成的結(jié)晶相的種類和組成、特別是尖晶石結(jié)晶相的組成進(jìn)行最適合的控制，由此得到即使在濺射裝置進(jìn)行連續(xù)長(zhǎng)時(shí)間成膜也難以產(chǎn)生顆粒、即使在高直流電力的輸入下也完全不產(chǎn)生異常放電的耙用氧化物燒結(jié)體，采用其的場(chǎng)合，能夠形成低電阻、高透射性的高品質(zhì)的透明導(dǎo)電膜，因此確認(rèn)為能夠適用于高轉(zhuǎn)換效率的太陽(yáng)能電池的制造，由此完成了本發(fā)明。即，根據(jù)本發(fā)明的第1發(fā)明，提供了一種氧化物燒結(jié)體，其含有氧化鋅、鋁、鎵，是實(shí)質(zhì)上由纖鋅礦型氧化鋅相和尖晶石型氧化物相的結(jié)晶相構(gòu)成的氧化物燒結(jié)體，其特征在于(l)氧化物燒結(jié)體中的鋁和鎵的含量以(Al+Ga)/(Zn+Al+Ga)原子數(shù)比計(jì)為0.3~6.5原子％,并且，鋁的含量以Al/(A1+Ga)原子數(shù)比計(jì)為3070原子％;(2)尖晶石型氧化物相中的鋁的含量以Al/(A1+Ga)原子數(shù)比計(jì)為10~90原子％。又，根據(jù)本發(fā)明的第2發(fā)明，提供了一種氧化物燒結(jié)體，在第l發(fā)明中，鋁和鎵全部包含于纖鋅礦型氧化鋅相和/或尖晶石型氧化物相中，該氧化物燒結(jié)體不包含氧化鋁相和氧化鎵相。進(jìn)而，根據(jù)本發(fā)明的第3發(fā)明，提供了一種氧化物燒結(jié)體，在第1或第2發(fā)明中，不包含鋁酸鋅或鎵酸鋅的尖晶石型氧化物相。一方面，根據(jù)本發(fā)明的第4發(fā)明，提供了一種氧化物燒結(jié)體的制造方法，在第1~3的發(fā)明中，在其制造方法中，作為原料粉末，在氧化鋅粉末中添加混合氧化鎵粉末和氧化鋁粉末之后，接著向該原料粉末中混入水系介質(zhì)，將所得的漿液進(jìn)行粉碎混合處理，接著成形粉碎混合物，然后焙燒成形體，其特征在于為使成形體的Al/(A1+Ga)原子數(shù)比的標(biāo)準(zhǔn)偏差為25原子％以下而將漿液中的原料粉末均勻粉碎混合。又，根據(jù)本發(fā)明的第5發(fā)明，提供了一種氧化物燒結(jié)體的制造方法，在第4發(fā)明中，在氧化鋅粉末中添加氧化鎵粉末和氧化鋁粉末，使其含有以(Al+Ga)/(Zn+Al+Ga)原子數(shù)比計(jì)為0.3~6.5原子％。又，根據(jù)本發(fā)明的第6發(fā)明，提供了一種氧化物燒結(jié)體的制造方法，在第4或第5發(fā)明中，將氧化鎵粉末和氧化鋁粉末以Al/(A1+Ga)原子數(shù)比計(jì)為30~70原子％的比率添加到氧化鋅粉末中。又，根據(jù)本發(fā)明的第7發(fā)明，提供了一種氧化物燒結(jié)體的制造方法，在第4發(fā)明中，對(duì)原料粉末采用玻珠研磨機(jī)進(jìn)行粉碎混合處理。又，根據(jù)本發(fā)明的第8發(fā)明，提供了一種氧化物燒結(jié)體的制造方法，在第4或第7發(fā)明中，原料粉末采用球磨機(jī)預(yù)先進(jìn)行粉碎混合處理。進(jìn)一步，根據(jù)本發(fā)明的第9發(fā)明，提供了一種氧化物燒結(jié)體的制造方法，在第4發(fā)明中，成形體在1250~1350°C的溫度下經(jīng)過(guò)15~25小時(shí)常壓焙燒。一方面，根據(jù)本發(fā)明的第IO發(fā)明，提供了一種靶，其與第1~3任何一項(xiàng)的發(fā)明相關(guān)，將包含鋁和鎵的氧化鋅類的氧化物燒結(jié)體加工制得。又，根據(jù)本發(fā)明的第ll發(fā)明，提供了一種透明導(dǎo)電膜，其與第IO發(fā)明相關(guān)，采用靶，通過(guò)濺射法或離子電鍍法在基板上形成。又，根據(jù)本發(fā)明的第12發(fā)明，提供了一種透明導(dǎo)電膜，在第11發(fā)明中，鋁和鎵的含量以(Al+Ga)/(Zn+Al+Ga)原子數(shù)比計(jì)為0.36.5原子％。又，根據(jù)本發(fā)明的第13發(fā)明，提供了一種透明導(dǎo)電膜，在第11或第12發(fā)明中，鋁的含量以Al/(A1+Ga)原子數(shù)比計(jì)為30-70原子％。又，根據(jù)本發(fā)明的第14發(fā)明，提供了一種透明導(dǎo)電膜，在第11發(fā)明中，實(shí)質(zhì)上由纖鋅礦型氧化鋅相形成的結(jié)晶相構(gòu)成。又，根據(jù)本發(fā)明的第15發(fā)明，提供了一種透明導(dǎo)電膜，在第ll發(fā)明中，鋁和鎵全部包含于纖鋅礦型氧化鋅相中，該透明導(dǎo)電膜不包含氧化鋁相和氧化鎵相。又，根據(jù)本發(fā)明的第16發(fā)明，提供了一種透明導(dǎo)電膜，在第ll發(fā)明中，比電阻為9.0xl(T4Dcm以下。又，根據(jù)本發(fā)明的第17發(fā)明，提供了一種透明導(dǎo)電膜，在第11-16任何一項(xiàng)發(fā)明中，在波長(zhǎng)為780~1200nm下，膜本身的透射率為76%以上。進(jìn)一步，根據(jù)本發(fā)明的第18發(fā)明，提供了一種透明導(dǎo)電膜，在第11-17發(fā)明中，基板為玻璃或塑料制的透明基板。一方面，根據(jù)本發(fā)明的第19發(fā)明，與第1117發(fā)明相關(guān)，提供了以透明導(dǎo)電膜作為電極的太陽(yáng)能電池。又，根據(jù)本發(fā)明的第20發(fā)明，提供了一種太陽(yáng)能電池，該太陽(yáng)能電池為薄膜類太陽(yáng)能電池，在第19發(fā)明中，其采用硅類半導(dǎo)體或化合物半導(dǎo)體作為光電轉(zhuǎn)換元件。又，根據(jù)本發(fā)明的第21發(fā)明，提供了一種太陽(yáng)能電池，在第19發(fā)明中，在設(shè)置電極層的非金屬基板或具有電極性的金屬基板上，包括由p型半導(dǎo)體的光吸收層、n型半導(dǎo)體的中間層、半導(dǎo)體的窗層、上述透明導(dǎo)電膜形成的電極層依次層積的結(jié)構(gòu)。又，根據(jù)本發(fā)明的第22發(fā)明，提供了一種太陽(yáng)能電池，在第19發(fā)明中，在由透明基板上的上述透明導(dǎo)電膜形成的電極層上，包括半導(dǎo)體的窗層、n型半導(dǎo)體的中間層、p型半導(dǎo)體的光吸收層依次層積的結(jié)構(gòu)。又，根據(jù)本發(fā)明的第23發(fā)明，提供了一種太陽(yáng)能電池，在第21或第22發(fā)明中，光吸收層為選自CuInSe2、CuInS2、CuGaSe2、CuGaS2、這些的固溶體、或CdTe中的至少一個(gè)。又，根據(jù)本發(fā)明的第24發(fā)明，提供了一種太陽(yáng)能電池，在第21~23的任何一項(xiàng)發(fā)明中，中間層為溶液析出的CdS層或(Cd,Zn)S層。又，根據(jù)本發(fā)明的第25發(fā)明，提供了一種太陽(yáng)能電池，在第21~24的任何一項(xiàng)發(fā)明中，窗層為ZnO或(Zn,Mg)O。本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體采用氧化鋅為主要成分，氧化鋅作為資源被豐富地埋藏，為低成本的材料，而且對(duì)環(huán)境和人體無(wú)害。又，如果采用將本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體進(jìn)行加工的靶，則為了提高生產(chǎn)效率在提高直流電力密度進(jìn)行直流濺射的時(shí)候，也完全不會(huì)發(fā)生以前的AZO靶、GZO靶的場(chǎng)合作為課題的打火。又，在連續(xù)成膜使用時(shí)也難以產(chǎn)生在靶表面、成膜室的壁上附著的膜剝落而產(chǎn)生的顆粒。因此，成膜的連續(xù)生產(chǎn)線工序中，幾乎沒(méi)有缺陷商品的成品率高的量產(chǎn)成膜成為可能，生產(chǎn)性大為提高。而且，采用本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體進(jìn)行濺射等得到的透明導(dǎo)電膜與以前的AZO膜相比，為低電阻、不損壞可見(jiàn)光透射性，與以前的GZO膜相比，近紅外線的透射性提高。因?yàn)榭梢栽诓患訜峄宓那闆r下就可得到高導(dǎo)電性的透明導(dǎo)電膜，所以在耐熱性差的薄膜基板等的有機(jī)物上也能得到低電阻膜。進(jìn)一步，用于太陽(yáng)能電池等的透明電極的話，為低電阻、在可見(jiàn)光區(qū)域到近紅外區(qū)域的寬闊區(qū)域中透射性高，因此，能夠獲得高的能量轉(zhuǎn)換效率。又，作為接觸面板、平板顯示器(LCD、PDP、EL等)、發(fā)光器件(LED、LD等)的透明電極是有用的。圖1為表示采用本發(fā)明的氧化物透明電極膜的硅類太陽(yáng)能電池的概略結(jié)構(gòu)的說(shuō)明圖。圖2為表示將本發(fā)明的氧化物透明電極膜用于玻璃基板側(cè)的化合物薄膜類太陽(yáng)能電池的概略結(jié)構(gòu)的說(shuō)明圖。圖3為表示將本發(fā)明的氧化物透明電極膜用于與玻璃基板相反側(cè)的化合物薄膜類太陽(yáng)能電池的概略結(jié)構(gòu)的說(shuō)明圖。具體實(shí)施方式以下，對(duì)本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體、采用它的靶、透明導(dǎo)電膜、以及它們的制造方法進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。(l)氧化物燒結(jié)體本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體其含有氧化鋅、鋁、鎵，是實(shí)質(zhì)上由纖鋅礦型氧化鋅相和尖晶石型氧化物相的結(jié)晶相構(gòu)成的氧化物燒結(jié)體，(l)氧化物燒結(jié)體中的鋁和鎵的含量以(Al+Ga)/(Zn+Al+Ga)原子數(shù)比計(jì)為0.36.5原子％,并且，鋁的含量以Al/(A1+Ga)原子數(shù)比計(jì)為3070原子％;(2)尖晶石型氧化物相中的鋁的含量以Al/(A1+Ga)原子數(shù)比計(jì)為1090原子％。即，本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體為含有鋅、鋁、鎵的氧化物燒結(jié)體，其組成為鋁和鎵的含量的總和以(Al+Ga)/(Zn+Al+Ga)原子數(shù)比計(jì)為0.3~6.5原子％。采用本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體，用濺射法或離子電鍍法得到的透明導(dǎo)電膜的組成，雖與氧化物燒結(jié)體基本相同，但如果氧化物燒結(jié)體中的鋁和鎵的含量總和在該范圍內(nèi)，在范圍廣的成膜條件下、特別不對(duì)基板進(jìn)行加熱的室溫成膜條件下均能得到高導(dǎo)電性的透明導(dǎo)電膜。鋁和鎵的含量總和在0.3原子％以下時(shí)，膜中的載體自由電子的產(chǎn)生量少，所以不能得到高的導(dǎo)電性。又，鋁和鎵的含有量的總和如果超過(guò)6.5原子％，則特別在室溫成膜的場(chǎng)合，伴隨結(jié)晶性下降的載體自由電子的移動(dòng)度的下降顯著，無(wú)法得到高導(dǎo)電性的膜。特別在基板不加熱而在室溫的成膜條件下，為了得到低電阻的透明導(dǎo)電膜(例如約200nm的膜厚，4.9x1(T49.0x10"Qcm的比電阻)，鋁和鎵的含量的總和為3.2~6.5原子％是必要的。如果對(duì)得到的透明導(dǎo)電膜的透射率進(jìn)行說(shuō)明的話，鋁和鎵的含量的總和為0.3~6.5原子％的范圍內(nèi)的氧化物燒結(jié)體中，在可見(jiàn)光區(qū)域(波長(zhǎng)400800nm)的透射率高，以{(含有基板的透射率)/(僅為基板的透射率)}x100%進(jìn)行規(guī)定的膜本身的透射率為87%以上。如果對(duì)近紅外區(qū)域(波長(zhǎng)8001200nm)的透射率進(jìn)行說(shuō)明的話，鋁和鎵的含量的總和為0.3~3.2原子％時(shí)特別優(yōu)異，在膜厚為200nm的同樣規(guī)定的膜本身的透射率發(fā)揮91%~94%的高透射性的同時(shí)，在應(yīng)用于太陽(yáng)能電池時(shí)，能得到充分的低電阻的透明導(dǎo)電膜(例如約200nm的膜厚中，9.0x1(T43.0xl(T3Qcm的電阻率)。而且，本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體中鋁、鎵的比例以Al/(A1+Ga)原子數(shù)比計(jì)為30~70原子％,優(yōu)選為40~60原子％。氧化物燒結(jié)體的Al/(A1+Ga)原子數(shù)比不足30原子％的話，如后述那樣，在燒結(jié)體中就會(huì)生成Al/(A1+Ga)原子數(shù)比不足10原子％的尖晶石型氧化物相，如此的氧化物燒結(jié)體作為耙使用，進(jìn)行連續(xù)長(zhǎng)時(shí)間濺射的話，容易產(chǎn)生顆粒。又，氧化物燒結(jié)體的Al/(A1+Ga)原子數(shù)比超過(guò)70原子％的話，如后述那樣，在燒結(jié)體中生成Al/(A1+Ga)原子數(shù)比超過(guò)90原子％的尖晶石型氧化物相，如此的氧化物燒結(jié)體作為靶使用，若提高直流輸入電力而進(jìn)行直流濺射的話，容易發(fā)生打火。又，本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體由結(jié)晶相構(gòu)成，該結(jié)晶相實(shí)質(zhì)上為纖鋅礦型氧化鋅相和尖晶石型氧化物相，尖晶石型氧化物相中的鋁的含量以Al/(A1+Ga)原子數(shù)比計(jì)為1090原子％。鋁元素以及鎵元素全部包含于纖鋅礦型氧化鋅相和/或尖晶石型氧化物相中，不包含氧化鋁相和氧化鎵相。如果在氧化物燒結(jié)體中包含氧化鋁相和氧化鎵相，因?yàn)樗鼈優(yōu)楦唠娮琛⒒蚪^緣性物質(zhì)，所以成為濺射成膜時(shí)的打火的原因。因此，鋁元素以及鎵元素在氧化物燒結(jié)體中并不是作為氧化鋁相、氧化鎵相而存在的，全部被包含在纖鋅礦型氧化鋅相和/或尖晶石型氧化物相中是必要的。在本發(fā)明中，氧化物燒結(jié)體中的纖鋅礦型氧化鋅相指的是JCPDS卡36-1451中記載的六方晶體的纖鋅礦構(gòu)造，含有缺氧、缺鋅的非化學(xué)計(jì)量組成。氧化鋅相處于此種非化學(xué)計(jì)量學(xué)組成的狀態(tài)，產(chǎn)生自由電子、導(dǎo)電性提高，因此難以在直流濺射時(shí)產(chǎn)生打火。又，該纖鋅礦型氧化鋅相，如上述那樣即使固溶有鎵和/或鋁也沒(méi)有關(guān)系。這些固溶于鋅位置的情況，產(chǎn)生栽體電子、提高了導(dǎo)電性，因此在直流濺射的時(shí)候不容易發(fā)生打火而優(yōu)選。進(jìn)一步，本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體中的尖晶石型氧化物相中，含有鋅、鋁和鎵，尖晶石型氧化物相中的鋁和鎵的含量以Al/(A1+Ga)原子數(shù)比計(jì)為10-90原子％是必要的。因此，鋁酸鋅、鎵酸鋅的尖晶石氧化物相不是分別單獨(dú)含有，而是將鋁和鎵固溶的尖晶石型氧化物相為本發(fā)明的特征，在此點(diǎn)上，與上述專利文件4中記載的含有鎵酸鋅的尖晶石氧化物相(ZnGa204)的GZO燒結(jié)體有很大的不同。在本發(fā)明中，在氧化物燒結(jié)體中所含有的Zn-Al-Ga-0類的尖晶石氧化物相具有以Zn(Al,Ga)2O4.5(S^0)為代表的組成，如果含有Al/(Al+Ga)原子數(shù)比不足10原子％的尖晶石型氧化物相，則在成膜中顆粒的產(chǎn)生變多，因此不優(yōu)選。靶中的尖晶石相的組成含有Al/(A1+Ga)原子數(shù)比不足10原子％的尖晶石相的話，靶表面堆積的膜的剝離產(chǎn)生的顆粒變多。這被認(rèn)為是，尖晶石結(jié)晶相的Al/(A1+Ga)原子數(shù)比不足10原子％的話，尖晶石相-氧化鋅堆積膜之間的熱膨脹系數(shù)的差變得特別大，因?yàn)樯鲜鰺徇^(guò)程而使堆積膜變得容易剝離。因此，本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體中的Al/(A1+Ga)原子數(shù)比不足10原子％的組成的尖晶石相不能夠存在。特別在燒結(jié)體中容易形成的ZnGa2O4-S(S^0)的組成為代表的鎵酸鋅的尖晶石化合物不能存在。又，氧化物燒結(jié)體中如果存在Al/(A1+Ga)原子數(shù)比超過(guò)90原子％的尖晶石相，則容易發(fā)生打火。因此，本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體中的Al/(A1+Ga)原子數(shù)比超過(guò)90原子％的組成的尖晶石相不能夠存在。特別在燒結(jié)體中容易形成的ZnAl2O4.s(S^0)的組成為代表的鋁酸鋅的尖晶石化合物不能存在。又，本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體在含有鋅、鋁、鎵、氧以外，在不損壞本發(fā)明的目的的范圍含有其它元素(例如銦、鈦、鎢、鉬、銥、釕、錸、鈰、鎂，硅、氟等)也沒(méi)有關(guān)系。又，本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體不僅是濺射靶，也可以作為離子束濺射法、激光燒蝕法的靶、以及真空蒸鍍法、離子電鍍法的小片而進(jìn)行利用。(2)氧化物燒結(jié)體的制造方法本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體的制造方法，作為原料粉末，在氧化鋅粉末中添加混合氧化鎵粉末和氧化鋁粉末之后，接著向該原料粉末中混入水系介質(zhì)，將所得的漿液進(jìn)行粉碎混合處理，接著成形粉碎混合物，然后焙燒成形體，其特征在于，將漿液中的原料粉末在Al/(A1+Ga)原子數(shù)比的標(biāo)準(zhǔn)偏差為25原子％以下的充分條件下均勻粉碎混合。如上所述那樣具有以下等特征，含有鋅、鋁、鎵的氧化物燒結(jié)體，是實(shí)質(zhì)上由纖鋅礦型氧化鋅相和尖晶石型氧化物相的結(jié)晶相構(gòu)成的，鋁元素和鎵元素全部包含于纖鋅礦型氧化鋅相和/或尖晶石型氧化物相中，該尖晶石型氧化物相中含有鋅、鋁、鎵，其組成以Al/(Al+Ga)原子數(shù)比計(jì)為10~90原子％的比例。為了制造這樣的氧化物燒結(jié)體，像下述那樣控制制造條件是必要的。含有鋅、鋁、鎵的氧化物燒結(jié)體，以氧化鋅、氧化鋁、氧化鎵的各粉末作為原料，將它們混合、成形制作壓粉體，在高溫下焙燒、反應(yīng)燒結(jié)進(jìn)行制作。氧化鋅、氧化鋁、氧化鎵的各粉末并非特別，使用一直以來(lái)采用的氧化物燒結(jié)體用原料即可。使用粉末的平均粒徑在1.5pm以下，優(yōu)選在0.1~l.lnm。一般，作為制造氧化物燒結(jié)體時(shí)的原料粉末混合法，如上述專利文件4所記載的那樣，采用球磨機(jī)混合法。球磨機(jī)是將陶瓷等硬質(zhì)的球(球徑1030mm)與材料的粉放入容器中進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，由此一邊將材料磨碎一邊混合以制作微細(xì)混合粉末的裝置。球磨機(jī)(粉碎媒介)作為缶體釆用鋼、不銹鋼、尼龍等，作為內(nèi)襯采用鋁、磁質(zhì)材料、天然硅石、橡膠、氨基甲酸乙酯等。球采用氧化鋁為主成分的氧化鋁球、天然硅石、加入鐵心的尼龍球、氧化鋯球等。有濕式和干式的粉碎方法，在為了得到燒結(jié)體的原料粉末的混合粉碎中被廣泛的應(yīng)用。可是，為了得到本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體，根據(jù)球磨法的原料粉末的混合粉碎不充分。在根據(jù)球磨法的原料粉末的混合粉碎中，以上述均勻性評(píng)價(jià)法a有超過(guò)25原子％的場(chǎng)合，不能得到a在25原子％以下的均勻性高的混合原料粉末。為了得到o在25原子％以下的均勾性高的混合原料粉末采用玻珠研磨法、噴射式粉碎法是有效的。所謂玻珠研磨法是在稱為器孤(Vessel)的容器中事先充填玻珠(粉碎媒介、玻珠直徑為0.005~3mm)70-90%，使器亞的中央的旋轉(zhuǎn)軸以周速為715m/秒進(jìn)行旋轉(zhuǎn)以使玻珠進(jìn)行運(yùn)動(dòng)。在此，將原料粉末等的被粉碎物混合于液體的漿液送入泵中，通過(guò)與玻珠進(jìn)行沖撞而進(jìn)行微粉碎、分散。在玻珠研磨機(jī)的場(chǎng)合，與被粉碎物相對(duì)應(yīng)將玻珠徑減小的話，效率會(huì)提高。一般情況下，玻珠研磨機(jī)能以球磨機(jī)近一千倍的加速度實(shí)現(xiàn)微粉碎和混合。如此結(jié)構(gòu)的玻珠研磨機(jī)被稱為各種各樣的名稱，比如廿乂K義'，Y乂夕'一、了夕77^Hf^f—、7卜，^夕一、/《一/^$》、7^、;/夕義S、々乂lx卜，匕、、7〕$、夕',乂一$、7^亍一夕一$、〕求一/P^/r、7八。^f夕^》、SCS/k等。在本發(fā)明中用哪個(gè)均可。'又，所謂噴射式粉碎機(jī)，是將原料粉末等的被粉碎物從噴嘴將以音速左右速度進(jìn)行噴射的高壓的空氣或蒸氣作為超高速噴射而與粒子之間進(jìn)行沖擊，由此可粉碎成微粒子。在采用微細(xì)、不凝集的原料粉末的場(chǎng)合，僅以玻珠研磨法、噴射式粉碎法進(jìn)行微粉碎和混合的話，能夠得到本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體。可是，基于球磨法而進(jìn)行的粉碎混合之后，采用玻珠研磨法進(jìn)行微粉碎混合的話，確實(shí)能夠得到本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體。如上所述，本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體優(yōu)選球磨機(jī)和玻珠研磨機(jī)進(jìn)行并用的方法，進(jìn)行例如以下的制造。首先，作為原料粉末將氧化鋅粉末、氧化鋁粉末、氧化鎵粉末按照希望的比例投到球磨機(jī)用罐中，進(jìn)行干式或濕式混合，調(diào)制混合粉末。為了得到本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體，上述的原料粉末的配合比例，最好鋁和鎵的含量以(Al+Ga)/(Zn+Al+Ga)原子數(shù)比計(jì)為0.3~6.5原子％,鋁和鎵以Al/(A1+Ga)原子數(shù)比計(jì)為30~70原子％。如此得到的粉末中加入水、分散材料、粘合劑等的有機(jī)物，制造漿液。漿液的粘度優(yōu)選1505000cp,更優(yōu)選4003000cp。接著，將得到的漿液和玻珠放入玻珠研磨機(jī)的容器中進(jìn)行處理。作為玻珠材料，可以例舉氧化鋯、氧化鋁等，但從耐磨性的角度來(lái)講優(yōu)選氧化鋯。玻珠的直徑從粉碎效率的方面出發(fā)優(yōu)選l~3mm。循環(huán)數(shù)可以一次，優(yōu)選兩次以上，5次以下就能得到很好的效果。又，作為處理時(shí)間優(yōu)選為IO小時(shí)以下，更優(yōu)選為4~8小時(shí)。根據(jù)進(jìn)行的如此處理，漿液中的氧化鋅粉末、氧化鋁粉末、氧化鎵粉末的粉碎混合良好，在焙燒前的時(shí)間漿液中的鋁、鎵的相對(duì)的均^)性變高。上述鋁、鎵的均勻性在形成以下的成形體時(shí)，Al/(A1+Ga)原子數(shù)比在標(biāo)準(zhǔn)偏差為25原子％以下進(jìn)行混合粉碎處理是必要的。根據(jù)使用如此的漿液，在焙燒中使均勻化進(jìn)一步提高，能得到本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體。接著，采用如此處理的漿液進(jìn)行成形。作為成形方法可以采用鑄入成形法、沖壓成形法中的任一個(gè)。在進(jìn)行鑄入成形時(shí)，將得到的漿液注入鑄入成形用模具中，制造成形體。從玻珠研磨機(jī)的處理到鑄入的時(shí)間，優(yōu)選為IO小時(shí)以內(nèi)。據(jù)此，得到的漿液可以防止顯示觸變性。在進(jìn)行沖壓成形的場(chǎng)合，向得到的漿液中添加聚乙烯醇等的粘合劑等，根據(jù)必要進(jìn)行水分調(diào)節(jié)后，采用噴霧干燥器等干燥成為粉末。將得到的粉末在規(guī)定的大小的模具中充填后，采用沖壓一幾在100300Kg/cm2的壓力下進(jìn)行沖壓制作成形體。采用該成形體，以上述方法進(jìn)行Al/(A1+Ga)原子數(shù)比的均勻性評(píng)價(jià)，得到cj在25原子％以下的均勻性。此時(shí)的成形體的厚度，考慮因其后的CIP工序、焙燒工序產(chǎn)生的收縮，設(shè)定為能得到厚度為10mm以上的燒結(jié)體的厚度。接著，如此得到的成形體根據(jù)需要，根據(jù)冷等靜壓機(jī)(CIP)進(jìn)行處理。此時(shí)，CIP的壓力為了得到充分的壓密效果為lton/cm2以上，優(yōu)選為2~5ton/cm2。采用由上述混合粉末制作的成形體，作為焙燒法采用熱壓法、常壓燒結(jié)法均能得到本發(fā)明的氧化物燒制造。以常壓燒結(jié)法進(jìn)行焙燒得到氧化物燒結(jié)體的場(chǎng)合如下進(jìn)行。將得到的成形體在300500°C的溫度進(jìn)行520小時(shí)左右的脫粘合劑處理，然后進(jìn)行焙燒。為了有效地將內(nèi)部的空孔向外部放出，升溫速度控制在150。C/小時(shí)以下，優(yōu)選100。C/小時(shí)以下，更優(yōu)選80。C/小時(shí)'。燒結(jié)溫度在1200~1600°C,優(yōu)選1200~1400°C,更優(yōu)選為12501350°C,燒結(jié)時(shí)長(zhǎng)為540小時(shí)，優(yōu)選為1030小時(shí)，更優(yōu)選為15~25小時(shí)。燒結(jié)后，在冷卻時(shí)，停止氧的導(dǎo)入，以0.18。C/分鐘、優(yōu)選0.25。C/分鐘、特別優(yōu)選0.2rC/分鐘范圍的降溫速度降溫至IOOO'C。如此，就能夠得到如上述的本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體。以上，根據(jù)已述的工序，必須采用微細(xì)的原料粉末、采用玻珠研磨機(jī)的充分粉碎混合的同時(shí)，采用足夠進(jìn)行擴(kuò)散的燒結(jié)溫度進(jìn)行燒結(jié)的話，氧化物燒結(jié)體中不含氧化鋁相、氧化鎵相，進(jìn)一步能夠得到不含有鋁酸鋅、鎵酸鋅等的以Al/(A1+Ga)原子數(shù)比計(jì)為10~90原子％的比例以外的組成的尖晶石型氧化物相(Zn-Al-Ga-0類)的氧化物燒結(jié)體。即，可以制造具有以下等特征的本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體，該氧化物燒結(jié)體中的鋁和鎵的含量的總和以(Al+Ga)/(Zn+Al+Ga)原子數(shù)比計(jì)為0.36.5原子％,氧化物燒結(jié)體以纖鋅礦型氧化鋅相和尖晶石型氧化物相構(gòu)成，氧化物燒結(jié)體中的尖晶石型氧化物相(Zn-Al-Ga-O類)的組成以Al/(A1+Ga)原子數(shù)比計(jì)為1090原子％的比例。在進(jìn)行該焙燒時(shí)，固溶了鋁和鎵的纖鋅礦型氧化鋅相和ZnAl2O4'襲0)和ZnGa2O4-s(S^0)等的單純組成的尖晶石相迅速被形成。而且，與焙燒時(shí)間一起，因結(jié)晶相間擴(kuò)散而發(fā)生的組成的均勻化在進(jìn)行，但有時(shí)會(huì)產(chǎn)生Al/(A1+Ga)原子數(shù)比在10~90原子％的范圍以外、不平衡組成的尖晶石相。其在燒結(jié)體中產(chǎn)生的要因如下。固溶體內(nèi)的焙燒時(shí)的擴(kuò)散產(chǎn)生的均勻化在同價(jià)位的離子間非常緩慢，在Zn(Al,Ga)204.s(S^))的場(chǎng)合，占據(jù)相同的位置，互相價(jià)位相等的Al離子、Ga離子間的不均勻性因?yàn)闆](méi)有破壞電荷平衡所以穩(wěn)定，—因焙燒時(shí)的擴(kuò)散而產(chǎn)生均勻化非常緩慢?；旌显戏勰┲械慕M成的不平衡過(guò)大的話，因焙燒中的擴(kuò)散而產(chǎn)生的均勻化變得不充分，得到了產(chǎn)生大的組成變動(dòng)的狀態(tài)的燒結(jié)體。特別是，相同原子價(jià)的Al離子、Ga離子間的均勻性容易受到混合原料粉末中的Al和Ga的不均勻性的影響。總之，因不充分的混合，如果在焙燒前的壓粉體中部分存在相對(duì)氧化鎵來(lái)說(shuō)氧化鋁離子非常多的部分，則在焙燒后在燒結(jié)體中就會(huì)存在氧化鋁相、以ZnAl2O4-S(S20)為中心的鋁組成多的尖晶石相(以下也有記為ZAO的場(chǎng)合)。反之，若存在氧化鎵粉末過(guò)多的部分，則在焙燒后在燒結(jié)體中就會(huì)存在氧化鎵相、以ZnGa2O4-s(S^0)為中心的鎵組成多的尖晶石相(以下也有記為ZGO的場(chǎng)合)。ZAO相和ZGO相之間雖然會(huì)產(chǎn)生Al離子、Ga離子的擴(kuò)散，但因?yàn)橥粌r(jià)位，以均勻化為目的的擴(kuò)散緩慢，反應(yīng)出混合原料粉末中的鋁和鎵的局部的不平衡，得到ZAO相和ZGO相分布了的氧化物燒結(jié)體。欲減少如此的混合原料粉末中的組成的不平衡，在原料粉末中，特別是氧化鋁粉末、氧化鎵粉末的混合和粉碎很重要，在焙燒前的混合原料粉末的氧化鋁、氧化鎵之間的混合均勻化特別重要。在焙燒前的混合原料粉末的均勻性可以通過(guò)如下的方法評(píng)價(jià)。采用混合原料粉末制作成形體，對(duì)其斷面采用掃描型電子顯微鏡一邊進(jìn)行觀察，一邊采用附屬的能量分散型X射線分析裝置(EDX)照射電子束，在約lpm(D的微小區(qū)域進(jìn)行組成分析，把握該區(qū)域Al/(A1+Ga)原子數(shù)比。在任意的50處，測(cè)定Al/(A1+Ga)原子數(shù)比，求出其標(biāo)準(zhǔn)偏差cj。均勻性越高的話a越小。為了得到本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體，ci為25原子％以下是必要的。(3)靶采用上述方法制造的氧化物燒結(jié)體根據(jù)平面研磨等進(jìn)行加工，在得到規(guī)定的尺寸后，在由無(wú)氧銅構(gòu)成的支撐板上通過(guò)銦焊接等粘結(jié)可以形成濺射靶(也稱為單靶)。根據(jù)需要將數(shù)張燒結(jié)體列成分割形狀，形成大面積的靶也是可以的。在本發(fā)明中，靶是以濺射為代表的氣相合成法進(jìn)行制造時(shí)而使用的，其制造以氧化鋅作為主成分的透明導(dǎo)電膜，如果采用該靶的話，即使提高輸入電力密度，以高速進(jìn)行直流濺射成膜，也完全不會(huì)發(fā)生打火等異常放電，以連續(xù)長(zhǎng)時(shí)間成膜時(shí)，也難以產(chǎn)生在靶表面附著膜的剝離而產(chǎn)生的顆粒。在本發(fā)明中靶含有氧化鋅、鋁、鎵，是實(shí)質(zhì)上將由纖鋅礦型氧化鋅相和尖晶石型氧化物相的結(jié)晶相構(gòu)成的氧化物燒結(jié)體進(jìn)行加工的產(chǎn)品。鋁和鎵的含量以(Al+Ga)/(Zn+Al+Ga)原子數(shù)比計(jì)為0.3~6.5原子％,并且，鋁和鎵的比例以Al/(A1+Ga)原子數(shù)比計(jì)為30~70原子％。而且，鋁和鎵全部包含于纖鋅礦型氧化鋅相和/或尖晶石型氧化物相中，不包含氧化鋁相和氧化鎵相。又，鋁、鎵在尖晶石型氧化物相中以Al/(A1+Ga)原子數(shù)比計(jì)為10~90原子％的比例含有，不含有鋁酸鋅以及鎵酸鋅的尖晶石氧化物相。在該氧化物燒結(jié)體中含有的Zn-Al-Ga-0類的尖晶石氧化物相具有以Zn(Al,Ga)2O4.s(&0)為代表的組成，如果含有Al/(A1+Ga)原子數(shù)比不足10原子％的尖晶石氧化物相，則在成膜中顆粒的產(chǎn)生變多，因此不優(yōu)選。在成膜時(shí)如果產(chǎn)生顆粒，則在基板上附著，產(chǎn)生膜的缺陷、堆積在靶的腐蝕部，則成為打火的原因。在成膜中產(chǎn)生的顆粒是因?yàn)橐韵碌臋C(jī)制引起的。在濺射成膜被濺射的粒子的一部分與濺射氣體粒子沖撞返回到靶的表面上。該返回的濺射粒子主要堆積在靶面上沒(méi)有被濺射的非腐蝕部分上(腐蝕部因?yàn)R射而被挖取的部分)，形成薄膜。該堆積膜是在采用Zn、Al、Ga的氧化物燒結(jié)體的靶時(shí)，將Al、Ga固溶了的氧化鋅相的結(jié)晶膜。靶燒結(jié)體的表面上，以將A1、Ga固溶了的氧化鋅相結(jié)晶相和Zn-Al-Ga-0尖晶石結(jié)晶相構(gòu)成，在其上堆積薄膜。在成膜中因從等離子體接受熱輻射，靶的表面被加熱，但是成膜結(jié)束就被冷卻。靶的表面和堆積膜在加熱和冷卻時(shí)接受熱膨脹、收縮。耙中的氧化鋅相和堆積膜的氧化鋅相之間的熱膨脹差、收縮差由于相同的結(jié)晶構(gòu)造，因此比較小，但是靶中的尖晶石結(jié)晶相和堆積膜的氧化鋅相之間的熱膨脹差、收縮差比較大，該差對(duì)尖晶石結(jié)晶相的組成有較大的依賴。在本發(fā)明中，如果靶中的尖晶石相的組成以Al/(A1+Ga)原子數(shù)比計(jì)不足10原子％時(shí)，就會(huì)顯現(xiàn)因?yàn)榘斜砻娑逊e的膜的剝離而發(fā)生顆粒變多的傾向。這被認(rèn)為是因?yàn)锳l/(A1+Ga)原子數(shù)比不足10原子％的話，尖晶石相-氧化鋅堆積膜之間的熱膨脹系數(shù)的差特別變大，因?yàn)樯鲜鰺徇^(guò)程而使堆積膜變得容易剝離。在幾乎所有的場(chǎng)合，在成膜完了后的冷卻時(shí)，由于尖晶石相和堆積膜的熱收縮差使堆積膜產(chǎn)生很大的應(yīng)力，剝離而產(chǎn)生顆粒。又，氧化物燒結(jié)體中若Al/(A1+Ga)原子數(shù)比超過(guò)90原子％的話，存在尖晶石相，則容易產(chǎn)生打火。其主要原因被認(rèn)為在于，Al/(A1+Ga)原子數(shù)比超過(guò)90原子％的尖晶石相成為高電阻，如果采用存在此種尖晶石相的氧化物燒結(jié)體的耙，進(jìn)行輸入高直流電力的濺射成膜，在高電阻的尖晶石相因氬離子的照射而發(fā)生帶電，產(chǎn)生絕緣破壞，容易發(fā)生打火。(4)透明導(dǎo)電膜及其制造方法本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜采用上述靶，在成膜裝置中通過(guò)濺射法或者離手電鍍法在基板上形成。特別是直流(DC)濺射法，在成膜時(shí)的熱影響小，可以進(jìn)行高速成膜，因此在工業(yè)上是有利的。本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜以上述氧化物燒結(jié)體作為原料成膜，因此反映出了氧化物燒結(jié)體的組成。即，為以氧化鋅為主成分，進(jìn)一步含有鋁、鎵的透明導(dǎo)電膜，(1)鋁和鎵的含量的總和以(Al+Ga)/(Zn+Al+Ga)原子數(shù)比計(jì)為0.3~6.5原子％,并且，鋁和鎵以Al/(A1+Ga)原子數(shù)比計(jì)為30-70原子％;同時(shí)，(2)該透明導(dǎo)電膜由結(jié)晶相構(gòu)成。又，本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜的結(jié)晶相實(shí)質(zhì)由纖鋅礦型氧化鋅相構(gòu)成，鋁元素和鎵元素全部包含于纖鋅礦型氧化鋅相中為優(yōu)選。又，將得到的纖鋅礦型氧化鋅相在上述玻璃等的基板的垂直方向沿c軸取向。結(jié)晶性越好(結(jié)晶粒離子越大)載體電子的移動(dòng)度越快，因此具有優(yōu)異導(dǎo)電性。氧化鋅類的透明導(dǎo)電膜的導(dǎo)電性，其膜厚越厚越容易得到高的導(dǎo)電性。膜如果厚，膜的結(jié)晶性越好，因?yàn)檩d體電子的移動(dòng)度增大。在本發(fā)明中，采用由上述氧化物燒結(jié)體得到的靶，釆用特定的基板溫度、壓力、氧濃度等的濺射條件，由此，在基板上可以形成由含有鋁和鎵的氧化鋅構(gòu)成的透明導(dǎo)電膜。采用本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體進(jìn)行濺射法或離子電鍍法得到的透明導(dǎo)電膜的組成與氧化物燒結(jié)體的組成相同。作為基板，根據(jù)玻璃、樹(shù)脂、金屬、陶瓷等及其材質(zhì)，沒(méi)有特別的限定，透明、不透明均可，但優(yōu)選透明基板。在為樹(shù)脂的場(chǎng)合，可以使用板狀、膜等各種各樣的形狀，例如150。C以下的低熔點(diǎn)的場(chǎng)合也沒(méi)有關(guān)系。耙(氧化物燒結(jié)體)的組成，如上所述，鋁和鎵的含量的總和以(Al+Ga)/(Zn+Al+Ga)原子數(shù)比計(jì)為0.3~6.5原子％。特別在基板不加熱而在皇溫的成膜條件下，為了得到低電阻的透明導(dǎo)電膜(在例如約200nm的膜厚中，4.9xl(T4~9.0xl(T4Qcm的比電阻)，鋁和鎵的含量的總和為3.2~6.5原子％是必要的。如果對(duì)所得到的透明導(dǎo)電膜的透射率進(jìn)行說(shuō)明的話，鋁和鎵的含量的總和為0.36.5原子％的范圍內(nèi)的氧化物燒結(jié)體中，在可見(jiàn)光區(qū)域(波長(zhǎng)400800nm)的透射率高，以{(含有基板的透射率)/(僅為基板的透射率)}x100(%)進(jìn)行規(guī)定的膜本身的透射率為87%以上。如果對(duì)近紅外區(qū)域(波長(zhǎng)8001200nm)的透射率進(jìn)行說(shuō)明的話，鋁和鎵的含量的總和為0.3~3.2原子％時(shí)特別優(yōu)異，在膜厚為200nm的同樣規(guī)定的膜本身的透射率發(fā)揮91%~94%的高透射性的同時(shí)，在應(yīng)用于太陽(yáng)能電池時(shí)，能得到充分的低電阻的透明導(dǎo)電膜(在例如約200nm的膜厚中，9.0xl(T4~3.0xl(T3Qcm的比電阻)。由含有如此的鋅、鋁、鎵的氧化物燒結(jié)體構(gòu)成的濺射法制造的透明導(dǎo)電膜，為鋁離子和鎵離子作為摻雜劑置換鋅離子位置的氧化鋅作為主成分的n型半導(dǎo)體的導(dǎo)電性結(jié)晶膜。鋁離子和鎵離子為正三價(jià)，這些通過(guò)置換正二價(jià)的鋅離子位置，可在膜中產(chǎn)生載體自由電子，提高導(dǎo)電性。在本發(fā)明中，靶的組成規(guī)定鋁和鎵的含量的總和以(Al+Ga)/(Zn+Al+Ga)原子數(shù)比計(jì)為0.3~6.5原子％。如果在該范圍內(nèi)，即使在寬范圍的成膜條件下，特別即使在基板不加熱的室溫成膜情況下，仍可以得到高導(dǎo)電性的透明導(dǎo)電膜，在可見(jiàn)光區(qū)域的透射率高。鋁和鎵的含量的總和在比0.3原子％少的情況下，膜中的載體自由電子的產(chǎn)生量少，無(wú)法得到高的導(dǎo)電性。又，鋁和鎵的含量的總和如果超過(guò)6.5原子％,特別是在室溫成膜的場(chǎng)合，不能得到高的導(dǎo)電性的膜。在室溫成膜的場(chǎng)合，摻雜劑的量過(guò)多的話，不能全部固溶在氧化鋅相中，在晶界中析出鋁和鎵的化合物、薄膜的結(jié)晶性變差，伴隨載體電子的移動(dòng)度的降低的導(dǎo)電性的惡化變顯著。在將基板在400~500。C一邊加熱一邊成膜的話，在添加到達(dá)13原子％之前可以得到高的導(dǎo)電性的透明導(dǎo)電膜，但這樣的高溫成膜為特殊的成膜條件，為了將導(dǎo)電性高的透明導(dǎo)電膜在含有室溫成膜的寬范圍成膜條件下獲得，采用鋁和鎵的含量的總和以(Al+Ga)/(Zn+Al+Ga)原子數(shù)比計(jì)為0.3~6.5原子％的乾是必要的。特別，為了得到在不加熱基板而在室溫的成膜條件下形成低電阻的透明導(dǎo)電膜(在例如約200nm的膜厚中，4.9x10'4~9.0x10"Qcm的比電阻)，鋁和鎵的含量的總和為3.2~6.5原子％的范圍是必要的。如果對(duì)所得到的透明導(dǎo)電膜的透射率進(jìn)行說(shuō)明的話，鋁和鎵的含量的總和為0.36.5原子％的范圍內(nèi)的氧化物燒結(jié)體中，在可見(jiàn)光區(qū)域(波長(zhǎng)400800nm)的透射率高，以{(含有基板的透射率)/(僅為基板的透射率)}x100(%)進(jìn)行規(guī)定的膜本身的透射率為87%以上。如果對(duì)近紅外區(qū)域(波長(zhǎng)800~1200nm)的透射率進(jìn)行說(shuō)明的話，膜的(Al+Ga)/(Zn+Al+Ga)原子數(shù)比為0.3-3.2原子％時(shí)最優(yōu)異，膜厚為200nm的同樣規(guī)定的膜本身的透射率發(fā)揮91%~94%的高透射性的同時(shí)，在應(yīng)用于太陽(yáng)能電池時(shí)，能得到充分的低電阻的透明導(dǎo)電膜(在例如約200nm的膜厚中，9.0x1(T4~3.0xl(T3Qcm的比電阻)。在本發(fā)明中，作為濺射氣體采用氬氣等不活潑氣體，采用直流濺射為優(yōu)選。例如真空抽氣至5xl(T5Pa以下，然后導(dǎo)入純Ar氣體，將氣壓i殳為0.11Pa、凈爭(zhēng)另ij是0.2~0.8Pa,施力口0.55~4.7W/cm2的輸入直流電力密度(直流輸入電力/靶的面積)，使其發(fā)生直流等離子體，可以實(shí)施預(yù)濺射。在進(jìn)行該預(yù)濺射5~30分鐘之后，根據(jù)需要，在修正該基板位置的基礎(chǔ)上進(jìn)行濺射為優(yōu)選。如果采用本發(fā)明的上述氧化物燒結(jié)體得到的靶，則即使輸入4.7W/cm2的高的直流電力也完全不會(huì)發(fā)生打火等的異常放電，能夠穩(wěn)定地高速成膜。氧化鋅類的透明導(dǎo)電膜的導(dǎo)電性很大程度依賴于成膜時(shí)的基板加熱溫度。這是因?yàn)榛寮訜釡囟热绻麨楦邷氐那闆r下，膜的結(jié)晶性就會(huì)變好，載體電子的移動(dòng)度就會(huì)增大。在本發(fā)明中，雖然可以不對(duì)基板進(jìn)行加熱而成膜，但可以將基板加熱到50~300°C,特別優(yōu)選80~200°C。對(duì)基板加熱而進(jìn)行成膜的話，得到的透明導(dǎo)電膜的結(jié)晶性變好，由于上述的主要原因可以實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的導(dǎo)電性?？墒窃诨鍨闃?shù)脂板、樹(shù)脂膜等的低溶點(diǎn)的情況下，希望不加熱而進(jìn)行成膜。如果采用由上述本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體制成的濺射靶，對(duì)資源枯竭的擔(dān)心變小，可以將便宜而且導(dǎo)電性優(yōu)異的ZnO類透明導(dǎo)電膜以高的輸入電力的直流濺射法，通過(guò)不發(fā)生打火的方式在基板上穩(wěn)定地制造，制造成本可大幅降低。本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜與以前的AZO膜相比為低電阻，或與以前的GZO膜相比從可見(jiàn)光區(qū)域到近紅外區(qū)域的透射率高。包括基板的可見(jiàn)光區(qū)域(波長(zhǎng)400~800nm)的平均透射率為85%以上，包括基板的波長(zhǎng)800~1200nm的近紅外區(qū)域的平均透射率為80%以上。即，將膜本身的透射率以K含有基板的透射率)/(僅為基板的透射率)}x100(%)進(jìn)行規(guī)定的話，本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜的膜本身的平均透射率在波長(zhǎng)400-800nm為87%以上，在波長(zhǎng)800~1200nm能源可有效利用的高效率太陽(yáng)能電池的透明電極是有用的。又，采用從上述氧化物燒結(jié)體制作的離子電鍍用的小片(也稱作片或耙)的場(chǎng)合，也可以形成同樣的透明導(dǎo)電膜。離子電鍍法中，在作為蒸發(fā)源的小片上照射來(lái)自電子束和電弧放電的熱等，則被照射的部分局部變成高溫，蒸發(fā)粒子蒸發(fā)，堆積在基板上。此時(shí)，蒸發(fā)粒子根據(jù)電子束和電弧放電而離子化。離子化的方法雖然有多種，但是采用等離子體發(fā)生裝置(等離子槍)的高密度等離子體輔助蒸鍍法(HDPE法)有利于形成優(yōu)質(zhì)的透明導(dǎo)電膜。在該方法中，利用采用等離子槍的電弧放電。該等離子槍中內(nèi)藏的陰極和蒸發(fā)源的坩堝(陽(yáng)極)之間被維持電弧放電。從陰極放出的電子根據(jù)磁場(chǎng)偏向而被導(dǎo)入坩堝中，對(duì)裝入坩堝中的小片的局部集中照射。根據(jù)該電子束，蒸發(fā)粒子從局部成為高溫的部分進(jìn)行蒸發(fā)、堆積在基板上。作為氣化的蒸發(fā)粒子和作為反應(yīng)氣體被導(dǎo)入的02氣體，在該等離子體內(nèi)被離子化以及活性化，因此可以制作優(yōu)質(zhì)的透明導(dǎo)電膜。根據(jù)本發(fā)明，與以前的AZO膜相比，低電阻的透明導(dǎo)電膜可在不損害可見(jiàn)光透射性的情況下進(jìn)行制造。又，可以在不對(duì)基板進(jìn)行加熱的情況下得到高的導(dǎo)電性的透明導(dǎo)電膜，因此對(duì)于耐熱性差的的薄膜基板等有機(jī)物上也可以得到低電阻膜。(5)太陽(yáng)能電池本發(fā)明的太陽(yáng)能電池為將上述透明導(dǎo)電膜作為電極使用的光電轉(zhuǎn)換元件。光電轉(zhuǎn)換元件的構(gòu)造沒(méi)有特別的限定，可以例舉p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體層積的PN結(jié)型、p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體之間加入絕緣層(I層)的PIN結(jié)型或者種類不同的這些結(jié)部進(jìn)行多層層積的混合等。這些的光電轉(zhuǎn)換元件在兩面形成電極。本發(fā)明的太陽(yáng)能電池，在兩面電極中至少一面的電極采用本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜。太陽(yáng)光入射側(cè)的電極不可缺少透明電極，采用本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜是有效的。又，太陽(yáng)光沒(méi)有入射側(cè)的電極也有采用金屬電極的場(chǎng)合，但是，采用本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜(光電轉(zhuǎn)換元件側(cè))和金屬膜的層積膜是有效的。在此場(chǎng)合，通過(guò)PN或光電轉(zhuǎn)換元件的太陽(yáng)光以光電轉(zhuǎn)換元件和金屬膜之間的透明導(dǎo)電膜關(guān)閉，被進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換，但是采用本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜的場(chǎng)合光損失小，是有效的。光電轉(zhuǎn)換元件在以薄膜形成的場(chǎng)合，雖然被設(shè)在玻璃、金屬等的基板上，但是本發(fā)明的太陽(yáng)能電池與在基板上的PN結(jié)部、PIN結(jié)部的層積順序無(wú)關(guān)。也就是說(shuō)，本發(fā)明的太陽(yáng)能電池雖然也有將本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜設(shè)在光電轉(zhuǎn)換元件和基板之間的情況，但是也有設(shè)在光電轉(zhuǎn)換元件的表面?zhèn)鹊那闆r，又，也有設(shè)在其兩側(cè)的情況，無(wú)論那種都是有效的。又，太陽(yáng)能電池根據(jù)半導(dǎo)體的種類而大體進(jìn)行區(qū)分，分為采用單結(jié)晶硅、多結(jié)晶硅、微結(jié)晶硅、非晶質(zhì)硅等的硅類半導(dǎo)體的太陽(yáng)能電池；采用CuInSe類、Cu(In,Ga)Se類、Ag(In,Ga)Se類、CuInS類、Cu(In,Ga)S類、Ag(In,Ga)S類和它們的固溶體、GaAs類、CdTe類等為代表的化合物半導(dǎo)體的薄膜的化合物薄膜類的太陽(yáng)能電池；采用有機(jī)色素的色素增敏型太陽(yáng)能電池(也稱為夕、'k、;/，工小ir小型太陽(yáng)能電池)，但是本發(fā)明的太陽(yáng)能電池包括任何的場(chǎng)合，將上述透明導(dǎo)電膜作為電極使用則可實(shí)現(xiàn)高效率。特別是采用非晶質(zhì)硅、微結(jié)晶硅的太陽(yáng)能電池、化合物薄膜類太陽(yáng)能電池中，太陽(yáng)光在入射側(cè)(感光部側(cè)、表面?zhèn)?的電極中是不可缺少透明導(dǎo)電膜的，通過(guò)采用本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜能夠發(fā)揮高的轉(zhuǎn)換效率的特性。非晶質(zhì)硅的光電轉(zhuǎn)換元件和微結(jié)晶硅的光電轉(zhuǎn)換元件被層積的構(gòu)造、非晶質(zhì)硅的光電轉(zhuǎn)換元件和單結(jié)晶硅的光電轉(zhuǎn)換元件被層積的構(gòu)造、非晶質(zhì)硅的光電轉(zhuǎn)換元件和多結(jié)晶硅的光電轉(zhuǎn)換元件被層積的構(gòu)造、微結(jié)晶硅的光電轉(zhuǎn)換元件和單結(jié)晶硅的光電轉(zhuǎn)換元件被層積的構(gòu)造、微結(jié)晶硅的光電轉(zhuǎn)換元件和多結(jié)晶硅的光電轉(zhuǎn)換元件被層積的構(gòu)造等的混合類型中，透明導(dǎo)電膜也是必不可少的。采用本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜，可以發(fā)揮高的轉(zhuǎn)換效率。如果對(duì)這些硅類的太陽(yáng)能電池進(jìn)行大概說(shuō)明，PN結(jié)型的太陽(yáng)能電池元件，例如可以采用厚度在0.2~0.5mm左右、大小為180mm見(jiàn)方左右的單結(jié)晶、多結(jié)晶的硅基板，元件的硅基板內(nèi)部形成PN結(jié)，該P(yáng)N結(jié)將含有很多硼等P型雜質(zhì)的P層和含有很多磷等N型雜質(zhì)的N層連接形成。又，代替硅基板可以使用玻璃板、樹(shù)脂板、樹(shù)脂薄膜等透明基板。在本發(fā)明中，優(yōu)選透明基板。在此場(chǎng)合，在基板上將上述本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜作為電極形成后，層積了非晶質(zhì)或微結(jié)晶的硅薄膜。非晶質(zhì)或微結(jié)晶的硅，采用硅烷氣體，在玻璃、樹(shù)脂等的基板上以相對(duì)的低溫形成薄膜狀。非晶質(zhì)或微結(jié)晶的硅薄膜中，例如圖l所示的那樣，PN結(jié)之間通過(guò)絕緣層(I層)作為PIN結(jié)。玻璃基板1上，層積有表面?zhèn)?感光部側(cè))透明電極膜2、p型非晶質(zhì)硅膜或氫化非晶質(zhì)硅碳化物膜3、不含有雜質(zhì)的非晶質(zhì)硅膜4、n型非晶質(zhì)硅膜5、內(nèi)側(cè)透明電極膜(改善接觸層)6、內(nèi)側(cè)金屬電極即內(nèi)面電極7。p型非晶質(zhì)硅膜或氫化非晶質(zhì)硅碳化物膜3、不含雜質(zhì)的非晶質(zhì)硅膜4、n型非晶質(zhì)硅膜5通常采用等離子體CVD法而形成。接著，對(duì)化合物薄膜類太陽(yáng)能電池進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。釆用化合物薄膜的太陽(yáng)能電池，通常為具有寬的能帶隙的化合物半導(dǎo)體薄膜(n型半導(dǎo)體的中間層)和具有窄的能帶隙的化合物半導(dǎo)體(p型半導(dǎo)體的光吸收層)的異質(zhì)結(jié)而構(gòu)成。一般的構(gòu)造如圖2所示，成為{表面電極(透明導(dǎo)電膜)/窗層/中間層/光吸收層/內(nèi)面電極(金屬或透明導(dǎo)電膜)}。具體如圖2所示，在玻璃基板12上層積本發(fā)明的透明電極膜11、窗層10的ZnO薄膜、半導(dǎo)體中間層9、p型半導(dǎo)體的光吸收層8、內(nèi)面電極7的Au膜。又，在圖3中玻璃基板12上層積下部電極即內(nèi)面電極13、p型半導(dǎo)體的光吸收層8、半導(dǎo)體中間層9、窗層10、本發(fā)明的氧化鋅類的透明電極膜11。無(wú)論那個(gè)構(gòu)造，都將透明電極膜11側(cè)作為太陽(yáng)光線的入射方向。作為基板，如上所述，根據(jù)玻璃、樹(shù)脂、金屬、陶瓷等及其材質(zhì)，沒(méi)有特別的限制，透明、非透明均可，但透明基板最好。在為樹(shù)脂的場(chǎng)合，可以使用板狀、薄膜等各種各樣的形狀，例如150°C以下的低熔點(diǎn)也沒(méi)有關(guān)系。在為金屬的場(chǎng)合可以例舉有不銹鋼、鋁等，在為陶瓷的場(chǎng)合有氧化鋁、氧化鋅、碳、氮化硅、碳化硅等。作為氧化鋁、氧化鋅以外的氧化物，可以含有從Ga、Y、In、La、Si、Ti、Ge、Zr、Sn、Nb或Ta中選出的氧化物。作為這些氧化物，可以例舉例如Ga203、Y203、ln203、La203、Si02、Ti02、Ge02、Zr02、Sn02、Nb205或Ta205等。在本發(fā)明中，這些玻璃、樹(shù)脂、陶瓷制的基板稱為非金屬基板?；灞砻嬷辽賹⒁粋?cè)設(shè)置山型的凹凸，事先通過(guò)蝕刻等粗糙化處理而使入射的太陽(yáng)光線容易進(jìn)行反射為優(yōu)選。作為內(nèi)面電才及13被j吏用Mo、Ag、Au、Al、Ti、Pd、Ni以及它們的合金等導(dǎo)電性電極材料，Mo、Ag、Au或Al中的任一個(gè)為優(yōu)選。通常為0.5~5pm，優(yōu)選為l~3^im的厚度。該形成手段沒(méi)有特別的限定，例如可以使用直流磁控濺射法、真空蒸鍍法、CVD法。作為光吸收層8的p型半導(dǎo)體可以利用CuInSe2、CuInS2、CuGaSe2、CuGaS2、AgInSe2、AgInS2、AgGaSe2、AgGaSz以及它們的固溶體或CdTe。為了得到更高的能量轉(zhuǎn)換效率所必要的條件為，為了得到更多的光電流而進(jìn)行的光學(xué)的最佳設(shè)計(jì)、在界面或特別是吸收層中制作載體不發(fā)生再結(jié)合的高品質(zhì)的異質(zhì)結(jié)以及薄膜。通常為l~5^im,優(yōu)選為2~3pm的厚度。該形成手段沒(méi)有特別的限定，例如以真空蒸鍍法、CVD法而形成。高品質(zhì)的異質(zhì)界面與中間層/吸收層的組合沒(méi)有關(guān)系，CdS/CdTe類、CdS/CuInSe2類、CdS/Cu(In,Ga)Se2類、CdS/Ag(In,Ga)Se2類等有用的異質(zhì)結(jié)。又，為使太陽(yáng)能電池高效率化，具有更廣范圍的能帶隙的半導(dǎo)體，例如中間層9作為半導(dǎo)體薄膜采用CdS、CdZnS等。據(jù)此，可以使其對(duì)太陽(yáng)光的短波長(zhǎng)的靈敏度提高。通常，為10~200nm，優(yōu)選30~100nm的厚度。中間層9的形成手段沒(méi)有特別限定。但在CdS薄膜的場(chǎng)合，以溶液析出法采用Cdl2、NH4C12、NH3以及硫脲的混合溶液而形成。進(jìn)一步，作為中間層9的CdS、(Cd,Zn)S的入射光側(cè)中，較這些薄膜相比可以將能帶隙大的半導(dǎo)體作為窗層10而配置。據(jù)此，形成了再現(xiàn)性高的高性能的太陽(yáng)能電池。窗層IO例如為ZnO、(Zn，Mg)O薄膜等導(dǎo)電率與CdS薄膜相同程度的薄膜。通常，為50300nm,優(yōu)選100~200nm的厚度。窗層IO的形成手)殳沒(méi)有特別的限定，可通過(guò)直流-磁控濺射法，采用使用ZnO、(Zn,Mg)O等的耙和作為濺射氣體的Ar而形成。本發(fā)明的太陽(yáng)能電池，在如此化合物薄膜類太陽(yáng)能電池的太陽(yáng)光入射側(cè)(表面及/或內(nèi)面)的電極上釆用本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜，與以前的透明導(dǎo)電膜相比低電阻、透射率高，能夠?qū)崿F(xiàn)高轉(zhuǎn)換效率。上述化合物薄膜類，在即使是組成不同的光電轉(zhuǎn)換元件被層積的摻雜類型的太陽(yáng)能電池的場(chǎng)合，采用本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜的話，能夠得到高的轉(zhuǎn)換效率。特別光吸收的波長(zhǎng)區(qū)域不同的組成的不同光吸收層進(jìn)行層積而得到的太陽(yáng)能電池可以有效利用寬范圍波長(zhǎng)領(lǐng)域的太陽(yáng)光，因此，在采用從可見(jiàn)光區(qū)域到近紅外區(qū)域的透射率高的本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜的場(chǎng)合是有用的。任何類型的元件都是在感光面(表面)側(cè)以及內(nèi)面?zhèn)葘y膏根據(jù)絲網(wǎng)印刷法等分別形成總線(^7,—)電極和指狀(7乂力'一)電極、或者在這些電極表面為了容易安裝保護(hù)和連接槽，在其基本整個(gè)面上鍍焊錫。又，元件在硅基板的場(chǎng)合，在感光面?zhèn)仍O(shè)置玻璃板、樹(shù)脂板、樹(shù)脂薄膜等的透明的保護(hù)材。透明導(dǎo)電膜的厚度沒(méi)有特別的限制，根據(jù)材料組成而不同，在為501500nm,4爭(zhēng)另'j希望在400~1300nm的厚度。本發(fā)明的上述透明導(dǎo)電膜為低電阻，對(duì)包括從波長(zhǎng)380nm1200nm的可見(jiàn)光線到近紅外線的太陽(yáng)光的透射率高，因此，能夠?qū)⑻?yáng)光的光能極為有效地轉(zhuǎn)換為電能。又，本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜，除了太陽(yáng)能電池以外，作為光檢測(cè)元件、接觸面板、平板顯示器(LCD、PDP、EL等)、發(fā)光器件(LED、LD等)的透明電極也是有用的。例如，在光檢測(cè)元件的場(chǎng)合，含有層積玻璃電極、光入射側(cè)的透明電極、紅外線等的光檢測(cè)材料層、內(nèi)面電極的構(gòu)造。在為了紅外線檢測(cè)的光檢測(cè)材料層中，有將Ge、InGeAs作為基底的半導(dǎo)體材料而使用的類型{光電二極管(PD)、雪崩光電二極管(APD)}、在堿土類金屬元素的硫化物或竭化物中，添力口從Eu、Ce、Mn、Cu中選出的一種以上的元素、從Sm、Bi、Pb中選出的一種以上的元素的材料等。其它已知有采用非晶質(zhì)硅鍺和非晶質(zhì)硅的層積體的APD,使用哪個(gè)均可。實(shí)施例以下，用本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行更具體的說(shuō)明，但本發(fā)明并不限于這些實(shí)施例。另外，評(píng)價(jià)方法如下。<焙燒前的混合原料粉末的均勻性〉使用混合原料粉末制作成形體，對(duì)其斷面，通過(guò)掃描型電子顯微鏡進(jìn)行觀察，同時(shí)用附帶的能量分散型X射線分析裝置(EDX)照射電子束，進(jìn)行約lpmO)的微小區(qū)域的組成分析，掌握該區(qū)域的Al/(A1+Ga)原子數(shù)比。在任意的50處測(cè)定Al/(A1+Ga)原子數(shù)比，求出其標(biāo)準(zhǔn)偏差o。均勻性越高，ct越小，為了得到本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體，cj必須為25原子％以下。〈氧化物燒結(jié)體的評(píng)價(jià)〉將所得的氧化物燒結(jié)體沿深度方向切斷，對(duì)切斷面進(jìn)行鏡面研磨之后，使其熱腐蝕，析出晶界，然后用掃描型電子顯微鏡觀察組織，求出平均結(jié)晶粒徑、最大空孔徑。又，氧化物燒結(jié)體的燒結(jié)密度、體積電阻率，在切斷面的鏡面研磨的面用四探針?lè)y(cè)定。再有，將所得的氧化物燒結(jié)體的端材粉碎，實(shí)施粉末x射線衍射測(cè)定，進(jìn)行生成相的識(shí)別。通過(guò)FIB加工對(duì)氧化物燒結(jié)體的端材進(jìn)行薄片化處理，用裝備有能量分散型熒光X射線分析裝置(EDX)的透射電子顯微鏡(TEM)進(jìn)行觀察。對(duì)50個(gè)尖晶石結(jié)晶相進(jìn)行EDX組成分析，測(cè)定Al/(A1+Ga)原子數(shù)比?！赐该鲗?dǎo)電膜的評(píng)價(jià)〉將得到的透明導(dǎo)電膜的膜厚用表面粗糙計(jì)(亍^〕一々公司制造)進(jìn)行測(cè)定。膜的比電阻用四探針?lè)y(cè)定的表面電阻和膜厚的積算出。膜的光學(xué)特性用分光光度計(jì)(日立制作所公司制造)進(jìn)行測(cè)定。膜的生成相用X射線衍射測(cè)定(PANalytical公司制造)進(jìn)行識(shí)別。又，膜的組成采用ICP發(fā)光分析法進(jìn)行測(cè)定。膜的生成相根據(jù)X射線衍射測(cè)定進(jìn)行識(shí)別。〈放電特性、顆粒的評(píng)價(jià)〉成膜條件中僅將直流輸入電力提高到850W(輸入直流電力密度4.7W/cm2),進(jìn)行10分鐘左右預(yù)賊射后，測(cè)定平均每10分鐘的打火(異常放電)的發(fā)生次數(shù)。另外，連續(xù)施加200W直流電力，輸入4kWh電力后觀察靶表面。(實(shí)施例1)〈氧化物燒結(jié)體的制作〉按照如下方法制作含有鋅、鋁、鎵的氧化物燒結(jié)體。作為起始原料，使用各自的平均粒徑為lpm以下的氧化鋅粉末，和平均粒徑為lpm以下的氧化鋁粉末，和平均粒徑為lpm以下的氧化鎵粉末，原料配比按照Al/(A1+Ga)原子數(shù)比為55原子％,(Al+Ga)/(Zn+Al+Ga)原子數(shù)比為5.2原子％的方式混合。將原料粉末跟水一起放入樹(shù)脂制的罐中，通過(guò)濕式球磨法進(jìn)行混合。此時(shí)，使用硬質(zhì)Zr02球，混合時(shí)間為18小時(shí)。球磨混合后，取出該漿液，添加分散劑和聚乙烯醇的粘合劑。將該漿液放入裝有氧化鋯制的直徑為3mm的小珠的玻珠研磨機(jī)中進(jìn)行雙程處理。處理時(shí)間共計(jì)6小時(shí)。對(duì)該漿液進(jìn)行過(guò)濾、干燥、粒化。將該?；镉美涞褥o壓機(jī)施加3ton/cm2的壓力進(jìn)行成形。使用這樣制作的焙燒前的成形體，對(duì)混合原料粉末的均勻性進(jìn)行評(píng)價(jià)。通過(guò)掃描型電子顯微鏡對(duì)成形體的斷面進(jìn)行觀察，同時(shí)用附帶的能量分散型X射線分析裝置(EDX)照射電子束，進(jìn)行約1^m0)的微小區(qū)域的組成分析，測(cè)定該區(qū)域的Al/(Al+Ga)原子數(shù)比。在斷面的任意的50處測(cè)定Al/(A1+Ga)原子數(shù)比，計(jì)算出其標(biāo)準(zhǔn)偏差a,為15原子％，得知上述混合粉碎已充分進(jìn)行。接著，按照如下方式對(duì)成形體進(jìn)行焙燒。焙燒爐內(nèi)的氣氛設(shè)為大氣，以0.5。C/分的升溫速度升溫至1000°C。達(dá)到IOO(TC后，按照平均每爐內(nèi)容積0.1m3為5升/分的比例向燒結(jié)爐內(nèi)的大氣中導(dǎo)入氧氣，仍舊1000。C的狀態(tài)保持3小時(shí)。接著，再以0,5。C/分的升溫速度升溫至燒結(jié)溫度為1250°C,達(dá)到該溫度后，保持15小時(shí)進(jìn)行燒結(jié)。燒結(jié)后的冷卻時(shí)停止導(dǎo)入氧氣，以0.5。C/分的速度降溫至IOO(TC,由此制作含有鋅、鋁、鎵的氧化物燒結(jié)體。將所得的氧化物燒結(jié)體的端材粉碎，對(duì)基于ICP發(fā)光分光分析法的組成進(jìn)行分析，確認(rèn)(Al+Ga)/(Zn+Al+Ga)原子數(shù)比為5.3原子％,包括Al/(A1+Ga)原子數(shù)比在內(nèi)，基本與混合組成相同。將所得的氧化物燒結(jié)體沿深度方向切斷，對(duì)切斷面進(jìn)行鏡面研磨之后，使其熱腐蝕，析出晶界，然后用掃描型電子顯微鏡觀察組織，求出平均結(jié)晶粒徑、最大空孔徑。并且，在切斷面的鏡面研磨的面用四探針?lè)y(cè)定氧化物燒結(jié)體的燒結(jié)密度、體積電阻率。其結(jié)果，氧化物燒結(jié)體的體積電阻率為0.007Qcm,密度為5.1g/cm3，平均結(jié)晶粒徑為7pm,最大空孔徑為lpm。再有，將所得的氧化物燒結(jié)體的端材粉碎，實(shí)施粉末X射線衍射測(cè)定，進(jìn)行生成相的識(shí)別，確認(rèn)為源于具有六方晶體的纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅結(jié)晶相和尖晶石型構(gòu)造的結(jié)晶相的衍射峰，沒(méi)有檢測(cè)到源于氧化鋁相或氧化鎵相的衍射峰。通過(guò)FIB加工對(duì)氧化物燒結(jié)體的端材進(jìn)行薄片化處理，用裝備有能量分散型熒光X射線分析裝置(EDX)的透射電子顯微鏡(TEM)進(jìn)行觀察。確認(rèn)氧化物燒結(jié)體通過(guò)電子線衍射，在纖鋅礦型構(gòu)造的母相中分散有l(wèi)~5pm的尖晶石結(jié)晶相。進(jìn)行基于EDX的局部組成分析，纖鋅礦型構(gòu)造的母相為含有鋁和鎵的氧化鋅，得知尖晶石相為Zn-Al-Ga-0相。對(duì)50個(gè)尖晶石結(jié)晶相進(jìn)行EDX組成分析，測(cè)定Al/(A1+Ga)原子數(shù)比，為44~67原子％,不存在Al/(A1+G'a)原子數(shù)比超出10~90原子％的范圍的尖晶石相?！赐该鲗?dǎo)電膜的制作〉將這樣的氧化物燒結(jié)體在無(wú)氧銅制的支撐板上用金屬銦進(jìn)行連接，作為濺射靶。加工成直徑152mm,厚度5mm的尺寸，將濺射面用杯狀磨石研磨，使最大高度Rz為3.0itim以下。將其作為濺射靶，進(jìn)行基于直流濺射的成膜。將濺射靶安裝到裝備了無(wú)打火抑制功能的直流電源的直流磁控管濺射裝置的非磁性體靶用陰極上。在基板上，用無(wú)堿的玻璃基板(圓錐度(〕一二乂夕、、)#7059,厚度l.lmmt),按照靶-基板間距60mm的方式固定。真空抽氣至5xl0-5pa以下后，導(dǎo)入純Ar氣體，氣壓為0.3Pa,施加200W的直流電力，使其產(chǎn)生直流等離子體，實(shí)施預(yù)濺射。充分預(yù)濺射后，在'減射乾的中心(非腐蝕部)的正上方靜止，配置基板，不加熱的條件下實(shí)施濺射，形成膜厚為200nm的透明導(dǎo)電膜。用表面粗糙度計(jì)(亍乂〕一少公司制造)測(cè)定所得的透明導(dǎo)電膜的膜厚。通過(guò)由四探針?lè)y(cè)定的表面電阻與膜厚的乘積計(jì)算膜的比電阻。通過(guò)分光光度計(jì)(日立制作所公司制造)測(cè)定膜的光學(xué)特性。通過(guò)X射線衍射測(cè)定(PANalytical公司制造)識(shí)別膜的生成相。另外，通過(guò)ICP發(fā)光分光法測(cè)定膜的組成。確認(rèn)所得的透明導(dǎo)電膜的組成與靶基本相同。通過(guò)X射線衍射測(cè)定識(shí)別膜的生成相時(shí)，其僅由具有六方晶體的纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相構(gòu)成。該具有六方晶體的纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相的衍射峰僅觀察到c面(002)反射的峰，為c軸取向的薄膜。測(cè)定膜的比電阻，為5.5xlO"Qcm,包括基板的可見(jiàn)光區(qū)域(波長(zhǎng)400800nm)透射率為85%,包括基板的波長(zhǎng)800~1200nm的近紅外區(qū)域的透射率為83%。通過(guò){(包括基板的透射率)/(僅基板的透射率)}xlOO(。/。)來(lái)規(guī)定膜本身的透射率，則本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜的透射率在可見(jiàn)光區(qū)域?yàn)?8%,在近紅外區(qū)域?yàn)?0%。由此，將這種不僅在可見(jiàn)光區(qū)域，而且在近紅外區(qū)域的透射率也高，且低電阻的透明電極膜用于比如圖1所示那樣的太陽(yáng)能電池的感光部側(cè)的表面透明導(dǎo)電膜2和/或pin連4妄部?jī)?nèi)側(cè)的透明導(dǎo)電膜6，則可將紅外線區(qū)域的太陽(yáng)能有效地轉(zhuǎn)換為電能。再有，這種導(dǎo)電性高的透明導(dǎo)電膜將輸送給靶的直流輸入電力提升到850W,即使成膜也可穩(wěn)定獲得。在上述成膜條件中，僅使直流輸入電力增加到850W(輸入直流電力密度4.7W/cm2),進(jìn)行10分鐘預(yù)濺射之后，測(cè)定每10分鐘的打火狀況(異常放電)的發(fā)生次數(shù)。但是，打火完全不發(fā)生、穩(wěn)定的放電，所得的膜的特性與在200W下成膜所獲得的膜相同。另外，在連續(xù)輸入電力至4kWh后，觀察靶的表面，沒(méi)有產(chǎn)生因非腐蝕部薄膜的剝離而出現(xiàn)的顆粒。該結(jié)果示于表1中。(實(shí)施例2)除了不進(jìn)行基于原料粉末的球磨的混合粉碎處理，只進(jìn)行玻珠研磨處理之外，按照與實(shí)施例1相同的方法、條件制造含有鋅和鋁，以及鎵的氧化物燒結(jié)體。即，原料粉末的種類、配比、玻珠研磨條件、成形體的制作條件、焙燒條件，與實(shí)施例1為相同的方法、條件。與實(shí)施例1同樣使用焙燒前的成形體，對(duì)混合原料粉末的A1/(A1+Ga)原子數(shù)比的均勻性進(jìn)行評(píng)價(jià)，結(jié)果標(biāo)準(zhǔn)偏差cj為25原子％,在焙燒前的時(shí)候具有較高的均勻性。另外，在焙燒后，與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行了對(duì)所得氧化物燒結(jié)體的評(píng)價(jià)。將所得氧化物燒結(jié)體的端材粉碎，實(shí)施粉末X射線衍射測(cè)定，進(jìn)行生成相的識(shí)別，確認(rèn)為源于具有六方晶體的纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅結(jié)晶相和尖晶石型構(gòu)造的結(jié)晶相的衍射峰，沒(méi)有檢測(cè)到源于氧化鋁相或氧化鎵相的衍射峰。將所得的氧化物燒結(jié)體的端材粉碎，對(duì)基于ICP發(fā)光分光分析法的組成進(jìn)行分析，確認(rèn)(A1+Ga)/(Zn+Al+Ga)原子數(shù)比為5.2原子％,包括Al/(A1+Ga)原子數(shù)比在內(nèi)，基本與混合組成相同。另外，氧化物燒結(jié)體的體積電阻率為0.006Qcm,密度為5.0g/cm3,平均結(jié)晶粒徑為6pm,最大空孔徑為lpm。通過(guò)FIB加工對(duì)氧化物燒結(jié)體的端材進(jìn)行薄片化處理，用裝備有能量分散型熒光X射線分析裝置(EDX)的透射型電子顯微鏡(TEM)進(jìn)行觀察。確認(rèn)氧化物燒結(jié)體通過(guò)電子線衍射，在纖鋅礦型構(gòu)造的母相中分散有尖晶石結(jié)晶相。進(jìn)行基于EDX的局部組成分析，纖鋅礦型構(gòu)造的母相為含有鋁和鎵的氧化鋅，得知尖晶石相為Zn-Al-Ga-0相。對(duì)50個(gè)尖晶石相進(jìn)行EDX組成分析，測(cè)定Al/(A1+Ga)原子數(shù)比，為3381原子％,不存在Al/(A1+Ga)原子數(shù)比超出10~90原子％的范圍的尖晶石相。按照與實(shí)施例1同樣的方法、條件制作濺射靶，在同樣的條件下進(jìn)行成膜，可得到在比電阻5.4xlO"Qcm時(shí)，包括基板的透射率在可見(jiàn)光區(qū)域?yàn)?5%,在近紅外區(qū)域?yàn)?3%的透明導(dǎo)電膜。膜本身的透射率在可見(jiàn)光區(qū)域?yàn)?7%,在近紅外區(qū)域?yàn)?0%。由此，將這種不僅在可見(jiàn)光區(qū)域，而且在近紅外區(qū)域的透射率也高，且低電阻的透明電極膜用于比如圖1所示那樣的太陽(yáng)能電池的感光部側(cè)的表面透明電極膜2和/或PIN連接部?jī)?nèi)側(cè)的透明電極膜6,則可將紅外線區(qū)域的太陽(yáng)能有效地轉(zhuǎn)換成電能。另外，這種導(dǎo)電性高的透明導(dǎo)電膜即使將輸入給靶的直流電力提高到850W進(jìn)行成膜，仍可穩(wěn)定地獲得，可高速地成膜。所得的膜的特性與200W下成膜的膜相同。再有，按照與實(shí)施例1同樣的方法、條件，對(duì)發(fā)生打火、顆粒的產(chǎn)生情況進(jìn)行評(píng)價(jià)。但是完全沒(méi)有發(fā)生打火，也沒(méi)有產(chǎn)生顆粒。該結(jié)果示于表l。(比專交例1)除了不進(jìn)行基于原料粉末的玻珠研磨的混合粉碎處理，只進(jìn)行球磨處理之外，按照與實(shí)施例1相同的方法、條件制造含有鋅和鋁，以及鎵的氧化物燒結(jié)體。即，原料粉末的種類、配比、球磨條件、成形體的制作條件、焙燒條件，與實(shí)施例1為相同的方法、條件。與實(shí)施例1同樣使用焙燒前的成形體，對(duì)混合原料粉末的A1/(A1+Ga)原子數(shù)比的均勻性進(jìn)行評(píng)價(jià)，結(jié)果標(biāo)準(zhǔn)偏差o為35原子％,在焙燒前的時(shí)候Al與Ga之間的均勻性比實(shí)施例差。與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行了對(duì)所得氧化物燒結(jié)體的評(píng)價(jià)。將所得氧化物燒結(jié)體的端材粉碎，實(shí)施粉末X射線衍射測(cè)定，進(jìn)行生成相的識(shí)別，確認(rèn)為源于具有六方晶體的纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅結(jié)晶相和尖晶石型構(gòu)造的結(jié)晶相的衍射峰，沒(méi)有檢測(cè)到源于氧化鋁相或氧化鎵相的衍射峰。將所得的氧化物燒結(jié)體的端材粉碎，對(duì)基于ICP發(fā)光分光分析法的組成進(jìn)行分析，確認(rèn)(Al+Ga)/(Zn+Al+Ga)原子數(shù)比為5.5原子％，包括Al/(A1+Ga)原子數(shù)比在內(nèi)，基本與混合組成相同。另外，氧化物燒結(jié)體的體積電阻率為0.01Qcm,密度為5.1g/cm3,平均結(jié)晶粒徑為6pm,最大空孔徑為l,。通過(guò)FIB加工對(duì)氧化物燒結(jié)體的端材進(jìn)行薄片化處理，用裝備有能量分散型熒光X射線分析裝置(EDX)的透射電子顯微鏡(TEM)進(jìn)行觀察。確認(rèn)氧化物燒結(jié)體通過(guò)電子線衍射，在纖鋅礦型構(gòu)造的母相中分散有尖晶石結(jié)晶相。進(jìn)行基于EDX的局部組成分析，纖鋅礦型構(gòu)造的母相為含有鋁和鎵的氧化鋅，得知尖晶石相為Zn-Al-Ga-0相。對(duì)50個(gè)尖晶石相進(jìn)行EDX組成分析，測(cè)定Al/(A1+Ga)原子數(shù)比，為15~92原子％,存在Al/(A1+Ga)原子數(shù)比超出10~90原子％的范圍的尖晶石相。按照與實(shí)施例1同樣的方法、條件制作賊射靶，在同樣的條件下進(jìn)行成膜，可得到在比電阻7.9xlO"Qcm時(shí)，包括基板的可見(jiàn)光透射率為85%以上的透明導(dǎo)電膜。另外，按照與實(shí)施例1完全同樣的方法、條件，對(duì)發(fā)生打火、顆粒的產(chǎn)生情況進(jìn)行評(píng)價(jià)。也沒(méi)有產(chǎn)生顆粒。但是，在10分鐘之間發(fā)生了5次打火。這種氧化物燒結(jié)體無(wú)法作為量產(chǎn)透明導(dǎo)電膜的靶使用。與通過(guò)在原料配比相同條件下，作為本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體的實(shí)施例1、2制作的膜相比，比電阻高，是因?yàn)橛捎诔赡ぶ械拇蚧穑鼓び辛巳毕?。將輸入給靶的直流電力提高到850W,同樣地進(jìn)行成膜，則無(wú)法得到上述那樣的導(dǎo)電性和透射率高的透明導(dǎo)電膜。這是因?yàn)樵诔赡ぶ邪l(fā)生了打火，膜受損傷，只能得到有缺陷的膜，沒(méi)有形成實(shí)施例那樣的組織致密且優(yōu)質(zhì)的膜。因此，無(wú)法作為高效的太陽(yáng)能電池的透明電極使用。該結(jié)果示于表l。(實(shí)施例3)除了將原料粉末的氧化鋅、氧化鋁、氧化鎵的配比按照Al/(Al+Ga)原子數(shù)比為31原子％，(Al+Ga)/(Zn+Al+Ga)原子數(shù)比為5.2原子％的方式設(shè)定之外，按照與實(shí)施例1相同的順序、條件進(jìn)行基于球磨和玻珠研磨的混合粉碎處理，進(jìn)行成形、焙燒，制造氧化物燒結(jié)體。與實(shí)施例1同樣使用焙燒前的成形體，對(duì)混合原料粉末的Al/(A1+Ga)原子數(shù)比的均勻性進(jìn)行評(píng)價(jià)，結(jié)果標(biāo)準(zhǔn)偏差o為18原子％，在焙燒前的時(shí)候具有較高的均勻性。另外，在焙燒后，與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行了對(duì)所得氧化物燒結(jié)體的評(píng)價(jià)。將所得氧化物燒結(jié)體的端材粉碎，實(shí)施粉末X射線衍射測(cè)定，進(jìn)行生成相的識(shí)別，確認(rèn)為源于具有六方晶體的纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅結(jié)晶相和尖晶石型構(gòu)造的結(jié)晶相的衍射峰，沒(méi)有檢測(cè)到源于氧化鋁相或氧化鎵相的衍射峰。將所得的氧化物燒結(jié)體的端材粉碎，對(duì)基于ICP發(fā)光分光分析法的組成進(jìn)行分析，確認(rèn)(A1十Ga)/(Zn+Al+Ga)原子數(shù)比為5.4原子％,包括Al/(A1+Ga)原子數(shù)比在內(nèi)，基本與混合組成相同。另外，氧化物燒結(jié)體的體積電阻率為0.008Qcm,密度為5.2g/cm3，平均結(jié)晶粒徑為6pm,最大空孔徑為lpm。通過(guò)FIB加工對(duì)氧化物燒結(jié)體的端材進(jìn)行薄片化處理，用裝備有能量分散型熒光X射線分析裝置(EDX)的透射型電子顯微鏡(TEM)進(jìn)行觀察。確認(rèn)氧化物燒結(jié)體通過(guò)電子線衍射，在纖鋅礦型構(gòu)造的母相中分散有尖晶石結(jié)晶相。進(jìn)行基于EDX的局部組成分析，纖鋅礦型構(gòu)造的母相為含有鋁和鎵的氧化鋅，得知尖晶石相為Zn-Al-Ga-0相。對(duì)50個(gè)尖晶石相進(jìn)行EDX組成分析，測(cè)定Al/(A1+Ga)原子數(shù)比，為17-44原子％，不存在Al/(A1+Ga)原子數(shù)比超出1090原子％的范圍的尖晶石相。按照與實(shí)施例1同樣的方法、條件制作濺射靶，在同樣的條件下進(jìn)行成膜，可得到在比電阻4.9xlO"Qcm時(shí)，包括基板的透射率在可見(jiàn)光區(qū)域?yàn)?5%,在近紅外區(qū)域?yàn)?0%的透明導(dǎo)電膜(膜本身的透射率在可見(jiàn)光區(qū)域?yàn)?7%,在近紅外區(qū)域?yàn)?7%)。而且，這種導(dǎo)電性高，且透射率高的透明導(dǎo)電膜，即使將輸入給靶的直流電力提高到850W進(jìn)行成膜，仍可穩(wěn)定地獲得。另外，按照與實(shí)施例1同樣的方法、條件，對(duì)發(fā)生打火、顆粒的產(chǎn)生情況進(jìn)行評(píng)價(jià)。但是完全沒(méi)有發(fā)生打火，也沒(méi)有產(chǎn)生顆粒。該結(jié)果示于表1。(實(shí)施例4)除了將原料粉末的氧化鋅、氧化鋁、氧化鎵的配比按照Al/(A1+Ga)原子數(shù)比計(jì)為68原子％,(Al+Ga)/(Zn+Al+Ga)原子數(shù)比計(jì)為5.2原子％的方式設(shè)定之外，按照與實(shí)施例1相同的順序、條件進(jìn)行基于球磨和玻珠研磨的混合粉碎處理，進(jìn)行成形、焙燒，制造氧化物燒結(jié)體。與實(shí)施例1同樣使用焙燒前的成形體，對(duì)混合原料粉末的A1/(A1+Ga)原子數(shù)比的均勻性進(jìn)行評(píng)價(jià)，結(jié)果標(biāo)準(zhǔn)偏差(5為16原子％,在焙燒前的時(shí)候具有較高的均勻性。另外，在焙燒后，與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行了對(duì)所得氧化物燒結(jié)體的評(píng)價(jià)。將所得氧化物燒結(jié)體的端材粉碎，實(shí)施粉末X射線衍射測(cè)定，進(jìn)行生成相的識(shí)別，確認(rèn)為源于具有六方晶體的纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅結(jié)晶相和尖晶石型構(gòu)造的結(jié)晶相的衍射峰，沒(méi)有檢測(cè)到源于氧化鋁相或氧化鎵相的衍射峰。將所得的氧化物燒結(jié)體的端材粉碎，對(duì)基于ICP發(fā)光分光分析法的組成進(jìn)行分析，確認(rèn)(A1+Ga)/(Zn+Al+Ga)原子數(shù)比為5.3原子％，包括Al/(A1+Ga)原子數(shù)比在內(nèi)，基本與混合組成相同。另外，氧化物燒結(jié)體的體積電阻率為0.004Qcm,密度為5.3g/cm3,平均結(jié)晶粒徑為6pm,最大空孔徑為0.8pm。通過(guò)FIB加工對(duì)氧化物燒結(jié)體的端材進(jìn)行薄片化處理，用裝備有能量分散型熒光X射線分析裝置(EDX)的透射電子顯微鏡(TEM)進(jìn)行觀察。確認(rèn)氧化物燒結(jié)體通過(guò)電子線衍射，在纖鋅礦型構(gòu)造的母相中分散有尖晶石結(jié)晶相。進(jìn)行基于EDX的局部組成分析，纖鋅礦型構(gòu)造的母相為含有鋁和鎵的氧化鋅，得知尖晶石相為Zn-Al-Ga-0相。對(duì)50個(gè)尖晶石相進(jìn)行EDX組成分析，測(cè)定Al/(A1+Ga)原子數(shù)比，為54~85原子％,不存在Al/(A1+Ga)原子數(shù)比超出10~90原子％的范圍的尖晶石相。按照與實(shí)施例1同樣的方法、條件制作濺射靶，在同樣的條件下進(jìn)行成膜，可得到在比電阻6.1xlO"Qcm時(shí)，包括基板的透射率在可見(jiàn)光區(qū)域?yàn)?5%,在近紅外區(qū)域?yàn)?4%的透明導(dǎo)電膜(膜本身的透射率在可見(jiàn)光區(qū)域?yàn)?7%,在近紅外區(qū)域?yàn)?2%)。由此，將這種不僅在可見(jiàn)光區(qū)域，而且在近紅外區(qū)域的透射率也高，且低電阻的透明電極膜用于比如圖1所示那樣的太陽(yáng)能電池的感光部側(cè)的表面透明電極膜2和/或PIN連接部?jī)?nèi)側(cè)的透明電極膜6,則可將紅外線區(qū)域的太陽(yáng)能有效地轉(zhuǎn)換成電能。而且，這種導(dǎo)電性高的透明導(dǎo)電膜，即使將輸入給靶的直流電力提高到850W進(jìn)行成膜，仍可穩(wěn)定地獲得。另外，按照與實(shí)施例1同樣的方法、條件，對(duì)發(fā)生打火、顆粒的產(chǎn)生情況進(jìn)行評(píng)價(jià)。但是完全沒(méi)有發(fā)生打火，也沒(méi)有產(chǎn)生顆粒。該結(jié)果示于表l。(比較例2)除了將原料粉末的氧化鋅、氧化鋁、氧化鎵的配比按照Al/(A1+Ga)原子數(shù)比為31原子％，(Al+Ga)/(Zn+Al+Ga)原子數(shù)比為5.2原子％的方式設(shè)定之外，按照與比較例1相同的順序、條件進(jìn)行基于球磨的混合粉碎處理，進(jìn)行成形、焙燒，制造氧化物燒結(jié)體。即，在原料粉末的混合粉碎中，不進(jìn)行玻珠研磨處理，只進(jìn)4亍3求磨處理。與實(shí)施例1同樣使用焙燒前的成形體，對(duì)混合原料粉末的A1/(A1+Ga)原子數(shù)比的均勻性進(jìn)行評(píng)價(jià)，結(jié)果標(biāo)準(zhǔn)偏差o為35原子％，在焙燒前的時(shí)候Al與Ga之間的均勻性比實(shí)施例差。與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行了對(duì)所得氧化物燒結(jié)體的評(píng)價(jià)。將所得氧化物燒結(jié)體的端材粉碎，實(shí)施粉末X射線衍射測(cè)定，進(jìn)行生成相的識(shí)別，確認(rèn)為源于具有六方晶體的纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅結(jié)晶相和尖晶石型構(gòu)造的結(jié)晶相的衍射峰，沒(méi)有檢測(cè)到源于氧化鋁相或氧化鎵相的衍射峰。將所得的氧化物燒結(jié)體的端材粉碎，對(duì)基于ICP發(fā)光分光分析法的組成進(jìn)行分析，確認(rèn)(Al+Ga)/(Zn+Al+Ga)原子數(shù)比為5.4原子％,包括Al/(A1+Ga)原子數(shù)比在內(nèi)，基本與混合組成相同。另外，氧化物燒結(jié)體的體積電阻率為0.01Qcm,密度為5.1g/cm3,平均結(jié)晶粒徑為6pm,最大空孔徑為liim。通過(guò)FIB加工對(duì)氧化物燒結(jié)體的端材進(jìn)行薄片化處理，用裝備有能量分散型熒光X射線分析裝置(EDX)的透射電子顯微鏡(TEM)進(jìn)行觀察。確認(rèn)氧化物燒結(jié)體通過(guò)電子線衍射，在纖鋅礦型構(gòu)造的母相中分散有尖晶石結(jié)晶相。進(jìn)行基于EDX的局部組成分析，纖鋅礦型構(gòu)造的母相為含有鋁和鎵的氧化鋅，得知尖晶石相為Zn-Al-Ga-0相。對(duì)50個(gè)尖晶石相進(jìn)行EDX組成分析，測(cè)定Al/(A1+Ga)原子數(shù)比，為7~57原子％,存在Al/(A1+Ga)原子數(shù)比超出10~90原子％的范圍的尖晶石相。按照與實(shí)施例1同樣的方法、條件制作濺射靶，在同樣的條件下進(jìn)行成膜，可得到在比電阻5.9xl0'4ftcm時(shí)，包括基板的可見(jiàn)光透射率為85%以上的透明導(dǎo)電膜。另外，按照與實(shí)施例1完全同樣的方法、條件，對(duì)發(fā)生打火、顆粒的產(chǎn)生情況進(jìn)行評(píng)價(jià)。與通過(guò)原料配比相同的實(shí)施例3的本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體制作的膜相比，比較例2的膜的比電阻高，是因?yàn)橛捎诔赡ぶ邪l(fā)生打火，形成有缺陷的膜。進(jìn)行連續(xù)濺射的話，則產(chǎn)生的顆粒也較多，在IO分鐘之間發(fā)生了2次打火。顆粒的產(chǎn)生估計(jì)是因?yàn)楹卸鄶?shù)氧化物燒結(jié)體中的Al/(A1+Ga)原子數(shù)比為10原子％以下的尖晶石相。再有，打火的主要原因估計(jì)是顆粒引起的。這樣的氧化物燒結(jié)體無(wú)法作為量產(chǎn)透明導(dǎo)電膜的靶使用。在將輸入給靶的直流電力提高到850W,同樣地進(jìn)行成膜的場(chǎng)合，無(wú)法得到上述那樣的導(dǎo)電性和透射率高的透明導(dǎo)電膜。這是因?yàn)樵诔赡ぶ邪l(fā)生了打火，膜受損傷，只能得到有缺陷的膜，沒(méi)有形成實(shí)施例那樣的組織致密且優(yōu)質(zhì)的膜。因此，無(wú)法作為高效的太陽(yáng)能電池的透明電極使用。該結(jié)果示于表l。(比較例3)除了將原料粉末的氧化鋅、氧化鋁、氧化鎵的配比按照Al/(A1+Ga)原子數(shù)比為68原子％,(Al+Ga)/(Zn+Al+Ga)原子數(shù)比為5.2原子％的方式設(shè)定之外，按照與比較例1相同的順序、條件進(jìn)行基于球磨的混合粉碎處理，進(jìn)行成形、焙燒，制造氧化物燒結(jié)體。即，在原料粉末的混合粉碎中，不進(jìn)行玻珠研磨處理，只進(jìn)^亍^求磨處理。與實(shí)施例1同樣使用焙燒前的成形體，對(duì)混合原料粉末的A1/(A1+Ga)原子數(shù)比的均勻性進(jìn)行評(píng)價(jià)，結(jié)果標(biāo)準(zhǔn)偏差o為32原子％,在焙燒前的時(shí)候Al與Ga之間的均勻性比實(shí)施例差。與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行了對(duì)所得氧化物燒結(jié)體的評(píng)價(jià)。將所得氧化物燒結(jié)體的端材粉碎，實(shí)施粉末x射線衍射測(cè)定，進(jìn)行生成相的識(shí)別，確認(rèn)為源于具有六方晶體的纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅結(jié)晶相和尖晶石型構(gòu)造的結(jié)晶相的衍射峰，沒(méi)有檢測(cè)到源于氧化鋁相或氧化鎵相的衍射峰。將所得的氧化物燒結(jié)體的端材粉碎，對(duì)基于ICP發(fā)光分光分析法的組成進(jìn)行分析，確認(rèn)(Al+Ga)/(Zn+Al+Ga)原子數(shù)比為5.3原子％,包括Al/(A1+Ga)原子數(shù)比在內(nèi)，基本與混合組成相同。另外，氧化物燒結(jié)體的體積電阻率為0.02Qcm,密度為5.0g/cm3,平均結(jié)晶粒徑為6pm，最大空孔徑為l|im。通過(guò)FIB加工對(duì)氧化物燒結(jié)體的端材進(jìn)行薄片化處理，用裝備有能量分散型熒光X射線分析裝置(EDX)的透射電子顯微鏡(TEM)進(jìn)行觀察。確認(rèn)氧化物燒結(jié)體通過(guò)電子線衍射，在纖鋅礦型構(gòu)造的母相中分散有尖晶石結(jié)晶相。進(jìn)行基于EDX的局部組成分析，纖鋅礦型構(gòu)造的母相為含有鋁和鎵的氧化鋅，得知尖晶石相為Zn-Al-Ga-0相。對(duì)50個(gè)尖晶石相進(jìn)行EDX組成分析，測(cè)定Al/(A1+Ga)原子數(shù)比為4298原子％,存在Al/(A1+Ga)原子數(shù)比超出10~90原子％的范圍的尖晶石相。按照與實(shí)施例1同樣的方法、條件制作賊射耙，在同樣的條件下進(jìn)行成膜，可得到在比電阻6.9xlO"Qcm時(shí)，包括基板的可見(jiàn)光透射率為85%以上的透明導(dǎo)電膜。另外，按照與實(shí)施例1完全同樣的方法、條件，對(duì)發(fā)生打火、顆粒的產(chǎn)生情況進(jìn)行評(píng)價(jià)。進(jìn)行連續(xù)濺射時(shí)沒(méi)有產(chǎn)生顆粒。但是，在10分鐘之間發(fā)生了11次打火。與通過(guò)原料配比相同的實(shí)施例4的氧化物燒結(jié)體得到的膜相比，比較例3的膜的比電阻高，是因?yàn)槌赡ぶ邪l(fā)生打火，使膜受到了損傷。打火的原因估計(jì)是因?yàn)檠趸餆Y(jié)體中的尖晶石相的Al/(A1+Ga)原子數(shù)比超出了10~90原子％,存在高電阻的物質(zhì)。將輸入給靶的直流電力提高到850W,同樣地進(jìn)行成膜，無(wú)法得到上述那樣的導(dǎo)電性和透射率高的透明導(dǎo)電膜。這是因?yàn)樵诔赡ぶ邪l(fā)生了打火，膜受損傷，只能得到有缺陷的膜，沒(méi)有形成實(shí)施例那樣的組織致密且優(yōu)質(zhì)的膜。因此，無(wú)法作為高效的太陽(yáng)能電池的透明電極使用。這種氧化物燒結(jié)體無(wú)法作為量產(chǎn)透明導(dǎo)電膜的靶使用。該結(jié)果示于表l。(實(shí)施例5)除了將原料粉末的氧化鋅、氧化鋁、氧化鎵的配比按照Al/(A1+Ga)原子數(shù)比為55原子％,(Al+Ga)/(Zn+Al+Ga)原子數(shù)比為6.3原子％的方式設(shè)定，不進(jìn)行基于原料粉末的球磨的混合粉碎處理，只進(jìn)行玻珠研磨處理之外，按照與實(shí)施例1相同的方法、條件制造含有鋅、鋁、鎵的氧化物燒結(jié)體。即，玻珠研磨條件、成形體的制作'條件、焙燒條件與實(shí)施例1為同樣的方法、條件。與實(shí)施例1同樣使用焙燒前的成形體，對(duì)混合原料粉末的A1/(A1+Ga)原子數(shù)比的均勻性進(jìn)行評(píng)價(jià)，結(jié)果標(biāo)準(zhǔn)偏差o為23原子％,在焙燒前的時(shí)候具有較高的均勻性。另外，在焙燒后，與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行了對(duì)所得氧化物燒結(jié)體的評(píng)價(jià)。將所得氧化物燒結(jié)體的端材粉碎，實(shí)施粉末X射線衍射測(cè)定，進(jìn)行生成相的識(shí)別，確認(rèn)為源于具有六方晶體的纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅結(jié)晶相和尖晶石型構(gòu)造的結(jié)晶相的衍射峰，沒(méi)有檢測(cè)到源于氧化鋁相或氧化鎵相的衍射峰。將所得的氧化物燒結(jié)體的端材粉碎，對(duì)基于ICP發(fā)光分光分析法的組成進(jìn)行分析，確認(rèn)(A1+Ga)/(Zn+Al+Ga)原子數(shù)比為6.5原子％，包括Al/(A1+Ga)原子數(shù)比在內(nèi)，基本與混合組成相同。另外，氧化物燒結(jié)體的體積電阻率為0.008Qcm，密度為5.2g/cm3,平均結(jié)晶粒徑為6pm，最大空孔徑為0.9nm。通過(guò)FIB加工對(duì)氧化物燒結(jié)體的端材進(jìn)行薄片化處理，用裝備有能量分散型熒光X射線分析裝置(EDX)的透射電子顯微鏡(TEM)進(jìn)行觀察。確認(rèn)氧化物燒結(jié)體通過(guò)電子線衍射，在纖鋅礦型構(gòu)造的母相中分散有尖晶石結(jié)晶相。進(jìn)行基于EDX的局部組成分析，纖鋅礦型構(gòu)造的母相為含有鋁和鎵的氧化鋅，得知尖晶石相為Zn-Al-Ga-0相。對(duì)50個(gè)尖晶石相進(jìn)行EDX組成分析，測(cè)定Al/(A1+Ga)原子數(shù)比，為35~82原子％,不存在Al/(A1+Ga)原子數(shù)比超出1090原子％的范圍的尖晶石相。按照與實(shí)施例1同樣的方法、條件制作濺射靶，在同樣的條件下進(jìn)行成膜，可得到在比電阻8.5xlO"Qcm時(shí)，包括基板的透射率在可見(jiàn)光區(qū)域?yàn)?5%,在近紅外區(qū)域?yàn)?0%的透明導(dǎo)電膜(膜本身的透射率在可見(jiàn)光區(qū)域?yàn)?7%,在近紅外區(qū)域?yàn)?8%)。由此，將這種不僅在可見(jiàn)光區(qū)域，而且在近紅外區(qū)域的透射率也高，且低電阻的透明電極膜用于比如圖1所示那樣的太陽(yáng)能電池的感光部側(cè)的表面透明電極膜2和/或PIN連接部?jī)?nèi)側(cè)的透明電極膜6,則可將紅外線區(qū)域的太陽(yáng)能有效地轉(zhuǎn)換成電能。而且，這種導(dǎo)電性高的透明導(dǎo)電膜，即使將輸入給耙的直流電力提高到850W進(jìn)行成膜，仍可穩(wěn)定地獲得。另外，按照與實(shí)施例1同樣的方法、條件，對(duì)發(fā)生打火、顆粒的產(chǎn)生情況進(jìn)行評(píng)價(jià)。但是完全沒(méi)有發(fā)生打火，也沒(méi)有產(chǎn)生顆粒。該結(jié)果示于表l。(實(shí)施例6)除了將原料粉末的氧化鋅、氧化鋁、氧化鎵的配比按照Al/(A1+Ga)原子數(shù)比為55原子％，(Al+Ga)/(Zn+Al+Ga)原子數(shù)比為4.5原子％的方式設(shè)定，不進(jìn)行基于原料粉末的球磨的混合粉碎處理，只進(jìn)行玻珠研磨處理之外，按照與實(shí)施例1相同的方法、條件制造含有鋅、鋁、鎵的氧化物燒結(jié)體。即，玻珠研磨條件、成形體的制作條件、焙燒條件與實(shí)施例l為同樣的方法、條件。與實(shí)施例1同樣使用焙燒前的成形體，對(duì)混合原料粉末的A1/(A1+Ga)原子數(shù)比的均勻性進(jìn)行評(píng)價(jià)，結(jié)果標(biāo)準(zhǔn)偏差(5為21原子％,在焙燒前的時(shí)候具有較高的均勻性。另外，在焙燒后，與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行了對(duì)所得氧化物燒結(jié)體的評(píng)價(jià)。將所得氧化物燒結(jié)體的端材粉碎，實(shí)施粉末X射線衍射測(cè)定，進(jìn)行生成相的識(shí)別，確認(rèn)為源于具有六方晶體的纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅結(jié)晶相和尖晶石型構(gòu)造的結(jié)晶相的衍射峰，沒(méi)有檢測(cè)到源于氧化鋁相或氧化鎵相的衍射峰。將所得的氧化物燒結(jié)體的端材粉碎，對(duì)基于ICP發(fā)光分光分析法的組成進(jìn)行分析，確認(rèn)(A1+Ga)/(Zn+Al+Ga)原子數(shù)比為4.4原子％,包括Al/(A1+Ga)原子數(shù)比在內(nèi)，基本與混合組成相同。另外，氧化物燒結(jié)體的體積電阻率為0.006Qcm，密度為5.1g/cm3，平均結(jié)晶粒徑為6^im,最大空孔徑為0.8nm。通過(guò)FIB加工對(duì)氧化物燒結(jié)體的端材進(jìn)行薄片化處理，用裝備有能量分散型熒光X射線分析裝置(EDX)的透射電子顯微鏡(TEM)進(jìn)行觀察。確認(rèn)氧化物燒結(jié)體通過(guò)電子線衍射，在纖鋅礦型構(gòu)造的母相中分散有尖晶石結(jié)晶相。進(jìn)行基于EDX的局部組成分析，纖鋅礦型構(gòu)造的母相為含有鋁和鎵的氧化鋅，得知尖晶石相為Zn-Al-Ga-0相。對(duì)50個(gè)尖晶石相進(jìn)行EDX組成分析，測(cè)定Al/(A1+Ga)原子數(shù)比為32~80原子％，不存在Al/(A1+Ga)原子數(shù)比超出10~90原子％的范圍的尖晶石相。按照與實(shí)施例1同樣的方法、條件制作濺射靶，在同樣的條件下進(jìn)行成膜，可得到在比電阻6.6xlO"Qcm時(shí)，包括基板的透射率在可見(jiàn)光區(qū)域?yàn)?5%,在近紅外區(qū)域?yàn)?2%的透明導(dǎo)電膜(膜本身的透射率在可見(jiàn)光區(qū)域?yàn)?7%,在近紅外區(qū)域?yàn)?9%)。由此，將這種不僅在可見(jiàn)光區(qū)域，而且在近紅外區(qū)域的透射率也高，且低電阻的透明電極膜用于比如圖1所示那樣的太陽(yáng)能電池的感光部側(cè)的表面透明電極膜2和/或PIN連接部?jī)?nèi)側(cè)的透明電極膜6,則可將紅外線區(qū)域的太陽(yáng)能有效地轉(zhuǎn)換成電能。而且，這種導(dǎo)電性高的透明導(dǎo)電膜，即使將輸入給靶的直流電力提高到850W進(jìn)行成膜，仍可穩(wěn)定地獲得。另外，按照與實(shí)施例1同樣的方法、條件，對(duì)發(fā)生打火、顆粒的產(chǎn)生情況進(jìn)行評(píng)價(jià)。但是完全沒(méi)有發(fā)生打火，也沒(méi)有產(chǎn)生顆粒。該結(jié)果示于表l。(實(shí)施例7)除了將原料粉末的氧化鋅、氧化鋁、氧化鎵的配比按照Al/(A1+Ga)原子數(shù)比為55原子％，(Al+Ga)/(Zn+Al+Ga)原子數(shù)比為3.4原子％的方式設(shè)定，不進(jìn)行基于原料粉末的球磨的混合粉碎處理，只進(jìn)行玻珠妍磨處理之外，按照與實(shí)施例1相同的方法、條件制造含有鋅、鋁、鎵的氧化物燒結(jié)體。即，玻珠研磨條件、成形體的制作條件、焙燒條件與實(shí)施例1為同樣的方法、條件。與實(shí)施例1同樣使用焙燒前的成形體，對(duì)混合原料粉末的A1/(A1+Ga)原子數(shù)比的均勻性進(jìn)行評(píng)價(jià)，結(jié)果標(biāo)準(zhǔn)偏差a為24原子％，在焙燒前的時(shí)候具有較高的均勻性。另外，在焙燒后，與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行了對(duì)所得氧化物燒結(jié)體的評(píng)價(jià)。將所得氧化物燒結(jié)體的端材粉碎，實(shí)施粉末X射線衍射測(cè)定，進(jìn)行生成相的識(shí)別，確認(rèn)為源于具有六方晶體的纖維礦構(gòu)造的氧化鋅結(jié)晶相和尖晶石型構(gòu)造的結(jié)晶相的衍射峰，沒(méi)有檢測(cè)到源于氧化鋁相或氧化鎵相的衍射峰。將所得的氧化物燒結(jié)體的端材粉碎，對(duì)基于ICP發(fā)光分光分析法的組成進(jìn)行分析，確認(rèn)(A1+Ga)/(Zn+Al+Ga)原子數(shù)比為3.2原子％，包括Al/(A1+Ga)原子數(shù)比在內(nèi)，基本與混合組成相同。另外，氧化物燒結(jié)體的體積電阻率為0.008Qcm，密度為5.2g/cm3,平均結(jié)晶粒徑為6pm,最大空孔徑為lpm。通過(guò)FIB加工對(duì)氧化物燒結(jié)體的端材進(jìn)行薄片化處理，用裝備有能量分散型熒光X射線分析裝置(EDX)的透射電子顯微鏡(TEM)進(jìn)行觀察。確認(rèn)氧化物燒結(jié)體通過(guò)電子線衍射，在纖維礦型構(gòu)造的母相中分散有尖晶石結(jié)晶相。進(jìn)行基于EDX的局部組成分析，纖維礦型構(gòu)造的母相為含有鋁和鎵的氧化鋅，得知尖晶石相為Zn-Al-Ga-0相。對(duì)50個(gè)尖晶石相進(jìn)行EDX組成分析，測(cè)定Al/(A1+Ga)原子數(shù)比為30~83原子％,不存在Al/(A1+Ga)原子數(shù)比超出1090原子％的范圍的尖晶石相。按照與實(shí)施例1同樣的方法、條件制作濺射靶，在同樣的條件下進(jìn)行成膜，可得到在比電阻9.0xlO"Qcm時(shí)，包括基板的透射率在可見(jiàn)光區(qū)域?yàn)?6%,在近紅外區(qū)域?yàn)?3%的透明導(dǎo)電膜(膜本身的透射率在可見(jiàn)光區(qū)域?yàn)?8%,在近紅外區(qū)域?yàn)?0%)。由此，將這種不僅在可見(jiàn)光區(qū)域，而且在近紅外區(qū)域的透射率也高，且低電阻的透明電極膜用于比如圖1所示那樣的太陽(yáng)能電池的感光部側(cè)的表面透明電才及膜2和/或PIN連接部?jī)?nèi)側(cè)的透明電極膜6,則可將紅外線區(qū)域的太陽(yáng)能有效地轉(zhuǎn)換成電能。而且，這種導(dǎo)電性高的透明導(dǎo)電膜，即使將輸入給靶的直流電力提高到850W進(jìn)行成膜，仍可穩(wěn)定地獲得。另外，按照與實(shí)施例1同樣的方法、條件，對(duì)發(fā)生打火、顆粒的產(chǎn)生情況進(jìn)行評(píng)價(jià)。但是完全沒(méi)有發(fā)生電弧，也沒(méi)有產(chǎn)生顆粒。該結(jié)果示于表l。(實(shí)施例8)除了將原料粉末的氧化鋅、氧化鋁、氧化鎵的配比按照Al/(Al+Ga)原子數(shù)比為55原子％，(Al+Ga)/(Zn+Al+Ga)原子數(shù)比為2.8原子％的方式設(shè)定之外，按照與實(shí)施例1相同的順序、條件，進(jìn)行基于球磨和玻珠研磨的混合粉碎處理，進(jìn)行成形、焙燒，制造氧化物燒結(jié)體。與實(shí)施例1同樣使用焙燒前的成形體，對(duì)混合原料粉末的A1/(A1+Ga)原子數(shù)比的均勻性進(jìn)行評(píng)價(jià)，結(jié)果標(biāo)準(zhǔn)偏差o為18原子％,在焙燒前的時(shí)候Al與Ga之間的均勻性良好。與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行了對(duì)所得氧化物燒結(jié)體的評(píng)價(jià)。將所得氧化物燒結(jié)體的端材粉碎，實(shí)施粉末X射線衍射測(cè)定，進(jìn)行生成相的識(shí)別，確認(rèn)為源于具有六方晶體的纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅結(jié)晶相和尖晶石型構(gòu)造的結(jié)晶相的衍射峰，沒(méi)有檢測(cè)到源于氧化鋁相或氧化鎵相的衍射峰。將所得的氧化物燒結(jié)體的端材粉碎，對(duì)基于ICP發(fā)光分光分析法的組成進(jìn)行分析，確認(rèn)(Al+Ga)/(Zn+Al+Ga)原子數(shù)比為2.9原子％,包括Al/(A1+Ga)原子數(shù)比在內(nèi)，基本與混合組成相同。另外，氧化物燒結(jié)體的體積電阻率為0.02Qcm,密度為5.0g/cm3,平均結(jié)晶粒徑為6pm,最大空孔徑為lpm。通過(guò)FIB加工對(duì)氧化物燒結(jié)體的端材進(jìn)行薄片化處理，用裝備有能量分散型熒光X射線分析裝置(EDX)的透射電子顯微鏡(TEM)進(jìn)行觀察。確認(rèn)氧化物燒結(jié)體通過(guò)電子線衍射，在纖鋅礦型構(gòu)造的母相中分散有尖晶石結(jié)晶相。進(jìn)行基于EDX的局部組成分析，纖鋅礦型構(gòu)造的母相為含有鋁和鎵的氧化鋅，得知尖晶石相為Zn-Al-Ga-0相。對(duì)50個(gè)尖晶石相進(jìn)行EDX組成分析，測(cè)定Al/(A1+Ga)原子數(shù)比為41~64原子％,不存在Al/(A1+Ga)原子數(shù)比超出10~90原子％的范圍的尖晶石相。按照與實(shí)施例1同樣的方法、條件制作濺射靶，用同樣的方法、條件，對(duì)發(fā)生打火、顆粒的產(chǎn)生情況進(jìn)行評(píng)價(jià)，但是完全沒(méi)有發(fā)生打火，也沒(méi)有產(chǎn)生顆粒。進(jìn)而，在與實(shí)施例1同樣的條件下進(jìn)行成膜，所得的膜包括基板的可見(jiàn)光透射率為85%,比電阻為1.4xl(T3Qcm。但是，近紅外區(qū)域的透射率包括基板為84%(膜本身為92%),得知為在近紅外區(qū)域的透射率特別高的透明導(dǎo)電膜。(實(shí)施例9)除了將原料粉末的氧化鋅、氧化鋁、氧化鎵的配比按照Al/(A1+Ga)原子數(shù)比為55原子％,(Al+Ga)/(Zn+Al+Ga)原子數(shù)比為0.3原子％的方式設(shè)定之外，按照與實(shí)施例1相同的順序、條件，進(jìn)行基于球磨和玻珠研磨的混合粉碎處理，進(jìn)行成形、焙燒，制造氧化物燒結(jié)體。與實(shí)施例1同樣使用焙燒前的成形體，對(duì)混合原料粉末的A1/(A1+Ga)原子數(shù)比的均勻性進(jìn)行評(píng)價(jià)，結(jié)果標(biāo)準(zhǔn)偏差cr為17原子％,在焙燒前的時(shí)候Al與Ga之間的均勻性良好。與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行了對(duì)所得氧化物燒結(jié)體的評(píng)價(jià)。將所得氧化物燒結(jié)體的端材粉碎，實(shí)施粉末X射線衍射測(cè)定，進(jìn)行生成相的識(shí)別，確認(rèn)為源于具有六方晶體的纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅結(jié)晶相和尖晶石型構(gòu)造的結(jié)晶相的衍射峰，沒(méi)有檢測(cè)到源于氧化鋁相或氧化鎵相的衍射峰。將所得的氧化物燒結(jié)體的端材粉碎，對(duì)基于ICP發(fā)光分光分析法的組成進(jìn)行分析，確認(rèn)(Al+Ga)/(Zn+Al+Ga)原子數(shù)比為0.3原子％，包括Al/(A1+Ga)原子數(shù)比在內(nèi)，基本與混合組成相同。另外，氧化物燒結(jié)體的體積電阻率為0.03Qcm,密度為5.0g/cm3,平均結(jié)晶粒徑為6pm,最大空孔徑為lpm。通過(guò)FIB加工對(duì)氧化物燒結(jié)體的端材進(jìn)行薄片化處理，用裝備有能量分散型熒光X射線分析裝置(EDX)的透射型電子顯微鏡(TEM)進(jìn)行觀察。確認(rèn)氧化物燒結(jié)體通過(guò)電子線衍射，在纖鋅礦型構(gòu)造的母相中分散有尖晶石結(jié)晶相。進(jìn)行基于EDX的局部組成分析，纖鋅礦型構(gòu)造的母相為含有鋁和鎵的氧化鋅，得知尖晶石相為Zn-Al-Ga-0相。對(duì)50個(gè)尖晶石相進(jìn)行EDX組成分析，測(cè)定Al/(A1+Ga)原子數(shù)比，為42~66原子％,不存在Al/(A1+Ga)原子數(shù)比超出10~90原子％的范圍的尖晶石相。按照與實(shí)施例1同樣的方法、條件制作濺射靶，用同樣的方法、條件，對(duì)發(fā)生打火、顆粒的產(chǎn)生情況進(jìn)行評(píng)價(jià)，但是完全沒(méi)有發(fā)生打火，也沒(méi)有產(chǎn)生顆粒。進(jìn)而，在與實(shí)施例1同樣的條件下進(jìn)行成膜，所得的膜包括基板的可見(jiàn)光透射率為85%，比電阻為2.9xl(T3Qcm。但是，近紅外區(qū)域的透射率包括基板為86%(膜本身為94%),得知為在近紅外區(qū)域的透射率特別高的透明導(dǎo)電膜。(比較例4)除了將原料粉末的氧化鋅、氧化鋁、氧化鎵的配比按照Al/(A1+Ga)原子數(shù)比為55原子％，(Al+Ga)/(Zn+Al+Ga)原子數(shù)比為0.15原子％的方式設(shè)定之外，按照與實(shí)施例1相同的順序、條件、進(jìn)行基于球磨和玻珠研磨的混合粉碎處理，進(jìn)行成形、焙燒，制造氧化物燒結(jié)體。與實(shí)施例1同樣使用焙燒前的成形體，對(duì)混合原料粉末的A1/(A1+Ga)原子數(shù)比的均勻性進(jìn)行評(píng)價(jià)，結(jié)果標(biāo)準(zhǔn)偏差(J為18原子％，在焙燒前的時(shí)候Al與Ga之間的均勻性良好。與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行了對(duì)所得氧化物燒結(jié)體的評(píng)價(jià)。將所得氧化物燒結(jié)體的端材粉碎，實(shí)施粉末X射線衍射測(cè)定，進(jìn)行生成相的識(shí)別，確認(rèn)為源于具有六方晶體的纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅結(jié)晶相和尖晶石型構(gòu)造的結(jié)晶相的衍射峰，沒(méi)有檢測(cè)到源于氧化鋁相或氧化鎵相的衍射峰。將所得的氧化物燒結(jié)體的端材粉碎，對(duì)基于ICP發(fā)光分光分析法的組成進(jìn)行分析，確認(rèn)(Al+Ga)/(Zn+Al+Ga)原子數(shù)比為0.16原子％，包括Al/(A1+Ga)原子數(shù)比在內(nèi)，基本與混合組成相同。另外，氧化物燒結(jié)體的體積電阻率為0.02Qcm,密度為5.0g/cm3，平均結(jié)晶粒徑為6pm,最大空孔徑為l|im。通過(guò)FIB加工對(duì)氧化物燒結(jié)體的端材進(jìn)行薄片化處理，用裝備有能量分散型熒光X射線分析裝置(EDX)的透射電子顯微鏡(TEM)進(jìn)行觀察。確認(rèn)氧化物燒結(jié)體通過(guò)電子線衍射，在纖鋅礦型構(gòu)造的母相中分散有尖晶石結(jié)晶相。進(jìn)行基于EDX的局部組成分析，纖鋅礦型構(gòu)造的母相為含有鋁和鎵的氧化鋅，得知尖晶石相為Zn-Al-Ga-0相。對(duì)50個(gè)尖晶石相進(jìn)行EDX組成分析，測(cè)定Al/(A1+Ga)原子數(shù)比，為40~69原子％,不存在Al/(A1+Ga)原子數(shù)比超出10~90原子％的范圍的尖晶石相。按照與實(shí)施例1同樣的方法、條件制作濺射靶，用同樣的方法、條件，對(duì)發(fā)生打火、顆粒的產(chǎn)生情況進(jìn)行評(píng)價(jià)，但是完全沒(méi)有發(fā)生打火，也沒(méi)有產(chǎn)生顆粒。進(jìn)而，在與實(shí)施例1同樣的條件下進(jìn)行成膜，所得的膜包括基板的可見(jiàn)光透射率為85%以上，近紅外區(qū)域的透射率也很高，但比電阻高達(dá)6.8xl(T3Qcm，無(wú)法得到低電阻的透明導(dǎo)電膜。其原因估計(jì)是氧化物燒結(jié)體中的鋁和鎵的量過(guò)少((Al+Ga)/(Zn+Al+Ga)原子數(shù)比為0.15原子％)，這些有助于膜的低電阻化的摻雜物不足。將這種高電阻的透明導(dǎo)電膜用于太陽(yáng)能電池的透明電極的話，無(wú)法實(shí)現(xiàn)高效率。(比較例5)除了將原料粉末的氧化鋅、氧化鋁、氧化鎵的配比按照Al/(A1+Ga)原子數(shù)比為55原子％,(Al+Ga)/(Zn+Al+Ga)原子數(shù)比為6.8原子％的方式設(shè)定之外，按照與實(shí)施例1相同的順序、條件，進(jìn)行基于球磨和玻珠研磨的混合粉碎處理，進(jìn)行成形、焙燒，制造氧化物燒結(jié)體。與實(shí)施例1同樣使用焙燒前的成形體，對(duì)混合原料粉末的A1/(A1+Ga)原子數(shù)比的均勻性進(jìn)行評(píng)價(jià)，結(jié)果標(biāo)準(zhǔn)偏差o為16原子％,在焙燒前的時(shí)候Al與Ga之間的均勻性良好。與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行了對(duì)所得氧化物燒結(jié)體的評(píng)價(jià)。將所得氧化物燒結(jié)體的端材粉碎，實(shí)施粉末X射線衍射測(cè)定，進(jìn)行生成相的識(shí)別，確認(rèn)為源于具有六方晶體的纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅結(jié)晶相和尖晶石型構(gòu)造的結(jié)晶相的衍射峰，沒(méi)有檢測(cè)到源于氧化鋁相或氧化鎵相的衍射峰。將所得的氧化物燒結(jié)體的端材粉碎，對(duì)基于ICP發(fā)光分光分析法的組成進(jìn)行分析，確認(rèn)(Al+Ga)/(Zn+Al+Ga)原子數(shù)比為6.9原子％,包括Al/(A1+Ga)原子數(shù)比在內(nèi)，基本與混合組成相同。另外，氧化物燒結(jié)體的體積電阻率為0.02Qcm,密度為5.0g/cm3，平均結(jié)晶粒徑為6pm,最大空孔徑為l,。通過(guò)FIB加工對(duì)氧化物燒結(jié)體的端材進(jìn)行薄片化處理，用裝備有能量分散型熒光X射線分析裝置(EDX)的透射型電子顯微鏡(TEM)進(jìn)行觀察。確認(rèn)氧化物燒結(jié)體通過(guò)電子線衍射，在纖鋅礦型構(gòu)造的母相中分散有尖晶石結(jié)晶相。進(jìn)行基于EDX的局部組成分析，纖鋅礦型構(gòu)造的母相為含有鋁和鎵的氧化鋅，得知尖晶石相為Zn-Al-Ga-0相。對(duì)50個(gè)尖晶石相進(jìn)行EDX組成分析，測(cè)定Al/(A1+Ga)原子數(shù)比，為43~65原子％,不存在Al/(A1+Ga)原子數(shù)比超出10~90原子％的范圍的尖晶石相。按照與實(shí)施例1同樣的方法、條件制作濺射靶，用同樣的方法、條件，對(duì)發(fā)生打火、顆粒的產(chǎn)生情況進(jìn)行評(píng)價(jià)，但是完全沒(méi)有發(fā)生打火，也沒(méi)有產(chǎn)生顆粒。進(jìn)而，在與實(shí)施例1同樣的條件下進(jìn)行成膜，所得的膜包括基板的可見(jiàn)光透射率為85%,但比電阻高達(dá)5.5xl0—3Qcm,無(wú)法得到低電阻的透明導(dǎo)電膜。其原因估計(jì)是氧化物燒結(jié)體中的鋁和鎵的量過(guò)多((Al+Ga)/(Zn+Al+Ga)原子數(shù)比為6.9原子％)，這些有助于膜的低電阻化的摻雜物過(guò)多。另夕卜，包括基板的近紅外區(qū)域的透射率為62%(膜本身的透射率為67%),比本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜低。將這種高電阻的透明導(dǎo)電膜用于太陽(yáng)能電池的透明電極的話，無(wú)法實(shí)現(xiàn)高效率。該結(jié)果示于表l。(比較例6)作為原料粉末，不采用氧化鎵，而采用氧化鋅和氧化鋁，將其配比以(Al+Ga)/(Zn+Al+Ga)原子數(shù)比(即Al/(Zn+Al)原子數(shù)比)計(jì)為5.1原子％,除此以外，采用與實(shí)施例l相同的順序、條件，通過(guò)球磨機(jī)和3皮珠研磨機(jī)進(jìn)行混合粉碎處理，進(jìn)行成形、焙燒，制造現(xiàn)有的氧化物燒結(jié)體(AZO)。與實(shí)施例1相同地對(duì)得到的氧化物燒結(jié)體進(jìn)行評(píng)價(jià)。粉碎得到的氧化物燒結(jié)體的端材，實(shí)施粉末X射線衍射測(cè)定，進(jìn)行生成相的識(shí)別，其結(jié)果，確認(rèn)來(lái)自采用六方晶體的纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅結(jié)晶相和尖晶石型構(gòu)造的結(jié)晶相的衍射峰，未檢測(cè)出來(lái)自氧化鋁相和氧化鎵相的衍射峰。粉碎得到的氧化物燒結(jié)體的端材，分析ICP發(fā)光分光分析法的組成，其結(jié)果，以(Al+Ga)/(Zn+Al+Ga)原子數(shù)比(即，Al/(A1+Ga)原子數(shù)比)為5.2原子％,確認(rèn)與混合組成基本相同。并且，氧化物燒結(jié)體的體積電阻率為0.04Qcm,密度為5.2g/cm3,平均結(jié)晶粒徑為10pm,最大空孔徑為lpm。通過(guò)FIB加工對(duì)氧化物燒結(jié)體的端材進(jìn)行薄片化處理，采用裝備有能量分散型熒光X射線分析裝置(EDX)的透射型電子顯微鏡(TEM)觀察。確認(rèn)氧化物燒結(jié)體通過(guò)電子線衍射，在纖鋅礦型構(gòu)造的母相中分散有尖晶石結(jié)晶相。進(jìn)行通過(guò)EDX的局部組成分析，得知，纖鋅礦型構(gòu)造的母相為包含鋁的氧化鋅，尖晶石相為Zn-Al-O相。對(duì)50個(gè)尖晶石相進(jìn)行EDX組成分析，其結(jié)果，為整體基本與ZnAl203接近的組成。即，本發(fā)明所規(guī)定的尖晶石相的組成為超過(guò)Al/(A1+Ga)原子數(shù)比為10~90原子％的范圍的尖晶石相。采用與實(shí)施例l相同的方法、條件，制造濺射靶，并且以相同的方法、條件，對(duì)打火的產(chǎn)生、顆粒產(chǎn)生情況進(jìn)行評(píng)價(jià)。雖然也沒(méi)有產(chǎn)生顆粒，但是打火在IO分鐘內(nèi)產(chǎn)生了230次。因此，這樣的靶不能通過(guò)高輸入電力進(jìn)行高速成膜，不適合量產(chǎn)。進(jìn)而，采用與實(shí)施例l相同的條件成膜，其結(jié)果，得到的膜含基板在內(nèi)的透射率，在可見(jiàn)光區(qū)域?yàn)?5%,在近紅外區(qū)域?yàn)?4%(膜本體的逸射率，在可見(jiàn)光區(qū)域?yàn)?7%,在近紅外區(qū)域?yàn)?2%)，但是電阻率為1.5xl(T3Qcm。然而，在850W打火產(chǎn)生的狀況下得到的透明導(dǎo)電膜的比電阻為8.1x10'3Qcm的高值。(比較例7)作為原料粉末，不采用氧化鋁，而釆用氧化鋅和氧化鎵，將其配比以(Al+Ga)/(Zn+Al+Ga)原子數(shù)比(即，Ga/(Zn+Ga)原子數(shù)比)計(jì)為5.3原子％，除此以外，采用與實(shí)施例1相同的順序、條件，通過(guò)球磨機(jī)和玻珠研磨機(jī)進(jìn)行混合粉碎處理，進(jìn)行成形、焙燒，制造現(xiàn)有的氧化物燒結(jié)體(GZO)。與實(shí)施例1相同地對(duì)得到的氧化物燒結(jié)體進(jìn)行評(píng)價(jià)。粉碎得到的氧化物燒結(jié)體的端材，實(shí)施粉末X射線衍射測(cè)定，進(jìn)行生成相的識(shí)別，其結(jié)果，確認(rèn)來(lái)自采用六方晶體的纖鋅礦型構(gòu)造的氧化鋅結(jié)晶相和尖晶石型構(gòu)造的結(jié)晶相的衍射峰，未檢測(cè)出來(lái)自氧化鋁相和氧化鎵相的衍射峰。粉碎得到的氧化物燒結(jié)體的端材，分析ICP發(fā)光分光分析法的組成，其結(jié)果，(Al+Ga)/(Zn+Al+Ga)原子數(shù)比(即，Ga/(Zn+Ga)原子數(shù)比)為5.3原子％，確認(rèn)與混合組成基本相同。并且，氧化物燒結(jié)體的體積電阻率為0.01Qcm，密度為4.8g/cm3,平均結(jié)晶粒徑為6pm，最大空孔徑為2|tim。通過(guò)FIB加工對(duì)氧化物燒結(jié)體的端材進(jìn)行薄片化處理，采用裝備有能量分散型熒光X射線分析裝置(EDX)的透射型電子顯微鏡(TEM)觀察。確認(rèn)氧化物燒結(jié)體通過(guò)電子線衍射，在纖鋅礦型構(gòu)造的母相中分散有尖晶石結(jié)晶相。進(jìn)行通過(guò)EDX的局部組成分析，得知，纖鋅礦型構(gòu)造的母相為包含鋁的氧化鋅，尖晶石相為Zn-Ga-O相。對(duì)50個(gè)尖晶石相進(jìn)行EDX組成分析，其結(jié)果，為整體基本與ZnGa203接近的組成。即，本發(fā)明所規(guī)定的尖晶石相的組成為超過(guò)Al/(A1+Ga)原子數(shù)比為10-90原子％的范圍的尖晶石相。-采用與實(shí)施例l相同的條件成膜，其結(jié)果，得到的膜含基板在內(nèi)的透射率，在可見(jiàn)光區(qū)域?yàn)?5%(膜本體的透射率為87%),可以得到比電阻為4.5x10"Qcm的低電阻的透明導(dǎo)電膜，但是在近紅外區(qū)域?yàn)?9%(膜本體的透射率為86%)，在近紅外區(qū)域的透射率比本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜低。在太陽(yáng)能電池的透明電極中采用這樣的透明導(dǎo)電膜，由于不能有效利用近紅外區(qū)域的太陽(yáng)光能，所以不能實(shí)現(xiàn)高效率的太陽(yáng)能電池。進(jìn)而，采用與實(shí)施例l相同的方法、條件制造濺射靶，并且以相同的方法、條件，對(duì)打火的產(chǎn)生、顆粒產(chǎn)生情況進(jìn)行評(píng)價(jià)。連續(xù)濺射，則顆粒產(chǎn)生的多，打火在10分鐘內(nèi)產(chǎn)生了12次。認(rèn)為顆粒產(chǎn)生的主要原因，在于氧化物燒結(jié)體中包含與ZnGa203接近的組成的尖晶石相。認(rèn)為打火的主要原因，在于由顆粒而形成的。這樣的氧化物燒結(jié)體不能作為透明導(dǎo)電膜的量產(chǎn)用的靶而使用。在對(duì)靶的直流輸入電力提高到850W,同樣進(jìn)行成膜的場(chǎng)合，如上所述不能得到導(dǎo)電性和透射率高的透明導(dǎo)電膜。打火的產(chǎn)生的狀況下得到的透明導(dǎo)電膜的比電阻高達(dá)5.7xlO'3Qcm。這是由于在成膜中產(chǎn)生的打火所致，只能得到膜受損傷，存在缺陷的膜，不能形成實(shí)施例那樣的組織致密且優(yōu)良質(zhì)量的膜。因此，不能作為高效率的太陽(yáng)能電池的透明電極而利用。這些結(jié)果表示在表1中。(比較例8)作為原料粉末，不采用氧化鎵，而采用氧化鋅和氧化鋁，將其配比以(Al+Ga)/(Zn+Al+Ga)原子數(shù)比(即，Al/(Zn+Al)原子數(shù)比)計(jì)為0.3原子％，除此以外，采用與實(shí)施例1相同的順序、條件，通過(guò)球磨機(jī)和玻珠研磨機(jī)進(jìn)行混合粉碎處理，進(jìn)行成形、焙燒，制造現(xiàn)有的氧化物燒結(jié)體(AZO)。與實(shí)施例1相同地對(duì)得到的氧化物燒結(jié)體進(jìn)行評(píng)價(jià)。粉碎得到的氧化物燒結(jié)體的端材，實(shí)施粉末X射線衍射測(cè)定，進(jìn)行生成相的識(shí)別，其結(jié)果，確認(rèn)來(lái)自采用六方晶體的纖鋅礦型構(gòu)造的氧化鋅結(jié)晶相和尖晶石型構(gòu)造的結(jié)晶相的衍射峰，未檢測(cè)出來(lái)自氧化鋁相和氧化鎵相的衍射峰。粉碎得到的氧化物燒結(jié)體的端材，分析ICP發(fā)光分光分析法的組成，其結(jié)果，(Al+Ga)/(Zn+Al+Ga)原子數(shù)比(即，Al/(Zn+Al)原子數(shù)比)為0.3原子％,確認(rèn)與混合組成基本相同。并且，氧化物燒結(jié)體的體積電阻率為0.08Qcm,密度為5.0g/cm3,平均結(jié)晶粒徑為10nm,最大空孔徑為lpm。通過(guò)FIB加工對(duì)氧化物燒結(jié)體的端材進(jìn)行薄片化處理，采用裝備有能量分散型熒光X射線分析裝置(EDX)的透射型電子顯微鏡(TEM)觀察。確認(rèn)氧化物燒結(jié)體通過(guò)電子線衍射，在纖鋅礦型構(gòu)造的母相中分散有尖晶石結(jié)晶相。進(jìn)行通過(guò)EDX的局部組成分析，得知，纖鋅礦型構(gòu)造的母相為包含鋁的氧化鋅，尖晶石相為Zn-Al-O相。對(duì)50個(gè)尖晶石相進(jìn)行EDX組成分析，其結(jié)果，為整體基本與ZnAl203接近的組成。即，本發(fā)明所規(guī)定的尖晶石相的組成為超過(guò)Al/(A1+Ga)原子數(shù)比為10~90原子％的范圍的尖晶石相。釆用與實(shí)施例1相同的方法、條件，制造'減射靶，并且以相同的方法、條件，對(duì)打火產(chǎn)生、顆粒產(chǎn)生情況進(jìn)行評(píng)價(jià)。雖然也沒(méi)有產(chǎn)生顆粒，但是打火在10分鐘產(chǎn)生了120次。因此，這樣的靶不能通過(guò)高輸入電力進(jìn)行高速成膜，不適合量產(chǎn)。進(jìn)而，采用與實(shí)施例l相同的條件成膜，其結(jié)果，得到的膜含基板在內(nèi)的透射率，在可見(jiàn)光區(qū)域?yàn)?5%，在近紅外區(qū)域?yàn)?6%(膜本體的透射率，在可見(jiàn)光區(qū)域?yàn)?7%,在近紅外區(qū)域?yàn)?4%),但是比電阻為8.5xl(T3Qcm的高值。特別是在850W打火的產(chǎn)生的狀況下得到的透明導(dǎo)電膜的比電阻為1.3xl(T2Qcm的超高值。(比較例9)作為原料粉末，不采用氧化鋁，而采用氧化鋅和氧化鎵，將其配比以(Al+Ga)/(Zn+Al+Ga)原子數(shù)比(即，Ga/(Zn+Ga)原子數(shù)比)計(jì)為0.3原子％,除此以外，采用與實(shí)施例1相同的順序、條件，通過(guò)球磨機(jī)和玻珠研磨機(jī)進(jìn)行混合粉碎處理，進(jìn)行成形、焙燒，制造現(xiàn)有的氧化物燒結(jié)體(GZO)。與實(shí)施例1相同地對(duì)得到的氧化物燒結(jié)體進(jìn)行評(píng)價(jià)。粉碎得到的氧化物燒結(jié)體的端材，實(shí)施粉末X射線衍射測(cè)定，進(jìn)行生成相的識(shí)別，其結(jié)果，確認(rèn)來(lái)自采用六方晶體的纖鋅礦型構(gòu)造的氧化鋅結(jié)晶相和尖晶石型構(gòu)造的結(jié)晶相的衍射峰，未檢測(cè)出來(lái)自氧化鋁相和氧化鎵相的衍射峰。粉碎得到的氧化物燒結(jié)體的端材，分析ICP發(fā)光分光分析法的組成，其結(jié)果，(Al+Ga)/(Zn+Al+Ga)原子數(shù)比(即，Ga/(Zn+Ga)原子數(shù)比)為0.3原子％，確認(rèn)與混合組成基本相同。并且，氧化物燒結(jié)體的體積電阻率為0.03Qcm,密度為4.7g/cm3,平均結(jié)晶粒徑為6nm，最大空孔徑為2pm。通過(guò)FIB加工對(duì)氧化物燒結(jié)體的端材進(jìn)行薄片化處理，采用裝備有能量分散型熒光X射線分析裝置(EDX)的透射型電子顯微鏡(TEM)觀察。確認(rèn)氧化物燒結(jié)體通過(guò)電子線衍射，在纖鋅礦型構(gòu)造的母相中分散有尖晶石結(jié)晶相。進(jìn)行通過(guò)EDX的局部組成分析，得知，纖鋅礦型構(gòu)造的母相為包含鋁的氧化鋅，尖晶石相為Zn-Ga-O相。對(duì)50個(gè)尖晶石相進(jìn)行EDX組成分析，其結(jié)果，為整體基本與ZnGa203接近的組成。即，本發(fā)明所規(guī)定的尖晶石相的組成為超過(guò)Al/(A1+Ga)原子數(shù)比為10~90原子％的范圍的尖晶石相。采用與實(shí)施例1相同的條件成膜，其結(jié)果，得到的膜含基板在內(nèi)的透射率，在可見(jiàn)光區(qū)域?yàn)?5%(膜本體的透射率為87%),可以得到比電阻為2.5xl(T3Qcm的低電阻的透明導(dǎo)電膜。含基板在內(nèi)的在近紅外區(qū)域的透射率為84%(膜本體的透射率為92%)。進(jìn)而，采用與實(shí)施例l相同的方法、條件，制造濺射靶，并且以相同的方法、條件，對(duì)打火的產(chǎn)生、顆粒產(chǎn)生情況進(jìn)行評(píng)價(jià)。連續(xù)濺射，則顆粒產(chǎn)生的多，打火在IO分鐘內(nèi)產(chǎn)生了3次左右。認(rèn)為顆粒產(chǎn)生的主要原因，在于氧化物燒結(jié)體中包含與ZnGa203接近的組成的尖晶石相。認(rèn)為打火的主要原因，在于由顆粒而形成的。在打火產(chǎn)生的狀況下得到的透明導(dǎo)電膜的比電阻為1.7xl(T2Qcm的高值。這樣的氧化物燒結(jié)體不能作為透明導(dǎo)電膜的量產(chǎn)用的靶而使用。(比較例10)在氧化鋁的原料粉末中采用粒徑為10pm的粉末，在原料粉末的混合粉碎處理中，不進(jìn)行玻珠研磨處理，只進(jìn)行球磨處理，除此以外采用與實(shí)施例1相同的方法、條件，制造包含鋅、鋁、鎵的氧化物燒結(jié)體。即，氧化鋅粉末和氧化鎵粉末的種類、原料粉末的配比、球磨條件、成形體的制造條件、焙燒條件與實(shí)施例1為相同的方法、條件。與實(shí)施例1相同，采用焙燒前的成形體，對(duì)混合原料粉末的Al/(A1+Ga)原子數(shù)比的均勻性進(jìn)行評(píng)價(jià)，其結(jié)果，標(biāo)準(zhǔn)偏差cj為45原子％，與實(shí)施例相比，在焙燒前的階段Al與Ga之間的均勻性差。與實(shí)施例1相同地對(duì)得到的氧化物燒結(jié)體進(jìn)行評(píng)價(jià)。粉碎得到的氧化物燒結(jié)體的端材，實(shí)施粉末X射線衍射測(cè)定，進(jìn)行生成相的識(shí)別，其結(jié)果，除了來(lái)自采用六方晶體的纖鋅礦型構(gòu)造的氧化鋅結(jié)晶相和尖晶石型構(gòu)造的結(jié)晶相的衍射峰以外，還確認(rèn)來(lái)自氧化鋁結(jié)晶相的衍射峰。粉碎得到的氧化物燒結(jié)體的端材，分析ICP發(fā)光分光分析法的組成，其結(jié)果，(Al+Ga)/(Zn+Al+Ga)原子數(shù)比為5.3原子％,也包括Al/(A1+Ga)原子數(shù)比，確認(rèn)與混合組成基本相同。并且，氧化物燒結(jié)體的體積電阻率為0.3。cm,密度為4.4g/cm3，平均結(jié)晶粒徑為6nm，最大空孔徑為3pm。通過(guò)FIB加工對(duì)氧化物燒結(jié)體的端材進(jìn)行薄片化處理，采用裝備有能量分散型熒光X射線分析裝置(EDX)的透射型電子顯微鏡(TEM)觀察。確認(rèn)氧化物燒結(jié)體通過(guò)電子線衍射，在纖鋅礦型構(gòu)造的母相中分散有尖晶石結(jié)晶相。進(jìn)行通過(guò)EDX的局部組成分析，得知，纖鋅礦型構(gòu)造的母相為包含鋁和鎵的氧化鋅，尖晶石相為Zn-Al-Ga-O相。對(duì)50個(gè)尖晶石相進(jìn)行EDX組成分析，測(cè)定Al/(A1+Ga)原子數(shù)比，其結(jié)果，為26-100原子％,存在超過(guò)Al/(A1+Ga)原子數(shù)比為10~90原子％的范圍的尖晶石相。特別的，也可看到存在與ZnAl204接近的組成的尖晶石相。采用與實(shí)施例l相同的方法、條件，制造賊射乾，采用相同的條件成膜，其結(jié)果，可以得到比電阻為8.5xlO"Qcm、含基板在內(nèi)的可見(jiàn)光透射率為85%以上的透明導(dǎo)電膜。并且，以與實(shí)施例1完全相同的方法、條件，對(duì)打火的產(chǎn)生、顆粒的產(chǎn)生情況進(jìn)行評(píng)價(jià)。雖然沒(méi)有產(chǎn)生顆粒，但是打火在10分鐘產(chǎn)生了520次。打火產(chǎn)生的原因，在于包括氧化物燒結(jié)體中含有的絕緣性的氧化鋁相和Al/(Al+Ga)原子數(shù)比為90原子％以上的高電阻的尖晶石相。這種輸入高直流電力容易產(chǎn)生打火的氧化物燒結(jié)體，不能作為透明導(dǎo)電膜的量產(chǎn)用的靶而使用。在對(duì)靶的直流輸入電力提高到850W,同樣地進(jìn)行成膜的場(chǎng)合，如上所述不能得到導(dǎo)電性和透射率高的透明導(dǎo)電膜。這是由于在成膜中產(chǎn)生的打火所致，只能得到膜受損傷存在缺陷的膜，不能形成實(shí)施例那樣的組織致密且優(yōu)良質(zhì)量的膜。因此，不能作為高效率的太陽(yáng)能電池的透明電極而利用。(比較例11)在氧化鎵的原料粉末中采用粒徑為10pm的粉末，在原料粉末的混合、粉碎處理中，不進(jìn)行玻珠研磨處理，只進(jìn)行球磨處理，除此以外采用與實(shí)施例1相同的方法、條件，制造包含鋅、鋁、鎵的氧化物燒結(jié)體。即，氧化鋅粉末和氧化鋁粉末的種類、原料粉末的配比、球磨條件、成形體的制造條件、焙燒條件與實(shí)施例1為相同的方法、條件。與實(shí)施例l相同，采用焙燒前的成形體，對(duì)混合原料粉末的Al/(A1+Ga)原子數(shù)比的均勻性進(jìn)行評(píng)價(jià)，其結(jié)果，標(biāo)準(zhǔn)偏差a為42原子。/。，與實(shí)施例相比，在焙燒前的階段A1與Ga之間的均勻性差。與實(shí)施例1相同地對(duì)得到的氧化物燒結(jié)體進(jìn)行評(píng)價(jià)。粉碎得到的氧化物燒結(jié)體的端材，實(shí)施粉末X射線衍射測(cè)定，進(jìn)行生成相的識(shí)別，其結(jié)果，除了來(lái)自采用六方晶體的纖鋅礦型構(gòu)造的氧化鋅結(jié)晶相和尖晶石型構(gòu)造的結(jié)晶相的衍射峰以外，還確認(rèn)來(lái)自氧化鎵結(jié)晶相的衍射峰。粉碎得到的氧化物燒結(jié)體的端材，分析ICP發(fā)光分光分析法的組成，其結(jié)果，(Al+Ga)/(Zn+Al+Ga)原子數(shù)比為5.3原子％，也包括Al/(A1+Ga)原子數(shù)比，確認(rèn)與混合組成基本相同。并且，氧化物燒結(jié)體的體積電阻率為0.09Dcm,密度為5.0g/cm3，平均結(jié)晶粒徑為6pm,最大空孔徑為2pm。通過(guò)FIB加工對(duì)氧化物燒結(jié)體的端材進(jìn)行薄片化處理，采用裝備有能量分散型熒光X射線分析裝置(EDX)的透射型電子顯微鏡(TEM)觀察。確認(rèn)氧化物燒結(jié)體通過(guò)電子線衍射，在纖鋅礦型構(gòu)造的母相中分散有尖晶石結(jié)晶相。進(jìn)行通過(guò)EDX的局部組成分析，得知，纖鋅礦型構(gòu)造的母相為包含鋁和鎵的氧化鋅，尖晶石相為Zn-Al-Ga-0相。對(duì)50個(gè)尖晶石相進(jìn)行EDX組成分析，測(cè)定Al/(A1+Ga)原子數(shù)比，其結(jié)果，為075原子％,存在超過(guò)Al/(A1+Ga)原子數(shù)比為10~90原子％的范圍的尖晶石相。特別的，也可看到存在與ZnGa204接近的組成的尖晶石相。采用與實(shí)施例l相同的方法、條件，制造濺射靶，采用相同的條件成膜，其結(jié)果，可以得到比電阻為6.9xlO"Qcm、含基板在內(nèi)的可見(jiàn)光透射率為85%以上的透明導(dǎo)電膜。并且，以與實(shí)施例1完全相同的方法、條件，對(duì)打火產(chǎn)生、顆粒產(chǎn)生情況進(jìn)行評(píng)價(jià)。雖然沒(méi)有產(chǎn)生顆粒，但是打火在10分鐘內(nèi)產(chǎn)生了260次。打火產(chǎn)生的原因，在于包括氧化物燒結(jié)體中含有的絕緣性的氧化鎵相和顆粒。認(rèn)為顆粒的產(chǎn)生還由于包含Al/(A1+Ga)原子數(shù)比為10原子％以下的高電阻的尖晶石相。這樣，輸入高直流電力容易產(chǎn)生打火，并且，連續(xù)濺射成膜時(shí)容易產(chǎn)生顆粒。在對(duì)靶的直流輸入電力提高到850W,同樣地進(jìn)行成膜的場(chǎng)合，如上所述不能得到導(dǎo)電性和透射率高的透明導(dǎo)電膜。這是由于在成膜中產(chǎn)生的打火所致，只能得到膜受損傷存在缺陷的膜，不能形成實(shí)施例那樣的組織致密且優(yōu)良質(zhì)量的膜。因此，不能作為高效率的太陽(yáng)能電池的透明電極而利用。這樣的氧化物燒結(jié)體不能作為透明導(dǎo)電膜的量產(chǎn)用的耙而使用。(比較例12)采用平均粒徑為lpm以下的氧化鋅粉末、氧化鋁粉末、氧化鎵粉末，它們的混合比率通過(guò)原料配比以Al/(A1+Ga)原子數(shù)比計(jì)為26.9原子％、以(Al+Ga)/(Zn+Al+Ga)原子數(shù)比計(jì)為6.1原子％的方式，添加到樹(shù)脂制的罐中，用球磨機(jī)進(jìn)行濕式混合。該濕式3求磨混合中，采用硬質(zhì)氧化鋯制的球作為粘合劑，相對(duì)全部原料粉末量添加1重量％聚乙烯醇，混合18小時(shí)。取出混合后的漿液，干燥粒化。以冷等靜壓機(jī)在3ton/cm2的壓力下使粒化物成形。與實(shí)施例l相同，采用焙燒前的成形體，對(duì)混合原料粉末的Al/(A1+Ga)原子數(shù)比的均勻性進(jìn)行評(píng)價(jià)，其結(jié)果，標(biāo)準(zhǔn)偏差cr為46原子％，與實(shí)施例相比，在焙燒前的階段Al與Ga之間的均勻性差。接著，按照以下順序焙燒成形體。在大氣氣氛中以rc/分鐘的速度升溫到IOO(TC、以3。C/分鐘的速度升溫到1000~1400°C,在燒結(jié)溫度的1400'C時(shí)保持5小時(shí)進(jìn)行燒結(jié)。與實(shí)施例1相同地對(duì)得到的氧化物燒結(jié)體進(jìn)行評(píng)價(jià)。粉碎得到的氧化物燒結(jié)體的端材，實(shí)施粉末X射線衍射測(cè)定，進(jìn)行生成相的識(shí)別，其結(jié)果，除了來(lái)自采用六方晶體的纖鋅礦型構(gòu)造的氧化鋅結(jié)晶相和尖晶石型構(gòu)造的結(jié)晶相的衍射峰以外，還確認(rèn)來(lái)自氧化鎵結(jié)晶相的衍射峰。粉碎得到的氧化物燒結(jié)體的端材，分析ICP發(fā)光分光分析法的組成，其結(jié)果，(Al+Ga)/(Zn+Al+Ga)原子數(shù)比為6.0原子％,也包括Al/(A1+Ga)原子數(shù)比，確認(rèn)與混合組成基本相同。通過(guò)FIB加工對(duì)氧化物燒結(jié)體的端材進(jìn)行薄片化處理，采用裝備有能量分散型熒光X射線分析裝置(EDX)的透射型電子顯微鏡(TEM)觀察。確認(rèn)氧化物燒結(jié)體通過(guò)電子線衍射，在纖鋅礦型構(gòu)造的母相中分散有尖晶石結(jié)晶相。進(jìn)行通過(guò)EDX的局部組成分析得知，纖鋅礦型構(gòu)造的母相為包含鋁和鎵的氧化鋅，尖晶石相為Zn-Al-Ga-0相。對(duì)50個(gè)尖晶石相進(jìn)行EDX組成分析，測(cè)定Al/(A1+Ga)原子數(shù)比，其結(jié)果為3~61原子％,存在超過(guò)Al/(A1+Ga)原子數(shù)比為10~90原子％的范圍的尖晶石相。特別的，也可看到存在與ZnGa204接近的組成的尖晶石相。采用與實(shí)施例l相同的方法、條件，制造濺射靶，采用相同的條件成膜，其結(jié)果，可以得到比電阻為8.5xl0"Qcm、含基板在內(nèi)的可見(jiàn)光透射率為85%以上的透明導(dǎo)電膜。并且，以與實(shí)施例1完全相同的方法、條件，對(duì)打火的產(chǎn)生、顆粒產(chǎn)生情況進(jìn)行評(píng)價(jià)。容易產(chǎn)生顆粒，打火在10分鐘內(nèi)產(chǎn)生了2次。認(rèn)為顆粒的產(chǎn)生還由于包含Al/(A1+Ga)原子數(shù)比為10原子％以下的高電阻的尖晶石相，因?yàn)樵擃w粒的原因發(fā)生了打火。這樣，輸入高直流電力容易產(chǎn)生打火，并且，連續(xù)濺射成膜時(shí)容易產(chǎn)生顆粒。在對(duì)靶的直流輸入電力提高到850W,同樣地進(jìn)行成膜的場(chǎng)合，如上所述不能得到導(dǎo)電性和透射率高的透明導(dǎo)電膜。這是由于在成膜中產(chǎn)生的打火所致，只能得到存在缺陷的膜。因此，不能形成實(shí)施例那樣的組織致密且優(yōu)良質(zhì)量的膜，不能作為高效率的太陽(yáng)能電池的透明電極而利用。并且，這樣的氧化物燒結(jié)體不能作為透明導(dǎo)電膜的量產(chǎn)用的靶而使用。(比較例13)采用平均粒徑為lpm以下的氧化鋅粉末、氧化鋁粉末、氧化鎵粉末，它們的混合比率通過(guò)原料配比以Al/(Al+Ga)原子數(shù)比計(jì)為52.5原子％、以(Al+Ga)/(Zn+Al+Ga)原子數(shù)比計(jì)為6.2原子％的方式，添加到樹(shù)脂制的罐中，用球磨機(jī)進(jìn)行濕式混合。該濕式3求磨混合中，采用硬質(zhì)氧化鋯制的球，作為粘合劑，相對(duì)全部原料粉末量添加1重量％聚乙烯醇，混合18小時(shí)。取出混合后的漿液，干燥?；Ｒ岳涞褥o壓機(jī)在3ton/cm2的壓力下使?；锍尚巍Ｅc實(shí)施例l相同，采用焙燒前的成形體，對(duì)混合原料粉末的Al/(A1+Ga)原子數(shù)比的均勻性進(jìn)行評(píng)價(jià)，其結(jié)果，標(biāo)準(zhǔn)偏差cr為43原子％,與實(shí)施例相比，在焙燒前的階段Al與Ga之間的均勻性差。接著，按照以下順序焙燒成形體。在大氣環(huán)境中以l'C/分鐘的速度升溫到IOOO'C、以3'C/分鐘的速度升溫到10001400°C,在燒結(jié)溫度的140(TC時(shí)保持5小時(shí)進(jìn)行燒結(jié)。與實(shí)施例1相同地對(duì)得到的氧化物燒結(jié)體進(jìn)行評(píng)價(jià)。粉碎得到的氧化物燒結(jié)體的端材，實(shí)施粉末X射線衍射測(cè)定，進(jìn)行生成相的識(shí)別，其結(jié)果，除了來(lái)自采用六方晶體的纖鋅礦型構(gòu)造的氧化鋅結(jié)晶相和尖晶石型構(gòu)造的結(jié)晶相的衍射峰以外，還確認(rèn)來(lái)自氧化鎵相的衍射峰。粉碎得到的氧化物燒結(jié)體的端材，分析ICP發(fā)光分光分析法的組成，其結(jié)果，以(Al+Ga)/(Zn+Al+Ga)原子數(shù)比計(jì)為6.2原子％,也包括Al/(A1+Ga)原子數(shù)比，確認(rèn)與混合組成基本相同。通過(guò)FIB加工對(duì)氧化物燒結(jié)體的端材進(jìn)行薄片化處理，采用裝備有能量分散型熒光X射線分析裝置(EDX)的透射型電子顯微鏡(TEM)觀察。確認(rèn)氧化物燒結(jié)體通過(guò)電子線衍射，在纖鋅礦型構(gòu)造的母相中分散有尖晶石結(jié)晶相。進(jìn)行通過(guò)EDX的局部組成分析得知，纖鋅礦型構(gòu)造的母相為包含鋁和鎵的氧化鋅，尖晶石相為Zn-Al-Ga-0相。對(duì)50個(gè)尖晶石相進(jìn)行EDX組成分析，測(cè)定Al/(A1+Ga)原子數(shù)比，其結(jié)果為6~85原子％，存在超過(guò)Al/(A1+Ga)原子數(shù)比為10~90原子％的范圍的尖晶石相。特別的，也可看到存在與ZnGa204接近的組成的尖晶石相。采用與實(shí)施例1相同的方法、條件制造濺射靶，采用相同的條件成膜，其結(jié)果，可以得到比電阻為9.8xlO"Qcm、含基板在內(nèi)的可見(jiàn)光透射率為85%以上的透明導(dǎo)電膜。并且，以與實(shí)施例1相同的方法、條件，對(duì)打火的產(chǎn)生、顆粒產(chǎn)生情況進(jìn)行評(píng)價(jià)。容易產(chǎn)生顆粒，并且打火在10分鐘產(chǎn)生了2次。認(rèn)為顆粒的產(chǎn)生還由于包含Al/(A1+Ga)原子數(shù)比為10原子％以下的高電阻的尖晶石相，還認(rèn)為因該顆粒而產(chǎn)生打火。這樣，輸入高直流電力容易產(chǎn)生打火，并且，連續(xù)濺射成膜時(shí)容易產(chǎn)生顆粒。在對(duì)靶的直流輸入電力提高到850W,同樣地進(jìn)行成膜的場(chǎng)合，如上所述不能得到導(dǎo)電性和透射率高的透明導(dǎo)電膜。這是由于在成膜中產(chǎn)生的打火所致，膜受損傷，只能得到存在缺陷的膜。不能形成實(shí)施例那樣的組織致密且優(yōu)良質(zhì)量的膜。因此，不能作為高效率的太陽(yáng)能電池的透明電極而利用。因此，這樣的氧化物燒結(jié)體不能作為透明導(dǎo)電膜的量產(chǎn)用的靶而使用。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage72</column></row><table><放電電流-放電電壓特性的實(shí)驗(yàn)>采用實(shí)施例l、2和比較例1、6、7中的氧化物燒結(jié)體的靶，檢驗(yàn)一定濺射條件下的》文電時(shí)的電流-電壓。對(duì)于由直徑152mmO的上述氧化物燒結(jié)體制造的靶，將靶-基板間距離固定為60mm。真空排氣到5xl(T5Pa以下之后，引入純Ar氣體，氣壓為0.6Pa,施加500W直流電，使其產(chǎn)生直流等離子。測(cè)定此時(shí)的放電電壓和放電電流，其結(jié)果表示于表2。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage73</column></row><table>如表2所示，采用實(shí)施例1、2的氧化物燒結(jié)體的場(chǎng)合，與采用比較例1、6、7中的氧化物燒結(jié)體的時(shí)候相比，輸入同樣的直流電時(shí)的放電電壓低，放電電流高。即，采用實(shí)施例1、2的氧化物燒結(jié)體，則放電阻抗低，電子從實(shí)施例1、2的氧化物燒結(jié)體表面容易放出。認(rèn)為這是由于氧化物燒結(jié)體中的尖晶石相的組成不同，Zn-Al-Ga-0相的尖晶石相比鋁酸鋅尖晶石相和鎵酸鋅尖晶石相的導(dǎo)電性高，在放電時(shí)容易放出電子，使阻抗降低。另外，從實(shí)施例1、2與比較例1之間的比較來(lái)看，可以認(rèn)為Zn-Al-Ga-0相的尖晶石相的Al和Ga的均勻性良好，更使阻抗降低。不言而喻，放電電壓低，則打火不容易產(chǎn)生。再有，采用氧化鋅類的氧化物靶，進(jìn)行-磁控濺射成膜，則由于放電電壓，使從輩巴表面的腐蝕部(照射Ar離子多，靶表面被挖掉的地方)產(chǎn)生的燒結(jié)體中的氧的陰離子加速，碰撞到基板上的薄膜。放電電壓越高，其沖擊越大，帶給薄膜損壞。相反的，靶中心是非腐蝕部，對(duì)于在其正上方配置的基板上的薄膜，幾乎沒(méi)有氧的陰離子的碰撞導(dǎo)致的打擊。測(cè)定耙中心的非腐蝕部的正上方部堆積的膜的比電阻(Ps)和腐蝕部中心的正上方部堆積的膜的比電阻(Pe)，檢驗(yàn)其變化率(Ps/pe)。其結(jié)果表示于表2。采用放電電壓低的實(shí)施例1、2的氧化物燒結(jié)體的變化率(Ps/pe)較小。在量產(chǎn)時(shí)，在大型基板上成膜透明導(dǎo)電膜的場(chǎng)合，為了在基板整體上成膜均勻的膜，多數(shù)情況下，在基板上通過(guò)耙而移動(dòng)的同時(shí)進(jìn)行成膜。此時(shí)，非腐蝕部正上方成膜的膜和腐蝕部正上方成膜的膜重疊。因此，腐蝕部正上方重疊的膜的比電阻盡可能為低值。由本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體制造的耙比現(xiàn)有的放電電壓低，腐蝕部重疊的高電阻膜的比電阻相對(duì)較低，因此在連續(xù)成膜時(shí)可以制造低電阻的膜。因此，本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體在量產(chǎn)時(shí)的連續(xù)成膜中也可得到低電阻膜的可用于工業(yè)的耙。(實(shí)施例10)按照以下順序制造作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的圖2所示那樣的結(jié)構(gòu)的太陽(yáng)能電池。用直流磁控濺射法在玻璃基板12上形成實(shí)施例1的透明電極膜11，其在與實(shí)施例1相同成膜條件下形成為500nm左右的厚度。在其上用直流磁控濺射法使用ZnO靶，采用Ar作為濺射氣體，形成ZnO薄膜作為窗層10，其膜厚為150nm左右的厚度。為了在其上形成異質(zhì)pn結(jié)，利用溶液析出法，采用Cdl2、NH4C12、NH3、硫脲素的混合溶液，形成CdS薄膜作為半導(dǎo)體中間層9，其為50nm左右的厚度。在其上利用真空蒸鍍法，形成CuInSe2薄膜作為p型半導(dǎo)體的光吸收層8,其為2~3pm的厚度。在其上利用真空蒸鍍法，形成Au膜作為內(nèi)側(cè)金屬電極7,其為lnm左右的厚度。從透明電極膜側(cè)照射AMI.5(100mW/cm勺的照射光，檢測(cè)該太陽(yáng)能電池的特性，其結(jié)果，轉(zhuǎn)換效率為14%。(實(shí)施例11)除了采用實(shí)施例4的膜于透明電極膜上以外，以與實(shí)施例10相同的順序、相同的方法，制造圖2的結(jié)構(gòu)的太陽(yáng)能電池。以與實(shí)施例10相同的條件、相同的方法，檢測(cè)相對(duì)太陽(yáng)能電池的AM1.5(100mW/cm2)的照射光的特性，其結(jié)果，轉(zhuǎn)換效率為13.5%。(實(shí)施例12)在實(shí)施例10、實(shí)施例11中，表示了采用實(shí)施例l和實(shí)施例4的膜，檢測(cè)太陽(yáng)能電池的特性的例子。但是采用實(shí)施例2、3、5~9的其他的膜而制造的圖2的構(gòu)造的太陽(yáng)能電池也同樣轉(zhuǎn)換效率高，在12%以上。(比較例14)除了采用ITO膜于透明電極膜上以外，以與實(shí)施例8相同的條件、順序，制造圖2的結(jié)構(gòu)的太陽(yáng)能電池。ITO膜，采用直徑152mm、厚度5mm的尺寸的ITO燒結(jié)體輩巴(10wt。/。SnO2添加品)，固定靶-基板間距離為60mm。真空排氣到5xl(T5Pa以下之后，引入混合了5%的02氣體的純Ar氣體，氣壓為0.3Pa,施加200W直流電，使其產(chǎn)生直流等離子體，以基板非加熱方式進(jìn)行直流濺射成膜。在相同的條件下檢測(cè)太陽(yáng)能電池的特性，其結(jié)果，轉(zhuǎn)換效率為5%,與本發(fā)明的實(shí)施例10~12的太陽(yáng)能電池相比非常低。另夕卜，采用成膜時(shí)的濺射氣體中的氧量變化到0~10%而制造的同樣組成的ITO膜于透明電極膜上，同樣地檢測(cè)特性，其結(jié)果，轉(zhuǎn)換效率為7%以下。(比較例15)除了采用比較例7的摻鎵氧化鋅膜于透明電極膜上以外，以與實(shí)施例10相同的條件、順序，制造圖2的結(jié)構(gòu)的太陽(yáng)能電池。在相同的條件下檢測(cè)特性，其結(jié)果，轉(zhuǎn)換效率為7%，與本發(fā)明的實(shí)施例810的太陽(yáng)能電池相比較低。另外，采用成膜時(shí)的濺射氣體中的氧量變化到0~10%而制造的與比較例7同樣組成的摻鎵氧化鋅膜于氧化物透明電極膜上，同樣地檢測(cè)特性，其結(jié)果，轉(zhuǎn)換效率為7.5%以下，不能得到比本發(fā)明的實(shí)施例810更高的轉(zhuǎn)換效率的膜。(實(shí)施例13)按照以下順序，制造作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的圖3那樣的結(jié)構(gòu)的太陽(yáng)能電池。用直流磁控濺射法在玻璃基板12上，形成作為下部電極13的Mo電極，其為l~2pm的厚度。接著，利用真空蒸鍍法，在規(guī)定區(qū)域形成CuInSe2薄膜作為p型半導(dǎo)體的光吸收層8,其為23^m的厚度。為了在其上形成異質(zhì)pn結(jié)，利用溶液析出法，采用Cdl2、NH4C12、NH3、硫脲素的混合溶液，形成CdS薄膜作為半導(dǎo)體中間層9，其為50nm左右的厚度。在其上用直流磁控減射法，使用ZnO耙，采用Ar作為濺射氣體，形成與CdS薄膜相同的ZnO薄膜作為窗層10,其膜厚為150nm左右的厚度。進(jìn)而，在其上同樣地用直流磁控賊射法，以與實(shí)施例1同樣的條件下，形成實(shí)施例l(本發(fā)明)的氧化鋅型的透明電極膜11,其為500nm左右的厚度。從玻璃基板側(cè)照射AM1.5(10OmW/cm2)該太陽(yáng)能電池的照射光，檢測(cè)特性，其結(jié)果，轉(zhuǎn)換效率為14.5%。(實(shí)施例14)除了采用實(shí)施例4的氧化鋅類的透明導(dǎo)電膜以外，以相同的條件、順序，制造圖3的結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的太陽(yáng)能電池，以相同的條件檢測(cè)特性，其結(jié)果，轉(zhuǎn)換效率為14%。(實(shí)施例15)在實(shí)施例13、實(shí)施例14中，表示了采用實(shí)施例1和實(shí)施例4的膜，檢測(cè)圖3的結(jié)構(gòu)的太陽(yáng)能電池的特性的例子。但是采用實(shí)施例2、3、59的其他的膜而制造的太陽(yáng)能電池也同樣轉(zhuǎn)換效率高，在13%以上。(比較例16)除了采用現(xiàn)有的ITO膜于透明導(dǎo)電膜以外，以與實(shí)施例13相同的條件、順序，制造圖3的結(jié)構(gòu)的太陽(yáng)能電池，以相同的條件檢測(cè)太陽(yáng)能電池的特性。ITO膜的組成、成膜條件均與比較例14一樣。同樣地檢測(cè)太陽(yáng)能電池特性，其結(jié)果，轉(zhuǎn)換效率為6%，與本發(fā)明的實(shí)施例13~15的太陽(yáng)能電池相比非常低。另外，除了采用成膜時(shí)的濺射氣體中的氧量變化到0~10%以外，將以相同的條件而制造的同樣組成的ITO膜用于透明電極膜，同樣地檢測(cè)特性，其結(jié)果，轉(zhuǎn)換效率為8.5%以下。(比較例17)除了采用比較例7的摻鎵氧化鋅膜于透明電極膜上以外，以與實(shí)施例13相同的條件、順序，制造圖3的結(jié)構(gòu)的太陽(yáng)能電池。在相同的條件下檢測(cè)特性，其結(jié)果，轉(zhuǎn)換效率為8%,與本發(fā)明的實(shí)施例13~15的太陽(yáng)能電池相比較低。另外，采用成膜時(shí)的濺射氣體中的氧量變化到0~10%而制造的與比較例7同樣組成的摻鎵氧化鋅膜于氧化物透明電極膜上，同樣地檢測(cè)特性。其結(jié)果，轉(zhuǎn)換效率均為8%以下，比本發(fā)明的實(shí)施例13~15的轉(zhuǎn)換效率更低。實(shí)施例10~15表示了將CuInSe2薄膜用于光吸收層的太陽(yáng)能電池的例子，但是在將CuInS2、CuGaSe2、Cu(In,Ga)Se2、Cu(In,Ga)(S，Se)2、CdTe的薄膜用于光吸收層的情況，也是相同的結(jié)果，可知，采用本發(fā)明的透明電極膜的場(chǎng)合比采用現(xiàn)有的透明電極膜的場(chǎng)合，可以制造更高轉(zhuǎn)換效率的太陽(yáng)能電池。如上所述，在本實(shí)施例中得到的太陽(yáng)能電池的特性，比現(xiàn)有的結(jié)構(gòu)得到的太陽(yáng)能電池的特性更優(yōu)良。由此，可以認(rèn)為，由于本發(fā)明的透明電極膜不僅是可見(jiàn)光，而且紅外線的透射率也較高，因此可以高效率地將太陽(yáng)光能轉(zhuǎn)化為電能。權(quán)利要求1.一種氧化物燒結(jié)體，其含有氧化鋅、鋁、鎵，是實(shí)質(zhì)上由纖鋅礦型氧化鋅相和尖晶石型氧化物相的結(jié)晶相構(gòu)成的氧化物燒結(jié)體，其特征在于(1)氧化物燒結(jié)體中的鋁和鎵的含量以(Al+Ga)/(Zn+Al+Ga)原子數(shù)比計(jì)為0.3～6.5原子％，并且，鋁的含量以Al/(Al+Ga)原子數(shù)比計(jì)為30～70原子％；(2)尖晶石型氧化物相中的鋁的含量以Al/(Al+Ga)原子數(shù)比計(jì)為10～90原子％。2.根據(jù)權(quán)利要求l所述的氧化物燒結(jié)體，其特征在于鋁和鎵全部包含于纖鋅礦型氧化鋅相和/或尖晶石型氧化物相中，該氧化物燒結(jié)體不包含氧化鋁相和氧化鎵相。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氧化物燒結(jié)體，其特征在于不包含鋁酸鋅或鎵酸鋅的尖晶石型氧化物相。4.根據(jù)權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的氧化物燒結(jié)體的制造方法，在其制造方法中，作為原料粉末，在氧化鋅粉末中添加混合氧化鎵粉末和氧化鋁粉末之后，接著向該原料粉末中混入水系介質(zhì)，將所得的漿液進(jìn)行粉碎混合處理，接著成形粉碎混合物，然后焙燒成形體，其特征在于為使成形體的Al/(A1+Ga)原子數(shù)比的標(biāo)準(zhǔn)偏差為25原子％以下而將漿液中的原料粉末均勻粉碎混合。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的氧化物燒結(jié)體的制造方法，其特征在于在氧化鋅粉末中添加氧化鎵粉末和氧化鋁粉末，使其含有以(Al+Ga)/(Zn+Al+Ga)原子數(shù)比計(jì)為0.36.5原子％。6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的氧化物燒結(jié)體的制造方法，其特征在于將氧化鎵粉末和氧化鋁粉末以Al/(A1+Ga)原子數(shù)比計(jì)為30~70原子％的比率添加到氧化鋅粉末中。7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的氧化物燒結(jié)體的制造方法，其特征在于對(duì)原料粉末采用玻珠研磨機(jī)進(jìn)行粉碎混合處理。8.根據(jù)權(quán)利要求4或7所述的氧化物燒結(jié)體的制造方法，其特征在于原料粉末采用球磨機(jī)預(yù)先進(jìn)行粉碎混合處理。9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的氧化物燒結(jié)體的制造方法，其特征在于成形體在1250~1350°C的溫度下經(jīng)過(guò)1525小時(shí)常壓焙燒。10.—種輩巴，由權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的包含鋁和鎵的氧化鋅類的氧化物燒結(jié)體加工制得。11.一種透明導(dǎo)電膜，采用權(quán)利要求IO所述的靶，通過(guò)濺射法或離子電鍍法在基板上形成。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的透明導(dǎo)電膜，其特征在于鋁和鎵的含量以(Al+Ga)/(Zn+Al+Ga)原子數(shù)比計(jì)為0.3~6.5原子％。13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的透明導(dǎo)電膜，其特征在于鋁的含量以Al/(A1+Ga)原子數(shù)比計(jì)為3070原子％。14.根據(jù)權(quán)利要求11~13中任一項(xiàng)所述的透明導(dǎo)電膜，其特征在于實(shí)質(zhì)上由纖鋅礦型氧化鋅相形成的結(jié)晶相構(gòu)成。15.根據(jù)權(quán)利要求11~14中任一項(xiàng)所述的透明導(dǎo)電膜，其特征在于鋁和鎵全部包含于纖鋅礦型氧化鋅相中，該透明導(dǎo)電膜不包含氧化鋁相和氧化鎵相。16.根據(jù)權(quán)利要求11~15中任一項(xiàng)所述的透明導(dǎo)電膜，其特征在于比電阻為9.0xl(T4Qcm以下。17.根據(jù)權(quán)利要求11~16中任一項(xiàng)所述的透明導(dǎo)電膜，其特征在于在波長(zhǎng)為780~1200nm下，膜本身的透射率為76%以上。18.根據(jù)權(quán)利要求1117中任一項(xiàng)所述的透明導(dǎo)電膜，其特征在于基板為玻璃或塑料制的透明基板。19.一種太陽(yáng)能電池，采用權(quán)利要求11~17中任一項(xiàng)所述的透明導(dǎo)電膜作為電極。20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的太陽(yáng)能電池，其特征在于該太陽(yáng)能電池為薄膜類太陽(yáng)能電池，其采用硅類半導(dǎo)體或化合物半導(dǎo)體作為光電轉(zhuǎn)換元件。21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的太陽(yáng)能電池，其特征在于在設(shè)置電極層的非金屬基板或具有電極性的金屬基板上，包括由p型半導(dǎo)體的光吸收層、n型半導(dǎo)體的中間層、半導(dǎo)體的窗層、透明導(dǎo)電膜形成的電極層依次層積的結(jié)構(gòu)。22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的太陽(yáng)能電池，其特征在于在由透明基板上的透明導(dǎo)電膜形成的電極層上，包括半導(dǎo)體的窗層、n型半導(dǎo)體的中間層、p型半導(dǎo)體的光吸收層依次層積的結(jié)構(gòu)。23.根據(jù)權(quán)利要求21或22所述的太陽(yáng)能電池，其特征在于光吸收層為選自CuInSe2、CuInS2、CuGaSe2、CuGaS2、這些的固溶體、或CdTe中的至少一個(gè)。24.根據(jù)權(quán)利要求21~23中任一項(xiàng)所述的太陽(yáng)能電池，其特征在于中間層為CdS層或(Cd,Zn)S層。25.根據(jù)權(quán)利要求2124中任一項(xiàng)所述的太陽(yáng)能電池，其特征在于窗層為ZnO或(Zn,Mg)O。全文摘要本發(fā)明提供以氧化鋅為主要成分，進(jìn)一步含有鋁、鎵的氧化物燒結(jié)體及其制造方法；采用濺射法等完全不產(chǎn)生異常放電、能夠連續(xù)且長(zhǎng)時(shí)間成膜的靶；以及采用它的低電阻且高透射性的高品質(zhì)的透明導(dǎo)電膜；高轉(zhuǎn)換效率的太陽(yáng)能電池。其通過(guò)氧化物燒結(jié)體等而提供，該氧化物燒結(jié)體含有氧化鋅、鋁、鎵，是實(shí)質(zhì)上由纖鋅礦型氧化鋅相和尖晶石型氧化物相的結(jié)晶相構(gòu)成的氧化物燒結(jié)體，其特征在于，(1)氧化物燒結(jié)體中的鋁和鎵的含量以(Al+Ga)/(Zn+Al+Ga)原子數(shù)比計(jì)為0.3～6.5原子％，并且，鋁和鎵的含量以Al/(Al+Ga)原子數(shù)比計(jì)為30～70原子％；(2)尖晶石型氧化物相中的鋁的含量以Al/(Al+Ga)原子數(shù)比計(jì)為10～90原子％。文檔編號(hào)C04B35/453GK101164966SQ20071016383公開(kāi)日2008年4月23日申請(qǐng)日期2007年9月30日優(yōu)先權(quán)日2006年10月6日發(fā)明者中山德行,阿部能之申請(qǐng)人:住友金屬礦山株式會(huì)社