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復(fù)合耐高溫吸波涂層材料及吸波涂層的制備方法

文檔序號:1969032閱讀:463來源:國知局
專利名稱:復(fù)合耐高溫吸波涂層材料及吸波涂層的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于電子材料技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及耐高溫介電電磁波吸波涂層及其制備技術(shù)。
背景技術(shù)
武器裝備需要隱身的部位按照工作溫度來劃分,可分為常溫和高溫兩類,因為絕大部分磁性吸收劑居里溫度較低,在高溫下失去磁性,從而失去吸波性能,因此武器高溫部位的隱身必須采用高溫吸波材料。由于高溫吸波材料僅僅依靠材料的電損耗來吸收電磁波,故其吸波效率遠(yuǎn)低于磁性吸波材料,這就要求高溫吸波材料具有較大的厚度。目前的吸波涂層大多數(shù)均采用耐熱性能有限的有機(jī)膠粘劑作為結(jié)合劑,因此制備的吸波涂層普遍只能在300°C以下使用,這就導(dǎo)致與其中的陶瓷骨料耐高溫性匹配性能很差;而在實際的工業(yè)生產(chǎn)中,會出現(xiàn)500 700°C高溫苛刻的工作環(huán)境,選用耐高溫性良好, 粘結(jié)強(qiáng)度高的無機(jī)膠粘劑作為膠粘劑制備耐高溫吸波涂層,這樣就克服了有機(jī)膠粘劑耐高溫性能的不足,同時又具備膠粘涂層的各種優(yōu)點(如成型工藝簡單、滿足各類復(fù)雜結(jié)構(gòu)涂敷、經(jīng)濟(jì)、環(huán)保等),從而大大拓寬其在工業(yè)中的應(yīng)用領(lǐng)域,但采用無機(jī)結(jié)合劑制備吸波涂層的技術(shù)國內(nèi)外鮮有報道。磷酸鹽耐熱涂料因其最高可耐1700°C的高溫而備受關(guān)注。其附著力強(qiáng)、價廉、毒性低、污染少、不燃不爆等優(yōu)點而得到廣泛應(yīng)用,由于其成膜是基于酸式磷酸根的脫水縮合, 需要在高溫烘烤下才能固化,所以基本能滿足武器高溫部分的使用要求。磷酸鹽膠黏劑種類繁多,其中磷酸二氫鋁是粘結(jié)效果最好,力學(xué)性能優(yōu)異的一種,所以磷酸二氫鋁是目前應(yīng)用最廣泛,關(guān)注度最高,研究最多的磷酸鹽膠黏劑;作為負(fù)載的結(jié)晶硅是通過1300°C燒結(jié)而成的,具有優(yōu)良的耐高溫性能,同時具有很好的介電性能,完全可以滿足涂層設(shè)計要求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種耐高溫電磁波吸收涂層及其制備方法,使制備的電磁波吸收涂層具有在800°C以下,在特定微波頻段GGHz 8GHz、8GHz 12GHz、10GHz 14GHz)內(nèi)具有高電損耗、性能穩(wěn)定和厚度相對較薄等特點。—種耐高溫電磁波吸收涂層,由磷酸二氫鋁、氧化鎂、氧化鋁、結(jié)晶硅組成,其特征在于,各組分按照如下質(zhì)量百分比混合(去離子水為溶劑)磷酸二氫鋁12. 6 18
氧化鎂0. 7 1 ;
氧化鋁0. 7 1 ;
結(jié)晶娃80 86。 利用噴涂法噴涂于大小為00*20厘米)鋁板上,并形成厚度在0.9-1. 3毫米的耐
高溫吸波涂層。
一種耐高溫電磁波吸收涂層的制備方法,如圖1所示,其特征在于包括如下步驟步驟1將工業(yè)用85%濃磷酸加去離子水稀釋到60%,按摩爾比3比1與氫氧化鋁混合,在93°C下反應(yīng),用攪拌機(jī)進(jìn)行攪拌,直至生成透明澄清溶液,停止加熱,加去離子水調(diào)整PH值至3. 5-4之間,制得磷酸二氫鋁。步驟2將步驟1所得的磷酸二氫鋁(12. 6% 18%)與氧化鎂(0. 7% 1 % )、氧化鋁(0. 7% )混合攪拌直至得到澄清溶液。步驟3將步驟2中制備的磷酸二氫鋁膠黏劑與結(jié)晶硅粉(80% 86% )混合攪拌直至均勻,得到耐高溫吸波涂料。步驟4將步驟3所得涂料,噴涂于鋁板上,室溫放置4 5小時,放入烘箱以一定加熱曲線進(jìn)行固化。如圖2。本發(fā)明具有如下突出優(yōu)點1、以無機(jī)膠黏劑磷酸二氫鋁為黏合劑,負(fù)載材料結(jié)晶硅為吸收劑,由于磷酸鹽膠黏劑最高可耐1700°C的高溫,同時結(jié)晶硅是通過1300°C燒結(jié)而成,用于大功率負(fù)載,所以制得的涂層擁有很好的耐熱性能,最高可達(dá)800°C。2、工藝簡單、可操作性強(qiáng),成本較低,并且可以實現(xiàn)批量生產(chǎn)。3、該吸收涂層為無機(jī)物組成,無毒,使用方便。4、本發(fā)明的吸波性能優(yōu)異,吸收涂層能夠達(dá)到當(dāng)吸收劑含量為86%時,在 IOGHz 14GHz其反射率均低于_5dB,峰值達(dá)到_35dB ;吸收劑含量為84%時,在8GHz 12GHz其反射率均低于_5dB,峰值為-22dB ;吸收劑含量為80%時,在4GHz 8GHz其反射率均低于-5dB,峰值達(dá)到_32dB。如圖2。


圖1為本發(fā)明所述耐高溫電磁波吸收涂層制備工藝流程圖。圖2為本發(fā)明所述耐高溫電磁波吸收涂層固化溫度曲線。圖3為本發(fā)明所述耐高溫電磁波吸收涂層的反射率圖譜,如圖所示,a圖在4GHz 8GHz其反射率均低于_5dB,峰值達(dá)到_32dB,其厚度為1. 3毫米;b圖在8GHz 12GHz其反射率均低于_5dB,峰值為-22dB,其厚度為11毫米;c圖在IOGHz 14GHz其反射率均低于-5dB,峰值達(dá)到_35dB,其厚度為0. 9毫米。
具體實施例方式具體實施方式
一—種耐高溫電磁波吸收涂層,由磷酸二氫鋁、氧化鎂、氧化鋁和結(jié)晶硅組成,各組分按如下質(zhì)量百分比互熔磷酸二氫鋁 18氧化鎂1氧化鋁1結(jié)晶硅80以噴涂法噴涂于大小為00*20厘米)鋁板上并形成厚度為1. 3毫米的耐高溫吸
波涂層。
通過所述制備步驟即可獲得耐高溫電磁波吸收涂層,此時該涂層在800°C下性能穩(wěn)定,在4GHz 8GHz其反射率均低于_5dB,峰值達(dá)到_32dB。
具體實施方式
二一種耐高溫電磁波吸收涂層,由磷酸二氫鋁、氧化鎂、氧化鋁和結(jié)晶硅組成,各組分按如下質(zhì)量百分比互熔磷酸二氫鋁 14. 4氧化鎂0. 8氧化鋁0. 8結(jié)晶硅84以噴涂法噴涂于大小為00*20厘米)鋁板上并形成厚度為1. 3毫米的耐高溫吸
波涂層。通過所述制備步驟即可獲得耐高溫電磁波吸收涂層,此時該涂層在800°C下性能穩(wěn)定,在8GHz 12GHz其反射率均低于_5dB,峰值達(dá)到_22dB。
具體實施方式
三一種耐高溫電磁波吸收涂層,由磷酸二氫鋁、氧化鎂、氧化鋁和結(jié)晶硅組成,各組分按如下質(zhì)量百分比互熔磷酸二氫鋁 12. 6氧化鎂0. 7氧化鋁0. 7結(jié)晶硅86以噴涂法噴涂于大小為00*20厘米)鋁板上并形成厚度為1. 3毫米的耐高溫吸
波涂層。通過所述制備步驟即可獲得耐高溫電磁波吸收涂層,此時該涂層在800°C下性能穩(wěn)定,在IOGHz 14GHz其反射率均低于_5dB,峰值達(dá)到_35dB。上述三個具體實施方式
所述的耐高溫電磁波吸收涂層,其制備方法均與發(fā)明內(nèi)容中所述的制備方法相同,在此不再重復(fù)。
權(quán)利要求
1.復(fù)合耐高溫吸波涂層材料,其特征在于,由磷酸二氫鋁、氧化鎂、氧化鋁、結(jié)晶硅組成,以去離子水為溶劑,各組分按照如下質(zhì)量百分比混合磷酸二氫鋁12. 6 18氧化鎂0. 7 1 ;氧化鋁0. 7 1 ;結(jié)晶娃80 86。
2.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合耐高溫吸波涂層材料,其特征在于,各組分質(zhì)量百分比為 磷酸二氫鋁 18氧化鎂1氧化鋁1結(jié)晶硅80。
3.如權(quán)利要求1所述的磷酸二氫鋁復(fù)合結(jié)晶硅耐高溫吸波涂層材料,其特征在于,各組分質(zhì)量百分比為磷酸二氫鋁12.氧化鎂0. 7氧化鋁0. 7結(jié)晶娃86。
4.吸波涂層的制備方法,其特征在于,包括如下步驟步驟1將工業(yè)用85 %濃磷酸加去離子水稀釋到60 %,按摩爾比3比1與氫氧化鋁混合, 在93°C下反應(yīng),用攪拌機(jī)進(jìn)行攪拌,直至生成透明澄清溶液,停止加熱,加去離子水調(diào)整PH 值至3. 5-4之間,制得磷酸二氫鋁;步驟2將步驟1所得的磷酸二氫鋁與氧化鎂、氧化鋁混合攪拌直至得到澄清溶液; 步驟3將步驟2中制備的磷酸二氫鋁膠黏劑與結(jié)晶硅粉混合攪拌直至均勻,得到耐高溫吸波涂料;步驟4將步驟3所得涂料,噴涂于鋁板上,室溫放置4 5小時,放入烘箱以預(yù)定加熱曲線進(jìn)行固化;步驟2和步驟3中,以質(zhì)量百分比計,磷酸二氫鋁12. 6% 18%,氧化鎂0. 7% 1%,氧化鋁0.7% 1%,結(jié)晶硅粉80% 86%。
全文摘要
復(fù)合耐高溫吸波涂層材料及吸波涂層的制備方法,屬于電子材料技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明的復(fù)合耐高溫吸波涂層材料由磷酸二氫鋁、氧化鎂、氧化鋁、結(jié)晶硅組成,以去離子水為溶劑,各組分按照如下質(zhì)量百分比混合磷酸二氫鋁12.6~18;氧化鎂0.7~1;氧化鋁0.7~1;結(jié)晶硅80~86。本發(fā)明的涂層擁有很好的耐熱性能,吸波性能優(yōu)異。
文檔編號C04B28/34GK102173727SQ20101059013
公開日2011年9月7日 申請日期2010年12月15日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月15日
發(fā)明者梁迪飛, 紀(jì)永輝, 謝建良, 鄧龍江, 陳良 申請人:電子科技大學(xué)
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