專利名稱：光能催化除臭瓷磚的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及建筑裝飾用瓷磚，屬于環(huán)保建材的技術(shù)領(lǐng) 域，具體地說是一種光能催化除臭瓷磚，它特別適合在人流密集 的學(xué)校、車站、賓館和城市旅游景區(qū)地鐵、街道的公廁安裝使用。
技術(shù)背景
我們知道，瓷磚作為一種最常用的建筑裝飾材料，具有外形 整潔美觀、易于清洗保養(yǎng)、強度較高且價位適中等優(yōu)點，深受人 們的青睞，是人們在進行屋內(nèi)裝修特別是廚房、廁所、衛(wèi)生間進 行裝飾裝修作業(yè)時首選的一種建筑裝飾材料。 一般來說現(xiàn)有的陶 瓷瓷磚產(chǎn)品分為拋光磚和釉面磚兩大類別，所謂拋光磚是對磚坯 逐個進行拋光加工制成具有表面光澤的裝飾效果，由于生產(chǎn)拋光 磚的技術(shù)工藝復(fù)雜、制造成本高，市場銷售的價格較貴用戶難于 接受，在實際使用上具有很大的局限性。而釉面磚是在磚坯體表 面燒制底釉層和面釉層構(gòu)成，由于它具有制造成本較低、銷售價 格低廉的優(yōu)點，是目前使用最廣的一種瓷磚產(chǎn)品?？陀^地說，無 論拋光磚還是釉面磚產(chǎn)品都具有較好的裝飾美感效果，但是現(xiàn)行 普遍使用的瓷磚產(chǎn)品都不具備殺菌、除臭凈化空氣環(huán)境的功能。 據(jù)調(diào)査在人流較為密集的學(xué)校、車站、賓館的廁所和旅游景區(qū) 及城市主干街道的公共廁所內(nèi)，雖然安裝了瓷磚裝飾貼面，有的 還配裝有水流沖洗設(shè)備和換氣設(shè)備，卻仍然是尿臊異味彌漫，甚 至臭氣熏天，由于廁所這個特定環(huán)境空氣潮濕，極易滋生繁殖細 菌和傳染疾病，人們在如廁時經(jīng)常需要捂鼻，嗅覺器官受到尿臊 異味刺激會出現(xiàn)"流淚、咳嗽和作嘔"等不適感覺。為了克服上
述瓷磚產(chǎn)品在使用功能上的缺陷，中國專利CN201031479Y公開
了一種名稱為"一種新型納米瓷磚"的技術(shù)，它是用超潔拋光機
在磚本體表面施壓為3kg/mm2的壓力狀態(tài)下將納米抗菌材料壓 入瓷磚本體表層的孔隙中，再用透明釉料或其他耐磨材料設(shè)置一 層保護層?？陀^地說，保護層對降低表面磨損、延長瓷磚的使用 壽命是有一定效果。但是，這種新型納米瓷磚的生產(chǎn)技術(shù)要求較 高、會增大生產(chǎn)制造成本，并且由于這層保護層是設(shè)置于納米抗 菌材料之上，它將納米抗菌材料與外界隔絕開來，在實際使用過程中，會大大降低抗菌殺菌、除臭去味和凈化空氣的效果
實用新型內(nèi)容
本實用新型的目的旨在克服現(xiàn)有技術(shù)的不足之處而提出一 種光能催化除臭瓷磚。它是在瓷磚坯體的釉質(zhì)面層表面再涂覆光 催化劑膜液經(jīng)高溫?zé)讨瞥晒獯呋?，所制作的光催化膜層?在自然光照下吸收光能進行光化學(xué)反應(yīng)，催化分解尿臊異味臭氣 并有效地殺滅附著于表面的細菌。
本實用新型是通過如下技術(shù)方案來實現(xiàn)的
一種光能催化除臭瓷磚，它包括瓷磚坯體，在瓷磚坯體的正
面燒制釉質(zhì)面層，其特征在于在釉質(zhì)面層的表面燒固有光催化 膜層。本實用新型的技術(shù)方案是按照常規(guī)釉面瓷磚生產(chǎn)技術(shù)工 藝首先燒制瓷磚坯體，在瓷磚坯體的正面燒制釉質(zhì)面層，即制 成普通釉面瓷磚。再按如下重量配比稱取原料放入容器內(nèi)攪拌均 勻制成光催化劑膜液
Ti02 l份， NaHC030. 015" 0. 025份，
H203^4份， CuS04 5H20 0. 045 。 0. 055份，
將制得的光催化劑膜液涂覆于上述普通釉面瓷磚的釉質(zhì)面 層的表面并經(jīng)高溫?zé)碳粗瞥晒獯呋印?br> 按本實用新型所提出的的技術(shù)方案生產(chǎn)的光能催化除臭瓷 磚，在釉質(zhì)面層表面牢牢燒固的光催化膜層是與外界空氣直接接 觸的，經(jīng)過實際安裝試用檢測證明光催化膜層在自然光照下吸 收光能進行光化學(xué)反應(yīng)，催化分解彌漫于空氣中的尿臊異味臭氣 并能有效殺滅附著于表面的細菌，而光催化膜層在吸收光能進行 光化學(xué)反應(yīng)過程中自身并不消耗損失。因而，它具有持久的抗菌 殺菌、除臭去味和凈化空氣的顯著效果。
本實用新型還具有如下技術(shù)特征
所說的光催化膜層是在釉質(zhì)面層的表面涂覆光催化劑膜液
后送入窯內(nèi)在700。85(TC溫度下燒固制成。在控制窯內(nèi)溫度為 700。850°C、持續(xù)燒制30分鐘的技術(shù)條件下，能使光催化膜層 均勻牢固地附著于釉質(zhì)面層的表面，具有很好的燒固效果。
上述所說的在釉質(zhì)面層的表面涂覆燒固光催化膜層的質(zhì)量 為2。6mg/ cm 2 ，能使光能催化除臭瓷磚產(chǎn)品具有很好的滅菌除 臭、凈化空氣的使用效果。
在瓷磚坯體的背面設(shè)置有粘貼凹腔，能使光能催化除臭瓷磚 牢固地粘貼于內(nèi)墻墻面，它特別方便于在進行公廁改造時的安裝操作作業(yè)，可有效防止瓷磚掉落，對延長使用壽命具有一定效果。 本實用新型具有如下優(yōu)點
1. 本實用新型的結(jié)構(gòu)特點是在瓷磚坯體釉質(zhì)面層表面所 燒固的光催化膜層是與外界空氣直接接觸的，它在自身并不消耗 損失的狀態(tài)下直接吸收光能進行光化學(xué)反應(yīng)，快速催化分解彌漫 于廁所內(nèi)的尿臊異味，具有殺菌除臭的持久效果。
2. 本實用新型生產(chǎn)技術(shù)要求不高、無需大宗專項設(shè)備投資 即能制造，生產(chǎn)成本低，產(chǎn)品使用壽命長、除臭效果持久穩(wěn)定。


圖1是本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2是圖1的A-A視圖。
具體實施方式
本實用新型提出的一種光能催化除臭瓷磚是按如下方式實 施的它按照常規(guī)瓷磚生產(chǎn)技術(shù)工藝，首先燒制瓷磚坯體3，在 瓷磚坯體3的背面設(shè)置有便于安裝的粘貼凹腔4，在瓷磚坯體3 的正面上釉燒制釉質(zhì)面層2，即可制成普通的釉面瓷磚。再按如 下重量配比稱取原料放入容器內(nèi)攪拌均勻制成光催化劑膜液 Ti021份， NaHC03 0. 02份，
H20 3.5份，CuS04 5H20 (K05份，
將制得的光催化劑膜液均勻涂覆于上述普通釉面瓷磚的釉 質(zhì)面層2的表面，待自然涼干后，送入窯內(nèi)在75(TC溫度下燒制 30分鐘，控制光催化膜層1的質(zhì)量為5mg/ cm 2 ，待出窯冷卻后 即可制得表面燒固有光催化膜層1的光能催化除臭瓷磚產(chǎn)品。
使用該光能催化除臭瓷磚產(chǎn)品對廁所進行改造的實施例
2008年10月，樂山潔宇納米應(yīng)用技術(shù)研究所在四川省犍為 縣對一學(xué)校教學(xué)綜合樓的廁所進行鋪裝本實用新型提出的光能 催化除臭瓷磚產(chǎn)品的改造工作在廁所鋪裝改造之前，雖然設(shè)有 專人負(fù)責(zé)每天集中沖水打掃3^4次，并裝配有連續(xù)水流沖洗管 道設(shè)施，但廁所內(nèi)一直彌漫濃厚的尿臊異味臭氣、熏鼻感覺嚴(yán)重， 經(jīng)檢測氨含量為5.4mg/ m3、硫化氫含量達0.01mg/ m3，嗅味 評價等級為4級以下。在廁所鋪裝改造完成后，已經(jīng)基本消除尿 臊異味，經(jīng)過檢測氨含量下降為0.72mg/m3、硫化氫的含量遠 遠小于0.01mg/ m3，嗅味評價等級達2級以上。全校師生和學(xué)生 家長對此反應(yīng)效果非常良好，并受到該縣教育主管部門的肯定。
權(quán)利要求1.一種光能催化除臭瓷磚，它包括瓷磚坯體(3)，在瓷磚坯體(3)的正面燒制釉質(zhì)面層(2)，其特征在于在釉質(zhì)面層(2)的表面燒固有光催化膜層(1)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光能催化除臭瓷磚，其特征在于 所說的光催化膜層(1)是在釉質(zhì)面層(2)的表面涂覆光催化劑 膜液后送入窯內(nèi)在700^85(TC溫度下燒固制成。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光能催化除臭瓷磚，其特征 在于在釉質(zhì)面層(2)的表面涂覆燒固光催化膜層(1)的質(zhì)量 為2。 6mg / cm 2 。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光能催化除臭瓷磚，其特征在于 在瓷磚坯體(3)的背面設(shè)置有粘貼凹腔(4)。
專利摘要本實用新型公開了一種光能催化除臭瓷磚，它是按常規(guī)瓷磚生產(chǎn)技術(shù)工藝，首先燒制瓷磚坯體并在正面燒制釉質(zhì)面層制成普通釉面瓷磚，再在瓷磚坯體的釉質(zhì)面層表面燒固光催化膜層，所燒固的光催化膜層是與外界空氣直接接觸的，它能吸收光能進行光化學(xué)反應(yīng)，快速催化分解彌漫于廁所內(nèi)的尿臊異味，具有殺菌除臭和凈化空氣的持久效果，它是一種理想的環(huán)保型建筑裝飾用瓷磚產(chǎn)品，特別適合在人流密集場合的學(xué)校、車站、賓館的廁所和旅游景區(qū)、城市地鐵、街道的公廁安裝使用，也可推廣使用于新農(nóng)村建設(shè)的“改廁改廚”工程。
文檔編號E04F13/08GK201301536SQ20082014159
公開日2009年9月2日 申請日期2008年11月21日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月21日
發(fā)明者柯玉章, 程蜀華 申請人:程蜀華;柯玉章