專利名稱：：日照控制低輻射涂層的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明提供用于基底的涂層具體為具有遮蔽性能的低輻射涂層。本發(fā)明還提供制備這種涂層和IG單元、單片板(monolithicpanes)及具有這些涂層的其它基底的方法。
背景技術(shù)：
：低輻射涂層是公知的。典型的，其包括一層或多層紅外反射膜，每層所述反射膜位于兩層或多層透明介電膜之間。紅外反射膜(典型的為導(dǎo)電金屬(如銀))通過(guò)涂層降低輻射熱傳導(dǎo)。透明介電膜用于降低可見(jiàn)光反射率并控制其它的涂層性質(zhì)，比如顏色。可以設(shè)計(jì)低輻射涂層，使其具有理想的遮蔽性能。眾所周知，窗戶的日照得熱量系數(shù)(SHGC)是入射太陽(yáng)輻射通過(guò)窗戶接收的百分比。在多種應(yīng)用中，具有低日照得熱量的窗戶具有獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)。在溫暖的氣候下，具有低日照得熱量的窗戶特別理想。例如，對(duì)美國(guó)南部的建筑物的日照得熱量系數(shù)一般推薦為約0.4及其以下。另外，暴露在大量不需要的日照下的窗戶也得益于低日照得熱量系數(shù)。例如，建筑物東側(cè)或西側(cè)的窗戶在早上和下午往往得到大量的日照。對(duì)于這些和其它各種應(yīng)用，窗戶的日照得熱量系數(shù)對(duì)于保持建筑物內(nèi)部舒適的環(huán)境來(lái)說(shuō)起到關(guān)鍵作用。因此，提供具有低曰照得熱量系數(shù)涂層(即高遮蔽能力的涂層)的窗戶或其它的玻璃制品(glazings)非常有益。在制造高遮蔽能力的涂層時(shí)常常要權(quán)衡利弊，這是因?yàn)椋x擇實(shí)現(xiàn)低SHGC的膜組合物和/或厚度具有限制可見(jiàn)光反射率高于理想水平的作用。因此，具有這些涂層的窗戶多少具有一些類似鏡子的外觀。此外，傳統(tǒng)的高遮蔽能力涂層的透射和反射顏色可能并不理想。例如，這些涂層的色調(diào)(hue)與期望的色調(diào)相比偏紅。這些涂層的彩度(chroma)也比期望的彩度大。在大多數(shù)情況下，優(yōu)選提供顏色盡可能呈中性(即無(wú)色)的涂層。因此，傳統(tǒng)低日照得熱量涂層的反射和透射顏色在色度和彩度上不理想。始終如一地制備出具有上述理想性能的任何低輻射涂層很有挑戰(zhàn)性。一些低輻射涂層在各銀膜上具有厚金屬阻隔層(blockerlayer)。這些厚阻隔層用于形成遮蔽性能，同時(shí)保護(hù)銀膜并保持其它性能(例如，顏色)的平衡。但是，己經(jīng)發(fā)現(xiàn)，當(dāng)使用厚金屬阻隔層時(shí)，透射和反射顏色則顯得有些難以控制。當(dāng)生產(chǎn)能夠控制，以得到具有優(yōu)良顏色性能的產(chǎn)品時(shí)，則可以理想地提供高遮蔽能力的涂層，并且特別容易制備具有一致顏色性能的所述涂層。玻璃回火一般將玻璃加熱到68(TC左右的高溫。低輻射涂層(包括具有厚金屬阻隔層的涂層)會(huì)在回火中顯著變化。為了適應(yīng)發(fā)生在回火中的變化，有時(shí)成對(duì)提供低輻射涂層，包括回火型和非回火型。在這些情況下，回火型的膜層疊體(filmstack)不同于非回火型膜層疊體。這些涂層的設(shè)計(jì)使得回火型涂層在回火后具有和非回火型涂層相配的性質(zhì)。另外，一些已知的回火型涂層在回火前耐久性方面有局限。盡管可以通過(guò)采取合適的處理和儲(chǔ)存來(lái)解決該問(wèn)題，提供回火前耐久性特別優(yōu)良的回火型高遮蔽能力的涂層是理想的。提供能夠?qū)崿F(xiàn)下列特征的低輻射涂層是理想的遮蔽性能、低可見(jiàn)光反射率、令人滿意的顏色特征(包括顏色穩(wěn)定性，其將在下文中述及)、優(yōu)良的耐久性(包括非回火型產(chǎn)品的優(yōu)良耐久性、回火型產(chǎn)品回火前的優(yōu)良耐久性，以及回火型產(chǎn)品回火后的優(yōu)良耐久性)以及優(yōu)良的熱穩(wěn)定性(例如，在回火型產(chǎn)品的情況中)。發(fā)明概述在某些實(shí)施方案中，本發(fā)明提供具有日照控制低輻射涂層的透明基底。所述涂層包括最內(nèi)層的紅外反射膜(優(yōu)選包含銀)和最外層的紅外反射膜(優(yōu)選包含銀)。在本發(fā)明的實(shí)施方案中，第一介電吸收膜位于基底和最內(nèi)層的紅外輻射膜之間，第二介電吸收膜比最外層紅外反射膜距離基底更遠(yuǎn)。在本發(fā)明的實(shí)施方案中，第一介電吸收膜具有小于2的中性吸收比k38(K^德m/k65(X^6(tam，優(yōu)選在0,52和1.9之間，第二介電吸收膜具有小于2的中性吸收比k38W450nn/k650《〈760nm，優(yōu)選在0.52和1.9之間。一組實(shí)施方案中提供了具有雙型低輻射涂層的透明基底。所述涂層包括第一紅外反射膜(優(yōu)選包含銀)和第二紅外反射膜(優(yōu)選包含銀)。第一紅外反射膜比第二紅外反射膜更接近基底。在本實(shí)施方案組中，所述涂層在第一和第二紅外反射膜之間具有中間涂層，且該中間涂層主要由透明介電膜組成。在本發(fā)明的實(shí)施方案組中，第一介電吸收膜位于基底和第一紅外反射膜之間，第二介電吸收膜比第二紅外反射膜距離基底更遠(yuǎn)。在一些實(shí)施方案中，本發(fā)明提供具有三型低輻射涂層的透明基底。這里，所述涂層向外依次包括包含氮化物的第一吸收膜、第一紅外反射膜(優(yōu)選包含銀)、第一間隔涂層(spacercoat)、第二紅外反射膜(優(yōu)選包含銀)、第二間隔涂層、第三紅外反射膜(優(yōu)選包含銀)及包含氮化物的第二吸收膜。在本發(fā)明的實(shí)施方案中，第一和第二間隔涂層優(yōu)選主要由透明介電膜組成。圖1為根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方案具有低輻射涂層的基底的橫截面示意圖2為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案組具有雙型低輻射涂層的基底的橫截面示意圖3為根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方案組具有三型低輻射涂層的基底的橫截面示意圖4為包括板材的多塊隔熱玻璃單元(multiple-paneinsulatingglazingimit)的部分剝離的橫截面?zhèn)纫晥D，所述板材具有根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方案的低輻射涂層；圖5為具有低輻射涂層的板材的部分剝離透視圖，根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施方案所述板材安裝在建筑物外墻上；圖6為用于本發(fā)明的某些方法中的濺射室的側(cè)視示意圖7的曲線圖顯示了根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施方案的兩種不同介電吸收劑組合物的消光系數(shù)與波長(zhǎng)的關(guān)系。圖8的曲線圖顯示了圖7的兩種介電吸收劑組合物的反射率與波長(zhǎng)的關(guān)系；圖9的曲線圖顯示了根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施方案的具有低輻射涂層的單片基底的透射顏色性質(zhì)和玻璃側(cè)反射；圖10的曲線圖顯示了具有根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施方案的低輻射涂層的單片基底的透射顏色性質(zhì)和膜側(cè)反射；圖11的曲線圖顯示了具有根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施方案的低輻射涂層的單片基底的透射和玻璃側(cè)反射數(shù)據(jù)。圖12為圖11中數(shù)據(jù)的可見(jiàn)光波譜部分的詳細(xì)曲線圖13的曲線圖顯示了具有根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施方案的低輻射涂層的單片基底的透射和膜側(cè)反射數(shù)據(jù)；圖14為圖13中數(shù)據(jù)的可見(jiàn)光波譜部分的詳細(xì)曲線圖。具體實(shí)施例方式下面的詳細(xì)說(shuō)明參考附圖來(lái)理解，其中不同附圖中相同的元件具有相同的數(shù)字標(biāo)記。這些附圖不需要標(biāo)度，描述了選擇的實(shí)施方案，并且不限制本發(fā)明的范圍。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以知道，給出的實(shí)例具有多種變化，但都落入本發(fā)明的范圍內(nèi)。圖1顯示出基底10具有表面(例如主表面)14,其具有日照控制低輻射涂層20。日照控制低輻射涂層20具有有利的遮蔽性質(zhì)。在一些情況中，所述涂層用作回火型和非回火型兩種低輻射涂層。在這種情況中，該涂層優(yōu)選在回火前后具有相同或基本相同的性能。適合的基底類型非常廣泛。在一些情況中，所述基底為片狀基底，其具有一般為相對(duì)的第一主表面12和第二主表面14。例如，基底可以為片狀的透明材料(即透明片)。但是，基底在所有實(shí)施方案中并不嚴(yán)格要求為片狀，也不要求為透明。對(duì)于許多應(yīng)用，所述基底包括透明(或至少半透明)材料，例如玻璃或塑料。例如，在某些實(shí)施方案中基底為玻璃片(例如窗玻璃)?？梢允褂煤芏囝愋偷牟Ａ?，通常優(yōu)選為鈉-鈣玻璃(soda-limeglass)。在某些實(shí)施方案中，基底為窗戶、天窗、門或其它玻璃裝配件(例如車用玻璃)的一部分?？梢允褂酶鞣N尺寸的基底。通常使用大面積的基底。某些實(shí)施方案中使用主要尺寸(如，長(zhǎng)度或?qū)挾?至少為約0.5m的基底，優(yōu)選至少為約lm，可能更優(yōu)選為至少為約1.5米(例如在約2米和約4米之間)，在一些情況中，為至少約3米。在一些情況中，基底為長(zhǎng)度和/或?qū)挾仍诩s3米和約10米之間的大型玻璃片材(jumboglasssheet)，例如，寬度約3.5m，長(zhǎng)度約6.5米的玻璃片材。也可以預(yù)期長(zhǎng)度和/或?qū)挾却笥诩s10米的基底。在一些實(shí)施方案中，基底通常為方形或矩形玻璃片。這些實(shí)施方案中的基底具有前一段中和/或下一段中描述的任意尺寸。在一個(gè)實(shí)施方案中，基底為矩形玻璃片材，其寬度在約3米和約5米之間，例如約3.5米，并且，長(zhǎng)度在約6米和約10米之間，例如約6.5米?？梢允褂酶鞣N厚度的基底。在一些情況中，基底厚度約為l一5mm。某些實(shí)施方案中的基底厚度在約2.3mm和約4.8mm之間，可能更優(yōu)選在約2.5mm和約4.8mm之間。當(dāng)基底為浮法玻璃時(shí)，通常具有約4mm和約19mm的厚度。在其它實(shí)施方案中，基底為厚度在約0.35mm和約1.9mm之間的薄片。如圖1所示，日照控制低輻射涂層20沉積在基底10的表面14上。涂層20可具有兩層紅外反射膜(參見(jiàn)圖2)、三層紅外反射膜(參見(jiàn)圖3)，或更多層紅外反射膜。優(yōu)選地，各紅外反射膜包含銀。圖2顯示了雙型低輻射涂層20，其具有兩層紅外反射膜。這里，涂層20包括基底涂層30、第一紅外反射膜50、中間涂層70、第二紅外反射膜150，以及外涂層90。在一些情況中，向圖示的膜層疊體上添加阻隔層，如下文所述。基底涂層30包括至少一個(gè)介電膜。這里使用的術(shù)語(yǔ)"介電"指用于薄膜玻璃件應(yīng)用中的任何非金屬(即非純金屬也非金屬合金)化合物類型。包括金屬氧化物、金屬氮化物、金屬碳化物、金屬硫化物、金屬硼化物及它們的組合(例如氧氮化物)。另外，術(shù)語(yǔ)"金屬"在此處的定義包括適當(dāng)?shù)慕饘俸桶虢饘?即準(zhǔn)金屬)?？捎玫慕饘傺趸锇ㄤ\、錫、銦、鋁、鉍、鈦、鉿、鋯的氧化物及其混合物。雖然金屬氧化物由于方便和低成本而有利，但也可以有利地使用金屬氮化物(例如氮化硅)。本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知其它可用的介電材料?；淄繉拥墓鈱W(xué)厚度應(yīng)當(dāng)適合于抵抗銀膜反射(或者可以使用的任何其它紅外反射膜)。該光學(xué)厚度例如在約90A到約900A的范圍內(nèi)，如在約120A到約550A之間。優(yōu)選地，基底涂層30包括介電吸收膜。所述介電吸收膜具有足夠的吸收率，對(duì)光學(xué)設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō)是重要的。因此，它由介電材料形成，所述介電材料至少部分吸收可見(jiàn)光輻射。例如，550nm的消光系數(shù)(k)可任選地大于0.1、大于0.4、大于0.6，或者甚至大于0.75.例如，氮化鈦在550nm處的消光系數(shù)大于0.1。介電吸收膜有助于涂層20形成理想的可見(jiàn)光透射率和遮蔽能力，同時(shí)也對(duì)于涂層的穩(wěn)定性(顏色穩(wěn)定性、熱穩(wěn)定性或者兩者)以及耐久性有利。在一些情況中，介電吸收膜包含氮化物。例如，介電吸收膜可包含氮化鈦和/或氮化鈮。任選地，該膜主要由氮化鈦和/或氮化鈮組成。在某些實(shí)施方案中，介電吸收膜包含氧氮化物。例如，可以使用包含(或主要組成為)氧氮化鈦和/或氧氮化鈮的膜。在一個(gè)實(shí)施方案中，氧氮化物包含鈦和鋁。如上所述，某些實(shí)施方案使用了同時(shí)包含氮化鈦和氮化鈮的介電吸收膜。一些這樣的實(shí)施方案使用的吸收膜主要由氮化鈦和氮化鈮組成。在一個(gè)這種實(shí)施方案中，氮化鈦的含量百分比大于氮化鈮。這樣可以優(yōu)選得到特別的顏色性質(zhì)。在其它的實(shí)施方案中，介電吸收膜包含鋁、鉻、鋯、鎳-鉻或其它金屬的氮化物。這里，吸收膜可任選地主要由所需金屬的氮化物組成?？蛇x地，主要由所需金屬的氧氮化物組成。在一組實(shí)施方案中，介電吸收膜包含部分氮化膜(partiallynitridedfilm)、部分氧化膜(partiallyoxidizedfilm)或者部分氧氮化膜(partiallyoxynitridedfilm)。部分氧化膜(例如，低價(jià)氧化物)例如，可以使用陶瓷低價(jià)氧化物耙材(如美國(guó)專利No.6461686、6468402和6511587(在此各篇文獻(xiàn)的教導(dǎo)被引為參考)中描述的那些)沉積。這種靶材也可選擇條件(例如在氣體混合物中)進(jìn)行濺射，以沉積部分氧氮化膜。其它實(shí)施方案提供了包含鋅和鋁的部分氮化膜、部分氧化膜或者部分氧氮化膜。術(shù)語(yǔ)"部分氮化"、"部分氧化"、和"部分氧氮化"指不完全氮化、不完全氧化或不完全氧氮化的膜。某些實(shí)施方案提供了透明介電材料和貴金屬的混合物作為介電吸收膜。舉例有例如，透明介電膜可以為氮化硅，貴金屬可以為金或銥。當(dāng)使用透明介電材料和貴金屬的混合物時(shí)，需要避免沉積期間貴金屬的氧化。在一些實(shí)施方案中，介電吸收膜包含透明介電材料和至少部分吸收性的介電材料的混合物。實(shí)例包括氮化硅和氮化鈦的混合物、氮化硅和氮化鋁和氮化鈦的混合物、氧化鈮和氮化鈮的混合物以及這些混合物的氧氮化物?？梢允褂迷S多其它的吸收和非吸收電介質(zhì)的混合物。一組實(shí)施方案使用了包含氮化硅和至少一種其它氮化物(優(yōu)選為部分吸收性的)的混合物。如上所述，氮化鈦可以和氮化硅混合。另一個(gè)實(shí)例是包含氮化硅和氮化鈮的混合物。也可以使用包含氮化硅、氮化鈦和氮化鈮的膜。另一個(gè)實(shí)例是包含氮化硅和氮化鉻的混合物。還有另一個(gè)實(shí)例是包含氮化硅和氮化鋯的混合物。氮化硅也可以和多種鎳-鉻氮化物混合。任選地，可以在上述任意的混合物中使用氮化鋁。另外，所需混合物可以包括附加組分，例如，混合物可以包括任意三種或更多種提到的氮化物。混合的氮化物可任選地主要由氮化物膜(nitridefilm)組成?；蛘撸梢园ㄓ行Я康难趸锖?或者氧氮化物。另外，上述提到的任何混合的氮化物可以由特定元素的氧氮化物代替。在一組優(yōu)選的實(shí)施方案中，介電吸收膜是中性吸收比k380<l<450nm/k650<X<760nm在0.52禾Q1.9之間(例如在0.55和1.8之間)的有利的中性吸收劑。中性吸收劑使生產(chǎn)商可以采用顏色相對(duì)中性的基本層疊體，例如，相對(duì)的呈顏色中性的銀基層疊體，并在沒(méi)有吸收效應(yīng)的條件下實(shí)現(xiàn)各種水平的遮蔽性能，所述吸收效應(yīng)會(huì)嚴(yán)重影響基本層疊體的顏色性質(zhì)。這可以得到具有不同水平的遮蔽能力的涂敷基底，從兩側(cè)得到優(yōu)良的反射顏色、優(yōu)良的透射顏色以及優(yōu)良的顏色穩(wěn)定性(以下述及)。圖7和8顯示了氮化硅和氮化鈦混合的兩種混合物的消光系數(shù)(k)和反射率(n)與波長(zhǎng)的關(guān)系的曲線圖。在這些圖中，虛線的曲線表示45%的氮化鈦和55°/。的氮化硅，而實(shí)線曲線表示71%的氮化鈦和29%的氮化硅的混合物。在圖7中，45%的氮化鈦/55%的氮化硅具有等于約0.88-1.41的中性吸收比k38(^鄰o細(xì)/k65o爾76o畫(huà)，71%的氮化鈦/29%的氮化硅具有等于約0.69-1.02的中性吸收比k38o《鄰Q腿/k65(x^760nm?？梢赃@樣測(cè)定(l)在380nm和450nm的范圍取最高k值，在650nm和760nm的范圍取最低k值，然后測(cè)定最高k值對(duì)最低k值的比值;(2)在380nm和450nm的范圍取最低k值，在650nm和760nm的范圍取最高k值，然后測(cè)定所述最低k值對(duì)最高k值的比值。這兩個(gè)比值必須在本發(fā)明實(shí)施方案的中性吸收比的指定范圍內(nèi)。圖7顯示了具有幾乎相等比例的鈦和硅的混合的氮化物在可見(jiàn)光譜內(nèi)(380nm-780mn)的消光系數(shù)幾乎不分散。這意味著非常中性的吸收。但是這些混合物僅僅是實(shí)例。在本發(fā)明的實(shí)施方案中，可以使用具有特定中性吸收比的任何中性吸收混合物。在一些情況中，介電吸收膜直接位于基底10的表面14上。另外或者可選地，第一紅外反射膜50可以直接位于該吸收膜上。因此在一個(gè)實(shí)施方案中，基底涂層30是(例如主要組成為，或者組成為)單個(gè)介電吸收膜(可任選地為氮化物或氧氮化物吸收膜)，而沒(méi)有任何透明介電膜。下面的表1-3示例了這種實(shí)施方案。在其它情況中，氧化鋅、氧化鋅錫、氧化鋅鋁、或者其它透明介電材料膜位于第一紅外反射膜50和下面的介電吸收膜之間。如下文所述，術(shù)語(yǔ)"透明介電"指基本上對(duì)可見(jiàn)光輻射沒(méi)有吸收的介電材料。另外，可理想地在基底和基底涂層中的介電吸收膜之間提供透明介電膜。例如，可以使用包含氮化硅、二氧化硅、氧化錫、或者其它透明介電材料的膜。一個(gè)實(shí)施方案包括玻璃/透明介電氮化物膜(如氮化硅)/氮化物吸收膜/透明介電氧化物膜/第一紅外反射膜(其后為其余的涂層)。該實(shí)施方案有利于防止在對(duì)涂覆基底進(jìn)行回火時(shí)有害的化學(xué)作用(不要求涂層在所有實(shí)施方案中可回火)。在某些實(shí)施方案中，介電吸收膜具有小于600A的光學(xué)厚度和/或小于175A、小于150A、小于125A、或甚至小于100A，例如80-卯A的物理厚度。另外或者可選地，介電吸收膜可以具有至少約35A、至少約40A、至少約50A、或至少約75A的物理厚度。在一個(gè)實(shí)施方案中，介電吸收膜具有約50A和約175A之間的物理厚度，如在約75A和約IOOA之間。內(nèi)層紅外反射膜50位于基底涂層30上。內(nèi)層紅外反射膜50可由任意所需的紅外反射材料形成。優(yōu)選為銀。但是，可以使用金、銅和其它紅外反射材料。類似的，可使用這些材料的合金或混合物。在多數(shù)情況中，優(yōu)選使用銀或含銀層。這里使用的術(shù)語(yǔ)"含銀"指至少含有一些銀的任意膜。例如，可以以銀與少量金(如約5%的金或更少)組合的形式提供紅外反射膜。內(nèi)層紅外反射膜的厚度選擇為滿足所需性質(zhì)(所需的輻射性、可見(jiàn)光透射率等)。在某些實(shí)施方案中，物理厚度在約50A和約175A之間，如在約90A和約120A之間。在一些情況中，內(nèi)層紅外反射膜50的厚度基本上和第二紅外反射膜150相同。但是，并非要求如此。在一個(gè)具體實(shí)施方案中(參見(jiàn)下表1)，內(nèi)層紅外反射膜50的厚度約為105A。參考圖2，中間涂層70在內(nèi)層紅外反射膜50上。中間涂層包括至少一個(gè)透明介電膜。如上所述，這里使用的術(shù)語(yǔ)"透明介電膜"用于描述對(duì)可見(jiàn)光輻射基本不吸收的任意介電膜。對(duì)于這種類型的膜，消光系數(shù)并未高到對(duì)膜層疊體的光學(xué)設(shè)計(jì)有明顯影響的程度。例如，這種膜在550nm的消光系數(shù)(k)小于O.l，如對(duì)于一些材料來(lái)說(shuō)約為零。中間涂層的光學(xué)厚度應(yīng)適合于抗銀膜反射(或者可以使用的任何其它紅外反射膜)。例如，中間涂層的光學(xué)厚度可以在約180A到約1800A的范圍，如在約240A和約1100A之間。優(yōu)選地，中間涂層不包括任何介電吸收膜，而主要由透明介電膜組成。發(fā)現(xiàn)這種情況在顏色穩(wěn)定性方面具有出人意料的優(yōu)點(diǎn)。特別的，發(fā)現(xiàn)在涂層的上層和底層具有部分吸收膜時(shí)，可以在光學(xué)設(shè)計(jì)方面得到出人意料的自由度(latitude)，因?yàn)?，相?duì)于膜厚度的變化涂層非常穩(wěn)定。這也意味著隨視角變化的優(yōu)良的顏色穩(wěn)定性。相比之下，在紅外反射膜之間具有吸收劑層幾乎沒(méi)有設(shè)計(jì)自由度。在一些實(shí)施方案中，低價(jià)氧化物膜(而不是傳統(tǒng)金屬阻隔層)直接沉積在紅外反射膜50上。優(yōu)選地，陶瓷低價(jià)氧化物靶材用于實(shí)施方案中，其中，低價(jià)氧化物膜直接濺射沉積到紅外反射膜50上。陶瓷低價(jià)氧化物耙材的實(shí)例包括鈦的低價(jià)氧化物、鋅鋁低價(jià)氧化物以及鈮低價(jià)氧化物。雖然這樣的低價(jià)氧化物膜的厚度并無(wú)限制，但任選地，物理厚度小于100A(同時(shí)可能大于35A)，如約50A。例如，在本發(fā)明涂層的非回火實(shí)施方案中可以使用直接位于紅外反射膜上的低價(jià)氧化物阻隔層。在另一可選形式中，金屬阻隔層可直接沉積在紅外反射膜上。這樣的阻隔層，例如，可沉積金屬鈦、鈮、鎳-鉻等。在本涂層中，任何以金屬形式沉積的阻隔層的物理厚度優(yōu)選小于40A、小于35A、小于30A、或者可能甚至小于25A。對(duì)于回火型實(shí)施方案，提供兩部分阻隔涂層是理想的。例如，薄金屬膜直接位于各紅外反射膜上(任選地<20A，或者甚至<18A，如約為5-15A)，在其上面可直接沉積低價(jià)氧化物膜。這里，再次指出，低價(jià)氧化物膜的厚度不受限制(任選地<100A)。另一可選形式是，在第一紅外反射膜50上直接(即接觸)沉積透明介電氮化物膜。下面的表l和2示例了氮化硅直接沉積在第一銀膜上的實(shí)施方案。也可以使用其它氮化物材料。在中間涂層70中幾乎可以使用任意數(shù)量的透明介電膜。在一個(gè)實(shí)施方案中，使用了兩層透明介電膜。中間涂層70，例如，可以包含第一透明電介質(zhì)的第一膜和第二透明電介質(zhì)的第二膜。一個(gè)示例性兩層中間涂層70具有包含氮化物(如氮化硅)的第一透明介電膜和包含氧化物(如氧化鋅、氧化鋅錫或氧化鋅鋁)的第二透明介電膜。如上所述，中間涂層(無(wú)論是一層或多層膜)優(yōu)選主要由透明介電膜組成。因此，中間涂層優(yōu)選并不具有明顯(如光學(xué)上重要)厚度的任何介電吸收膜。在某些實(shí)施方案中，中間涂層的所有膜都不是介電吸收膜，而全部都是透明介電膜。在圖2中，第二紅外反射膜150位于中間涂層70上。膜150可以包括上述任意的紅外反射材料。第二紅外反射膜的厚度選擇使得滿足所需輻射性、可見(jiàn)光透射率等。在某些實(shí)施方案中，物理厚度在約50A和約200A之間，或者在約90A和約120A之間。在一些情況中，第二紅外反射膜150的厚度基本上和內(nèi)層紅外反射膜50相同。例如在下表1中的膜層疊體中(其中，各銀層的厚度為105A)就是這種情況。但是，并非要求如此。圖2描述了涂層為雙型低輻射涂層的實(shí)施方案。因此，第二紅外反射膜150是涂層中的最外層紅外反射膜。但是，如后文所討論的，并非所有實(shí)施方案都是這種情況。在圖2中，外涂層90位于第二紅外反射膜150上。外涂層90包括一層或多層介電膜。對(duì)于內(nèi)層和中間層涂層，外涂層的光學(xué)厚度應(yīng)當(dāng)適合于抗銀膜反射(或者可以使用的任何其它紅外反射膜)。該光學(xué)厚度，例如，可以從約90A到約900A，例如在約120A和約550A之間。優(yōu)選地，外涂層90包含介電吸收膜?？梢允褂蒙鲜龅娜我饨殡娢詹牧?。在設(shè)有介電吸收膜時(shí)，外涂層的介電吸收膜可任選地具有小于600A的光學(xué)厚度，和/或小于175A、小于150A、小于125A、或小于100A，例如約90A的物理厚度。另外或可選地，該層可以具有至少約35A、至少約40A、至少約50人、或至少約75A的物理厚度。在一個(gè)實(shí)施方案中，該層具有在約50A和約175A之間的物理厚度，例如在約75A和約100A之間。在很多情況中，傳統(tǒng)的阻隔層直接沉積在第二紅外反射膜150上。在其它情況中，使用陶瓷低價(jià)氧化物靶材在第二紅外反射膜上直接濺射沉積低價(jià)氧化物膜。在另一可選形式中，可使用兩部分阻隔層。如上所述，這包括首先沉積薄金屬膜，然后在該膜薄金屬膜上直接沉積低價(jià)氧化物膜。如果需要，可選地，在第二紅外反射膜150上直接沉積氮化物吸收膜。這種示例實(shí)施方案顯示在下表1和2中。優(yōu)選的，在外涂層的介電吸收劑上至少設(shè)置一層膜(任選地為介電膜)。例如，可使用氮化硅最外層，如在美國(guó)專利No.6652974中所述的，其中有關(guān)最外層氮化硅的教導(dǎo)在此引入作為參考。在一些情況中，設(shè)置的氮化硅最外層具有小于約150A、小于約100A、或小于約75A，例如為約50A的物理厚度。最外層可選地以部分氧化膜沉積。如果具有最外層氮化物層的涂覆基底被回火，那么最外層可能發(fā)生部分氧化。另一方面，如果最外層以部分氧化膜沉積，那么回火可能導(dǎo)致該層完全氧化(或者至少較多的氧化)。下面描述雙型低輻射涂層的一個(gè)實(shí)例。參考下面表1，低輻射涂層20包括以下順序的膜基底/(氮化鈦和域氮化鈮)/銀/氮化硅/氧化鋅錫/(氮化鈦和/或氮化鈮)/氮化硅。表l中顯示的厚度僅僅為示例。<table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>圖3示出了三型低輻射涂層20，其具有三層紅外反射膜。這里，涂層20包括基底涂層110、第一紅外反射膜50、第一間隔膜涂層130、第二紅外反射膜150、第二間隔涂層170、第三紅外反射膜250及外涂層190。在一些情況中，向上述層疊體添加阻隔層，如此處所述?；讓?10包括至少一層介電膜。這里再次指出，基底涂層的光學(xué)厚度應(yīng)當(dāng)適合于抗銀膜反射(或者可以使用的任何其它紅外反射膜)。該光學(xué)厚度例如，可以在約90A到約900A范圍內(nèi)，例如在約120A和約550A之間。優(yōu)選地，基底涂層包括介電吸收膜。該介電吸收膜可以包含已經(jīng)討論的任何介電吸收材料。在某些實(shí)施方案中，該介電吸收膜具有小于600A的光學(xué)厚度，和/或小于175A、小于150A、小于125A、或小于100A，例如約80A的物理厚度。另外或可選地，該介電吸收膜可以具有至少約35A、至少約40A、至少約50A、或至少約75A的物理厚度。在一個(gè)實(shí)施方案中，該介電吸收膜具有在約75A和約175A之間的物理厚度，例如在約75A和約100A之間。在某些實(shí)施方案中，基底涂層110(如主要組成為，或組成為)為單層介電吸收膜，沒(méi)有任何透明介電膜。在其它實(shí)施方案中，氧化鋅、氧化鋅錫、氧化鋅鋁、或者其它透明介電材料的膜位于第一紅外反射膜和下面的介電吸收膜之間。另外，一些實(shí)施方案在基底和上面的介電吸收膜之間設(shè)有氮化硅膜、二氧化硅膜、氧化錫膜、或其它介電膜。一個(gè)實(shí)施方案包括了以下各層玻璃膽明介電氮化物膜(如氮化硅)/氮化物吸收膜/透明介電氧化物膜/第一紅外反射膜(其后為其余的涂層)。該實(shí)施方案可有利于防止涂覆基底上進(jìn)行任何回火過(guò)程中的有害化學(xué)作用。內(nèi)層紅外反射膜50位于基底涂層110上。該膜50可以包括任何上述的紅外反射材料。該內(nèi)層紅外反射膜50的厚度選擇為可滿足所需要的輻射性、可見(jiàn)光透射率等。在某些實(shí)施方案中，物理厚度在約50A和約175A之間。在一個(gè)實(shí)施方案中，內(nèi)層紅外反射膜的厚度約為80A。第一間隔涂層130設(shè)在第一紅外反射膜50上。第一間隔涂層130可包括與圖2中的中間涂層70相應(yīng)的上述任意膜。在某些實(shí)施方案中，第一間隔涂層30主要由透明介電膜組成，并且優(yōu)選地不包括任何介電吸收膜。第一間隔涂層的光學(xué)厚度應(yīng)當(dāng)適合于抗銀膜反射(或者可以使用的任何其它紅外反射膜)。該光學(xué)厚度例如，可以在約180A到約1800A范圍內(nèi)，例如在約240A和約1100A之間。第一間隔涂層130可以任選地包括直接位于第一紅外反射膜50上的氮化物膜，例如氮化硅。當(dāng)設(shè)有氮化物膜時(shí)，該氮化物膜可任選地具有在約40A到約60A之間的物理厚度，如約50A。但是并非要求這樣的厚度范圍。在許多情況中，傳統(tǒng)的阻隔層直接沉積于第一紅外反射膜上。在其它情況中，低價(jià)氧化物層直接沉積在第一紅外反射膜50上。對(duì)于另一種可選形式，可以使用兩部分阻隔層，其在上文中有更詳細(xì)的描述。第二紅外反射膜150位于第一間隔涂層130上。膜150可包括上述討論過(guò)的任何紅外反射材料。第二紅外反射膜150的厚度選擇為可滿足所需的輻射性、可見(jiàn)光透射率等。在一些情況中，光學(xué)厚度在約50A和約250A之間，如在約120A和約160A之間，在一個(gè)實(shí)施方案中，第二紅外反射膜150具有約140A的厚度。第二紅外反射膜150可以任選地比內(nèi)層和外層紅外反射膜都厚。第二間隔涂層170位于第二紅外反射膜150上。第二間隔涂層170可包括包括與圖2中的中間涂層70相應(yīng)的上述任意膜。在一些情況中，第二間隔涂層70主要由透明介電膜組成。在這些情況中，第二間隔涂層優(yōu)選地不包括任何介電吸收膜。更為一般地，在一些實(shí)施方案中，涂層中在任意兩個(gè)紅外反射層之間的所有介電膜都是透明介電膜。第二間隔涂層的光學(xué)厚度應(yīng)當(dāng)適合于抗銀膜反射(或者可以使用的任何其它紅外反射膜)。該光學(xué)厚度例如，可以在約180A到約1800A范圍內(nèi)，例如在約240A和約1100A之間。在一些情況中，第二間隔涂層170包括直接位于第二紅外反射膜150上的氮化物膜，例如氮化硅。當(dāng)設(shè)有氮化物膜時(shí)，該氮化物膜可任選地具有在約40A到約60A之間的光學(xué)厚度，如約50A。這樣的厚度范圍僅僅是示例。在許多情況中，傳統(tǒng)的阻隔層直接沉積于第二紅外反射膜上。在另一個(gè)可選情況中，低價(jià)氧化物層可以直接沉積在第二紅外反射膜上。對(duì)于另一種可選形式，可以使用兩部分阻隔涂層。第三紅外反射膜250位于第二間隔涂層170上。該膜250可包括上述討論過(guò)的任何紅外反射材料。第三紅外反射膜250的厚度選擇為可滿足所需的輻射性、可見(jiàn)光透射率等。在一些情況中，物理厚度在約50A和約250A之間，如約65A和約95A之間，在一個(gè)實(shí)施方案中，第三紅外反射膜250具有約80A的厚度。第三紅外反射膜250的厚度可任選地與內(nèi)層紅外反射膜50基本相同。在圖3中，第三紅外反射膜250為涂層中的最外層紅外反射膜250。但是，并非所有實(shí)施方案中都是如此。例如，該涂層可以具有四個(gè)或更多個(gè)紅外反射膜。繼續(xù)參照?qǐng)D3，外涂層190設(shè)在第三紅外反射膜250上。這里外涂層190可以包括相應(yīng)于圖2的外涂層90的上述已經(jīng)討論過(guò)的任何膜。外涂層的光學(xué)厚度應(yīng)當(dāng)適合于抗銀膜反射(或者可以使用的任何其它紅外反射膜)。該光學(xué)厚度例如，可以在約90A到約900A的范圍內(nèi)，例如在約120人和約550A之間。優(yōu)選地，外涂層190包含介電吸收膜。可以使用上面已經(jīng)討論過(guò)的任意介電吸收材料。在設(shè)有介電吸收膜時(shí)，外涂層的介電吸收膜具有小于600A的光學(xué)厚度，和/或小于175A、小于150A、小于125A、或甚至小于100A的物理厚度。另外或可選地，該層可以具有至少約35A、至少約40A、至少約50A、至少約75A的物理厚度。在一個(gè)實(shí)施方案中，該層具有在約50A和約175A之間的物理厚度，例如在約75A和約IOOA之間。在某些實(shí)施方案中，外涂層包括氮化硅最外層或其它膜，任選地光學(xué)厚度小于約75埃，如約50埃。在很多情況中，在第三紅外反射膜上直接沉積有傳統(tǒng)的阻隔層。在其它的情況中，在第三紅外反射膜上直接沉積低價(jià)氧化物層。作為另一種可選形式，可以使用兩部分阻隔層。下面描述與圖3中所示相似的低輻射涂層的一個(gè)實(shí)例。參考表2，如下所示，低輻射涂層20包括以下順序的膜基底/(氮化鈦和/或氮化鈮)/銀/氮化硅/氧化鋅錫/銀/氮化硅/氧化鋅錫/銀/(氮化鈦和/或氮化鈮y氮化硅。表2的厚度僅僅是示例性的。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage21</column></row><table>某些實(shí)施方案提供了日照控制低輻射涂層20，其中低價(jià)氧化物層直接位于兩層或更多層紅外反射膜上。雖然對(duì)這些低價(jià)氧化物層的厚度沒(méi)有限制，但各層任選地大于30A、大于40A、大于50A、和/或小于150A、小于IOOA、或小于75A。陶瓷低價(jià)氧化物靶材可有利地用于沉積這種阻擋層(barrierlayer)。已經(jīng)說(shuō)明過(guò)可用的這種靶材和方法。下表3顯示了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的一個(gè)示例性涂層。這里，鈦的低價(jià)氧化物阻擋層通過(guò)濺射陶瓷低價(jià)氧化物靶材(如包含TiO和Ti02)進(jìn)行沉積。這些耙材可任選地在使膜不被完全氧化(如，使得膜同時(shí)包含TiO和Ti02)的條件下濺射。低價(jià)氧化物阻擋層的優(yōu)點(diǎn)在于其具有優(yōu)良的預(yù)回火耐久性和對(duì)光學(xué)性質(zhì)的良好控制性。在本發(fā)明實(shí)施方案中，直接在各低價(jià)氧化物阻擋層上可任選地有透明介電膜。在表3中，使用氧化鋅錫，但是可以使用其它很多電介質(zhì)。(表3中的厚度僅是示例性的。)圖9一14示顯示了具有表3中的示例性涂層的單片基底的光學(xué)性質(zhì)。<table>tableseeoriginaldocumentpage22</column></row><table>在一個(gè)實(shí)施方案中，陶瓷低價(jià)氧化物靶材用于在涂層20中的最外層紅外反射膜上濺射沉積低價(jià)氧化物膜。雖然該低價(jià)氧化物層的厚度不受限制，但其可任選地大于30A、大于40A、大于50A、和/或小于150A、小于100A、或小于75A?？扇芜x地使用包含鈦低價(jià)氧化物(如同時(shí)包含TiO和Ti02)的陶瓷靶材。對(duì)于靶材，鋅鋁的低價(jià)氧化物是另一種選擇，和鈮的低價(jià)氧化物一樣，此處僅列舉一些實(shí)例?？扇芜x地直接在低價(jià)氧化物阻擋膜上施加介電吸收膜。這種設(shè)置可在銀膜、低價(jià)氧化物阻擋膜和介電吸收膜中提供特別優(yōu)良的耐久性。也可提供對(duì)光學(xué)性質(zhì)特別優(yōu)良的可控性。如，可將下面順序的膜結(jié)合到本發(fā)明涂層的任意實(shí)施方案中最外層含銀膜/鈦的低價(jià)氧化物膜/氮化物吸收膜(可任選地后面為氮化硅最外層或者其它膜)。鈦的低價(jià)氧化物膜可以同時(shí)包含TiO和Ti02。更為一般的，可將下面順序的膜結(jié)合到本發(fā)明涂層的任意實(shí)施方案中最外層含銀膜/部分氧化膜/介電吸收膜(可任選地后面為最外層或其它層)。在這些實(shí)施方案中，可用部分氮化膜、部分氧氮化膜等來(lái)代替部分氧化膜。圖4為根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施方案的多塊隔熱玻璃單元的部分剝離橫截面?zhèn)纫晥D。在圖4中，單元110具有由板間空間800分開(kāi)的外板10和內(nèi)板10'。隔離件卯O(其可任選地為窗扇的一部分)用來(lái)將板10和10，隔開(kāi)。隔離件可使用密封層700固定在各板的內(nèi)表面上。在一些情況中，還設(shè)有端部密封層600。在所示的實(shí)施方案中，外板10具有外表面12和內(nèi)表面14。內(nèi)表面14具有已經(jīng)描述過(guò)的根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的日照控制低輻射涂層20。內(nèi)板10'具有內(nèi)表面16和外表面18。板10可安裝在框架內(nèi)(如圖5所示的窗框)，使得外表面12暴露在戶外環(huán)境中。內(nèi)表面14和16均暴露在板間空間800的環(huán)境中。雖然在圖示的實(shí)施方案中內(nèi)表面14具有日照控制低輻射涂層，但任何其它表面12、16和18上也可選地或另外具有這種涂層。另外，該單元可任選地為三板玻璃裝配件單元。具有低輻射涂層20的基底10可裝在玻璃框架中(如窗框)。在一些情況中，基底首先被裝入到隔熱玻璃單元中，已參考圖4進(jìn)行了描述，然后將得到的單元安裝到玻璃框中。在其它情況中，基底單獨(dú)(如單板玻璃)安裝入玻璃框中。圖5顯示了一種板，其可任選地為IG單元的一部分，安裝在框架95上(如在建筑物99的外墻98上)。表面12暴露在戶外環(huán)境下。本發(fā)明的日照控制低輻射涂層具有特別理想的性質(zhì)。隨后的討論報(bào)道了一部分這些性質(zhì)。所報(bào)道的性質(zhì)為單塊3mm鈉-鈣浮法玻璃(一側(cè)未涂覆，在另一側(cè)上具有涂層20)?；桩?dāng)然可以由浮法玻璃以外的材料形成，也可具有其它的厚度。另外，基底可以為多塊玻璃(如IG單元)的一部份，這一點(diǎn)己有說(shuō)明。在某些實(shí)施方案中，涂覆基底具有低可見(jiàn)光透射率和低可見(jiàn)光反射率。術(shù)語(yǔ)"可見(jiàn)光透射率"和"可見(jiàn)光反射率"在本領(lǐng)域中已知，并且在美國(guó)專利申請(qǐng)公開(kāi)US2007/0082206中有詳細(xì)論述，其關(guān)于這些性質(zhì)的教導(dǎo)在此引入作為參考。在一些實(shí)施方案中，具有日照控制低輻射涂層20的基底10具有小于0.5的可見(jiàn)光透射率。例如，可見(jiàn)光透射率可任選地在0.34和0.46之間，如在0.36和0.44之間。在一個(gè)實(shí)施方案中，可見(jiàn)光透射率約為0.39。此外，涂覆基底任一表面的可見(jiàn)光反射率Rv優(yōu)選小于約0.2。涂覆基底可以具有小于約0.18、小于0.15、或者甚至小于0.1的可見(jiàn)光反射率Rv(玻璃側(cè)或者膜側(cè))。盡管可以根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)選擇或變化可見(jiàn)光反射率的精確水平，但某些優(yōu)選實(shí)施方案得到約0.08-0.09的可見(jiàn)光反射率Rv。本發(fā)明的涂層20還具有優(yōu)異的顏色性質(zhì)。例如，可以在涂覆基底的兩側(cè)實(shí)現(xiàn)優(yōu)良的顏色(透射和反射)。在一些實(shí)施方案中，涂覆基底的透射顏色特征可由下列色坐標(biāo)表示0.2〈xO,35(優(yōu)選0.25〈x0.33)和0.2<y<0.35(優(yōu)選0.25<y<0.33)。此外，涂覆基底可任選地具有反射玻璃側(cè)和/或膜側(cè)，其可由下列色坐標(biāo)表示0.2<x<0.35(如0.25<x<0.33)和0.2<y<0.35(如0.25<y<0.33)。這是根據(jù)已知的1931CIE顏色標(biāo)準(zhǔn)(如圖9和10中所示)。當(dāng)然，為適應(yīng)特定應(yīng)用，其它顏色可能是理想的。設(shè)計(jì)了顏色性質(zhì)在上表3所顯示的范圍內(nèi)的一個(gè)示例涂層。這里，涂層為三型低輻射涂層。但是，本發(fā)明中的涂層雙型實(shí)施方案的顏色性質(zhì)也在一個(gè)或多個(gè)(如所有)這些范圍內(nèi)。在圖9中，靠近顏色空間中心的一小簇點(diǎn)表示透射，而較大簇的點(diǎn)表示玻璃側(cè)的反射。每簇具有100個(gè)點(diǎn)(但它們由于重疊故并非全部可見(jiàn))，表示涂層的厚度變化達(dá)到3%。這里，可以看出，透射顏色為最淡的綠色。(中性色坐標(biāo)為0.33、0.33。)透射數(shù)據(jù)點(diǎn)的非常緊密的集簇表明透射顏色非常穩(wěn)定。玻璃側(cè)的反射顏色為藍(lán)色，它也非常穩(wěn)定。在圖10中，表示透射的IOO個(gè)點(diǎn)的小簇群再次出現(xiàn)在靠近顏色空間的中心。100個(gè)點(diǎn)的較大集簇表示膜側(cè)的反射。此處的反射為藍(lán)到紫色/藍(lán)色，并且散射較大。但是，在涂覆基底為IG單元的一部分的實(shí)施方案中，該顏色容易被顏色淡的覆蓋層(coverlite)沖淡。圖11和12表示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案，具有上表3中涂層的單片基底的透射率和玻璃側(cè)反射數(shù)據(jù)。這里，可以看出，最大可見(jiàn)光透射率小于60%，例如，在約35%和約50%之間，如約40—44%。圖13和14表示與圖11和12相關(guān)的上述單片基底的透射和膜側(cè)反射數(shù)據(jù)。再次出現(xiàn)了最大可見(jiàn)光透射小于60%的情況，例如，在約35%和約50%之間，如約40_44%。本發(fā)明的日照控制低輻射涂層可通過(guò)多種已知的涂布技術(shù)來(lái)施用。如，這些涂層可用濺射沉積(即濺射)法施用?？蛇x地，可以使用其它涂布技術(shù)，包括化學(xué)氣相沉積(CVD)、等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(plasma-enhancedchemicalvapor)禾口熱解沉禾只法。濺射在本領(lǐng)域中是公知的。圖6描述了示例性的磁電管濺射室200。磁電管濺射室和相關(guān)的設(shè)備可從多種來(lái)源商購(gòu)(如Leybold)。授予Chapin的美國(guó)專利4166018中描述了可用的磁電管濺射技術(shù)和設(shè)備，其關(guān)于濺射技術(shù)和設(shè)備的全部教導(dǎo)在此引入作為參考。所示的濺射室200包括基底(或"底板")220、多個(gè)側(cè)壁222，以及頂板(或"頂蓋"或"蓋"230)，它們一起形成濺射腔202。在圖6中，兩個(gè)上部靶材180安裝在基底運(yùn)行路徑45上方。在膜沉積期間，基底10可任選地在多個(gè)空間隔開(kāi)的傳送輥210上沿著基底運(yùn)行途徑45傳送。在圖6中，具有兩個(gè)上部靶材，但并非要求如此。例如，在各室中可選地使用單個(gè)耙材。另外，雖然顯示的是圓柱形靶，但該室也可包括一個(gè)或多個(gè)平面耙。本發(fā)明的涂層例如可使用具有鎖緊件(lock)的在線系統(tǒng)制造，其中涂覆區(qū)具有被通道分開(kāi)的不同氣體組分，其中使用一種或多種耙材來(lái)沉積各層，其中使用AC或DC濺射，并且壓力為約3-5mTorr。本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知可使用的各種方法和可選的設(shè)備。在某些實(shí)施方案中，涂層20并不包括任何不銹鋼氧化物膜。在一些情況中，涂覆玻璃被壓碎并用于碎玻璃，優(yōu)選在碎玻璃中避免不銹鋼。雖然描述了本發(fā)明的一些優(yōu)選實(shí)施方案，但應(yīng)當(dāng)理解，可以在不超出本發(fā)明主旨和所附權(quán)利范圍的范圍下進(jìn)行各種變化、變形或者修改。權(quán)利要求1.具有日照控制低輻射涂層的透明基底，該涂層包含包含銀的最內(nèi)層紅外反射膜和包含銀的最外層紅外反射膜；位于基底和最內(nèi)層紅外反射膜之間的第一介電吸收膜，該第一介電吸收膜具有在0.52和1.9之間的中性吸收比k380<λ<450nm/k650<λ<760nm；和比最外層紅外反射膜距離基底更遠(yuǎn)的第二介電吸收膜，該第二介電吸收膜具有在0.52和1.9之間的中性吸收比k380<λ<450nm/k650<λ<760nm。2.權(quán)利要求1的基底，其中所述涂層為在最內(nèi)層和最外層紅外反射膜之間具有中間涂層的雙型低輻射涂層，其中所述中間涂層不包括任何介電吸收膜，而主要由透明介電膜組成。3.權(quán)利要求1的基底，其中所述涂層是三型低輻射涂層，其還包括包含銀的中間層紅外輻射膜，該涂層在最內(nèi)層和中間層紅外反射膜之間具有第一間隔涂層，在中間層和最外層紅外反射膜之間具有第二間隔涂層，其中所述間隔涂層并不包括任何介電吸收膜，而主要由透明介電膜組成。4.權(quán)利要求1的基底，其中所述第一和第二介電吸收膜都包含氮化物膜。5.權(quán)利要求1的基底，其中所述第一和第二介電吸收膜中的至少之一包含氮化物混合物，該氮化物混合物包括氮化硅與另一種氮化物的混合。6.權(quán)利要求1的基底，其中所述第一和第二介電吸收膜都包含氮化物混合物，該氮化物混合物包括氮化硅和至少一種選自氮化鈦、氮化鈮、氮化鋯、氮化鉻和氮化鎳-鉻的其它氮化物的混合。7.權(quán)利要求1的基底，其中所述第一和第二介電吸收膜中的至少之一包含氮化鈦和減氮化鈮。8.權(quán)利要求1的基底，其中所述第一和第二介電吸收膜各具有小于600A的光學(xué)厚度。9.權(quán)利要求1的基底，其中所述涂覆基底具有小于0.60的單片可見(jiàn)光透射率。10.權(quán)利要求9的基底，其中所述單片可見(jiàn)光透射率在0.30和0.50之間。11.權(quán)利要求1的基底，其中所述涂覆基底的單片透射顏色的特征為根據(jù)1931CIE顏色標(biāo)準(zhǔn)的下列色坐標(biāo)0.2<x<0.35，0,2<y<0.35。12.權(quán)利要求l的基底，其中所述透明基底為玻璃板，該玻璃板為多塊隔熱玻璃單元的一部分。13.具有日照控制低輻射涂層的透明基底，該涂層為雙型低輻射涂層，其包含包含銀的第一紅外反射膜和包含銀的第二紅外反射膜，第一紅外反射膜比第二紅外反射膜更接近基底；位于第一和第二紅外反射膜之間的中間涂層，其中該中間涂層不包括任何介電吸收膜，而主要由透明介電膜組成；位于基底和第一紅外反射膜之間的第一介電吸收膜；并且第二介電吸收膜比第二紅外反射膜距離基底更遠(yuǎn)。14.權(quán)利要求13的基底，其中所述第一和第二介電吸收膜中的至少之一具有在0.52和1.9之間的中性吸收比k380《<450nm/k650<5l<760nm。15.權(quán)利要求13的基底，其中所述第一和第二介電吸收膜都包含氮化物膜。16.權(quán)利要求13的基底，其中所述第一和第二介電吸收膜中的至少之一包含氮化物混合物，該氮化物混合物包括氮化硅與另一種氮化物的混合。17.權(quán)利要求13的基底，其中所述第一和第二介電吸收膜包含氮化物混合物，該氮化物混合物包括氮化硅和至少一種選自氮化鈦、氮化鈮、氮化鋯、氮化鉻和氮化鎳-鉻的其它氮化物的混合。18.權(quán)利要求13的基底，其中所述第一和第二介電吸收膜中至少之一包含氮化鈦和/或氮化鈮。19.權(quán)利要求13的基底，其中所述第一和第二介電吸收膜各具有小于600A的光學(xué)厚度。20.權(quán)利要求13的基底，其中所述涂覆基底的單片可見(jiàn)光透射率在0.30和0.50之間。21.權(quán)利要求13的基底，其中所述涂覆基底的單片透射顏色的特征為根據(jù)1931CIE顏色標(biāo)準(zhǔn)的下列色坐標(biāo)0.2<x<0.35，0.2<y<0.35。22.權(quán)利要求13的基底，其中第一低價(jià)氧化物阻擋層直接位于第一紅外反射膜上，第二低價(jià)氧化物阻擋層直接位于第二紅外反射膜上，并且其中第一和第二低價(jià)氧化物阻擋層的最內(nèi)層部分由低價(jià)氧化物膜限定而不是由金屬膜限定。23.權(quán)利要求22的基底，其中所述第一和第二低價(jià)氧化物阻擋層直接位于相應(yīng)的透明介電層下面。24.權(quán)利要求13的基底，其中鈦的低價(jià)氧化物層直接位于第二紅外反射層上，第二介電吸收膜直接位于鈦的低價(jià)氧化物層上。25.具有日照控制低輻射涂層的透明基底，該涂層為三型低輻射涂層，其向外依次包含包含氮化物的第一吸收膜；包含銀的第一紅外反射膜；第一間隔涂層，其中第一間隔涂層不包括任何介電吸收劑膜，而主要由透明介電膜組成；包含銀的第二紅外反射膜；第二間隔涂層，其中第二間隔涂層不包括任何介電吸收劑膜，而主要由透明介電膜組成；包含銀的第三紅外反射膜；和包含氮化物的第二吸收膜。26.權(quán)利要求25的基底，其中所述第一和第二吸收膜中的至少之一具有在0.52和1.9之間的中性吸收比k380<5l<45Onm/k65O<,<76Onm。27.權(quán)利要求25的基底，其中所述第一和第二吸收膜中的至少之一包含氮化物混合物，該氮化物混合物包括氮化硅與另一種氮化物的混合。28.權(quán)利要求25的基底，其中所述第一和第二吸收膜包含氮化物混合物，該氮化物混合物包括氮化硅和至少一種選自氮化鈦、氮化鈮、氮化鋯、氮化鉻和氮化鎳-鉻的其它氮化物的混合。29.權(quán)利要求25的基底，其中所述第一和第二氮化物吸收膜中都包含氮化鈦和/或氮化鈮。30.權(quán)利要求25的基底，其中所述第一、第二和第三低價(jià)氧化物阻擋層分別直接位于第一、第二和第三紅外反射層上，并且其中所述三個(gè)低價(jià)氧化物阻擋層的最內(nèi)層部分由低價(jià)氧化物膜形成而不是由金屬膜形成。31.權(quán)利要求30的基底，其中所述三個(gè)低價(jià)氧化物阻擋層直接位于相應(yīng)的透明介電層下面。32.權(quán)利要求25的基底，其中所述鈦的低價(jià)氧化物層直接位于第三紅外反射層上，第二氮化物吸收膜直接位于鈦的低價(jià)氧化物層上。33.權(quán)利要求25的基底，其中所述涂覆的基底的單片可見(jiàn)光透射率在0.30和0.50之間。34.權(quán)利要求25的基底，其中所述涂覆基底的單片透射顏色的特征為根據(jù)1931C正顏色標(biāo)準(zhǔn)的以下色坐標(biāo)0.2<x<0.35，0.2<y<0.35。35.權(quán)利要求34的基底，其中所述單片透射顏色的特征為根據(jù)1931CIE顏色標(biāo)準(zhǔn)的下列色坐標(biāo)0.25<x<0.33，0.25<y<0.33。全文摘要本發(fā)明提供具有日照控制低輻射涂層的基底。該日照控制低輻射涂層包括一層或多層介電吸收膜。在一些實(shí)施方案中，所述介電吸收膜具有小于1.9的吸收比k_{380＜λ＜450nm}/k_{650＜λ＜760nm}。文檔編號(hào)C03C17/34GK101367620SQ200810109199公開(kāi)日2009年2月18日申請(qǐng)日期2008年5月23日優(yōu)先權(quán)日2007年8月14日發(fā)明者G·L·普法夫,J·R·杰曼申請(qǐng)人:卡迪奈爾鍍膜玻璃公司