專利名稱：：電介體瓷器及層疊陶瓷電容器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及以鈦酸鋇為主成分的晶粒形成的電介體瓷器、和將其用作電介體層的層疊陶瓷電容器。
背景技術(shù)：
：近年來，伴隨移動電話等移動設備的普及、或作為計算機等的主要部件的半導體元件的高速、高頻化，對于搭載在這樣的電子設備的層疊陶瓷電容器，作為電源用途，小型、高電容化的要求逐漸提高，構(gòu)成層疊陶瓷電容器的電介體層尋求薄層化和高層疊化。還有，作為構(gòu)成層疊陶瓷電容器的電介體層用電介體瓷器，從以往開始，使用以鈦酸鋇為主成分的的介電常數(shù)材料。近年來，開發(fā)了向鈦酸鋇粉末中添加鎂、稀土類元素及釩等的氧化物粉末，使鎂或稀土類元素固溶在以鈦酸鋇為主成分的晶粒的表面附近的電介體瓷器，并作為層疊陶瓷電容器來實用化(例如，參照專利文獻l、2)。例如，在專利文獻l中，如上所述，使作為構(gòu)成電介體層的晶粒的主成分的鈦酸鋇中含有鎂、稀土類元素及釩等，在X射線衍射圖中，使(200)面的衍射線和(002)面的衍射線重疊一部分，形成為成為寬幅的衍射線的結(jié)晶結(jié)構(gòu)(所謂的芯殼結(jié)構(gòu))，由此改善絕緣破壞電壓或IR加速壽命等特性。另外，在專利文獻2中，通過將固溶在鈦酸鋇的釩的價數(shù)調(diào)節(jié)為接近四價的范圍，抑制在晶粒中存在的電子的移動的同時，抑制向鈦酸鋇的釩的過剩的擴散或釩化合物的析出，形成具備在晶粒中具有釩的適當?shù)臐舛忍荻鹊臍は嗟男練そY(jié)構(gòu)，由此在這種情況下，也實現(xiàn)壽命特性的提高。在此，晶粒的芯殼結(jié)構(gòu)是指作為晶粒的中心部的芯部、和作為外殼部的殼部形成物理、化學地不同的相的結(jié)構(gòu)，關(guān)于以鈦酸鋇為主成分的晶粒，是指芯部被具有正方晶系的結(jié)晶結(jié)構(gòu)的鈦酸鋇占據(jù)，殼部被具有立方晶系的結(jié)晶結(jié)構(gòu)的鈦酸鋇占據(jù)的狀態(tài)。專利文獻1特開平8—1247S5號公報專利文獻2特開2006—347799號公報然而，如上述專利文獻1、2所示，構(gòu)成電介體層的晶粒具有芯殼結(jié)構(gòu)的物質(zhì)存在在施加的電壓低的情況下，得到高的絕緣阻抗，但在增加施加的電壓時，絕緣阻抗的降低大的問題。另外，如上述專利文獻1、2所示，在將晶粒具有芯殼結(jié)構(gòu)的電介體瓷器作為電介體層具備的層疊陶瓷電容器中，由于電介體瓷器的絕緣阻抗的降低，導致在電介體層薄層化的情況下，難以滿足高溫負荷試驗中的壽命特性。
發(fā)明內(nèi)容從而，本發(fā)明的目的在于提供在施加的電壓低的情況下也得到高的絕緣阻抗且增加電壓時的絕緣阻抗的降低小的電介體瓷器，和將這樣的電介體瓷器作為電介體層具備，高溫負荷試驗中的壽命特性優(yōu)越的層疊陶瓷電容器。本發(fā)明的電介體瓷器，其具有以鈦酸鋇為主成分且含有釩的晶粒、和在該晶粒之間存在的晶界相，其特征在于，相對于構(gòu)成所述鈦酸鋇的鋇1摩爾，按V20s換算的情況下含有0.00050.03摩爾的釩，并且，在電介體瓷器的X射線衍射圖中，表示鈦酸鋇的正方晶系的(004)面的衍射強度大于表示鈦酸鋇的立方晶系的(400)面的衍射強度。另外，在所述晶粒中含有鎂也可。進而，相對于構(gòu)成所述鈦酸鋇的鋇1摩爾，按V20s換算的情況下含有0，00050.003摩爾的釩，按MgO換算的情況下含有00.001摩爾的鎂，按MnO換算的情況下含有00.005摩爾的錳，按肌203換算的情況下含有0.0040.015摩爾的選自釔、鏑、鈥及鉺中的一種稀土類元素(RE)也可。此時，所述鎂的含量按MgO換算的情況下為0摩爾也可，所述錳的含量按MnO換算的情況下為0摩爾也可。另外，相對于構(gòu)成所述鈦酸鋇的鋇1摩爾，進而按Tb407換算的情況下以0.003摩爾以下的范圍含有鋱也可。本發(fā)明的層疊陶瓷電容器，包括包括所述的電介體瓷器的電介體層、內(nèi)部電極層的層疊體。根據(jù)本發(fā)明的電介體瓷器可知，具有以鈦酸鋇為主成分且以規(guī)定的比例含有釩的晶粒、和在該晶粒之間存在的晶界相，在電介體瓷器的X射線衍射圖中，表示鈦酸鋇的正方晶系的(004)面的衍射強度大于表示鈦酸鋇的立方晶系的(400)面的衍射強度，由此具有在施加的電壓低的情況下，也得到高的絕緣阻抗，并且，增加電壓時的絕緣阻抗的降低小(即絕緣阻抗的電壓依賴性小)的效果。另外，在所述晶粒中含有鎂時，可以根據(jù)鎂的含量，使電介體瓷器的居里溫度在125'C以下的溫度范圍中容易地變化為任意的溫度。由此，能夠得到在期望的溫度附近具有最大的相對介電常數(shù)的電介體瓷器。進而，在上述本發(fā)明中，相對于鈦酸鋇，分別以規(guī)定的比例含有釩、鎂、能及稀土類元素(RE)時，絕緣阻抗高，相對于絕緣阻抗的電壓依賴性變小，并且為高介電常數(shù)，相對介電常數(shù)的溫度變化能夠滿足EIV規(guī)格的X7R特性。此時，鎂的含量在按MgO換算的情況下設為0摩爾時，能夠得到實現(xiàn)高介電常數(shù)且相對介電常數(shù)的溫度變化能夠滿足EIA規(guī)格的X7R特性，并且，在施加的電壓低的情況下得到高的絕緣阻抗，增加電壓時，絕緣阻抗變高，進而絕緣性優(yōu)越的電介體瓷器。另外，錳的含量在按MnO換算的情況下設為0摩爾時，能夠得到絕緣阻抗的電壓依賴性小的電介體瓷器，并且，能夠降低介電損失。本發(fā)明的層疊陶瓷電容器中作為電介體層使用上述電介體瓷器，因此，即使薄層化電介體層，也能夠確保高的絕緣性，故高溫負荷試驗中的壽命特性優(yōu)越。圖1是表示本發(fā)明的電介體瓷器的微結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖2(a)是表示實施例I中的試料No.I—4的X射線衍射圖的圖，(b)是作為比較例的試料No.I—37的X射線衍射圖。圖3是表示本發(fā)明的層疊陶瓷電容器的例子的剖面示意圖。具體實施例方式<第一實施方式>圖l是該實施方式的電介體瓷器的放大圖，是表示晶粒和晶界相的示意圖。該實施方式的電介體瓷器具有以鈦酸鋇為主成分的晶粒1;在該晶粒1之間存在的晶界相2，晶粒1含有釩。所述釩的大部分固溶于晶粒1中，電介體瓷器中的釩的含量相對于構(gòu)成鈦酸鋇的鋇1摩爾，按V205換算的情況下為0.00050.03摩爾。另外，在電介體瓷器的X射線衍射圖中，表示鈦酸鋇的正方晶系的(004)面的衍射強度比表示鈦酸鋇的立方晶系的(400)面的衍射強度大。通過將電介體瓷器設為上述組成，使構(gòu)成該電介體瓷器的晶粒l的結(jié)晶結(jié)構(gòu)成為X射線衍射圖的衍射強度的關(guān)系，能夠?qū)⒃趯γ繂挝缓穸仁┘拥闹绷麟妷旱闹底鳛?.1V及2.5V測定時的高溫(85°C)下的絕緣阻抗分別設為104Q。其結(jié)果，能夠?qū)γ繂挝缓穸仁┘拥闹绷麟妷旱闹底鳛?.1V及2.5V測定時的絕緣阻抗的降低率設為30%以下，進而，能夠?qū)⑾鄬殡姵?shù)設為2010以上。還有，在高溫(85°C)下測定絕緣阻抗是因為在室溫下施加電壓時，由于向電介體瓷器的吸收電流，在測定值上發(fā)生偏差，值不穩(wěn)定。只要每單位厚度的絕緣阻抗在85。C下為1040以上，就作為電介體瓷器，具有高絕緣性，因此，能夠適當?shù)貙崿F(xiàn)相對介電常數(shù)等介電特性。相反，若每單位厚度的絕緣阻抗在85t:下低于104Q，則由于絕緣破壞，不能適當?shù)氐玫浇殡娞匦?。進而，若對每單位厚度施加的直流電壓的值設為0.1V及2.5V測定時的絕緣阻抗的降低率為30%以下，則具有提高電介體瓷器的絕緣破壞電壓的優(yōu)點。另一方面，若對每單位厚度施加的直流電壓的值作為0.1V及2.5V測定時的絕緣阻抗的降低率大于30%,則電介體瓷器的絕緣破壞電壓降低，介電特性的變動相對于施加的電壓的變化來說大。其次，進行詳細地說明本發(fā)明的電介體瓷器的結(jié)晶結(jié)構(gòu)。就本發(fā)明的電介體瓷器來說，即使在晶粒l中固溶釩，大部分也由接近表示正方晶系的單相的晶界相占據(jù)。圖2的(a)是表示后述的實施例I中的本發(fā)明的電介體瓷器即試料No.I—4的X射線衍射圖的圖，(b)是比較例的電介體瓷器即試料No.I—37的X射線衍射圖。在此，在專利文獻1及專利文獻2中分別記載之類的以往的電介體瓷器的結(jié)晶機構(gòu)為芯殼結(jié)構(gòu)，相當于圖2的(b)的X射線衍射圖。艮P，在包括以鈦酸鋇為主成分，具有芯殼結(jié)構(gòu)的晶粒l的電介體瓷器中，在表示鈦酸鋇的正方晶系的(004)面及(400)面之間顯現(xiàn)的表示鈦酸鋇的立方晶系的(400)面((040)面、和(004)面重疊)的衍射強度比表示鈦酸鋇的正方晶系的(004)面的衍射強度大。另外，在包括表示芯殼結(jié)構(gòu)的晶粒的電介體瓷器中，相對于正方晶系的晶界相，立方晶系的晶界相的比例多，因此，結(jié)晶的各向異性變小。因此，在X射線衍射圖中，(400)面的衍射線向低角度側(cè)轉(zhuǎn)移，并且，(004)面的衍射線向高角度側(cè)轉(zhuǎn)移，兩個衍射線中相互至少一部分重疊，成為寬幅的衍射線。這樣的電介體瓷器是將向以鈦酸鋇為主成分的粉末中添加混合鎂或稀土類元素等的氧化物粉末的混合物成形后，將其還原燒成而形成的，但在這種情況下，具有芯殼結(jié)構(gòu)的晶粒l中芯部中的鎂或稀土類元素等成分的固溶量少，因此，在晶粒的內(nèi)部中為大量包含氧空穴等缺陷的狀態(tài)，故認為在施加了直流電壓的情況下，在晶粒的內(nèi)部中，氧空穴等容易成為運載電荷的載體，導致電介體瓷器的絕緣性降低。針對此，本發(fā)明的電介體瓷器如圖2的(a)所示，在電介體瓷器的X射線衍射圖中，表示鈦酸鋇的正方晶系的(004)面的衍射強度比表示鈦酸鋇的立方晶系的(400)面的衍射強度大。艮口，從圖2的(a)可知，本發(fā)明的電介體瓷器明確地顯現(xiàn)表示鈦酸鋇的正方晶系的(004)面(29=100°附近)、和(400)面(29=101°附近)的X射線衍射峰，在表示鈦酸鋇的正方晶系的這些(004)面及(400)面之間顯現(xiàn)的表示鈦酸鋇的立方晶系的(400)面((040)面、和(004)面重疊)的衍射強度比表示鈦酸鋇的正方晶系的(004)面的衍射強度小。尤其在本發(fā)明的電介體瓷器中，表示鈦酸鋇的正方晶系的(004)面的衍射強度設為Ixt，表示鈦酸鋇的立方晶系的(400)面的衍射強度設為Ixc時，Ixt/Ixc之比期望1.63.1，尤其期望2.23.1。由此，正方晶系的晶界相的比例變多，能夠進一步減小絕緣阻抗的變化率。這樣的本發(fā)明的電介體瓷器含有釩，也成為正方晶系的大致均一的晶界相。從而，那樣的晶粒l在整體中固溶釩。因此，在晶粒l的內(nèi)部，抑制氧空穴等缺陷的生成，運載電荷的載體少，故認為能夠抑制在施加了直流電壓時的電介體瓷器的絕緣性的降低。但是，相對于在本發(fā)明的電介體瓷器中含有的鋇1摩爾的釩的含量按、05換算的情況下少于0.0005摩爾的情況下，對每單位厚度(ljmi)施加的直流電壓的值作為0.1V及2.5V測定時的絕緣阻抗的降低率大于30%，另外，相對于鋇1摩爾的釩的含量按V20s換算的情況下多于0.03摩爾的情況下，對每單位厚度(l|nm)施加的直流電壓的值作為O.IV測定時的絕緣阻抗低于104Q。因此，本發(fā)明的電介體瓷器中相對于鋇l摩爾，按V205換算的情況下含有0.00050.03摩爾釩，更優(yōu)選含有0.0010.03摩爾。由此，能夠?qū)γ繂挝缓穸?"m)施加的直流電壓的值作為0.1V及2.5V測定時的絕緣阻抗的降低率抑制為27%以下。另外，在本發(fā)明的電介體瓷器中，期望在晶粒l中含有鎂。若在晶粒中含有鎂，則由于鎂的含量，能夠?qū)㈦娊轶w瓷器的居里溫度在125"C以下的溫度范圍內(nèi)變化為任意的溫度，由此能夠得到在期望的溫度附近具有最大的相對介電常數(shù)的電介體瓷器。例如，將在電介體瓷器中含有的鎂的含量相對于鋇1摩爾設為按MgO換算的情況下的0.010.03摩爾，則能夠在30120°C的范圍內(nèi)任意地調(diào)節(jié)居里溫度。另外，在本發(fā)明的電介體瓷器中，將釩作為必須成分，作為其他成分，含有鎂、稀土類元素及錳中至少一種也可，在那種情況下，其一部分或全部含在晶粒中為佳。還有，本發(fā)明中的居里溫度為在測定了相對介電常數(shù)的溫度特性的范圍(一6015(TC)中相對介電常數(shù)最大的溫度。其次，說明制造本發(fā)明的電介體瓷器的方法。首先，作為原料粉末，分別準備純度99%以上的BaC03粉末、Ti02粉末及V205粉末。還有，BaC03粉末及Ti02粉末調(diào)節(jié)為Ti相對于在BaC03粉末中含有的Bal摩爾成為0.981摩爾的范圍的組成。另外，V20s粉末相對于在BaC03粉末中含有的Bal摩爾配合為0.00050.03摩爾的比例。另外，作為添加劑，添加MgO粉末、稀土類元素的氧化物粉末及MnC03粉末的情況下，這些添加劑的粉末與BaC03粉末、1102粉末及V205粉末一同相對于在BaCCb粉末中含有的Bal摩爾如下所述地混合，艮口MgO粉末為0.03摩爾以下的比例，稀土類元素的氧化物粉末為0.06摩爾以下的比例，MnC03粉末為0.007摩爾以下的比例。其次，濕式混合上述原料粉末的混合物，將其干燥后，在溫度900120(TC下準煅燒，進行粉碎。若準煅燒溫度為90(TC以上，則具有提高向以鈦酸鋇為主成分的準煅燒粉末的釩的固溶的優(yōu)點，另一方面，若準煅燒溫度為1200'C以下，則抑制準煅燒粉末的異常粒生長，從而具有得到具有高的反應性的準煅燒粉末的優(yōu)點。然后，將準煅燒粉末成形為片狀，以常壓，在110(TC150(TC的溫度范圍中，在還原氣氛中進行燒成，由此能夠得到本發(fā)明的電介體瓷器。若燒成溫度為110(TC以上，則具有實現(xiàn)電介體瓷器的致密化的優(yōu)點。另一方面，若燒成溫度為150(TC以下，則抑制晶粒的異常粒生長，從而在這種情況下也具有實現(xiàn)致密化的優(yōu)點。圖3是表示本發(fā)明的層疊陶瓷電容器的例子的剖面示意圖。本發(fā)明的層疊陶瓷電容器在電容器主體10的兩端部設置有外部電極3，另外，電容器主體10包括電介體層5和內(nèi)部電極層7交替地層疊的層疊體10A。還有，重要的是電介體層5利用上述本發(fā)明的電介體瓷器來形成。還有，在圖3中，單純化而示出了電介體層5和內(nèi)部電極層7的層疊的狀態(tài)，但本發(fā)明的層疊陶瓷電容器形成電介體層5和內(nèi)部電極層7的層疊達到幾百層的層疊體。根據(jù)這樣的本發(fā)明的層疊陶瓷電容器可知，作為電介體層5，適用上述電介體瓷器，由此能夠得到即使薄層化電介體層5的情況下，也能夠確保高的絕緣性，高溫負荷試驗中的壽命特性優(yōu)越，且在高溫下也為高介電常數(shù)的層疊陶瓷電容器。在此，本發(fā)明的電介體瓷器的絕緣阻抗的電壓依賴性小，因此，適合具備電介體層5的厚度為2|im以下尤其lpm以下之類的薄層的電介體層的層疊陶瓷電容器。內(nèi)部電極層7從即使高層疊化也能夠抑制制造成本的方面來說，期望鎳(NO或銅(Cu)等賤金屬，尤其從實現(xiàn)與電介體層5的同時燒成的方面來說期望鎳(Ni)。外部電極3是例如燒接Cu或Cu和Ni的合金糊劑而形成。其次，說明層疊陶瓷電容器的制造方法。向上述原料粉末中添加含有聚乙烯縮丁醛或甲苯的有機載色劑，配制陶瓷漿料，其次，使用刮板法或模涂法等片成形法，將陶瓷漿料形成為陶瓷印刷電路基板。在這種情況下，陶瓷印刷電路基板的厚度從維持用于電介體層5的高電容化的薄層化、高絕緣性的方面來說優(yōu)選14pm。將矩形狀的內(nèi)部電極圖案印刷于得到陶瓷印刷電路基板而形成。成為內(nèi)部電極圖案的導體糊劑適合Ni、Cu或這些的合金粉末。重疊期望張數(shù)的形成有內(nèi)部電極圖案的陶瓷印刷電路基板，在其上下以使上下層成為相同張數(shù)的方式重疊多張未形成有內(nèi)部電極圖案的陶瓷印刷電路基板，由此形成片層疊體。在這種情況下，片層疊體中的內(nèi)部電極圖案在長邊方向上各錯開一半圖案。其次，將片層疊體切斷為格子狀，使內(nèi)部電極圖案的端部露出地形成電容器主體成形體。利用這樣的重疊方法，能夠形成為內(nèi)部電極圖案交替地露出在切斷后的電容器主體成形體的端面。將電容器主體成形體脫脂后，進行與上述電介體瓷器相同的燒成條件及弱還原氣氛中的熱處理，由此制作電容器主體。在該電容器主體的對置的端部涂敷外部電極糊劑，進行燒接，形成外部電極。另外，在該外部電極的表面形成有用于提高安裝性的鍍敷膜也無妨。<第二實施方式>在該實施方式的電介體瓷器中，相對于構(gòu)成所述鈦酸鋇的鋇1摩爾，按V205換算的情況下含有0.00050.003摩爾的鎂，按MgO換算的情況下含有00.001摩爾的鎂，按MnO換算的情況下含有00.005摩爾的錳，按貼203換算的情況下含有0.0040.015摩爾的選自釔、鏑、鈥及鉺的一種稀土類元素(RE)。另外，在電介體瓷器的X射線衍射圖中，表示正方晶系的鈦酸鋇的(004)面的衍射強度大于表示立方晶系的鈦酸鋇的(004)面的衍射強度。因此，能夠得到能夠使相對介電常數(shù)為2800以上，另外，相對介電常數(shù)的溫度變化滿足EIA規(guī)格的X7R特性，進而，對每單位厚度施加的直流電壓的值作為3.15V及12.5V測定時的絕緣阻抗均為108Q以上，且基本沒有絕緣阻抗的降低的電介體瓷器。另外，晶粒1的平均粒徑期望0.20.4pm，尤其期望0.260.37|im。由此，即使薄層化電介體瓷器，適用于層疊陶瓷電容器的電介體層，也能夠確保高的絕緣性，且能夠?qū)崿F(xiàn)高電容化，能夠減小相對介電常數(shù)的溫度依賴性，進而，能夠使介電損失為23%以下。在此，對于晶粒l的平均結(jié)晶粒徑如下所述地求出，即關(guān)于剖面拋光電介體瓷器的剖面的拋光面，將映出在透過電子顯微鏡的圖像取入計算機中，在其畫面上畫上對角線，對在所述對角線上存在的晶粒的輪廓進行圖像處理，求出各粒子的面積，算出置換為具有相同面積時的直徑，利用算出的晶粒約50個的平均值求出。如上所述，第二實施方式的電介體瓷器中，以鈦酸鋇為主成分，相對于構(gòu)成該鈦酸鋇的鋇1摩爾，按V205換算的情況下含有0.00050.003摩爾的鎂，按MgO換算的情況下含有00.001摩爾的鎂，按MnO換算的情況下含有00.005摩爾的錳，按處203換算的情況下含有0.0040.015摩爾的選自釔、鏑、欽及鉺的一種稀土類元素(RE)。另外，作為優(yōu)選的組成，以鈦酸鋇為主成分，相對于構(gòu)成該鈦酸鋇的鋇1摩爾，按￥205換算的情況下含有0.00050.003摩爾的鎂，按MnO換算的情況下含有0.005摩爾以下的錳，按RE203換算的情況下含有0.0040.015摩爾的選自釔、鏑、鈥及鉺的一種稀土類元素(RE)，并且鎂的含量在按MgO換算的情況下為0摩爾為佳。'通過將電介體瓷器形成為這樣的組成，能夠得到在施加的直流電壓對電介體層的每單位厚度(lpm)的3.15V和12.5V之間，絕緣阻抗顯示增加的傾向(正的變化)的高絕緣性的電介體瓷器。另外，作為其他優(yōu)選的組成，相對于構(gòu)成該鈦酸鋇的鋇1摩爾，按V20s換算的情況下含有0.00050.003摩爾的鎂，按虹203換算的情況下含有0.0040.015摩爾的選自釔、鏑、鈥及鉺的一種稀土類元素(RE)，并且，鎂的含量在按MgO換算的情況下為0摩爾，且錳的含量在按MnO換算的情況下為O摩爾為佳。由此，能夠進一步降低電介體瓷器的介電損失。另外，僅將錳設為O摩爾的情況下，也能夠得到具有優(yōu)越的高溫負荷壽命的電介體瓷器。還有，稀土類元素(RE)中釔、鏑、鈥及鉺在固溶于鈦酸鋇時，難以生成異相，得到高絕緣性。從提高電介體瓷器的相對介電常數(shù)的理由出發(fā)，更優(yōu)選釔。在此，相對于構(gòu)成鈦酸鋇的鋇1摩爾，鎂的含量為O摩爾，錳的含量為O摩爾是指在電介體瓷器中基本上不含有鎂及錳，例如，是指ICP發(fā)光光譜分析的檢測極限以下(0.5)ig/g以下)的量。進而，可以相對于構(gòu)成鈦酸鋇的鋇1摩爾，按1^407換算的情況下以0.003摩爾以下的范圍含有鋱。這樣，以規(guī)定的比例含有鋱的情況下，能夠提高電介體瓷器的絕緣阻抗，在將上述電介體瓷器適用于層疊陶瓷電容器的電介體層時，能夠進一步提高高溫負荷試驗中的壽命特性。若鋱的含量按化407換算的情況下多于0.003摩爾，則引起電介體瓷器的相對介電常數(shù)的降低，因此，優(yōu)選上述組成范圍。進而，期望第二實施方式的電介體瓷器在X射線衍射圖中，表示正方晶系的鈦酸鋇的(004)面的衍射強度比表示立方晶系的鈦酸鋇的(400)面的衍射強度大。在此，詳細地說明第二實施方式的電介體瓷器的結(jié)晶結(jié)構(gòu)的情況下，第二實施方式的電介體瓷器也又如上述圖2(a)所示的X射線衍射圖一樣，釩固溶于晶粒l中，大部分也由接近表示正方晶系的單相的晶界相占據(jù)。艮P，圖2(b)所示的包括以鈦酸鋇為主成分，具有芯殼結(jié)構(gòu)的晶粒的電介體瓷器中，在表示鈦酸鋇的正方晶系的(004)面及(400)面之間顯現(xiàn)的表示鈦酸鋇的立方晶系的(400)面((040)面、和(400)面面重疊)的衍射強度比表示鈦酸鋇的正方晶系的(004)面的衍射強度大。這樣的電介體瓷器是將向以鈦酸鋇為主成分的粉末中添加混合鎂或稀土類元素(RE)等的氧化物粉末的混合物成形后，將其還原燒成而形成的，但在這種情況下，具有芯殼結(jié)構(gòu)的晶粒中芯部中的鎂或稀土類元素(RE)等成分的固溶量少，因此，在晶粒的內(nèi)部中為大量包含氧空穴等缺陷的狀態(tài)，故認為在施加了直流電壓的情況下，在晶粒的內(nèi)部中，氧空穴12等容易成為運載電荷的載體，導致電介體瓷器的絕緣性降低。針對此，第二實施方式的電介體瓷器如圖2的(a)所示，在電介體瓷器的X射線衍射圖中，表示鈦酸鋇的正方晶系的(004)面的衍射強度比表示鈦酸鋇的立方晶系的(400)面的衍射強度大。艮P，從圖2的(a)可知，第二實施方式的電介體瓷器明確地顯現(xiàn)表示鈦酸鋇的正方晶系的(004)面(26=100°附近)、和(400)面(29=101°附近)的X射線衍射峰，在表示鈦酸鋇的正方晶系的這些(004)面及(400)面之間顯現(xiàn)的表示鈦酸鋇的立方晶系的(400)面的衍射強度比表示鈦酸鋇的正方晶系的(004)面的衍射強度小。在第二實施方式的電介體瓷器中，尤其表示鈦酸鋇的正方晶系的(004)面的衍射強度設為Ixt，表示鈦酸鋇的立方晶系的(400)面的衍射強度設為Ixc時，Ixt/Ixc之比期望1.42，尤其期望1.42。若Ixt/Ixc之比為1.42，則正方晶系的晶界相的比例變多，能夠進一步減小絕緣阻抗的變化率，能夠提高高溫負荷試驗中的壽命特性。這樣的第二實施方式的電介體瓷器含有釩，也成為正方晶系的大致均一的晶界相，因此，那樣的晶粒在整體中固溶釩或其他添加成分。因此，在晶粒的內(nèi)部，抑制氧空穴等缺陷的生成，運載電荷的載體少，故認為能夠抑制在施加了直流電壓時的電介體瓷器的絕緣性的降低。艮卩，第二實施方式的電介體瓷器中的氧空穴通過置換固溶在鈦位的釩原子與氧空穴進行電荷性結(jié)合，生成缺陷對而被電中和。因此，電場施加引起的對傳導的貢獻減少，因此，即使氧空穴存在，其移動率也降低，故認為阻礙高溫負荷試驗中的絕緣阻抗的降低。還有，在第二實施方式的電介體瓷器中，只要是能夠維持期望的介電特性，就可以作為用于提高燒結(jié)性的助劑，使玻璃成分以3質(zhì)量％以下的比例含在電介體瓷器中也可。其次，說明制造第二實施方式的電介體瓷器的方法。首先，作為原料粉末，準備純度為99%以上的鈦酸鋇粉末(以下稱為BT粉末)、作為添加成分的V205粉末和MgO粉末、以及丫203粉末、Dy20s粉末、Ho203粉末及Er203粉末中一種第一稀土類元素(RE)的氧化物粉末及MnCOs粉末。還有，在含有鋱的情況下，作為第二稀土類元素(RE)BT粉末的平均粒徑優(yōu)選0.050.15nm。若BT粉末的平均粒徑大于0.05pm，則晶粒l成為高結(jié)晶性，具有實現(xiàn)相對介電常數(shù)的提高的優(yōu)點。另一方面，若BT粉末的平均粒徑小于0.15iim，則使鎂、稀土類元素(RE)及錳等添加劑容易地固溶至晶粒l的內(nèi)部。另外，如后所述，具有提高燒成前后的、從BT粉末到晶粒1的粒生長的比率的優(yōu)點。關(guān)于添加劑的丫203粉末、Dy203粉末、Ho203粉末及Er203粉末中一種第一稀土類元素(RE)的氧化物粉末、Tb407粉末、V205粉末、MgO粉末、及MnCOs粉末，也使用平均粒徑與BT粉末相等或其以下的粉末的情況下，提高分散性的基礎上優(yōu)選。其次，對于這些原料粉末，相對于構(gòu)成BT粉末的鋇1摩爾，以0.00050.003摩爾的比例配合V205粉末，以00.001摩爾的比例配合Mg0粉末，以00.005摩爾的比例配合MnC03粉末，以按1^203換算的情況下的0.0040.015摩爾的比例配合選自&03粉末、Dy203粉末、HoA粉末及Er203粉末的一種第一稀土類元素(RE)，成形為期望的形狀后，將該成形體脫脂，然后在還原氣氛中燒成。還有，在制造本發(fā)明的電介體瓷器時，只要是能夠維持期望的介電特性的范圍，就可以作為燒結(jié)助劑，添加玻璃粉末，其添加量在將作為主要原料粉末的BT粉末的總計量設為100質(zhì)量份時0.52質(zhì)量份為佳。燒成溫度根據(jù)使用玻璃粉末等燒結(jié)助劑的情況和不那樣的情況而不同，但從向BT粉末的添加劑的固溶、和控制晶粒的粒生長的理由來說，適合10501200°C。為了得到所述電介體瓷器，使用微粒的BT粉末，向其中添加規(guī)定量的上述添加劑，以上述溫度燒成，由此以使含有各種添加劑的BT粉末的平均粒徑在燒成前后成為兩倍以上的方式燒成。認為通過以使燒成后的晶粒的平均粒徑成為含有釩或其他添加劑的BT粉末的平均粒徑的兩倍以上的方式燒成，晶粒1在整體上含有釩或其他添加成分，其結(jié)果，在晶粒的內(nèi)部中，抑制氧空穴等缺陷的生成，形成運載電荷的載體少的狀態(tài)。另外，在燒成后，再次在弱還原氣氛中進行熱處理。該熱處理是為了再次氧化在還原氣氛中的燒成中還原的電介體瓷器，恢復在燒成時還原而降低的絕緣阻抗而進行，其溫度從抑制晶粒1的進一步的粒生長，同時，提高再次氧化量的理由來說，優(yōu)選9001100°C。這樣可以形成在晶粒1中由高絕緣性的晶粒形成的電介體瓷器。另外，將該電介體瓷器形成為電介體層，得到與在第一實施方式中說明且圖3所示的相同的層疊陶瓷電容器。根據(jù)該實施方式的層疊陶瓷電容器可知，作為電介體層5，適用上述電介體瓷器，由此實現(xiàn)高介電常數(shù)且相對介電常數(shù)的溫度變化滿足EIA規(guī)格的X7R特性，即使薄層化電介體層5，也能夠確保高的絕緣性，能夠得到高溫負荷試驗中的壽命特性優(yōu)越的層疊陶瓷電容器。在此，從小型高電容化層疊陶瓷電容器的方面來說，優(yōu)選電介體層5的厚度為3Mm以下，尤其優(yōu)選2.5pm以下，進而在本發(fā)明中，為了靜電電容的不均及電容溫度特性的穩(wěn)定化，電介體層5的厚度更期望lpm以上。內(nèi)部電極層7從即使高層疊化，也能夠抑制制造成本的方面來說，期望鎳(Ni)或銅(Cu)等賤金屬，尤其從實現(xiàn)與本發(fā)明中的電介體層1的同時燒成的方面來說，更期望鎳(Ni)。外部電極4是例如燒接Cu或Cu和Ni的合金糊劑而形成。其次，說明層疊陶瓷電容器的制造方法。向上述原材料粉末中添加專用的有機載色劑，配制陶瓷漿料，其次，使用刮板法或模涂法等片成形法，將陶瓷漿料形成為陶瓷印刷電路基板。在這種情況下，陶瓷印刷電路基板的厚度從用于電介體層的高電容化的薄層化，維持高絕緣性的方面來說優(yōu)選14,。其次，在得到的陶瓷印刷電路基板的主面上印刷矩形狀的內(nèi)部電極圖案。成為內(nèi)部電極圖案的導體糊劑適合Ni、Cu或這些的合金粉末。其次，重疊期望張數(shù)的形成有內(nèi)部電極圖案的陶瓷印刷電路基板，在其上下以使上下層成為相同張數(shù)的方式重疊多張未形成有內(nèi)部電極圖案的陶瓷印刷電路基板，由此形成片層疊體。在這種情況下，片層疊體中的內(nèi)部電極圖案在長邊方向上各錯開一半圖案。將片層疊體切斷為格子狀，使內(nèi)部電極圖案的端部露出地形成電容器主體成形體。利用這樣的重疊方法，能夠形成為內(nèi)部電極圖案交替地露出在切斷后的電容器主體成形體的端面。將電容器主體成形體脫脂后，進行與上述電介體瓷器相同的燒成條件及弱還原氣氛中的熱處理，由此制作電容器主體。在該電容器主體的對置的端部涂敷外部電極糊劑，進行燒接，形成外部電極3。另外，在該外部電極3的表面形成有用于提高安裝性的鍍敷膜也無妨。以下，說明本發(fā)明的實施例，但本發(fā)明的不限定于以下的實施例。[實施例I]如下所述地制作電介體瓷器。首先，準備純度均為99.9。/。的BaC03粉末、Ti02粉末、V205粉末、MgO粉末、Y203粉末、Dy203粉末、Ho203粉末、Er203粉末、及MnC03粉末，按表1所示的比例調(diào)合，配制混合粉末。表1、2所示的量是相當于所述元素的氧化物換算量的量。其次，在溫度100(TC下準煅燒混合粉末，粉末準煅燒粉末。然后，將混合粉末造粒，成形為直徑16.5mm、厚度0.7mm的形狀的片狀(^k、;/卜狀)。在氫一氮的氣氛中，以130(TC燒成各組成的片。關(guān)于制作的試料，進行以下的評價。首先，使用X射線衍射(20二99lO2。、Cu—Ka)，進行晶界相的同定，其次，求出表示鈦酸鋇的正方晶系的(004)面的衍射強度(Ixt)、和表示立方晶系的(400)面的衍射強度(Ixc)之比(Ixt/Ixc)。其次，關(guān)于燒成的試料，評價相對介電常數(shù)、居里溫度及絕緣阻抗。首先，在燒成后的片的表面的整個面印刷銦、鎵的導體層。其次，關(guān)于作為制作的電介體瓷器的這些試料，使用LCR測量儀4284A，在85t:的溫度下，以頻率1.0kHz、輸入信號電平l.OV測定靜電電容，由試料的直徑和厚度及導體層的面積算出相對介電常數(shù)。居里溫度是在一6015(TC的范圍內(nèi)對各試料測定靜電電容，靜電電容最大的溫度。對于絕緣阻抗，在溫度85"C下，以O.1V/Wn及2.5V/Mra的條件測定，由相對于0.1V/陶的條件下的測定值的2.5V/to的條件下的測定值之比求出絕緣阻抗的變化率，評價絕緣阻抗的電壓依賴性。試料的組成分析是利用ICP分析或原子吸光分析來進行。在這種情況下，將得到的電介體瓷器與硼酸、碳酸鈉混合，使其熔融，將熔融物溶解于鹽酸中，首先，利用原子吸光分析，進行在電介體瓷器中含有的元素的定性分析，其次，關(guān)于特定的各元素，將稀釋了標準液的溶液作為標準試料，經(jīng)過ICP發(fā)光光譜分析，進行定量化。另外，將各元素作為按照周期表所示的族的價數(shù)來求出氧量。表1中示出調(diào)合組成和燒成溫度，表2中示出燒結(jié)體中的各元素的氧化物換算下的組成，表3中示出特性的結(jié)果。<table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage20</column></row><table>*標記表示本發(fā)明的范圍外的試料。**;使用作為原料粉末合成的BaTJ03粉末。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage21</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage22</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage23</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage24</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage25</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage26</column></row><table>.Ixt/IXC比小于1的值是表示正方晶系的(004)面的衍射強度小于表示立方晶系的(400)面的衍射強度的情況。※(2.5V/jjm下的絕緣阻抗/電壓O.1V/pm下的絕緣阻抗)xl00200880012786.1勢溢1被25/45:a;從表13的結(jié)果明確可知，相對于構(gòu)成鈦酸鋇的鋇1摩爾，按V205換算的情況下含有0.00050.03摩爾的釩，并且，在電介體瓷器的X射線衍射圖中，表示鈦酸鋇的正方晶系的(004)面的衍射強度大于表示鈦酸鋇的立方晶系的(400)面的衍射強度的本發(fā)明的試料No.I—26、817、1922及2435中，對每單位厚度施加的直流電壓的值作為0.IV及2.5V測定時的絕緣阻抗為IOW以上(在表3中，用在尾數(shù)部(仮數(shù))和指數(shù)部之間插入E的指數(shù)標記來表示)，對每單位厚度施加的直流電壓的值作為0.IV及2.5V測定時的絕緣阻抗的降低率為30%以下。另外，居里溫度為3012(TC，高溫(85°C)下的相對介電常數(shù)為2010以上。在所述晶粒中含有鎂的試料No.I—810、1922、2429、31及32中，電介體瓷器的居里溫度為3012(TC的范圍，能夠?qū)?5'C下的相對介電常數(shù)最高提高至7700。因此可知，通過調(diào)節(jié)鎂的含量，能夠?qū)㈦娊轶w瓷器的居里溫度以125t:以下的范圍容易地控制。另外，相對于構(gòu)成鈦酸鋇的鋇1摩爾，按V20s換算的情況下含有0.0010.03摩爾的釩的試料No.1-36、817、1922、2435中，對每單位厚度施加的直流電壓的值作為0.IV及2.5V測定時的絕緣阻抗為3X1C)4Q以上，另外，對每單位厚度施加的直流電壓的值作為O.1V及2.5V測定時的絕緣阻抗的降低率小于27%。相對于此，本發(fā)明的范圍外的試料No.I—l、7、18、23、36及37中，對每單位厚度施加的直流電壓的值作為0.IV及2.5V測定時的絕緣阻抗低于104Q，或?qū)γ繂挝缓穸?l陶)施加的直流電壓的值作為O.1V及2.5V測定時的絕緣阻抗的降低率大于30%。尤其，作為主成分，使用預先合成的鈦酸鋇粉末，向其中添加VA等添加劑而配制的試料No.1—37中，對每單位厚度施加的直流電壓的值作為0.IV及2.5V測定時的絕緣阻抗的降低率為52%，絕緣阻抗的降低率比本發(fā)明的試料大。另外，居里溫度為125°C，高溫下的相對介電常數(shù)為1760，也比本發(fā)明的試料低。首先，作為原料粉末，準備BT粉末、MgO粉末、￥203粉末、Dy203粉末、Ho203粉末、Er203粉末、Tb407粉末(作為第二稀土類元素)、MnC03粉末及V20s粉末，相對于BT粉末100摩爾，以28表4、5所示的比例混合這些各種粉末。這些原料粉末使用純度為99.9%的粉末。還有，對于BT粉末的平均粒徑，關(guān)于試料No.11—149、52及53，使用0.l陶的BT粉末，關(guān)于試料No.50及51，使用平均粒徑為0.25m的BT粉末，關(guān)于試料No.11—54、55，使用平均粒徑為0.12Mm的BT粉末。MgO粉末、Y20s粉末、Dy203粉末、Ho203粉末、Er203粉末、Tb407粉末、MnC03粉末及￥205粉末使用平均粒徑為0.lMm的粉末。燒結(jié)助劑使用Si02=55、BaO=20、CaO=15、Li2O=10(摩爾％)組成的玻璃粉末。玻璃粉末的添加量相對于BT粉末100質(zhì)量份為l質(zhì)量份。再次使用直徑5mm的氧化鋯球，作為溶媒使用甲苯和乙醇的混合溶媒，濕式混合這些原料粉末。向濕式混合的粉末中添加聚乙烯縮丁醛樹脂及甲苯和乙醇的混合溶媒，相同地適用5mm的氧化鋯球，進行濕式混合，配制陶瓷漿料，利用刮板法，制作厚度2.5to的陶瓷印刷電路基板。其次，在該陶瓷印刷電路基板的上表面形成多個以Ni為主成分的矩形狀的內(nèi)部電極圖案。在內(nèi)部電極圖案中使用的導體糊劑中，添加平均粒徑0.3陶的Ni粉末，將作為共通材料使用于印刷電路基板的BT粉末相對于Ni粉末100質(zhì)量份添加30質(zhì)量份。層疊360張印刷有內(nèi)部電極圖案的陶瓷印刷電路基板，在其上下分別層疊20張未印刷內(nèi)部電極圖案的陶瓷印刷電路基板，使用壓力機以溫度6CTC、壓力107pa、時間10分鐘的條件一并層疊，切斷為規(guī)定的尺寸。其次，在大氣中，以30(TC對層疊成形體進行脫粘合劑處理，其次，在氫一氮中，以1050120(TC燒成2小時后，接著，在氮氣氛中以1000'C進行4小時再次氧化處理，制作電容器主體。該電容器主體的大小為0.95X0.48X0.48mm3，電介體層的厚度為2陶，內(nèi)部電極層的一層的有效面積為O.3mm2。還有，有效面積是指分別露出在電容器主體的不同的端面地形成的內(nèi)部電極層之間重疊的部分的面積。在用滾筒拋光燒成的電容器主體后，在電容器主體的兩端部涂敷含有Cu粉末和玻璃的外部電極糊劑，在85(TC下進行燒接，形成外部電極。然后，使用電解滾筒機，在該外部電極的表面依次進行Ni鍍敷及Sn鍍敷，制作層疊陶瓷電容器。29關(guān)于得到的層疊陶瓷電容器，進行以下的評價。在的評價中，將試料數(shù)均設為10個，求出平均值。相對介電常數(shù)是在溫度25'C、頻率1.0kHz、測定電壓1Vrms的測定條件下測定靜電電容，由電介體層的厚度和內(nèi)部電極層的有效面積求出。另外，對于相對介電常數(shù)的溫度特性，在一55125。C的范圍中測定靜電電容。在直流電壓3.15V/pim及12.5Vm的條件下評價絕緣阻抗(在表5、6中，用在尾數(shù)部和指數(shù)部之間插入E的指數(shù)標記來表示)。高溫負荷試驗在溫度17(TC下，施加電壓30V(15V/Mm)的條件下進行。高溫負荷試驗中的試料數(shù)設為各試料20個。對于晶粒的平均結(jié)晶粒徑如下所述地求出，即關(guān)于剖面拋光電介體瓷器的剖面的拋光面，將映出在透過電子顯微鏡的圖像取入計算機中，在其畫面上畫上對角線，對在所述對角線上存在的晶粒的輪廓進行圖像處理，求出各粒子的面積，算出置換為具有相同面積時的直徑，作為算出的晶粒約50個的平均值求出。另外，評價自電介體粉末的粒生長的比例。另外，表示正方晶系的鈦酸鋇的(004)面的衍射強度、和表示立方晶系的鈦酸鋇的(400)面的衍射強度之比的測定如下所述，即使用具備Cukci的管球的X射線衍射裝置，以角度29=99102°的范圍測定，測定峰強度之比而求出。另外，利用工CP分析或原子吸光分析來進行得到的燒結(jié)體即試料的組成分析。將得到的電介體瓷器與硼酸、碳酸鈉混合，使其熔融，將熔融物溶解于鹽酸中，首先，利用原子吸光分析，進行在電介體瓷器中含有的元素的定性分析，其次，關(guān)于特定的各元素，將稀釋了標準液的溶液作為標準試料，經(jīng)過ICP發(fā)光光譜分析，進行定量化。另外，將各元素作為按照周期表所示的族的價數(shù)來求出氧量。表4、5中示出調(diào)合組成和燒成溫度，表6、7中示出燒結(jié)體中的各元素的氧化物換算下的組成，表8、9中示出特性的結(jié)果。<table>tableseeoriginaldocumentpage31</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage32</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage33</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage34</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage35</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage36</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage37</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage38</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage39</column></row><table>表8<table>tableseeoriginaldocumentpage40</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage41</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage42</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage43</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage44</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage45</column></row><table>**;表示正方晶系的(004)面的衍射強度設為lxt，表示立方晶系的(400)面的衍射強度設為lxc時的lxt/lxc比。-1"/^0比大于1的值是表示正方晶系的(004)面的衍射強度大于表示立方晶系的(400)面的衍射強度的情況。.Ixt/lxc比小于1的值是表示正方晶系的(004)面的衍射強度小于表示立方晶系的(400)面的衍射強度的情況。***;O:滿足X7R的情況、x:不滿足X7R的情況。#絕緣阻抗是在尾數(shù)部和指數(shù)部之間插入E的指數(shù)標記來示出。從表49的結(jié)果明確可知，包括以鈦酸鋇為主成分的晶粒，相對于構(gòu)成鈦酸鋇的鋇1摩爾，按V20s換算的情況下含0.00050.003摩爾的釩，按MgO換算的情況下含有00.001摩爾的鎂，按MnO換算的情況下含有00.005摩爾的錳，按RE203換算的情況下含有0.0040.015摩爾的選自釔、鏑、鈥及鉺的一種稀土類元素(RE)，在電介體瓷器的X射線衍射圖中，表示正方晶系的鈦酸鋇的(004)面的衍射強度比表示立方晶系的鈦酸鋇的(400)面的衍射強度大的本發(fā)明的試料No.II—215、1838、4042、44、45及4852中，相對介電常數(shù)為2800以上，相對介電常數(shù)的溫度變化滿足EIA規(guī)格的X7R特性，沒有對每單位厚度(lto)施加的直流電壓的值作為3.15V及12.5V測定時的絕緣阻抗的降低，能夠得到絕緣阻抗的電壓依賴性更小的電介體瓷器。另外，高溫負荷試驗中的壽命特性在170。C、15V/Mm的條件下為50小時以上。另外，以鈦酸鋇為主成分，相對于構(gòu)成該鈦酸鋇的鋇1摩爾，按V20s換算的情況下含0.00050.003摩爾的釩，按MnO換算的情況下含有00.005摩爾的錳，按RE203換算的情況下含有0.0040.015摩爾的選自釔、鏑、鈥及鉺的一種稀土類元素(RE)，鎂在按MgO換算的情況下為0摩爾的試料No.II—4、7、1015、20、23、26、2938、4045及4852中，能夠得到在施加的直流電壓對電介體層的每單位厚度(l陶)的3.15V和12.5V之間，絕緣阻抗顯示增加的傾向(正的變化)的高絕緣性的電介體瓷器。另外，以鈦酸鋇為主成分，相對于構(gòu)成該鈦酸鋇的鋇100摩爾，按V205換算的情況下含0.00050.003摩爾的釩，按REA換算的情況下含有0.0040.015摩爾的選自釔、鏑、鈥及鉺的一種稀土類元素(RE)，鎂在按MgO換算的情況下為0摩爾，錳在按MnO換算的情況下為0摩爾的試料No.II—IO、2933中，關(guān)于含有相同量的釩及稀土類元素(RE)的試料對比的情況下，與含有鎂及錳的電介體瓷器即試料No.11—29及試料No.1I—1828相比，能夠降低介電損失。另外，相對于構(gòu)成鈦酸鋇的鋇1摩爾，VA換算的情況下含0.00050.003摩爾的釩，按RE203換算的情況下含有0.0040.015摩爾的選自釔、鏑、鈥及鉺的一種稀土類元素(RE)，按MgO換算的情況下含有00.00146摩爾的鎂，按Mn0換算的情況下含有00.005摩爾的錳，按TbA換算的情況下含有0.00050.003摩爾的鋱的試料No.11—1832、3438中，與不含有鋱的試料No.II—29、1115相比，能夠提高電介體瓷器的絕緣阻抗，將上述電介體瓷器適用于層疊陶瓷電容器的電介體層時，高溫負荷試驗中的壽命特性進一步提高。權(quán)利要求1.一種電介體瓷器，其具有以鈦酸鋇為主成分且含有釩的晶粒和在該晶粒之間存在的晶界相，其特征在于，相對于構(gòu)成所述鈦酸鋇的鋇1摩爾，按V2O5換算的情況下含有0.0005～0.03摩爾的釩，并且，在電介體瓷器的X射線衍射圖中，表示鈦酸鋇的正方晶系的(004)面的衍射強度大于表示鈦酸鋇的立方晶系的(400)面的衍射強度。2.根據(jù)權(quán)利要求l所述的電介體瓷器，其特征在于，在所述晶粒中含有鎂。3.根據(jù)權(quán)利要求l所述的電介體瓷器，其特征在于，相對于構(gòu)成所述鈦酸鋇的鋇1摩爾，按V20s換算的情況下含有0.00050.003摩爾的釩，按MgO換算的情況下含有00.001摩爾的鎂，按MnO換算的情況下含有00.005摩爾的錳，按虹203換算的情況下含有0.0040.015摩爾的選自釔、鏑、鈥及鉺中的一種稀土類元素RE。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電介體瓷器，其特征在于，所述鎂的含量按MgO換算的情況下為0摩爾。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電介體瓷器，其特征在于，所述錳的含量按MnO換算的情況下為0摩爾。6.根據(jù)權(quán)利要求35中任一項所述的電介體瓷器，其特征在于，相對于構(gòu)成所述鈦酸鋇的鋇1摩爾，進而按Tb407換算的情況下以0.003摩爾以下的范圍含有鋱。7.—種層疊陶瓷電容器，其特征在于，包括含有權(quán)利要求16中任一項所述的電介體瓷器的電介體層和內(nèi)部電極層的層疊體。全文摘要本發(fā)明提供在施加的電壓低的情況下也得到高的絕緣阻抗，并且，增加電壓時的絕緣阻抗的降低小的電介體瓷器、和作為電介體層具備這樣的電介體瓷器，高溫負荷試驗中的壽命特性優(yōu)越的層疊陶瓷電容器。該電介體瓷器具有以鈦酸鋇為主成分且含有釩的晶粒、和在該晶粒之間存在的晶界相，相對于構(gòu)成所述鈦酸鋇的鋇1摩爾，按V₂O₅換算的情況下含有0.0005～0.03摩爾的釩，并且，在電介體瓷器的X射線衍射圖中，表示鈦酸鋇的正方晶系的(004)面的衍射強度大于表示鈦酸鋇的立方晶系的(400)面的衍射強度。文檔編號C04B35/46GK101663252SQ20088001278公開日2010年3月3日申請日期2008年3月21日優(yōu)先權(quán)日2007年4月20日發(fā)明者東勇介,山崎洋一申請人:京瓷株式會社