專利名稱：：處理半導(dǎo)體加工部件的方法及由之形成的部件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明總體涉及在制造半導(dǎo)體環(huán)境中使用的半導(dǎo)體加工部件的處理方法，以及由之形成的半導(dǎo)體加工部件。
背景技術(shù)：
：在半導(dǎo)體加工領(lǐng)域，通常的集成電路器件是通過各種晶片加工技術(shù)來形成的，加工中，半導(dǎo)體(主要是硅)晶片通過不同的工位和工具進(jìn)行加工處理。這些加工操作包括，例如，高溫?cái)U(kuò)散、熱處理、離子注入、退火、光刻、拋光、沉積等。隨著新型半導(dǎo)體器件的研制，行業(yè)內(nèi)迫切需要在這樣的加工過程中達(dá)到越來越高的純度。此外，一直需要轉(zhuǎn)向越來越大的半導(dǎo)體晶片。目前，半導(dǎo)體行業(yè)處于從200mm向300mm晶片的轉(zhuǎn)變。對更高純度和更大晶片的需求導(dǎo)致對下一代生產(chǎn)加工的綜合挑戰(zhàn)。本文中，已發(fā)現(xiàn)，隨晶片尺寸增大，由晶片質(zhì)量和表面積的增大引起的重力應(yīng)力導(dǎo)致被理解為半導(dǎo)體晶片中的晶面滑移(slip)。晶面滑移本身表現(xiàn)為晶片中的滑動線，導(dǎo)致器件產(chǎn)出隨晶片尺寸增大而成比例下降，并且一定程度地削弱大表面積晶片的成本優(yōu)勢。試圖減小結(jié)晶滑差，在加工期間需要更完全支持晶片。一種方法是對半導(dǎo)體加工部件進(jìn)行機(jī)加工，特別在與加工部件晶片接觸的那些部分上提供光滑的光潔度(finish)。這樣的加工部件包括例如半導(dǎo)體晶片夾具、水平和垂直晶片舟皿和晶片載體。通常，通過將縫隙加工到晶片載體或夾具內(nèi)來達(dá)到提高表面光潔度。雖然利用現(xiàn)有技術(shù)能夠在半導(dǎo)體加工部件上加工出合適的表面光潔度，但是會出現(xiàn)其他問題，特別是純度下降以及附帶對加工部件污染增加。US6，093，644公開一種方法，該方法中進(jìn)行氧化步驟，隨后除去氧化層。但是，其中公開的這種技術(shù)并煤油適當(dāng)?shù)卣撌龅揭恍┪廴締栴}，并且集中在部件的整體雜質(zhì)水平，而不是部件的關(guān)鍵部分的雜質(zhì)水平。盡管在本行業(yè)內(nèi)的改進(jìn)提出了對下一代純度的關(guān)心以及更大尺寸半導(dǎo)體晶片相關(guān)的加工問題，本領(lǐng)域仍需要進(jìn)一步改進(jìn)半導(dǎo)體加工部件，形成這樣部件的方法以及加工半導(dǎo)體晶片的方法。在其他應(yīng)用中，不需要機(jī)加工或這種加工是任選的，如在沒有固定的半導(dǎo)體加工部件如通過CVD(化學(xué)氣相沉積)形成的SiC部件的情況。雖然通常認(rèn)為CVD形成的SiC部件已具有用于半導(dǎo)體加工操作的異常特性，本領(lǐng)域仍需要進(jìn)一步改進(jìn)了的部件及其形成和使用方法。
發(fā)明內(nèi)容根據(jù)本發(fā)明第一方面，一個實(shí)施方式按需要提供了對半導(dǎo)體加工部件的進(jìn)行處理的方法。根據(jù)該方法，使半導(dǎo)體加工部件處于升溫下的鹵素氣體中，氧化形成氧化層。形成氧化層后，除去該氧化層。根據(jù)另一個實(shí)施方式，提供從半導(dǎo)體加工部件除去污染物的方法，該方法中，污染物在升溫下反應(yīng)，形成反應(yīng)產(chǎn)物，部件被氧化，形成氧化層，然后再除去該氧化層。根據(jù)另一個實(shí)施方式，提供半導(dǎo)體加工部件。這種半導(dǎo)體加工部件含有碳化硅，沿部件外部，采用SIMS(次級離子質(zhì)譜學(xué))深度剖析法(profiling)，在外表面之下10nm深度測定，其表面粗糙度Ra小于約2微米，雜質(zhì)含量小于約1000ppm。所述外部部分從部件露出的外表面延伸到露出的外表面之下約0.5微米深度。外部部分可以沿部件外表面的一部分延伸，或者在部件的基本上全部外表面上延伸d根據(jù)另一個實(shí)施方式，提供半導(dǎo)體加工部件，所述部件具有經(jīng)機(jī)加工表面，沿部件外表面的雜質(zhì)含量小于約1000ppm，外部部分如上面所述。根據(jù)另一個實(shí)施方式，提供用于接受半導(dǎo)體晶片的半導(dǎo)體加工部件。在此實(shí)施方式中，加工部件配置成與半導(dǎo)體晶片接觸并接受一個半導(dǎo)體晶片。部件的表面粗糙度Ra小于約2微米，沿部件的外部部分雜質(zhì)含量小于約1000ppm。根據(jù)本發(fā)明第二方面，另一個實(shí)施方式按需要提供了一個半導(dǎo)體加工部件，所述部件包含碳化硅，其中，部件的外表面部分具有表面雜質(zhì)水平和體雜質(zhì)(bulkimpurity)水平。較好地，表面雜質(zhì)水平不大于體雜質(zhì)水平的10倍。根據(jù)另一個實(shí)施方式，提供了對半導(dǎo)體加工部件進(jìn)行處理的方法。該方法開始時首先通過化學(xué)氣相沉積碳化硅，形成半導(dǎo)體加工部件的外表面部分，該外表面部分具有體雜質(zhì)水平和表面雜質(zhì)水平。再除去外表面部分的目標(biāo)部分，使表面雜質(zhì)水平不大于體雜質(zhì)水平的10倍。根據(jù)另一個實(shí)施方式，提供了對半導(dǎo)體加工部件進(jìn)行處理的方法。該方法包括首先通過化學(xué)氣相沉積碳化硅，形成半導(dǎo)體加工部件的外表面部分。該外表面部分具有整體雜質(zhì)水平和表面雜質(zhì)水平。然后，該方法繼以除去外表面部分的目標(biāo)部分，使得表面雜質(zhì)水平降低至少io倍。參照附圖，能更好理解本發(fā)明，本發(fā)明的多種特征和優(yōu)點(diǎn)對本領(lǐng)域技術(shù)人員而言是顯而易見的。圖1說明本發(fā)明的一個實(shí)施方式，即晶片舟皿或載體。圖2和圖3說明在兩個不同商業(yè)獲得的沉積設(shè)備中形成的CVD-SiC膜的深度剖面的雜質(zhì)分布。圖4說明使用高污染物量的反應(yīng)氣體形成的CVD-SiC膜的深度剖析的雜質(zhì)分布。圖5說明在最初清潔步驟之前和之后的CVD-SiC層的深度剖析的雜質(zhì)分布。圖6說明經(jīng)過兩個清潔周期所得的另一個相對較低雜質(zhì)的CVD-SiC層的樣品的深度剖析的雜質(zhì)分布。在不同圖中使用相同的參照符號來表示類似或相同的項(xiàng)目。本發(fā)明的實(shí)施方式根據(jù)本發(fā)明第一方面，是對半導(dǎo)體加工部件進(jìn)行處理的方法的實(shí)施方式。進(jìn)行處理的半導(dǎo)體加工部件選自用于不同加工操作下的不同幾何構(gòu)形，所述部件可構(gòu)造成用來接受不同尺寸的晶片，無論150mm，200mm，或更新一代的例如300mm晶片。具體的加工部件包括半導(dǎo)體晶片槳、處理管、晶片舟、襯墊(liner)、支架、長舟、懸臂棒、晶片載體、垂直加工室和相等仿真(evendummy)晶片。前述中，一些半導(dǎo)體加工部件可以構(gòu)造成與半導(dǎo)體晶片直接接觸并用于接受該半導(dǎo)體晶片，如水平或垂直晶片舟皿，長舟皿，和自由選定(free-standing)的CVDSiC晶片的基座。此外，加工部件可以構(gòu)造成用于單個晶片處理，并可用于密閉室(chambers),聚焦環(huán)、懸掛環(huán)，晶片基座(wafersusceptor)，底座(pedestal)等。半導(dǎo)體加工部件可釆用各種技術(shù)制造。例如，根據(jù)一個實(shí)施方式，加工部件可由碳化硅基材形成，該基材用熔融元素硅浸漬。任選地，在浸漬后的碳化硅部8件上涂敷高純度層，如通過化學(xué)氣相沉積(CVD)形成的碳化硅層。這種沉積層能有利防止下層硅的自動摻雜，以及防止雜質(zhì)從基材大部遷移到部件外表面，這將導(dǎo)致在處理半導(dǎo)體晶片期間的污染。這種情況下，碳化硅部件作為芯體，用熔融硅浸漬，提供對部件的機(jī)械支撐。芯體可釆用各種技術(shù)制造，最常用的是滑移澆鑄碳化硅，或通過加壓的技術(shù)。也可以采用其他專業(yè)化方法，例如采用將碳預(yù)制件轉(zhuǎn)化為碳化硅芯體的轉(zhuǎn)化方法，或采用脫除(subtractive)方法，在通過如化學(xué)氣相滲透后除去芯體?；蛘?，半導(dǎo)體加工部件由可獨(dú)立的碳化硅形成，采用各種方法，如碳化硅CVD方法形成。這種特定的加工方法能夠形成相對高純度的加工部件。此外，加工部件可以由常規(guī)材料如石英形成。在這方面，石英擴(kuò)散部件一直在半導(dǎo)體工業(yè)中用于高溫?cái)U(kuò)散操作，并且是成本合理的替代品，代替價格更高但性能更好的碳化硅基擴(kuò)散部件。然而，本發(fā)明的特征特別可應(yīng)用于碳化硅基半導(dǎo)體加工部件，如在制造過程中進(jìn)行機(jī)加工的那些，在下面詳細(xì)論述。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，在形成半導(dǎo)體加工部件的制造過程的后階段，對部件進(jìn)行機(jī)加工。具體地，如圖l所示的晶片舟皿1的情況，晶片舟皿上有許多凹槽16，每個凹槽沿同一曲率半徑延伸。每個凹槽有各自的凹槽段18、20和22，在制造適當(dāng)晶片舟皿本身后按需要進(jìn)行機(jī)加工。例如，可以采用上述方法之一制造晶片舟皿，如用熔融元素硅浸漬碳化硅芯體，然后進(jìn)行CVD，形成沉積的碳化硅層。形成碳化硅層后，形成凹槽，并通過機(jī)加工控制精細(xì)尺寸進(jìn)行控制，如采用金剛石基的機(jī)加工工具。這方面，雖然現(xiàn)有的制造技術(shù)已經(jīng)試圖通過使用極高純度機(jī)加工工具來解決機(jī)加工階段帶入雜質(zhì)的問題，本發(fā)明的特征是能使用相當(dāng)寬范圍的機(jī)加工工具和操作方法，將在下面論述。值得注意的是，雖然圖l說明水平晶片舟皿，但是應(yīng)理解可以使用垂直晶片舟皿或晶片載體，以及上述的其他半導(dǎo)體加工部件。形成加工部件，并任選進(jìn)行機(jī)加工操作后，使加工部件處于升溫的鹵素氣體中。使用術(shù)語"鹵素氣體"指任何以氣態(tài)提供鹵素元素，通常結(jié)合有陽離子。按照本發(fā)明實(shí)施方式，常用的鹵素氣體的一個例子是HC1。其他氣體包括例如含氟氣體。通常，半導(dǎo)體加工部件暴露于鹵素氣體時升高的溫度足以使鹵素氣體與沿半導(dǎo)體加工部件外表面部分，包括沿半導(dǎo)體加工部件露出的外表面部分所包含的雜質(zhì)反應(yīng)。例如，升高的溫度在約950-130(TC范圍。此外，鹵素氣體濃度可以變化，并且在加熱環(huán)境中(如，爐子處理室)在總壓的約0.01-10%范圍。通常，分壓9的下限可以略高，如約0.05%或約0.10%。通常，沿半導(dǎo)體加工部件外表面部分與鹵素氣體反應(yīng)的雜質(zhì)是一種金屬雜質(zhì)。金屬雜質(zhì)可以是元素金屬，或金屬合金形式，例如，可以是鋁基或鐵基的。金屬雜質(zhì)來源時常是由于后階段的機(jī)加工，如上面討論的。機(jī)加工工具的實(shí)際組成可能包含一定量的污染物。甚至更可能地，使用具有產(chǎn)生顆粒的結(jié)構(gòu)金屬部件的設(shè)備進(jìn)行機(jī)械加工，所產(chǎn)生的顆粒最終沉積或轉(zhuǎn)移到加工部件。同樣，普通的雜質(zhì)包括通常用于形成工業(yè)上機(jī)加工工具，包括工具鋼的那些金屬。使用鹵素氣體如HC1會形成與這些金屬雜質(zhì)的反應(yīng)產(chǎn)物。這些反應(yīng)產(chǎn)物通常具有比雜質(zhì)高的揮發(fā)性，這樣，在加工部件處于升高溫度時，反應(yīng)產(chǎn)物揮發(fā)，并因此而從加工部件上除去。與前述部件雜質(zhì)減少有關(guān)，注意到，雖然前述主要集中在碳化硅部件(包括自由選定的CVDSiC，重結(jié)晶的CVD，浸漬Si的SiC)，減少雜質(zhì)的方法同樣可應(yīng)用于其他材料如石英形成的部件。與部件的基本材料無關(guān)，經(jīng)機(jī)加工部件如具有精細(xì)表面光潔度(如下面詳細(xì)討論的)的那些是用來減少雜質(zhì)的特別好的候選者。半導(dǎo)體加工部件還可以經(jīng)受氧化處理。氧化處理有助于進(jìn)一步減少雜質(zhì)和/或粒子計(jì)數(shù)降低，特別是碳化硅部件的情況。與沉積的氧化層相對，通過化學(xué)反應(yīng)形成轉(zhuǎn)化層，來對半導(dǎo)體加工部件進(jìn)行氧化，形成氧化層。加工部件暴露于鹵素氣體以及部件氧化可以分幵進(jìn)行。然而，在一個實(shí)施方式中，暴露步驟和氧化步驟可以同時進(jìn)行。這方面，使用術(shù)語"同時地"并不要求暴露和氧化步驟完全同時進(jìn)行，而是兩個步驟可以相互部分重疊。根據(jù)氧化處理，在半導(dǎo)體加工部件上提供一個氧化層。這樣，氧化層可以直接在下面的碳化硅層上并與之接觸，如化學(xué)氣相沉積碳化硅的情況，或者可以直接在元素硅上并與之接觸，如對硅化的碳化硅加工部件，這種部件并沒有CVDSiC的上層。通過在氧化環(huán)境中對部件進(jìn)行氧化，形成氧化層，例如，在含氧氣氛中，在升高溫度如950-1300°C，更好在約1000-125(TC范圍對部件進(jìn)行氧化?？梢栽诟傻幕驖竦沫h(huán)境中進(jìn)行氧化，并且通常是在大氣壓下進(jìn)行。濕環(huán)境通常是通入蒸汽形成的，其作用是提高氧化速率。氧化層一般是氧化硅，通常是Si02。氧化硅層可以和部件的碳化硅直接接觸，如在自由選定的SiC或例如通過CVD涂敷碳化硅基材的情況?；蛘撸诨牡奶蓟韬蜕蠈友趸瘜又g存在中間層，如在浸漬硅的碳化硅情況，是沒有SiCCVD層的。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，除了沿主體形成氧化層之外，形成氧化層還會使殘留的碳化硅顆粒轉(zhuǎn)化為氧化硅。在微粒轉(zhuǎn)化情況，氧化可以使后面階段除去微粒。此外，采用轉(zhuǎn)化的方法，而不是沉積的方法，形成的氧化物涂層有助于捕捉氧化層內(nèi)的殘留雜質(zhì)，如金屬雜質(zhì)，從而除去氧化層的這些雜質(zhì)。通過將加工部件置于能夠溶解氧化層的溶液中，可除去氧化層。在一個實(shí)施方式中，所述溶液是含氟的酸。通常，該溶液的pH小于約3.5，最典型的小于約3.0，對更強(qiáng)酸性的某些實(shí)施方式，pH小于約2.5?；蛘撸芤嚎梢允菈A性的，并且在升高溫度(高于室溫，但低于H20沸點(diǎn))下暴露該層?；蛘撸部梢葬娪酶邷睾虷2氣，如高于1000。C。根據(jù)另一個特征，在制造半導(dǎo)體環(huán)境中，在使用加工部件之前，將加工部件暴露于鹵素氣體，氧化該部件，形成氧化層和除去氧化層。這樣，前述步驟可以脫離位置(off-site)進(jìn)行，與半導(dǎo)體制造環(huán)境分開，如由加工部件的制造商進(jìn)行。加工部件可以完全處理，然后包裝在密封的運(yùn)送容器，以供在制造環(huán)境中直接立刻使用。雖然前述部分集中于一個周期，鹵素氣體處理和/或氧化和除去步驟可以重復(fù)多次，以達(dá)到所需的純度水平。雖然前述部分述及使用鹵素氣體，但可以使用其他含活性陰離子的反應(yīng)物，只要選擇的反應(yīng)物能與期望的金屬雜質(zhì)形成反應(yīng)產(chǎn)物，并且形成的反應(yīng)產(chǎn)物的揮發(fā)性大于金屬雜質(zhì)本身的揮發(fā)性。根據(jù)改變了的另一個方法，在暴露于鹵素、進(jìn)行氧化和除去氧化物之前，可以增加另外的處理步驟，目的是進(jìn)一步降低雜質(zhì)水平。例如，部件可以進(jìn)行漂洗，如用去離子水(DI)，然后暴露于鹵素氣體和進(jìn)行隨后的處理。在漂洗時可以進(jìn)行攪拌，如用超聲波混合器/攪拌器，以進(jìn)一步除去污染物。此外，漂洗溶液可以是酸性溶液，有助于剝除(strip)污染物。或者，除漂洗外，部件可以浸在酸性剝除溶液中，之后暴露于鹵素物質(zhì)如酸溶液中，有助于進(jìn)一步除去雜質(zhì)。在進(jìn)一步處理之前，漂洗和/或浸漬步驟可以重復(fù)任意多次。此外，本發(fā)明的實(shí)施方式提供了具有不同特征的半導(dǎo)體加工部件。例如，包含碳化硅的加工部件的表面粗糙度Ra小于約2微米，沿部件外部部分的雜質(zhì)含量小于約1000ppm(用SIMS深度剖析法，在外表面之下10nm深度測定)。在部件直接與晶片接觸的情況，如支撐夾具或晶片舟皿，該部件表面具有上述表面粗糙度的表面部分至少延伸到配置來用于這種接觸的部分，如晶片舟皿中的狹槽。上述具有控制純度的外部部分一般限定為部件從露出的外表面延伸到約0.5微米深度(用SIMS深度剖析法，在露出的外表面之下測定)的部分。根據(jù)一個實(shí)施方式，這種外部部分基本上沿部件的全部外部區(qū)域延伸，實(shí)際的雜質(zhì)水平數(shù)據(jù)取自數(shù)個有代表性的外部部分位置的純度水平。通過進(jìn)行機(jī)加工步驟，例如使用金剛石研磨工具，表面粗糙度可以降低到Ra小于約2微米?；蛘?，釆用不同的制造技術(shù)，來形成具有這樣表面粗糙度的加工部件。一些實(shí)施方式的表面粗糙度小于約1.5微米，如小于約1.0微米。例如采用在此所述的方法，可以將部件外部部分的雜質(zhì)含量降低在上述范圍之內(nèi)。較好地，所述雜質(zhì)含量小于約500卯m，更好小于約200ppm。一些實(shí)施方式中，甚至能進(jìn)一步降低雜質(zhì)含量，如總量小于100ppm，和小于80卯m。前述雜質(zhì)水平是B，Na，Al，Ca，Ti，V，Cr，F(xiàn)e，Ni，Cu和Zn的總含量。雖然在背景部分描述了包括進(jìn)行氧化和除去氧化層的現(xiàn)有方法，本發(fā)明人已認(rèn)識到這樣的方法一般產(chǎn)生高雜質(zhì)水平的部件，其雜質(zhì)含量明顯高于在此所述的本發(fā)明提供的雜質(zhì)含量。這樣的方法導(dǎo)致雜質(zhì)限度超過了半導(dǎo)體工業(yè)應(yīng)用所需的范圍。此外，發(fā)現(xiàn)，加工部件制造商是在整個部件上(包括本體材料(bulkmaterial)上)取出雜質(zhì)含量，而不是沿特別關(guān)鍵的部分取得。部件的這些外部部分易于發(fā)生不希望的擴(kuò)散以及受到半導(dǎo)體制造環(huán)境的污染。因此，本發(fā)明的實(shí)施方式不僅提供滿足或超過工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的整體雜質(zhì)水平，而且降低了沿部件重要外表面部分的雜質(zhì)水平。實(shí)施例表1列出在不同條件下制造的CVDSiC樣品的粗糙度。Ra定義為平均表面粗糙度。更確切地，Ra是輪廓偏離平均線的算術(shù)平均值。Ra=1/L?？贚lz(X)ldx。Rz定義為在樣品長度或行程長度(行程L)中5個最高峰和5個最低谷之間的平均高度差。行程長度是評定表面粗糙度參數(shù)的長度。樣品l、2和3所示是CVD沉積的SiC涂層的粗糙度。用表面光度儀(profilometer),釆用10鐵筆和3-6.4行程長度，獲得這些結(jié)果。樣品3、4、5、6和7是CVDSiC涂層，該涂層用金剛石材料，通過用砂輪機(jī)加工或用金剛石糊料研磨和拋光進(jìn)行了表面處理。由該表可知，對CVDSiC進(jìn)行機(jī)加工起到明顯降低處理的表面粗糙度的作用。FSCVD指自由選定的化學(xué)氣相沉積部件。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>表2列出沉積的CVDSiC膜的表面純度結(jié)果，所述CVDSiC膜己經(jīng)進(jìn)行用金剛石工具進(jìn)行后機(jī)加工步驟。用SecondaryIonMassSpectroscopy(SIMS)，在lOnm標(biāo)稱深度，確定表面純度，由下述構(gòu)成總的雜質(zhì)B、Na、Al、Ca、Ti、V、Cr、Fe、Ni、Cu。樣品9顯示相當(dāng)高純度的沉積涂層。相反，在機(jī)加工和用DI水漂洗后，樣品10顯示較高的污染水平。這方面，另一個進(jìn)行機(jī)加工和DI漂洗的樣品顯示甚至更高的污染水平，達(dá)到總的5000ppm數(shù)量級。在超聲波罐中用DI水漂洗后，采用氯化氧化方法對樣品ll進(jìn)一步處理。以該循環(huán)中氧為基準(zhǔn)，HC1濃度在1-3%范圍，最高溫度為130(TC。用4:1:1的DI水HF:HC1配方(酸剝除)除去樣品11上生成的氧化物。獲得經(jīng)這樣機(jī)加工和處理的CVDSiC膜的SIMS數(shù)據(jù)?？芍?，雜質(zhì)明顯降低，純度非常接近沉積條件。類似于上面所述處理樣品12，不同之處是，在超聲波DI漂洗之后但在氯化氧化之前增加4:1:1的DI水HF:HC1浸漬步驟。由結(jié)果可知，這種方法能將機(jī)加工后的CVDSiC材料的表面雜質(zhì)量有效降低到最初的水平(沉積時)。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>根據(jù)本發(fā)明另一方面，提供半導(dǎo)體加工部件，以及處理半導(dǎo)體加工部件的方法。、半導(dǎo):體加工部件一般至少部分由SiC形成，包括控制了雜質(zhì)含量的外表面部分。外表面部分通常采用化學(xué)氣相沉積(CVD)形成，并且外部的純度不大于體純度的10倍。外表面部分可定義為由CVD形成的可確認(rèn)的SiC層，或主要由CVD形成的SiC部件的外部厚度，如在自由選定的CVD-SiC部件的情況，將在下面詳細(xì)描述。根據(jù)一個方面，本發(fā)明人認(rèn)識到沉積的CVD-SiC(無論是否經(jīng)過機(jī)加工)的外表面處雜質(zhì)水平有一尖峰，通常在部件外深度的開始的0.5微米內(nèi)，如在開始的0.25微米內(nèi)，或在開始的0.10微米內(nèi)。相反，雖然整個外表面部分的雜質(zhì)水平穩(wěn)定在相對低水平，但時常還是比部件最外表面的雜質(zhì)水平低1個，2個甚至3個數(shù)量級。體雜質(zhì)水平一般是代表作為深度函數(shù)的恒定或標(biāo)稱的雜質(zhì)水平，將在下面詳細(xì)描述。本領(lǐng)域一般并沒有認(rèn)識到前述的一種現(xiàn)象，而沉積的CVD-SiC層的嚴(yán)格分析已揭示雜質(zhì)水平有明顯的擴(kuò)散。雜質(zhì)水平一般基于在外表面與外表面部分整體之間的下面的至少一種或組合的濃度Cr、Fe、Cu、Ni、Al、Ca、Na、Zn、B和Ti。根據(jù)一個實(shí)施方式，雜質(zhì)水平是基于Fe和/或Cr。本文中，根據(jù)本發(fā)明第二方面的另一個實(shí)施方式，提供基于化學(xué)氣相沉積的SiC形成的外表面部分的半導(dǎo)體加工部件，并且除去了外表面部分的目標(biāo)部分，使外表面部分的雜質(zhì)水平不大于外表面部分體雜質(zhì)水平的10倍。雖然一般要求雜質(zhì)水平在整體和表面之間的最大相差I(lǐng)OX，另一些實(shí)施方式的表面雜質(zhì)水平不超過整體雜質(zhì)水平的約5倍，如不大于約2倍。確實(shí)，一些實(shí)施方式的表面雜質(zhì)水平?jīng)]有超過整體雜質(zhì)水平。按照在此的實(shí)施方式的半導(dǎo)體加工部件可選自如上面所述的用于不同處理操作的各種幾何構(gòu)形之一，并可構(gòu)造成用來接受各種尺寸的晶片，無論是150mm，200mm，還是新型300mm的晶片。具體的加工部件包括半導(dǎo)體晶片槳、處理管、晶片舟皿、襯墊、支架、長舟皿、懸臂棒、晶片載體、垂直加工室和相等仿真晶片。前述中，一些半導(dǎo)體加工部件可以是配置成用來與半導(dǎo)體晶片如水平晶片舟皿或垂直晶片舟皿，長舟皿和晶片基座等直接接觸及接受這些半導(dǎo)體晶片。此外，該加工部件可以配置成用于單個晶片處理，并可用于密封室、聚焦環(huán)、懸掛環(huán)、基座、底座等。半導(dǎo)體加工部件可以采用各種方法制造。根據(jù)一個實(shí)施方式，例如，加工部件由通過CVD涂敷有SiC層的基材形成。CVD-SiC層的作用是能有效削弱下層14硅的自動摻雜，以及防止雜質(zhì)從基材整體遷移到部件的外表面，它們會導(dǎo)致在制造半導(dǎo)體晶片時的污染。該基材通常用來提供機(jī)械支撐和結(jié)構(gòu)完整性，基材可以由各種材料如重結(jié)晶的SiC，并由各種處理途徑來形成。一種技術(shù)中，主要包含SiC的基材通過滑移澆鑄或壓制形成。在滑移澆鑄情況，滑移澆鑄體進(jìn)行干燥和熱處理，隨后任選進(jìn)行浸漬，以降低孔隙率。較好地，用熔融硅滲透來浸漬。也可以采用其他專業(yè)化的制造方法，如采用將碳預(yù)制體轉(zhuǎn)變?yōu)樘蓟栊倔w的常規(guī)方法，或采用脫除方法，在通過如化學(xué)氣相滲透后除去芯體?；蛘?，半導(dǎo)體加工部件由可獨(dú)立的碳化硅形成，采用各種方法之一，如碳化硅CVD方法形成。這種特定的加工技術(shù)能夠使形成的加工部件是整體中基本上或部件內(nèi)部相對高純度的。形成加工部件后，對加工部件進(jìn)行處理工序。即，對由CVD-SiC形成的部件的外部部分進(jìn)行處理，提高純度，特別是對外表面的雜質(zhì)。一個實(shí)施方式中，除去外表面部分的目標(biāo)部分，留下雜質(zhì)含量不大于外表面部分整體雜質(zhì)含量的10倍的外表面?？舍娪枚喾N技術(shù)除去目標(biāo)部分。根據(jù)一種技術(shù)，通過氧化-剝除方法除去外表面部分，如上面討論的。然而，為清楚起見，下面描述氧化-剝除方法。在氧化期間，部件暴露于反應(yīng)物中，如鹵素氣體，以進(jìn)一步提高純度。反應(yīng)物的作用一般是與存在的雜質(zhì)配合或反應(yīng)，并且在高溫處理時揮發(fā)。氧化-剝除也沿外表面降低顆粒計(jì)數(shù)，特別有益于半導(dǎo)體加工操作。更詳細(xì)地，與沉積氧化物層相反，半導(dǎo)體加工部件一般通過化學(xué)反應(yīng)形成轉(zhuǎn)化層來進(jìn)行氧化形成氧化層。根據(jù)氧化處理，氧化物層消耗了部件的目標(biāo)部分，即CVD-SiC材料部分。通過在氧化環(huán)境中對部件進(jìn)行氧化，形成氧化層，例如在含氧環(huán)境中，在升高溫度到約950-130(TC范圍，更好約1000-125(TC下氧化部件。可以在干的或濕的環(huán)境中進(jìn)行氧化，通常是在大氣壓下進(jìn)行。濕環(huán)境通常是通入蒸汽形成的，其作用是提高氧化速率。氧化層一般是氧化硅，通常是Si02。氧化硅層可以和部件的碳化硅直接接觸，如在自由選定的SiC或例如通過CVD涂敷了碳化硅的基材的情況。氧化層會使殘留的碳化硅顆粒轉(zhuǎn)化為氧化硅，此外沿主體形成氧化層。在微粒轉(zhuǎn)化情況，氧化可以使后面階段除去微粒。此外，采用轉(zhuǎn)化的方法，而不是沉積的方法，形成的氧化物涂層有助于捕捉氧化層內(nèi)的殘留雜質(zhì)，如金屬雜質(zhì)，從而除去氧化層的這些雜質(zhì)。通過將加工部件處于能夠溶解氧化層的溶液中，除去氧化層。在一個實(shí)施方式中，所述溶液是含氟的酸。通常，該溶液的pH小于約3.5，最典型的小于約3.0，對更強(qiáng)酸性的某些實(shí)施方式，pH小于約2.5?；蛘?，溶液可以是堿性，并且在升高溫度(高于室溫，但低于H20沸點(diǎn))下暴露該層?；蛘?，也可以采用高溫和H2氣，如高于IOO(TC。氧化期間，加工部件暴露于活性物質(zhì)如鹵素氣體中，該氣體與外表面部分的外表面上存在的雜質(zhì)形成反應(yīng)產(chǎn)物。一般，暴露于活性物質(zhì)和氧化步驟可以同時進(jìn)行，雖然也可以分開進(jìn)行。這方面，使用術(shù)語"同時地"并不要求暴露和氧化步驟完全同時進(jìn)行，而是兩個步驟可以相互部分重疊。術(shù)語"鹵素氣體"指使用任何以氣態(tài)提供的鹵族元素，通常結(jié)合有陽離子。按照本發(fā)明實(shí)施方式，常用的鹵素氣體的一個例子包括HC1。其他氣體包括例如含氟氣體。通常，半導(dǎo)體加工部件暴露于鹵素氣體時升高的溫度足以使鹵素氣體與沿半導(dǎo)體加工部件外表面部分，包括沿半導(dǎo)體加工部件露出的外表面部分所包含的雜質(zhì)反應(yīng)。例如，升高的溫度在約950-130(TC范圍。此外，鹵素氣體濃度可以變化，并且在加熱環(huán)境中(如，爐子處理室)在總壓的約0.01-10%范圍。通常，分壓的下限可以略高，如約0.05%或約0.10%。雖然前述部分針對鹵素氣體，但可以使用其他含活性陰離子的反應(yīng)物，只要選擇的反應(yīng)物能與期望的金屬雜質(zhì)形成反應(yīng)產(chǎn)物，并且形成的反應(yīng)產(chǎn)物的揮發(fā)性大于金屬雜質(zhì)本身的揮發(fā)性。通常，沿半導(dǎo)體加工部件外表面部分與鹵素氣體反應(yīng)的雜質(zhì)是一種金屬雜質(zhì)。金屬雜質(zhì)可以是元素金屬，或金屬合金形式，例如，可以是鋁基、鐵基或鉻基。使用鹵素氣體如HC1會形成與這些金屬雜質(zhì)的反應(yīng)產(chǎn)物。這些反應(yīng)產(chǎn)物的揮發(fā)性通常高于雜質(zhì)，這樣，在加工部件處于升高溫度時，反應(yīng)產(chǎn)物揮發(fā)，并因此而從加工部件上除去。雖然上述內(nèi)容是針對通過反應(yīng)，特別是通過氧化-剝除來除去部件的部分，但是可以采用其他除去目標(biāo)部分的方法。例如，目標(biāo)部分可以通過蝕刻操作，通過在升溫下通入蝕刻劑進(jìn)行反應(yīng)，形成能揮發(fā)的蝕刻劑產(chǎn)物，以完全或部分除去目標(biāo)部分。例如，蝕刻劑可以是含氯氣體，形成可揮發(fā)的SiClx蝕刻劑產(chǎn)物。含C1氣體可以是HC1，Cb和其他氣體。某些情況下，碳作為蝕刻操作的副產(chǎn)物而留下。這些碳可以通過高溫?zé)ヌ幚韥沓?。注意到，有時蝕刻被稱作石墨化，描述碳以石墨形式留在部件的表面。一般還要求使用后的蝕刻劑與外表面部分存在的雜質(zhì)合成，形成揮發(fā)物，如FeCl，TiCl等。此外，如上所述，就利用氧化和氧化物進(jìn)行來除去目標(biāo)部分來說，如前面已詳細(xì)說明了的，可以通過通入鹵素氣體，使污染物反應(yīng)，形成反應(yīng)產(chǎn)物。通過在此所述的任何一種方法除去目標(biāo)部分之前，部件可以進(jìn)行機(jī)加工操作，以除去例如部件上10-100微米的外部材料。雖然通過機(jī)加工操作除去材料一般可以改變沉積的雜質(zhì)分布，但是機(jī)加工會在部件外表面(即，機(jī)加工表面)留下雜質(zhì)尖峰，與觀察到的沉積CVDSiC的情況相似。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，在達(dá)到整體雜質(zhì)水平之前，表面雜質(zhì)水平擴(kuò)展到了外表面部分，如在l-3微米的數(shù)量級。因此，在已進(jìn)行了機(jī)加工是實(shí)施方式中，需除去的目標(biāo)部分的厚度在上述最大約為20微米的上限，實(shí)際除去的厚度在3-5微米的數(shù)量級。因此，就除去目標(biāo)部分之前，對部件的CVD-SiC表面進(jìn)行機(jī)械研磨或機(jī)加工過程如研磨，磨光或拋光來說，由于在后機(jī)加工表面的污染水平提高，一般需進(jìn)行進(jìn)一步的除去?？梢匝趸?剝除周期或蝕刻周期來除去目標(biāo)部分，例如，進(jìn)行足夠次數(shù)來達(dá)到高純度。根據(jù)另一個特征，在半導(dǎo)體制造環(huán)境中使用加工部件之前，除去目標(biāo)部分。這樣，前述步驟可以脫離位置進(jìn)行，與半導(dǎo)體制造環(huán)境分開，如由加工部件的制造商，而不是最后用戶(如，半導(dǎo)體部件制造商/晶片加工商)進(jìn)行。加工部件可以完全處理，然后包裝在密封的運(yùn)送容器，供在制造環(huán)境中直接立刻使用。雖然前述部分集中于一個周期，但是處理步驟如氧化步驟(用任選鹵素氣體處理)可以重復(fù)，并且一般重復(fù)多次，通過除去目標(biāo)部分來達(dá)到要求的純度水平。根據(jù)改變了的一種方法，在暴露以除去目標(biāo)部分之前，可以增加另外的處理步驟，目的是進(jìn)一步降低雜質(zhì)水平。例如，在暴露于鹵素氣體和進(jìn)行隨后的處理之前，部件可以進(jìn)行漂洗，如用去離子(DI)水。在漂洗時可以進(jìn)行攪拌，如用超聲波混合器/攪拌器，以進(jìn)一步除去污染物。此外，漂洗溶液可以是酸性溶液，有助于剝除污染物?；蛘?，除漂洗外，暴露于卣素物質(zhì)之前，部件可以浸在酸性剝除溶液如酸溶液中，有助于進(jìn)一步除去雜質(zhì)。在進(jìn)一步處理之前，漂洗和/或浸漬步驟可以重復(fù)任意多次。由于觀察到的深度剖析，如下面詳細(xì)描述的，通常目標(biāo)部分厚度至少約0.25微米，如0.38微米，0.50微米，甚至更大。當(dāng)然，目標(biāo)部分更普遍的厚度至少為1.0微米，較好的至少約2微米，如約2-10微米，但一般小于20微米。CVD-SiC層的厚度通常在約10-1000微米范圍，一些實(shí)施方式中，所述厚度最大約800微米，600微米，400微米，或約200微米。一般要對應(yīng)于部件外表面部分除去的深度來選擇目標(biāo)部分的厚度，以確保要求的表面雜質(zhì)降低，如使表面雜質(zhì)含量從整體雜質(zhì)含量的1,000X下降到10X級別，或甚至更低。當(dāng)然，如果除去的目標(biāo)部分造成的表面雜質(zhì)水平一般降低不到2個數(shù)量級，也至少1個數(shù)量級。至于用來表征處理前和處理后的CVD-SiC膜的特別測定方法，具體使用SecondaryIonMassSpectroscopy(SIMS)。其他方法包括例如GDMS。如本文使用的，體雜質(zhì)水平一般對應(yīng)于外表面部分內(nèi)純度水平達(dá)到穩(wěn)定的深度處的雜質(zhì)水平，即，般對外表面部分的更深處是不變的。注意到，雜質(zhì)檢測一般會帶來某種程度的變化，由測定的作為深度函數(shù)的雜質(zhì)水平的變化表示。除非在此特別指出，雖然列出原始數(shù)據(jù)，特定的雜質(zhì)水平數(shù)據(jù)點(diǎn)以及具體的體雜質(zhì)水平是基于根據(jù)這些數(shù)據(jù)的雜質(zhì)含量的趨勢，即是，校平后(smoothed)的數(shù)據(jù)。根據(jù)本文報(bào)道的特征研究，發(fā)現(xiàn)，通常在3微米深度達(dá)到體雜質(zhì)水平。因此，可以在約3-10微米范圍，如3-5微米范圍的深度得出雜質(zhì)水平。但是，達(dá)到體雜質(zhì)水平的具體深度值取決于用來形成外表面部分的特定的CVD方法的具體處理?xiàng)l件，包括使用的工具、氣體、溫度、壓力和其他處理參數(shù)。根據(jù)一個具體的實(shí)施方式，體雜質(zhì)水平不大于約lel7原子/cc鐵(Fe)和不大于lel5原子/cc鉻(Cr)。當(dāng)然，更需要的加工部件的最終用途要求比前述甚至更低的體雜質(zhì)水平，如lel6原子/cc鐵(Fe).數(shù)據(jù)和下面的討論針對一些沉積的CVD-SiC樣品以及后處理的CVD-SiC樣品的特征研究。采用標(biāo)準(zhǔn)方法，制備尺寸為25mmX75mmX6mm的Si:SiC試樣。該試樣在稀酸中用超聲波清洗，DI水漂洗后干燥。將清潔后的試樣裝入CVD反應(yīng)器，在Si:SiC試樣表面上沉積12-18微米厚的CVD膜。用兩種不同涂敷系統(tǒng)(設(shè)備A和設(shè)備B)進(jìn)行多次涂敷操作，以進(jìn)一步了解設(shè)備對涂層純度的效果。用SecondaryIonMassSpectroscopy(SIMS)分析CVD涂敷的Si:SiC試樣表面的雜質(zhì)水平。用Cameca3f儀器，以深度剖析法，用02+等離子體進(jìn)行SIMS分析。該儀器用注入離子的SiC標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行校正，以精確測定雜質(zhì)。該分析針對單獨(dú)的Fe和Cr，使之能得到良好的檢測限度，艮卩，對Fe為lel5原子/cc，對Cr為lel4原子/cc。除非特別指出，下面所述結(jié)果代表沉積的CVD-SiC或除去的CVD-SiC，都沒有中間機(jī)加工操作。由設(shè)備A處理的樣品的CVD-SiC層的SIMS分析表明，它是被Fe和Cr高度污染的表面，即比體值大500-1000倍，如圖2所示。本體中Fe濃度<lel5原子/cc，Cr濃度<lel4原子/cc，CVD-SiC涂層通常如此。在釆用設(shè)備B沉積的CVD-SiC層上也觀察到類似的高表面雜質(zhì)濃度，如圖3所示。待表征的具體樣品表面Fe濃度為〉lel8原子/cc，在CVD-SiC通常的0.5微米深度內(nèi)，下降到整體值，〈lel5原子/cc。為證實(shí)在沉積表面的高雜質(zhì)濃度的普遍性，對用來形成CVD膜的反應(yīng)氣體中有較高雜質(zhì)含量的CVD-SiC涂層進(jìn)行第三個試驗(yàn)。在較高雜質(zhì)水平的涂層中觀察到雜質(zhì)富集，如圖4所示。表面的Fe濃度為〉lel9原子/cc，并在2-2.5微米上，降低到體值的Fe濃度，5el6原子/cc。表面的Cr濃度為5el7原子/cc，比體Cr濃度7el4原子/cc高550倍。雜質(zhì)濃度從表面到體內(nèi)的逐漸下降可能與表征的涂層之間表面粗糙度差相關(guān)。目前，還不能完全理解雜質(zhì)富集在表面的機(jī)理，但是，這與CVD-SiC沉積過程雜質(zhì)從Si:SiC基材表面遷移有關(guān)，或與冷卻期間Fe從膜內(nèi)部偏析(segregation)到表面有關(guān)。用設(shè)備A制備兩種不同類型的CVD-SiC涂層，即標(biāo)準(zhǔn)涂層和低純度涂層，選擇這兩種涂層進(jìn)行清潔處理。將試樣裝在CVD涂敷的懸臂槳上，并放在裝備有SiC處理管的擴(kuò)散爐內(nèi)。在最多有10%HC1的02氣流中，在950-135(TC，氧化試樣6-14小時。選擇熱處理?xiàng)l件，使之能夠通過消耗相當(dāng)于該氧化物厚度的約0.45-0.60倍，指定為0.5倍的CVD-SiC上目標(biāo)部分在CVD-SiC褒面生長厚的熱氧化物。氧化過程有助于將過渡金屬雜質(zhì)如Fe濃縮到CVD-SiC的氧化層中。雖然HC1氣體有助于揮發(fā)生長中的氧化物表面上的雜質(zhì)，但是并不認(rèn)為HC1處理能明顯除去被捕捉在氧化物層中的金屬。通過SiC+3/202(g):Si02+CO(g)的反應(yīng)，形成Si02，總體過程消耗了CVD-SiC層中被污染的目標(biāo)部分。為除去氧化層內(nèi)的整體雜質(zhì)，用HF-HC1混合物(1:l酸混合物)在酸浴中剝除氧化層。在表面形成的雜質(zhì)濃度示于圖5。SIMS分析表明表面Fe濃度從最初CVD-SiC試樣上>5el7原子/cc下降到清潔后試樣上〈5el6原子/cc，由于清潔而改善了10倍。體雜質(zhì)濃度保持在〈le15原子/cc不變。雖然清潔周期降低了表面雜質(zhì)濃度，但是表面雜質(zhì)濃度仍比整體的高50倍。因此，進(jìn)行另外的清潔周期，以進(jìn)一步降低表面的Fe濃度。由于檢測限度和分析中的噪擾問題，用SIMS未能量化第2清潔周期的效果。因此，使用較高雜質(zhì)的CVD-SiC樣品(如圖4所示)重復(fù)該清潔周期，有助于辨別表面和體雜19質(zhì)水平之間的微小差別。類似于標(biāo)準(zhǔn)CVD-SiC樣品那樣，對低純度CVD-SiC樣品進(jìn)行清潔。在最多有10XHC1的02氣流中，在950-1350'C，氧化試樣6-14小時，生長氧化物層，隨后用HF-HC1溶液剝除。重復(fù)該清潔周期兩次，除去深至CVD-SiC表面下的材料，從而除去富Fe的表面層。試樣兩次清潔后的SIMS分析示于圖6。兩次清潔周期能有效完全除去污染的表面層，并且表面雜質(zhì)濃度類似于體雜質(zhì)濃度。再次注意到，雖然前述特征研究利用了結(jié)合用鹵素氣體處理的重復(fù)氧化-剝除周期的優(yōu)點(diǎn)，但也可以采用其他方法來除去目標(biāo)部分。此外，已分析，重復(fù)進(jìn)行除去步驟，以促使表面雜質(zhì)水平達(dá)到如上所述的要求范圍，單個周期達(dá)到的表面雜質(zhì)水平得到明顯改善，但是表面雜質(zhì)水平仍是體雜質(zhì)水平的50X。因此，一般重復(fù)進(jìn)行該周期，以確保在表面有類似本體的純度。由圖6證實(shí)，進(jìn)行本文所述的方法，能將表面雜質(zhì)水平降低到不大于體雜質(zhì)水平，即約等于或小于體雜質(zhì)水平。注意到圖6所示的數(shù)據(jù)取自兩個不同樣品，進(jìn)行比較，來表明處理之前和之后的雜質(zhì)趨勢。上面披露的主題是用于說明，而不是限制，所附權(quán)利要求書旨在覆蓋在本發(fā)明范圍之內(nèi)的所有修改，加強(qiáng)和其他實(shí)施方式。因此，為使法律允許的范圍最大，本發(fā)明的范圍由下面權(quán)利要求書允許的最廣義的解釋及其等價物決定，不受前面詳細(xì)描述內(nèi)容的限制。權(quán)利要求1.一種處理半導(dǎo)體加工部件的方法，該方法包括下面步驟使在部件表面部分包含的污染物在升高溫度下反應(yīng)，形成反應(yīng)產(chǎn)物，所述的外表面部分的表面粗糙度小于約2微米。2.如權(quán)利要求l所述的方法，其特征在于，采用SIMS，在距部件表面10nm的深度處測定，所述部件沿部件外表面部分的雜質(zhì)含量小于約1000ppm。3.包含碳化硅的半導(dǎo)體加工部件，該部件的表面粗糙度Ra小于約2微米，采用SIMS，在距部件表面10nm的深度處測定，所述部件沿部件外部部分的雜質(zhì)含量小于約1000ppm。4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述部件包含基材和其上的碳化硅涂層。5.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述部件經(jīng)過機(jī)加工至Ra小于約2微米。6.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述雜質(zhì)含量小于約500ppm。7.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述雜質(zhì)含量小于約200ppm。8.用來接受半導(dǎo)體晶片的半導(dǎo)體加工部件，該部件的表面粗糙度Ra小于約2微米，采用SIMS，在距部件表面10nm的深度處測定，所述部件沿部件外部部分的雜質(zhì)含量小于約1000ppm。9.包含SiC的半導(dǎo)體加工部件，其特征在于，所述部件的外表面部分具有的表面雜質(zhì)含量不大于整體雜質(zhì)含量的10倍。10.如權(quán)利要求9所述的部件，其特征在于，在距外表面部分的外表面至少3微米的深度處測定所述整體雜質(zhì)水平。11.如權(quán)利耍求9所述的部件，其特征在于，所述外表面部分由CVD-SiC組成。12.如權(quán)利要求ll所述的部件，其特征在于，所述外表面部分是沉積在基材上面的CVD-SiC層。13.如權(quán)利要求12所述的部件，其特征在于，所述基材包含SiC。14.如權(quán)利要求13所述的部件，其特征在于，所述基材包含浸漬有元素硅的SiC。15.如權(quán)利要求14所述的部件，其特征在于，所述基材包含浸漬有元素硅的重結(jié)晶的SiC。16.如權(quán)利要求12所述的部件，其特征在于，所述CVD-SiC層厚度在約10-1000微米范圍內(nèi)。17.如權(quán)利要求ll所述的部件，其特征在于，所述部件是自由選定的CVD-SiC部件。18.如權(quán)利要求17所述的部件，其特征在于，所述部件基本由CVD-SiC組成。19.如權(quán)利要求9所述的部件，其特征在于，所述表面雜質(zhì)含量不大丁整體雜質(zhì)含量的5倍。20.如權(quán)利耍求9所述的部件，其特征在于，所述表面雜質(zhì)含量不大于整體雜質(zhì)含量的2倍。21.如權(quán)利要求9所述的部件，其特征在于，所述表面雜質(zhì)含量不大于整體雜質(zhì)含量。22.如權(quán)利要求9所述的部件，其特征在于，所述表面雜質(zhì)和整體雜質(zhì)含量基于下面的至少一種的濃度Cr，F(xiàn)e，Cu，Ni，Al，Ca，Na，Zn，V，B和Ti的濃度。23.如權(quán)利要求22所述的部件，其特征在于，所述表面雜質(zhì)和整體雜質(zhì)含量基于Cr和Fe濃度的至少之一。24.如權(quán)利要求23所述的部件，其特征在于，所述表面雜質(zhì)和整體雜質(zhì)含量基于Fe濃度。25.如權(quán)利要求23所述的部件，其特征在于，整體雜質(zhì)含量不大于1E17原子/ccFe和不大于1E15原子/ccCr。26.如權(quán)利要求9所述的部件，其特征在于，所述半導(dǎo)體加工部件包括選自下面的部件半導(dǎo)體晶片槳、處理管、晶片舟皿、襯墊、支架、長舟皿、懸臂棒、晶片載體、加工室、仿真晶片、晶片基座、聚焦環(huán)、懸掛環(huán)。27.如權(quán)利要求26所述的部件，其特征在于，所述部件是晶片舟皿。28.如權(quán)利要求9所述的部件，其特征在于，所述部件在處理之前進(jìn)行機(jī)加工，提供所述表面雜質(zhì)含量。29.—種處理半導(dǎo)體加工部件的方法，該方法包括下面步驟提供具有化學(xué)氣相沉積SiC形成的外表面部分的半導(dǎo)體加工部件，外表面部分具有整體雜質(zhì)含量和表面雜質(zhì)含量；除去外表面部分的目標(biāo)部分，使表面雜質(zhì)含量不大于整體雜質(zhì)含量的10倍。30.如權(quán)利要求l所述的方法，其特征在于，所述表面雜質(zhì)含量不大于整休雜質(zhì)含量的5倍。31.如權(quán)利要求l所述的方法，其特征在于，所述表面雜質(zhì)含量不大于整體雜質(zhì)含量的2倍。32.如權(quán)利要求l所述的方法，其特征在于，所述表面雜質(zhì)含量不大于整體雜質(zhì)含量。33.如權(quán)利要求l所述的方法，其特征在于，所述目標(biāo)部分通過使其反應(yīng)來除去。34.如權(quán)利要求33所述的方法，其特征在于，所述反應(yīng)是氧化反應(yīng)，使外表面部分形成氧化物，所述除去目標(biāo)部分的步驟還包括除去氧化物。35.如權(quán)利要求34所述的方法，其特征在于，重復(fù)進(jìn)行氧化和除去氧化物步驟，以除去所述目標(biāo)部分。36.如權(quán)利要求33所述的方法，其特征在于，通過蝕刻除去所述目標(biāo)部分。37.如權(quán)利要求36所述的方法，其特征在于，所述蝕刻包括使目標(biāo)部分與蝕刻劑反應(yīng)，形成蝕刻劑產(chǎn)物，該產(chǎn)物揮發(fā)，從而除去目標(biāo)部分。38.如權(quán)利要求37所述的方法，其特征在于，蝕刻劑是含C1氣體，形成SiClx的蝕刻劑產(chǎn)物。39.如權(quán)利要求l所述的方法，該方法還包括使外表面部分的外表面上的污染物反應(yīng)，形成反應(yīng)產(chǎn)物。40.如權(quán)利要求39所述的方法，其特征在于，所述目標(biāo)部分通過下面步驟除去使外表面部分氧化，形成氧化物，隨后除去該氧化物，并且所述反應(yīng)和氧化步驟可以同時進(jìn)行。41.如權(quán)利要求39所述的方法，其特征在于，污染物與鹵素氣體反應(yīng)。42.如權(quán)利要求l所述的方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體加工部件包括選自下面的部件半導(dǎo)體晶片槳、處理管、晶片舟皿、襯墊、支架、長舟皿、懸臂棒、晶片載體、加工室、仿真晶片、晶片基座、聚焦環(huán)、懸掛環(huán)。43.如權(quán)利要求l所述的方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體加工部件包含基材，為基材上面的涂層的外表面部分。44.如權(quán)利要求l所述的方法，其特征在于，所述基材包含元素硅。45.如權(quán)利要求l所述的方法，其特征在于，所述基材包含浸漬有所述元素硅的碳化硅。46.如權(quán)利要求l所述的方法，其特征在于，在用于半導(dǎo)體加工操作之前，除去所述目標(biāo)部分。47.如權(quán)利要求l所述的方法，其特征在于，通過重復(fù)進(jìn)行除去步驟，除去目標(biāo)部分。48.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，目標(biāo)部分的厚度至少為0.25微米。49.如權(quán)利要求l所述的方法，其特征在于，目標(biāo)部分的厚度至少為0.38微米。50.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，目標(biāo)部分的厚度至少為0.50微米。51.如權(quán)利要求l所述的方法，該方法還包括在除去目標(biāo)部分之前對所述部件進(jìn)行機(jī)加工。52.—種處理半導(dǎo)體加工部件的方法，該方法包括下面步驟提供具有由化學(xué)氣相沉積SiC形成的外表面部分的半導(dǎo)體加工部件，外表面部分具有整體雜質(zhì)含量和表面雜質(zhì)含量；除去外表面部分的目標(biāo)部分，使表面雜質(zhì)水平至少降低10x。53.如權(quán)利要求52所述的方法，其特征在于，所述表面雜質(zhì)水平降低至少100x。全文摘要公開了各種半導(dǎo)體加工部件及其制造方法。一個實(shí)施方式中，半導(dǎo)體加工部件由SiC形成，部件的外表面部分的表面雜質(zhì)水平不大于體雜質(zhì)水平的10倍。另一個實(shí)施方式中，處理半導(dǎo)體加工部件的方法包括將部件在升高溫度下暴露于鹵素氣體中，氧化所述部件形成氧化層，并除去該氧化層。文檔編號C04B41/80GK101527256SQ200910007098公開日2009年9月9日申請日期2004年4月14日優(yōu)先權(quán)日2003年4月15日發(fā)明者A·G·黑爾,R·F·巴克利,R·R·亨斯特,Y·納倫德拉申請人:圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司