專利名稱：硅晶錠切割裝置及切割方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及工業(yè)原料的加工工具及加工方法，特別涉及硅晶錠的加工工具及加工 方法，具體是指一種硅晶錠切割裝置及切割方法。
背景技術(shù)：
隨著傳統(tǒng)的化石能源，諸如煤、石油、天然氣等逐漸枯竭，人類必須尋找可替代的 能源。如今，太陽能作為一種新型可再生的清潔能源被各國所重視。因此，作為太陽能利用 的載體——太陽能電池片也成為各個能源企業(yè)所生產(chǎn)的主要產(chǎn)品。硅晶電池片是太陽能光 伏的主流產(chǎn)品，隨著技術(shù)進(jìn)步和市場發(fā)展，生產(chǎn)企業(yè)勢必對硅片質(zhì)量提出更高的要求。傳統(tǒng)的切割方式是采用平行切割方法。如圖1所示，硅晶錠的移動方面如圖中箭 頭所示。該方法在切入硅晶錠1的尾部時，切割裝置2'的鋼線依次切入玻璃層、膠體層、晶 錠后再切入膠體層，并最終從玻璃層切出。由于玻璃層、膠體層和晶錠之間的機(jī)械性能差異 較大，切割的面積也在不斷發(fā)生變化，而鋼線的切割能力是穩(wěn)定的，因此在切割至尾部行程 時，受上述的因素影響，經(jīng)常造成硅片產(chǎn)生硅落等不良現(xiàn)象，降低了產(chǎn)品質(zhì)量，提高了硅片 的生產(chǎn)成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是克服了上述現(xiàn)有技術(shù)中的缺點，提供一種能夠有效降低硅落等不 良現(xiàn)象的產(chǎn)生概率，提高所生產(chǎn)的產(chǎn)品的質(zhì)量，降低生產(chǎn)成本，且結(jié)構(gòu)簡單的硅晶錠切割裝 置及切割方法。為了實現(xiàn)上述的目的，本發(fā)明的硅晶錠切割裝置具有如下構(gòu)成該硅晶錠切割裝置的頂面為硅晶錠切割面，所述的硅晶錠切割面傾斜于水平面。該硅晶錠切割裝置中，所述的硅晶錠切割面的切入點的高度比切出點的高度低。該硅晶錠切割裝置中，所述的硅晶錠切割面的切入點和切出點之間的水平高度差 為1. 5毫米至3毫米。該硅晶錠切割裝置中，所述的硅晶錠切割面的切入點和切出點之間的水平高度差 為2毫米。本發(fā)明還提供一種利用所述的硅晶錠切割裝置進(jìn)行硅晶錠切割的方法，該方法包 括以下步驟(1)待切割的硅晶錠沿預(yù)設(shè)的切割路線移動，并從所述的硅晶錠切割面的切入點 移入所述的硅晶錠切割裝置；(2)待切割的硅晶錠沿預(yù)設(shè)的切割路線移動，并從所述的硅晶錠切割面的切出點 移出所述的硅晶錠切割裝置；其中，所述的預(yù)設(shè)的切割路線與所述的硅晶錠切割面間具有夾角。該硅晶錠切割的方法中，所述的切割路線與硅晶錠切割面間的夾角為0. 6度。該硅晶錠切割的方法中，所述的硅晶錠包括硅晶體、膠體層和玻璃層，所述的玻璃層通過所述的膠體層覆蓋于所述的硅晶體的表面，所述的步驟(1)中的硅晶錠切割面的切 入點與硅晶錠的接觸點位于所述的硅晶層。該硅晶錠切割的方法中，所述的步驟(2)中的硅晶錠切割面的切出點與硅晶錠的 接觸點位于所述的玻璃層。采用了該發(fā)明的硅晶錠切割裝置及切割方法，由于該硅晶錠切割裝置的硅晶錠切 割面傾斜于水平面，且在切割過程中切割路線與所述的硅晶錠切割面間具有夾角，因此，切 割面直接切入硅晶錠的硅晶體，并經(jīng)過膠體層從玻璃層切出，從而減少了在不同機(jī)械性能 中切割造成硅落等不良現(xiàn)象的可能性，提高了所生產(chǎn)的硅晶片的良品率，降低了生產(chǎn)成本。 本發(fā)明的結(jié)構(gòu)簡單，應(yīng)用便利，成本低廉且使用范圍較為廣泛。


圖1為使用現(xiàn)有技術(shù)中的硅晶錠切割裝置的切割方法的切割路線示意圖。圖2為本發(fā)明的硅晶錠切割裝置的端面方向的結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為本發(fā)明的硅晶錠切割裝置的立體結(jié)構(gòu)示意圖。圖4為使用本發(fā)明的硅晶錠切割裝置的切割方法的切割路線示意圖。
具體實施例方式為了能夠更清楚地理解本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容，特舉以下實施例詳細(xì)說明。請參閱圖2及圖3所示，為本發(fā)明硅晶錠切割裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。在本發(fā)明的一種實施方式中，所述的硅晶錠切割裝置2的頂面21為硅晶錠切割 面，所述的硅晶錠切割面21傾斜于水平面。該硅晶錠切割面21的切入點22的高度比切出 點23的高度低。在一種優(yōu)選的實施方式中，所述的硅晶錠切割面21的切入點22和切出點23之間 的水平高度差為1. 5毫米至3毫米。在一種更優(yōu)選的實施方式中，所述的硅晶錠切割面21的切入點22和切出點23之 間的水平高度差為2毫米。本發(fā)明還提供了一種利用所述的硅晶錠切割裝置進(jìn)行硅晶錠切割的方法。如圖4所示，硅晶錠的移動方面如圖中箭頭所示。在一種實施方式中所述的進(jìn)行 硅晶錠切割的方法包括以下步驟(1)待切割的硅晶錠1沿預(yù)設(shè)的切割路線3移動，并從所述的硅晶錠切割面21的 切入點22移入所述的硅晶錠切割裝置2 ；(2)待切割的硅晶錠1沿預(yù)設(shè)的切割路線3移動，并從所述的硅晶錠切割面21的 切出點23移出所述的硅晶錠切割裝置2 ；其中，所述的預(yù)設(shè)的切割路線3與所述的硅晶錠切割面21間具有夾角。在一種優(yōu)選的實施方式中，所述的硅晶錠切割的方法中的切割路線3與硅晶錠切 割面21間的夾角為0.6度。在另一種優(yōu)選的實施方式中，所述的硅晶錠1包括硅晶體、膠體層和玻璃層，所述 的玻璃層通過所述的膠體層覆蓋于所述的硅晶體的表面，所述的步驟(1)中的硅晶錠切割 面21的切入點22與硅晶錠1的接觸點位于所述的硅晶層。所述的步驟(2)中的硅晶錠切割面21的切出點23與硅晶錠1的接觸點位于所述的玻璃層。在本發(fā)明的應(yīng)用中，將本發(fā)明的硅晶錠切割裝置水平放置，其頂面為傾斜的硅晶 錠切割面。硅晶錠沿預(yù)設(shè)的切割路線移動，從硅晶錠切割面的切入點移入后經(jīng)切出點移出。 所述的硅晶錠切割面的切入點與硅晶錠的接觸點位于硅晶錠的硅晶層，切出點與硅晶錠的 接觸點位于硅晶錠的玻璃層。以此方法切割的硅晶片產(chǎn)生晶落等不良現(xiàn)象的可能性降低， 硅晶片的良品率達(dá)到94%，而傳統(tǒng)采用平行切割方式的硅晶片的良品率僅為92%，從而減 少了生產(chǎn)過程中的浪費，降低了生產(chǎn)成本。采用了本發(fā)明的硅晶錠切割裝置及切割方法，由于該硅晶錠切割裝置的硅晶錠切 割面傾斜于水平面，且在切割過程中切割路線與所述的硅晶錠切割面間具有夾角，因此，切 割面直接切入硅晶錠的硅晶體，并經(jīng)過膠體層從玻璃層切出，從而減少了在不同機(jī)械性能 中切割造成硅落等不良現(xiàn)象的可能性，提高了所生產(chǎn)的硅晶片的良品率，降低了生產(chǎn)成本。 本發(fā)明的結(jié)構(gòu)簡單，應(yīng)用便利，成本低廉且使用范圍較為廣泛。在此說明書中，本發(fā)明已參照其特定的實施例作了描述。但是，很顯然仍可以作出 各種修改和變換而不背離本發(fā)明的精神和范圍。因此，說明書和附圖應(yīng)被認(rèn)為是說明性的 而非限制性的。
權(quán)利要求
1.一種硅晶錠切割裝置，其特征在于，所述的硅晶錠切割裝置的頂面為硅晶錠切割面， 所述的硅晶錠切割面傾斜于水平面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅晶錠切割裝置，其特征在于，所述的硅晶錠切割面的切入 點的高度比切出點的高度低。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的硅晶錠切割裝置，其特征在于，所述的硅晶錠切割面的切 入點和切出點之間的水平高度差為1. 5毫米至3毫米。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的硅晶錠切割裝置，其特征在于，所述的硅晶錠切割面的切入 點和切出點之間的水平高度差為2毫米。
5.一種利用權(quán)利要求1所述的硅晶錠切割裝置進(jìn)行硅晶錠切割的方法，其特征在于， 所述的方法包括以下步驟(1)待切割的硅晶錠沿預(yù)設(shè)的切割路線移動，并從所述的硅晶錠切割面的切入點移入 所述的硅晶錠切割裝置；(2)待切割的硅晶錠沿預(yù)設(shè)的切割路線移動，并從所述的硅晶錠切割面的切出點移出 所述的硅晶錠切割裝置；其中，所述的預(yù)設(shè)的切割路線與所述的硅晶錠切割面間具有夾角。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的硅晶錠切割的方法，其特征在于，所述的切割路線與硅晶錠 切割面間的夾角為0.6度。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的硅晶錠切割的方法，其特征在于，所述的硅晶錠包括硅晶體、 膠體層和玻璃層，所述的玻璃層通過所述的膠體層覆蓋于所述的硅晶體的表面，所述的步 驟(1)中的硅晶錠切割面的切入點與硅晶錠的接觸點位于所述的硅晶層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的硅晶錠切割的方法，其特征在于，所述的步驟(2)中的硅晶錠 切割面的切出點與硅晶錠的接觸點位于所述的玻璃層。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種硅晶錠切割裝置，其中，該裝置的頂面為硅晶錠切割面，該硅晶錠切割面傾斜于水平面。本發(fā)明還涉及一種利用該硅晶錠切割裝置的切割方法，在該方法中，待切割的硅晶錠沿預(yù)設(shè)的切割路線從硅晶錠切割面的切入點移入切割裝置，并從切出點移出硅晶錠切割裝置，其中，所述的預(yù)設(shè)的切割路線與所述的硅晶錠切割面間具有夾角。采用了本發(fā)明的硅晶錠切割裝置及切割方法，由于該切割裝置的切割面傾斜于水平面，且在切割過程中切割路線與切割面間具有夾角，因此，切割面直接切入硅晶錠的硅晶體，并經(jīng)過膠體層從玻璃層切出，從而減少了在不同機(jī)械性能中切割造成硅落等不良現(xiàn)象的可能性，提高了所生產(chǎn)的硅晶片的良品率，降低了生產(chǎn)成本。
文檔編號B28D5/04GK102107464SQ20101056359
公開日2011年6月29日 申請日期2010年11月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月29日
發(fā)明者陳平 申請人:上海申和熱磁電子有限公司