專利名稱：晶片切片機(jī)導(dǎo)輪及晶片切割方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種太陽能用硅晶片的生產(chǎn)設(shè)備及晶片切割方法，是一 種用來將硅單晶棒料切割為晶片的切片機(jī)的部件，具體是一種晶片切片
機(jī)導(dǎo)輪及使用該導(dǎo)輪切割晶片的方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的用來切割硅晶棒料的切片機(jī)通常的工作方式如附圖1所示 設(shè)置表面排布有螺旋狀導(dǎo)槽的導(dǎo)輪11，切割線12繞在導(dǎo)輪的導(dǎo)槽上， 通過導(dǎo)輪的單向轉(zhuǎn)動使切割線移動從而在導(dǎo)輪的長度方向上形成多段 切割工作段，用移動的切割線切割硅單晶棒料13形成晶片。這種結(jié)構(gòu) 中，整個導(dǎo)輪上排布的導(dǎo)槽的間距決定了各切割線的各段切割工作段的 間距。當(dāng)導(dǎo)槽的間距較大時，單位長度的棒料所能切割的晶片數(shù)較少， 當(dāng)導(dǎo)槽的間距較小時，單位長度的棒料所能切割的晶片數(shù)較多，考慮到 切割線切割時對材料的消耗，切割線直徑越粗所允許的導(dǎo)槽間距也越 大。通常的導(dǎo)輪結(jié)構(gòu)中，導(dǎo)輪上的導(dǎo)槽間距是根據(jù)所使用的切割線的標(biāo) 稱直徑均勾設(shè)置的，沒有最大限度地提高單位棒料長度所能切割的晶片 數(shù)以及單位長度切割線的消耗所能切割的晶片數(shù)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是，提供一種能夠增加單位長度棒料和 單位長度切割線消耗下晶片的切割數(shù)量，可降低晶片生產(chǎn)成本的晶片切 片機(jī)導(dǎo)輪及晶片切割方法。本發(fā)明的晶片切片機(jī)導(dǎo)輪包括有圓柱狀的輪體和排布在導(dǎo)輪外圓
柱面上的螺旋形導(dǎo)槽，其特征是由導(dǎo)輪的前端至后端，相鄰導(dǎo)槽的間 距逐漸減小。
本發(fā)明的晶片切割方法是在晶片切割機(jī)上設(shè)置上述的導(dǎo)輪，使切 割線以常規(guī)的方式繞在導(dǎo)輪上運(yùn)行并切割棒料。
本發(fā)明的效果體現(xiàn)在利用切割線在切割過程中的變化，最大限度 地提高晶片切割的經(jīng)濟(jì)性。由于切割線在依次繞過各導(dǎo)槽并切割棒料的 過程中其直徑因切割磨損而逐漸減小，設(shè)置在導(dǎo)輪上的導(dǎo)槽配合切割線 直徑的減小而間距逐漸縮小，這樣使得單位長度的棒料和單位長度的切 割線消耗可以切割出更多的晶片，降低了晶片制造成本。


圖l是切片機(jī)切割工作的原理圖2是本發(fā)明的導(dǎo)輪示意圖3是本發(fā)明的導(dǎo)輪邊緣的A局部放大結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式
如圖2所示，本發(fā)明的晶片切片機(jī)導(dǎo)輪包括有圓柱狀的輪體21和 設(shè)置在輪體上的螺旋狀導(dǎo)槽22，由導(dǎo)輪的前端至后端，相鄰導(dǎo)槽的間距 L逐漸減小，工作過程中，切割線從最前端的導(dǎo)槽開始繞入，依次繞過 所有導(dǎo)槽后離開導(dǎo)輪，通過一對導(dǎo)輪的旋轉(zhuǎn)，帶動切割線切割棒料。
權(quán)利要求
1、一種晶片切片機(jī)導(dǎo)輪，包括包括有圓柱狀的輪體和排布在導(dǎo)輪外圓柱面上的螺旋形導(dǎo)槽，其特征是由導(dǎo)輪的前端至后端，相鄰導(dǎo)槽的間距逐漸減小。
2、 一種晶片切割方法，其特征是在晶片切割機(jī)上設(shè)置權(quán)利要求l的導(dǎo)輪，使切割線以常規(guī)的方式繞在導(dǎo)輪上運(yùn)行并切割棒料。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種太陽能用硅晶片的生產(chǎn)設(shè)備及晶片切割方法，是一種用來將硅單晶棒料切割為晶片的切片機(jī)的部件，具體是一種晶片切片機(jī)導(dǎo)輪及使用該導(dǎo)輪切割晶片的方法。本發(fā)明的晶片切片機(jī)導(dǎo)輪包括有圓柱狀的輪體和排布在導(dǎo)輪外圓柱面上的螺旋形導(dǎo)槽，由導(dǎo)輪的前端至后端，相鄰導(dǎo)槽的間距逐漸減小。本發(fā)明的效果體現(xiàn)在利用切割線在切割過程中的變化，最大限度地提高晶片切割的經(jīng)濟(jì)性。由于切割線在依次繞過各導(dǎo)槽并切割棒料的過程中其直徑因切割磨損而逐漸減小，設(shè)置在導(dǎo)輪上的導(dǎo)槽配合切割線直徑的減小而間距逐漸縮小，這樣使得單位長度的棒料和單位長度的切割線消耗可以切割出更多的晶片，降低了晶片制造成本。
文檔編號B28D5/04GK101579895SQ20091003262
公開日2009年11月18日 申請日期2009年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月30日
發(fā)明者張錦根, 施海明, 林 鄂, 陸景剛 申請人:鎮(zhèn)江環(huán)太硅科技有限公司