專利名稱：一類可用于熱電材料化合物及制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一類可用于熱電材料的化合物及制備方法，屬于熱電材料領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
熱電效應(yīng)是電流引起的可逆熱效應(yīng)和溫差引起的電效應(yīng)的總稱。它包括 Seebeck(塞貝克)效應(yīng)、Peltier (帕爾帖)效應(yīng)和Thomson (湯姆遜)效應(yīng)。熱電材料是 一種將熱能和電能之間直接轉(zhuǎn)換的功能材料，在熱電發(fā)電和制冷、恒溫控制與溫度測量等 領(lǐng)域具有極為重要的應(yīng)用前景。 隨著科技的發(fā)展，能源問題和環(huán)境問題成為人們越來越關(guān)心的熱門話題。熱電材 料是一種環(huán)境友好型功能材料.利用熱電材料制成的制冷和發(fā)電系統(tǒng)可以有效地利用電 廠、汽車等放出的廢熱和廢氣直接發(fā)電，不需要媒介物質(zhì)，同時不生成任何廢棄物；而且還 具有使用壽命長，性能穩(wěn)定等優(yōu)點。90年代以來，隨著全球環(huán)境污染、能源危機的日益嚴 重，以及計算機技術(shù)、航空航天技術(shù)、超導(dǎo)技術(shù)和微電子技術(shù)的發(fā)展，迫切需要小型、靜態(tài)、 固定、長壽命且安全的制冷裝置，因此熱電材料的研究受到普遍的關(guān)注。正在應(yīng)用以及研 究較為成熟的熱電材料主要是金屬化合物及其固溶體合金如PbTe、 SiGe、 CrSi、 Bi2Te3及 其衍生物[(l)A. Maj咖dar， Science, 303， 2004， 777 ; (2) L. A. K證etson， V. L. Kuznetsov， D. M. Rowe， J. Phys. Cgem. Solids, 61， 2000， 1269 ; (3)D. Y. Chung， T. Hogan， P. Brazis， Science,287，2000，1024 ; (4)B. Wolfing, C. Kloc， J.Teubner， Phys. Rev. Lett. ，86，2001， 4350 ; (5)L. A. K證etsova， V. L. K證etsov， D. M. Rowe， Phys. Chem. Solids, 61， 2000，
1269. ] 、 CoSb3[K. T. Wojciechowski， J. Tobola， J. Leszczy6ski, J. Alloys Compd. ，361， 2003,19-27.]等，但這些熱電材料具有制備條件要求較高，需在一定的氣體保護下進行，不 適于在高溫下工作以及含有對人體有害的重金屬等缺點。20世紀90年代初日本學(xué)者發(fā) 現(xiàn)，在室溫下，NaCo204具有較高的熱電勢[(l)Y. Terasaki， U. Sasag， K. Chinokura， Phys. Rev.B，56，1997，12685-12687 ;(2)T. Itoh， T.Kawata，17th International Conference on Thermaelectrics， 1998， 595-597.]，同時有低的電阻率和低的晶格熱導(dǎo)率，此類熱電材料 可以在氧化氣氛里高溫下長期工作，大多數(shù)無毒性、無環(huán)境污染，且制備簡單，制樣時在空 氣中可直接燒結(jié)，無需抽真空，成本費用低，因而備受人們的關(guān)注。目前，此類熱電材料以過 渡金屬氧化物為典型代表。 雖然熱電材料歷經(jīng)了一百多年的研究，但目前的熱電材料仍然存在其熱電轉(zhuǎn)換 效率較低的缺點(6% -11% )[徐桂英，熱電材料的研究和發(fā)展方向，材料導(dǎo)報，14,2000， 38-41。]。探索和開發(fā)新型高效的熱電材料具有重大的現(xiàn)實意義，其緊迫性可見一斑。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的在于提供一類可用于熱電材料的化合物及其制備方法，所提供的一類 可用于熱電材料的化合物通式為A2BCQ4，式中A = Cu、Ag或Au ;B = Zn、Cd、Hg、Fe、Ni和Pd 等2價離子中的任一種或B、 Al、 Ga和In等3價離子中的任一種；C = Si、 Ge、 Sn和Pb等4價離子中的任一種或為B、Al、Ga和In等3價離子中的任一種；Q = S、Se和Te中的任一 種或為N、P、As和Sb中的任一種。
本發(fā)明的設(shè)計構(gòu)思是 (1)利用A2BCQ4屬于四方晶系，A、B、C分別與Q形成四面體配位，類似于金剛石網(wǎng) 絡(luò)結(jié)構(gòu)，使得材料晶格熱導(dǎo)降低(如Cu2CdSnSe4在200。C下的熱導(dǎo)率低達1. 5Won—10 。
(2)B和C可同時為3價離子(B、Al、Ga或In)，其結(jié)構(gòu)式可以簡化為黃銅礦型化 合物ABQ2 ;或Q為負3價陰離子，為了滿足價態(tài)平衡，C位可為4價陽離子，A位離子可以缺 失，即化學(xué)表達式可簡化為BCQ' 2。 (3)由于A原子為含有d軌道電子結(jié)構(gòu)的陽離子，與Q原子的np軌道能量接近， 容易形成雜化，[AQ4]四面體的三維網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)利于截流子的傳輸，同時，Q2—與金屬離子(兩 個A+， B2+， C2+)形成四面體配位，降低了 Q2—離子np電子的局域行為，提高空穴載流子的遷 移率，改善了材料導(dǎo)電性能，提高了材料的Seebeck系數(shù)(如Cu2ZnSnSe4室溫下電導(dǎo)率高達 102S. cm—1)。 (4)可以通過摻雜，從而使A位元素化合價提高，增加空穴濃度，提高材料的導(dǎo)電 性能河以通過摻雜，從而使C位元素化合價降低，增加電子濃度，提高材料的導(dǎo)電性能；且 摻雜方式和種類多樣，如在A位引入空位或高價金屬，或在B位，C位摻雜低價/高價金屬， 或在Q位摻雜高價陰離子(如負3價離子)，增加載流子濃度，從而提高材料的導(dǎo)電性能； 摻雜量范圍較廣，摻雜物質(zhì)的濃度在Oat% -10￡^%之間。 (5)化合物間可以進行多種復(fù)合，如權(quán)利要求1與權(quán)利要求3化合物間的復(fù)合 (l-x)A2BCQ4-xA， B， Q， 2(0《x《1)。 (6)本發(fā)明提供的可用于熱電材料所包含的化合物廣泛，包括I B族中的Cu、 Ag 或Au ;11 B中的Zn、Cd或Hg禾P VIII族中的Fe、Ni或Pd ;IV A族的Si、Ge、Sn或Pb ;IIIB 的B、Al、Ga或In。以及硫族元素(S、 Se、 Te)或VA族元素N、 P、 As、 Sb組成的物質(zhì)。根據(jù) 價態(tài)平衡原則，可以組成總類繁多的化合物A2—x □ xBCQ4(0《x《1)。 總之本發(fā)明提供的一類可用于熱電材料的化合物屬于四方晶系，結(jié)構(gòu)與黃銅礦 (CdFeS2)類似，可以用作是變形的閃鋅礦超格子結(jié)構(gòu)，只是一半的Fe位由B位取代，占據(jù)， 另一半為C位取代。 從材料制備角度，本發(fā)明提供的一類可用于熱電材料的化合物的制備是將組成 材料的元素單質(zhì)或用相應(yīng)的硫族化物通過高溫固相反應(yīng)或高溫熔融或高能球磨合成得到 4BCQ4及其摻雜的多晶粉體后進行放電等離子體燒結(jié)(Spark Plasma Sintering, SPS)或 經(jīng)等靜壓、燒結(jié)處理得到測試塊體材料。
本發(fā)明具體制作的工藝步驟是 (a)按A2BCQ4化學(xué)組成配比選用適量原料(如相應(yīng)的單質(zhì)或硫族化物等)進行配 料； (b)原料裝入石英玻璃管等隔絕氧氣的密閉容器中，經(jīng)抽真空(小于10—2Pa)后封 裝。 (c)封裝的石英玻璃管在60(TC 70(TC下進行第一次固相反應(yīng)，反應(yīng)時間為24 96h ;開管后進行研磨再封裝，進行第二次固相反應(yīng)，條件與第一次相同；或?qū)⒎庋b的石英 玻璃管置于高溫爐中進行熔融反應(yīng)(650°C 105(TC，反應(yīng)4 96h)。
(d)或?qū)⒉襟E(a)的配料密封在(抽真空或充惰性氣體保護)球磨罐中，進行高能 球磨，球磨時間為2 24h ;或?qū)?a)的配料裝入石英玻璃管；抽真空(小于10—2Pa)后用氫 氧火焰熔封，于700 100(TC進行熔融反應(yīng)； (e)將步驟(c)或(d)所得樣品研磨，得到粉體，在一定的溫度與壓力下燒結(jié)成型 (如在650 85(TC下以40 60MPa的壓力進行SPS燒結(jié)或經(jīng)200Mpa冷等靜壓成型后裝 入石英玻璃管，經(jīng)抽真空(小于10—2Pa)封裝，于700 90(TC燒結(jié)，保溫6 24h，最終制成 熱電塊體材料。 在制備過程中固相反應(yīng)是在熔封的玻璃管等隔絕氧氣氛的密閉環(huán)境中進行。SPS 燒結(jié)是在Ar或N2或抽真空下進行等保護氣氛下進行。
樣品表征與性能評價
(1)物相確定 采用日本Rigaku 2000V全自動X射線衍射儀來確定材料的物相。
(2)熱導(dǎo)率的測試 對制備得到的OlOmm的塊體樣品，經(jīng)過表面打磨，噴碳烘干后，采用德國耐馳 (Netzsch， LFA427)熱導(dǎo)儀，并應(yīng)用激光脈沖技術(shù)(Laser f lashtechnique)在氬氣氣氛下 測定熱擴散系數(shù)。
(3)電學(xué)性能 將本發(fā)明所得SPS燒結(jié)樣品經(jīng)退火處理后，切割成測試所需形狀(如長條狀)，加 裝電極后用四端子法等經(jīng)典測試方法進行導(dǎo)電性能評價。并且，在Accent HL5500霍爾儀 上進行霍爾系數(shù)及Seebeck系數(shù)的測試。 本發(fā)明提供的一類熱電材料化合物可應(yīng)用于熱電材料，設(shè)計思路獨特，原料廉價 易得，制備工藝簡單，材料的導(dǎo)電性能優(yōu)越，并具有優(yōu)越的熱電性能，是一種理想的新型熱 電候選材料。


圖lCu2ZnSnS4的晶體結(jié)構(gòu)示意圖。 圖2多晶Cu2ZnSnS4塊體及摻Cu樣品的多晶XRD衍射圖譜。 圖3多晶Cu2ZnSnS4塊體及摻Cu樣品電導(dǎo)率隨溫度的變化曲線。 圖4多晶Cu2ZnS4S4塊體及摻Cu樣品的室溫Seebeck系數(shù)。 圖5多晶Cu2ZnSnS4塊體及摻Cu樣品的室溫熱導(dǎo)率。 圖6多晶Cu2ZnSnS4塊體及摻Cu樣品的室溫熱電優(yōu)值(ZT值)。 圖7多晶Cu2ZnSnSe4塊體及摻Cu樣品的室溫熱導(dǎo)率。 圖8多晶Cu2CdSnSe4塊體及摻Cu樣品的室溫熱導(dǎo)率。
具體實施例方式
下面介紹本發(fā)明的實施例，但本發(fā)明絕非僅限于實施例。
實施例1 : 采用Cu粉、Zn粉、Sn粉和S粉(質(zhì)量百分純度分別為99. 7% 、99. 99% 、99. 9%和 99. 999%下同)按照Cu2ZnSnS4和摻Cu樣品Cu2+xZni—xSnS4 (x = 0 0. 10)的化學(xué)式稱量并裝入玻璃管，抽真空(小于10—2Pa)后用氫氧火焰熔封，裝混合物的玻璃管緩慢升溫至45(TC 并保溫24h，然后升溫至60(TC 70(TC進行第一次固相反應(yīng)，反應(yīng)時間為24 96h。開管 后粉體進行研磨再封裝，進行第二次固相反應(yīng)，條件與反應(yīng)條件與第一次固相反應(yīng)相同。將 所得到的純相粉體，在650°C 80(TC下以40 60MPa的壓力進行SPS燒結(jié)，最終制成熱電 測試的塊體材料。 多晶XRD衍射圖譜(圖2)表明通過上述工藝制備得到了純相的多晶樣品。材料 具有良好的導(dǎo)電性能(圖3) ， Zn位摻Cu 10%的樣品室溫下電導(dǎo)率近30S cm—、未摻雜樣 品室溫Seebeck系數(shù)高達460 y V/K(圖4)。圖5和圖6分別給出了 Cu2+xZni—xSnS4 (x = 0 0. 10)的室溫熱導(dǎo)率和室溫的熱電優(yōu)值(ZT值)。
實施例2 : 采用Cu粉、Zn粉、Sn粉和S粉(純度分別為99. 7% 、99. 99% 、99. 9%和99. 999% ) 按照Cu2ZnSnS4和摻Cu樣品Cu2+xZni—xSns4 (x = 0 0. 10)的化學(xué)式稱量并裝入玻璃管，抽 真空(小于10—2Pa)后用氫氧火焰熔封，于700 IOO(TC進行熔融反應(yīng)，將所得到的純相粉 體，在650°C 800°C下以40 60MPa的壓力進行SPS燒結(jié)，最終制成熱電測試的塊體材料。
多晶XRD衍射圖譜與實施例1相似，表明我們得到了純相的多晶樣品。材料的導(dǎo) 電性能類似于實施例1， Seebeck系數(shù)、室溫熱導(dǎo)率和室溫的熱電優(yōu)值均與實施例1相當。
實施例3 : 采用Cu粉、Zn粉、Sn粉和S粉(純度分別為99. 7% 、99. 99% 、99. 9%和99. 999% ) 按照Cu2ZnSnS4和摻Cu樣品Cu2+xZni—xSnS4 (x = 0 0. 10)的化學(xué)式稱量并放入高能球磨罐 中，充氬氣保護，密封，球磨5h，將所得到的純相粉體，在650°C 80(TC下以40 60MPa的 壓力進行SPS燒結(jié)，最終制成熱電測試的塊體材料。 多晶XRD衍射圖譜與實施例1相似，表明我們得到了純相的多晶樣品。材料的導(dǎo) 電性能類似于實施例1， Seebeck系數(shù)、室溫熱導(dǎo)率和室溫的熱電優(yōu)值均與實施例1相當。
實施例4 : 采用Cu粉、Zn粉、Sn粉和S粉(純度分別為99. 7% 、99. 99% 、99. 9%和99. 999% ) 按照Cu2ZnSnS4和摻Cu樣品Cu2+xZni—xSnS4 (x = 0 0. 10)的化學(xué)式稱量并裝入玻璃管，抽 真空(小于10—2Pa)后用氫氧火焰熔封，于700 IOO(TC進行熔融反應(yīng)，將所得到的純相粉 體，在200GPa的壓力進行冷等靜壓，最終制成熱電測試的塊體材料。 多晶XRD衍射圖譜與實施例1相似，表明我們得到了純相的多晶樣品。材料的導(dǎo) 電性能類似于實施例1， Seebeck系數(shù)、室溫熱導(dǎo)率和室溫的熱電優(yōu)值均與實施例1相當。
實施例5: 采用Cu粉、Zn粉、Sn粉和Se粉(純度分別為99. 7 % 、99. 99 % 、99. 9 %和 99. 999% )按照Cu2ZnSnSe4和摻Cu樣品Cu2+xZni—xSnSe4 (x = 0 0. 10)的化學(xué)式稱量并裝 入玻璃管，抽真空(小于10—2Pa)后用氫氧火焰熔封，裝混合物的玻璃管緩慢升溫至45(TC 并保溫24h，然后升溫至600°C 70(TC進行固相反應(yīng)，反應(yīng)時間為24 96h。開管后粉體 進行研磨再封裝，進行第二次固相反應(yīng)，條件與前類似。將所得到的純相粉體，在650°C 80(TC下以40 60MPa的壓力進行SPS燒結(jié)，最終制成熱電測試的塊體材料。
材料具有比Cu2+xZni—xSnS4更加良好的導(dǎo)電性能，熱導(dǎo)率更低(見圖6)。
實施例6 :
采用Cu粉、Cd粉、Sn粉和Se粉(純度分別為99. 7 % 、99. 99 % 、99. 9 %和 99. 999% )按照Cu2CdSnSe4和摻Cu樣品CiVxCd卜xSnSe4 (x = 0 0. 10)的化學(xué)式稱量并裝 入玻璃管，抽真空(小于10—2Pa)后用氫氧火焰熔封，裝混合物的玻璃管緩慢升溫至45(TC 并保溫24h，然后升溫至60(TC 70(TC進行第一次固相反應(yīng)，反應(yīng)時間為24 96h。開管 后粉體進行研磨再封裝，進行第二次固相反應(yīng)，工藝條件第一次固相反應(yīng)的工藝條件相同， 將所得到的純相粉體，在650°C 80(TC下以40 60MPa的壓力進行SPS燒結(jié)，最終制成熱 電測試的塊體材料。 材料具有比Cu2+xZni—xSnS4更加良好的導(dǎo)電性能，熱導(dǎo)率更低(見圖7)。
實施例8 :采用市售的Cu2S、ZnS和SnS2 (質(zhì)量百分純度均> 99% )按照Cu2ZnSnS4的化學(xué)式 稱量并裝入玻璃管，抽真空(小于10—2Pa)后用氫氧火焰熔封，依實施例1或?qū)嵤├?或?qū)?施例3或?qū)嵤├?的方法，最終制成熱電測試的塊體材料。
性能測試結(jié)果與實施例1基本相同。
實施例9 : 采用Cu粉、Cd粉、Sn粉、In粉禾口 Se粉(純度分別為99. 7%、99. 99%、99. 9%、 99. 999 %禾口 99. 999% )按照Cu2CdSnSe4和摻In樣品Ci^CdSrvxInxSe4 (x = 0 0. 10)的化
學(xué)式稱量并裝入玻璃管，抽真空(小于10—2Pa)后用氫氧火焰熔封，裝混合物的玻璃管緩慢 升溫至45(TC并保溫24h，然后升溫至600°C 70(TC進行固相反應(yīng)，反應(yīng)時間為24 96h。
開管后粉體進行研磨再封裝，進行第二次固相反應(yīng)，條件與前類似。將所得到的純相粉體， 在650°C 80(TC下以40 60MPa的壓力進行SPS燒結(jié)，最終制成熱電測試的塊體材料。材
料具有優(yōu)越的熱電性能。
實施例10 : 采用Cu粉、In粉和Se粉(純度分別為99. 7 %、99. 999 %和99. 999 % )按照
CuInS^的化學(xué)式稱量并裝入玻璃管，抽真空(小于10—2Pa)后用氫氧火焰熔封，裝混合物的 玻璃管緩慢升溫至45(TC并保溫24h，然后升溫至600°C 70(TC進行固相反應(yīng)，反應(yīng)時間為 24 96h。開管后粉體進行研磨再封裝，進行第二次固相反應(yīng)，條件與前類似。將所得到的 純相粉體，在650°C 80(TC下以40 60MPa的壓力進行SPS燒結(jié)，最終制成熱電測試的塊
體材料。材料具有優(yōu)越的熱電性能。
實施例11 : 采用Zn粉、Ge粉和P粉(純度均為99. 999 % )，按照ZnGeP2的化學(xué)式稱量并裝 入玻璃管，抽真空(小于10—2Pa)后用氫氧火焰熔封，裝混合物的玻璃管緩慢升溫至350°C 并保溫24h，然后升溫至500°C 80(TC進行第一次固相反應(yīng)，反應(yīng)時間為24 96h。開管 后粉體進行研磨再封裝，進行第二次固相反應(yīng)，工藝條件第一次固相反應(yīng)的工藝條件相同。 將所得到的純相粉體，在500°C 80(TC下以40 60MPa的壓力進行SPS燒結(jié)，最終制成熱 電測試的塊體材料。材料具有優(yōu)越的熱電性能。
權(quán)利要求
一類可用于熱電材料的化合物，其特征在于所述化合物的組成通式為A2BCQ4，式中A為Cu、Ag或Au；B為Zn、Cd、Hg、Fe、Ni和Pd二價離子中的任一種或為B、Al、Ga和In三價離子中的任一種；C為Si、Ge、Sn和Pb四價離子中的任一種或為B、Al、Ga和In三價離子中的任一種；Q為S、Se和Te中的任一種或為N、P、As和Sb中的任一種。
2. 按權(quán)利要求1所述的一類可用于熱電材料的化合物，其特征在于所述的化合物屬四方晶系，結(jié)構(gòu)為黃銅礦型。
3 按權(quán)利要求2所述的一類可用于熱電材料的化合物，其特征在于所述的化合物的結(jié)構(gòu)為變形的閃鋅礦超晶格結(jié)構(gòu)， 一半的Fe位由B位元素取代，另一半則由C位元素取代。
4. 按權(quán)利要求1所述的一類可用于熱電材料的化合物，其特征在于A、B、C分別與Q形成四面體配位，類似于金剛石網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)。
5. 按權(quán)利要求1所述的一類可用于熱電材料的化合物，其特征在于化合物中B位和C位同時為三價離子取代時，結(jié)構(gòu)式簡化為黃銅礦型化合物AB(^ ;或Q為負三價陰離子中，C位為四價陽離子時，滿足價態(tài)平衡，A位離子缺失，結(jié)構(gòu)式為BCQ' 2。
6. 按權(quán)利要求1所述的一類可用于熱電材料的化合物，其特征在于通過摻雜，使A位元素化合價提高，增加空穴濃度；或通過摻雜，使C位元素化合價降低，增加電子濃度，提高材料的導(dǎo)電性能；摻雜后化合物間有多種復(fù)合，復(fù)合的通式為(l-x)A2BCQ4-xA' B' Q' 2，式中0《x《1。
7. 按權(quán)利要求6所述的一類可用于熱電材料的化合物，其特征在于所述的摻雜物質(zhì)的濃度在0at% -10at^之間。
8. 制備如權(quán)利要求1所述的一類可用于熱電材料的化合物的方法，其特征在于制備步驟為(a) 按4BCQ4化學(xué)組成配比選用相應(yīng)的單質(zhì)或硫族化物為原料，進行配料；(b) 原料裝入石英玻璃管隔絕氧氣的密閉容器中，經(jīng)抽真空后封裝；(c) 封裝的石英玻璃管在600°C 70(TC下進行第一次固相反應(yīng)，反應(yīng)時間為24 96h ;開管后進行研磨再封裝，進行第二次固相反應(yīng)，條件與第一次相同；或?qū)⒎庋b的石英玻璃管置于高溫爐中進行于650°C 105(TC熔融反應(yīng)；(d) 或?qū)⒉襟E(a)的配料密封在抽真空或充惰性氣體保護球磨罐中，進行高能球磨，球磨時間為2 24h ;或?qū)⒉襟E(a)的配料裝入石英玻璃管，抽真空后用氫氧火焰熔封，于700°C IOO(TC進行熔融反應(yīng)；(e) 將步驟(c)或(d)所得樣品研磨，得到粉體，在65(TC 85(rC的溫度和40 60Mpa的壓力下進行SPS燒結(jié)或經(jīng)200Mpa冷等靜壓成型后裝入石英玻璃管封裝于700°C 900°C保溫6 24h，最終制成新型熱電塊體材料。
9. 按權(quán)利要求8所述的一類可用于熱電材料的化合物的制備方法，其特征在于固相反應(yīng)是在熔封的玻璃管隔絕氧氣氛的密閉環(huán)境中進行的，SPS燒結(jié)是在Ar或N2或抽真空下進行的。
10. 按權(quán)利要求8所述的一類可用于熱電材料的化合物的制備方法，其特征在于步驟(c)熔融反應(yīng)時間為4 96小時。
全文摘要
本發(fā)明涉及一類可用于熱電材料的化合物A2BCQ4(A＝Cu、Ag或Au；B＝Zn、Cd、Hg、Fe、Ni和Pd等二價離子中的任一種，或B、Al、Ga和In等三價離子中的任一種；C＝Si、Ge、Sn和Pb等四價離子中的任一種或B、Al、Ga和In等三價離子中的任一種；Q＝S、Se、Te或為N、P、As、Sb)及其制備方法。確切地說，A2BCQ4屬四方晶系，為變形的閃鋅礦超晶格結(jié)構(gòu)，與黃銅礦(CuFeS2)類似，只是一半的Fe位由B占據(jù)，另一半由C占據(jù)。其獨特的結(jié)構(gòu)決定了這類材料具有可觀的熱電性能。提供的化合物可應(yīng)用于熱電材料，設(shè)計思路獨特，原料廉價易得，制備工藝簡單，材料的導(dǎo)電性能優(yōu)越，并具有優(yōu)越的熱電性能，是一種理想的新型熱電候選材料。
文檔編號C04B35/515GK101723669SQ20081020206
公開日2010年6月9日 申請日期2008年10月31日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月31日
發(fā)明者劉敏玲, 陳立東, 黃富強 申請人:中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所