專利名稱：玻璃襯底的處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種玻璃襯底的處理方法。
背景技術(shù)：
近年來，RRAM由于其具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單以及與現(xiàn)代半導(dǎo)體CMOS工藝匹配性優(yōu)異等特點(diǎn)，逐漸成為了新一代非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的研究熱點(diǎn)。在RRAM材料的研究過程中，人們逐漸發(fā)現(xiàn)了多種材料體系具有作為RRAM的應(yīng)用潛力，主要包括稀土錳氧化硅材料、過度金屬鈣鈦礦型結(jié)構(gòu)材料、二元過渡金屬氧化硅材料、有機(jī)高分子半導(dǎo)體材料以及一些硫化物材料等。目前，二元過渡金屬氧化硅的研究主要有NiO、TiOx, CuxO, Cu-MoOx, ZnO, Mg-ZnO, Co-Zno、Mn-ZnO、Fe2O3、ZrO2 等。由于二元過渡金屬氧化物材料一般具有較大的光學(xué)帶隙(> :3ev)，因此，在可見光范圍內(nèi)具有較好的透過率。因此，如果選用透明電極襯底，將可能實(shí)現(xiàn)全透明的RRAM存儲(chǔ)單元，并且可能集成于未來可視電子器件中。這種全透明RRAM器件并不是取代現(xiàn)有的以半導(dǎo)體材質(zhì)為襯底的電極器件，而是為未來的可視電子器件提供一種新的概念和趨勢(shì)，在透明電子器件領(lǐng)域?qū)⒂锌赡艿玫綇V泛應(yīng)用。利用二元過渡金屬氧化硅材料制作RRAM需要以透明的玻璃材質(zhì)為襯底，在所述襯底上依次制備“電極層/ 二元過渡金屬氧化物層/電極層”，以在玻璃襯底上形成三明治結(jié)構(gòu)的RRAM存儲(chǔ)單元，所述電極層具有良好的導(dǎo)電層(電阻率在10-5 10-4歐姆/厘米)，所述二元過渡金屬氧化物過渡薄膜具有良好的電阻轉(zhuǎn)變性能，且所述RRAM具有良好的可見光的透光性。在公開號(hào)為CN 101533890A的中國(guó)專利申請(qǐng)中還可以發(fā)現(xiàn)更多關(guān)于現(xiàn)有的RRAM
的信息。由于制作所述RRAM利用的玻璃襯底為透明材質(zhì)且所述玻璃襯底不導(dǎo)電，而由于現(xiàn)有的半導(dǎo)體設(shè)備的傳輸裝置僅可以識(shí)別不透明的半導(dǎo)體襯底或?qū)щ姷陌雽?dǎo)體襯底，對(duì)于透明的且不導(dǎo)電的玻璃襯底，現(xiàn)有的半導(dǎo)體設(shè)備的傳輸裝置無法識(shí)別，也無法將所述玻璃襯底傳輸至對(duì)應(yīng)的工藝腔室中進(jìn)行相關(guān)的光刻、薄膜、擴(kuò)散和刻蝕工藝，也無法利用所述玻璃襯底制作RRAM。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是提供了一種玻璃襯底的處理方法，在不改變現(xiàn)有的半導(dǎo)體設(shè)備的傳輸裝置的前提下使得半導(dǎo)體設(shè)備的傳輸裝置能夠識(shí)別所述玻璃襯底，在不增加半導(dǎo)體設(shè)備成本的前提下，實(shí)現(xiàn)了利用玻璃襯底進(jìn)行半導(dǎo)體工藝。為解決上述問題，本發(fā)明提供一種玻璃襯底的處理方法，包括提供玻璃襯底，所述玻璃襯底具有相對(duì)設(shè)置的第一表面和第二表面，所述第一表面用于進(jìn)行半導(dǎo)體工藝，所述第一表面和第二表面之間為側(cè)面；在所述玻璃襯底的第二表面和靠近所述第二表面的部分側(cè)面形成不透明的導(dǎo)電層；利用半導(dǎo)體設(shè)備對(duì)所述形成有不透明的導(dǎo)電層的玻璃襯底的第一表面進(jìn)行半導(dǎo)體工藝；在所述半導(dǎo)體工藝完成后，去除所述玻璃襯底的第二表面和部分側(cè)面的導(dǎo)電層?？蛇x地，所述不透明的導(dǎo)電層的材質(zhì)為半導(dǎo)體材質(zhì)，所述半導(dǎo)體材質(zhì)為多晶硅、摻雜多晶娃。可選地，所述多晶硅利用爐管制作，所述爐管的傳輸設(shè)備感應(yīng)器為機(jī)械感應(yīng)器，且所述傳輸設(shè)備的夾具為機(jī)械式夾具?？蛇x地，制作所述多晶硅時(shí)，所述爐管的溫度范圍小于500攝氏度?？蛇x地于，所述摻雜多晶硅的摻雜雜質(zhì)為磷元素、氟元素、硼元素或砷元素，所述摻雜多晶硅利用原位摻雜工藝制作。可選地，所述第二表面的不透明的導(dǎo)電層的厚度范圍為所述玻璃襯底厚度的 0. 3 1. 3 倍?？蛇x地，所述靠近所述第二表面的部分側(cè)面的不透明的導(dǎo)電層的厚度為所述玻璃襯底厚度的0. 1 0. 7倍?？蛇x地，所述導(dǎo)電層的去除方法為濕法刻蝕工藝，所述濕法刻蝕工藝?yán)昧姿帷⒋姿岷拖跛岬幕旌先芤哼M(jìn)行。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明在玻璃襯底的第二表面和靠近所述第二表面的部分側(cè)面形成不透明的導(dǎo)電層，由于設(shè)置了不透明的導(dǎo)電層，該玻璃襯底能夠被光學(xué)感應(yīng)器和電子式夾具夾持，因此，使得所述導(dǎo)電層能夠在設(shè)置了光學(xué)感應(yīng)器和/或電子式夾具作為傳輸裝置的一部分的半導(dǎo)體設(shè)備能夠傳輸所述玻璃襯底，使得所述玻璃襯底能夠在所述半導(dǎo)體襯底中進(jìn)行工藝，由于本發(fā)明沒有對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備的傳輸裝置進(jìn)行改造，因此，本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了在沒有增加半導(dǎo)體設(shè)備的成本的前提下對(duì)玻璃襯底進(jìn)行半導(dǎo)體工藝；進(jìn)一步優(yōu)化地，所述不透明的導(dǎo)電層的材質(zhì)為半導(dǎo)體材質(zhì)，所述半導(dǎo)體材質(zhì)為多晶硅、摻雜多晶硅，與利用金屬制作不透明的導(dǎo)電層相比，減小了金屬層對(duì)所述玻璃襯底金屬污染，防止所述金屬離子擴(kuò)散至玻璃襯底內(nèi)，破壞最終制作的器件的性能。


圖1是本發(fā)明的玻璃襯底的處理方法流程示意圖；圖2 圖4是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的玻璃襯底的處理方法結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式由于制作所述RRAM利用的玻璃襯底為透明材質(zhì)且所述玻璃襯底不導(dǎo)電，而由于現(xiàn)有的半導(dǎo)體設(shè)備的傳輸裝置僅可以識(shí)別不透明的半導(dǎo)體襯底或?qū)щ姷陌雽?dǎo)體襯底，對(duì)于透明的且不導(dǎo)電的玻璃襯底，現(xiàn)有的半導(dǎo)體設(shè)備的傳輸裝置無法識(shí)別，也無法將所述玻璃襯底傳輸至對(duì)應(yīng)的工藝腔室中進(jìn)行相關(guān)的光刻、薄膜、擴(kuò)散和刻蝕工藝，也無法利用所述玻璃襯底制作RRAM。為了說明上述問題，下面將對(duì)現(xiàn)有的半導(dǎo)體設(shè)備的傳輸裝置傳輸襯底的原理進(jìn)行說明。具體地，襯底通常放置于片架(cassette)中，而片架放置于半導(dǎo)體設(shè)備的襯底暫存臺(tái)(wafer buffer)，通過半導(dǎo)體設(shè)備的傳輸裝置將襯底從片架中取出，放置到半導(dǎo)體設(shè)備的工藝腔室中，在工藝完畢后，所述傳輸裝置將襯底放回片架的原來的位置。所述半導(dǎo)體設(shè)備的傳輸裝置包括感應(yīng)器(sensor)、夾具(chuck)和機(jī)械手臂(mechnical robot) 0 所述感應(yīng)器用于確定襯底所在的位置，所述夾具在感應(yīng)器確定襯底的位置后，在機(jī)械手臂的作用下運(yùn)動(dòng)至片架的對(duì)應(yīng)位置，將襯底從對(duì)應(yīng)的位置取出，并在機(jī)械手臂的作用下運(yùn)動(dòng)至所述設(shè)備的工藝腔室中，所述夾具分為機(jī)械式夾具(mechnical chuck)和電子式夾具 (Electrical chuck,E-chuk)兩種，其中機(jī)械式夾具由于利用機(jī)械摩擦力夾持襯底的，因此機(jī)械夾具可以夾持任何襯底，包括透明襯底、不透明襯底、導(dǎo)電襯底和絕緣襯底，而電子式夾具利用靜電力夾持襯底的，因此電子式夾具盡可以夾持導(dǎo)電的襯底，而無法夾持絕緣襯底(例如玻璃襯底)。所述感應(yīng)器包括光學(xué)感應(yīng)器和機(jī)械感應(yīng)器。其中所述光學(xué)感應(yīng)器利用光信號(hào)，掃描襯底，通過反射光信號(hào)確定襯底在片架中的位置，由于利用反射光信號(hào)確定襯底的位置， 因此，所述光學(xué)感應(yīng)器僅能夠掃描和識(shí)別不透明的襯底，對(duì)于透明的玻璃襯底，所述光學(xué)感應(yīng)器無法掃描和識(shí)別；所述機(jī)械感應(yīng)器通常利用設(shè)置在機(jī)械夾具上的感應(yīng)器來感應(yīng)襯底， 因此機(jī)械式感應(yīng)器可以對(duì)各種襯底(包括透明襯底、不透明襯底、導(dǎo)電襯底和絕緣襯底進(jìn)行感應(yīng))?，F(xiàn)有的半導(dǎo)體設(shè)備中，進(jìn)行不同工藝的半導(dǎo)體襯底的傳輸裝置各不相同，部分半導(dǎo)體設(shè)備(例如進(jìn)行多晶硅襯底的爐管設(shè)備)可以感應(yīng)和傳輸各種襯底，包括透明襯底、不透明襯底、導(dǎo)電襯底和絕緣襯底，所述部分半導(dǎo)體設(shè)備通常利用機(jī)械式感應(yīng)器、機(jī)械式夾具和機(jī)械手臂作為傳輸裝置的一部分)，因此，所述半導(dǎo)體設(shè)備可以對(duì)玻璃襯底進(jìn)行相關(guān)的半導(dǎo)體工藝。而另一部分半導(dǎo)體設(shè)備(例如進(jìn)行導(dǎo)電層沉積的物理氣相沉積設(shè)備、濺射設(shè)設(shè)備、離子注入設(shè)備等)，其可能由于利用光學(xué)感應(yīng)器而無法感應(yīng)玻璃襯底或利用電子式夾具而無法夾持玻璃襯底，使得所述另一部分半導(dǎo)體設(shè)備無法對(duì)玻璃襯底進(jìn)行相關(guān)的工藝。發(fā)明人考慮對(duì)所述另一部分半導(dǎo)體襯底的傳輸裝置進(jìn)行改造，所述改造包括將光學(xué)感應(yīng)器改造為機(jī)械感應(yīng)器；將電子式夾具改造為電子式夾具。但是上述改造涉及的多種半導(dǎo)體設(shè)備，成本巨大，如果不改造，則無法利用所述另一部分半導(dǎo)體襯底進(jìn)行相關(guān)的半導(dǎo)體工藝。為了解決上述問題，發(fā)明人提出一種對(duì)玻璃襯底的處理方法，在不改變現(xiàn)有的半導(dǎo)體設(shè)備的傳輸裝置的前提下使得半導(dǎo)體設(shè)備的傳輸裝置能夠識(shí)別所述玻璃襯底，在不增加半導(dǎo)體設(shè)備成本的前提下，實(shí)現(xiàn)了利用玻璃襯底進(jìn)行半導(dǎo)體工藝。請(qǐng)結(jié)合圖1所述的本發(fā)明的玻璃襯底預(yù)處理的方法流程示意圖，所述方法包括步驟Si，提供玻璃襯底，所述玻璃襯底具有相對(duì)設(shè)置的第一表面和第二表面，所述第一表面用于進(jìn)行半導(dǎo)體工藝，所述第一表面和第二表面之間為側(cè)面；步驟S2，在所述玻璃襯底的第二表面和靠近所述第二表面的部分側(cè)面形成不透明的導(dǎo)電層；步驟S3，利用半導(dǎo)體設(shè)備對(duì)所述形成有不透明的導(dǎo)電層的玻璃襯底的第一表面進(jìn)行半導(dǎo)體工藝；步驟S4，在所述半導(dǎo)體工藝完成后，去除所述玻璃襯底的第二表面和部分側(cè)面的導(dǎo)電層。下面結(jié)合具體的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)的說明。為了更好的說明本發(fā)明的技術(shù)方案，請(qǐng)結(jié)合圖2 圖4所示的本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的玻璃襯底的處理方法結(jié)構(gòu)示意圖。首先，請(qǐng)參考圖2，提供玻璃襯底100，所述玻璃襯底100具有相對(duì)設(shè)置的第一表面 101和第二表面102，所述第一表面用101于進(jìn)行半導(dǎo)體工藝，所述第一表面101和第二表面102之間為側(cè)面。所述半導(dǎo)體工藝包括光刻、薄膜、刻蝕和擴(kuò)散，不同的光刻工藝?yán)貌煌陌雽?dǎo)體設(shè)備進(jìn)行。然后，請(qǐng)繼續(xù)參考圖2，形成包圍所述玻璃襯底100的第一表面101、第二表面102 和所述第一表面101和第二表面102之間的側(cè)面的導(dǎo)電層200，所述導(dǎo)電層200的材質(zhì)為不透明材質(zhì)。所述導(dǎo)電層200用于使得所述玻璃襯底100能夠被電子式夾具和光學(xué)感應(yīng)器感應(yīng)，使得所述玻璃襯底100能夠在各種半導(dǎo)體設(shè)備中工藝。作為一個(gè)實(shí)施例，所述導(dǎo)電層的材質(zhì)為多晶硅，所述多晶硅利用爐管制作。由于爐管的傳輸設(shè)備感應(yīng)器為機(jī)械感應(yīng)器，且所述傳輸設(shè)備的夾具為機(jī)械式夾具，因此，所述爐管的傳輸設(shè)備可以傳輸所述玻璃襯底100，從而可以利用爐管在所述玻璃襯底100的第一表面101、第二表面102和所述第一表面101和第二表面102之間的側(cè)面形成導(dǎo)電層200。為了防止形成所述多晶硅時(shí)，所述玻璃襯底100融化，所述爐管的溫度不宜過高，所述溫度應(yīng)小于500攝氏度。作為本發(fā)明的又一實(shí)施例，所述導(dǎo)電層200的材質(zhì)可以為摻雜多晶硅，所述摻雜多晶硅的摻雜雜質(zhì)為磷元素、氟元素、硼元素或砷元素，所述摻雜多晶硅利用原位摻雜工藝制作，所述原位摻雜在爐管中進(jìn)行。所述爐管的傳輸裝置為機(jī)械感應(yīng)器，且所述傳輸設(shè)備的夾具為機(jī)械式夾具，因此，所述爐管的傳輸設(shè)備可以傳輸所述玻璃襯底100，從而可以利用爐管在所述玻璃襯底100的第一表面101、第二表面102和所述第一表面101和第二表面 102之間的側(cè)面形成導(dǎo)電層200。為了防止形成所述摻雜多晶硅時(shí)，所述玻璃襯底100融化，所述爐管的溫度不宜過高，所述溫度應(yīng)小于500攝氏度。所述摻雜多晶硅的導(dǎo)電性比未摻雜的多晶硅的導(dǎo)電性好，從而更加有利于增大電子式夾具夾持所述玻璃襯底100的夾持力。然后，請(qǐng)參考圖3，去除位于所述第一表面101和靠近第一表面101的所述側(cè)面上的部分導(dǎo)電層，保留位于所述第二表面102和靠近所述第二表面102的部分導(dǎo)電層200。其中所述第二表面102的不透明的導(dǎo)電層200的厚度范圍為所述玻璃襯底100厚度的0. 3 1. 3倍，優(yōu)選為所述玻璃襯底100厚度的0. 3 0. 7倍，以保證所述玻璃襯底200能夠被光學(xué)感應(yīng)器所感應(yīng)；所述靠近所述第二表面102的部分側(cè)面的不透明的導(dǎo)電層200的厚度為所述玻璃襯底100厚度的0. 1 0. 7倍，優(yōu)選為所述玻璃襯底100厚度的0. 2 0. 5倍，以保證所述玻璃襯底100能夠被電子式夾具加持時(shí)的穩(wěn)定性和可靠性。接著，利用半導(dǎo)體設(shè)備對(duì)所述形成有不透明的導(dǎo)電層200的玻璃襯底100的第一表面101進(jìn)行半導(dǎo)體工藝。所述半導(dǎo)體工藝包括光刻、刻蝕、薄膜和擴(kuò)散工藝，每一半導(dǎo)體工藝具有對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體設(shè)備，由于在玻璃襯底100的第二表面102和靠近所述第二表面 102的側(cè)面設(shè)置了不透明的導(dǎo)電層200，從而各種類型的半導(dǎo)體設(shè)備的傳輸設(shè)備的夾具(包括電子式夾具和機(jī)械式夾具)和感應(yīng)器(包括光學(xué)感應(yīng)器和機(jī)械感應(yīng)器)均可以夾持和感應(yīng)所述玻璃襯底100，從而所述玻璃襯底100可以在各種半導(dǎo)體設(shè)備中進(jìn)行半導(dǎo)體工藝。在所述玻璃襯底100上進(jìn)行的半導(dǎo)體工藝與現(xiàn)有技術(shù)相同，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)玻璃襯底100上要形成的器件進(jìn)行具體的設(shè)置，例如所述玻璃襯底100上可以制作 RRAM,所述半導(dǎo)體工藝作為本領(lǐng)域技術(shù)人員的公知技術(shù)，在此不做詳細(xì)的說明。最后，請(qǐng)參考圖4，在所述半導(dǎo)體工藝完成后，去除所述玻璃襯底100的第二表面 102和部分側(cè)面的導(dǎo)電層。所述導(dǎo)電層的去除方法為濕法刻蝕工藝，所述濕法刻蝕工藝?yán)昧姿?、醋酸和硝酸的混合溶液進(jìn)行。綜上，本發(fā)明在玻璃襯底的第二表面和靠近所述第二表面的部分側(cè)面形成不透明的導(dǎo)電層，由于設(shè)置了不透明的導(dǎo)電層，該玻璃襯底能夠被光學(xué)感應(yīng)器和電子式夾具夾持， 因此，使得所述導(dǎo)電層能夠在設(shè)置了光學(xué)感應(yīng)器和/或電子式夾具作為傳輸裝置的一部分的半導(dǎo)體設(shè)備能夠傳輸所述玻璃襯底，使得所述玻璃襯底能夠在所述半導(dǎo)體襯底中進(jìn)行工藝，由于本發(fā)明沒有對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備的傳輸裝置進(jìn)行改造，因此，本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了在沒有增加半導(dǎo)體設(shè)備的成本的前提下對(duì)玻璃襯底進(jìn)行半導(dǎo)體工藝；進(jìn)一步優(yōu)化地，所述不透明的導(dǎo)電層的材質(zhì)為半導(dǎo)體材質(zhì)，所述半導(dǎo)體材質(zhì)為多晶硅、摻雜多晶硅，與利用金屬制作不透明的導(dǎo)電層相比，減小了金屬層對(duì)所述玻璃襯底金屬污染，防止所述金屬離子擴(kuò)散至玻璃襯底內(nèi)，破壞最終制作的器件的性能。本發(fā)明雖然已以較佳實(shí)施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案做出可能的變動(dòng)和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種玻璃襯底的處理方法，其特征在于，包括提供玻璃襯底，所述玻璃襯底具有相對(duì)設(shè)置的第一表面和第二表面，所述第一表面用于進(jìn)行半導(dǎo)體工藝，所述第一表面和第二表面之間為側(cè)面；在所述玻璃襯底的第二表面和靠近所述第二表面的部分側(cè)面形成不透明的導(dǎo)電層； 利用半導(dǎo)體設(shè)備對(duì)所述形成有不透明的導(dǎo)電層的玻璃襯底的第一表面進(jìn)行半導(dǎo)體工藝；在所述半導(dǎo)體工藝完成后，去除所述玻璃襯底的第二表面和部分側(cè)面的導(dǎo)電層。
2.如權(quán)利要求1所述的玻璃襯底的處理方法，其特征在于，所述不透明的導(dǎo)電層的材質(zhì)為半導(dǎo)體材質(zhì)，所述半導(dǎo)體材質(zhì)為多晶硅、摻雜多晶硅。
3.如權(quán)利要求2所述的玻璃襯底的處理方法，其特征在于，所述多晶硅利用爐管制作， 所述爐管的傳輸設(shè)備感應(yīng)器為機(jī)械感應(yīng)器，且所述傳輸設(shè)備的夾具為機(jī)械式夾具。
4.如權(quán)利要求3所述的玻璃襯底的處理方法，其特征在于，制作所述多晶硅時(shí)，所述爐管的溫度范圍小于500攝氏度。
5.如權(quán)利要求2所述的玻璃襯底的處理方法，其特征在于，所述摻雜多晶硅的摻雜雜質(zhì)為磷元素、氟元素、硼元素或砷元素，所述摻雜多晶硅利用原位摻雜工藝制作。
6.如權(quán)利要求1所述的玻璃襯底的處理方法，其特征在于，所述第二表面的不透明的導(dǎo)電層的厚度范圍為所述玻璃襯底厚度的0. 3 1. 3倍。
7.如權(quán)利要求1所述的玻璃襯底的處理方法，其特征在于，所述靠近所述第二表面的部分側(cè)面的不透明的導(dǎo)電層的厚度為所述玻璃襯底厚度的0. 1 0. 7倍。
8.如權(quán)利要求1所述的玻璃襯底的處理方法，其特征在于，所述導(dǎo)電層的去除方法為濕法刻蝕工藝，所述濕法刻蝕工藝?yán)昧姿?、醋酸和硝酸的混合溶液進(jìn)行。
全文摘要
本發(fā)明提供一種玻璃襯底的處理方法，包括提供玻璃襯底，所述玻璃襯底具有相對(duì)設(shè)置的第一表面和第二表面，所述第一表面用于進(jìn)行半導(dǎo)體工藝，所述第一表面和第二表面之間為側(cè)面；在所述玻璃襯底的第二表面和靠近所述第二表面的部分側(cè)面形成不透明的導(dǎo)電層；利用半導(dǎo)體設(shè)備對(duì)所述形成有不透明的導(dǎo)電層的玻璃襯底的第一表面進(jìn)行半導(dǎo)體工藝；在所述半導(dǎo)體工藝完成后，去除所述玻璃襯底的第二表面和部分側(cè)面的導(dǎo)電層。在沒有增加半導(dǎo)體設(shè)備的成本的前提下，本發(fā)明解決了透明的玻璃襯底無法被部分半導(dǎo)體設(shè)備的傳輸裝置傳輸?shù)膯栴}，實(shí)現(xiàn)了傳輸裝置的光學(xué)感應(yīng)器和/或電子式夾具能夠感應(yīng)和傳輸玻璃襯底，實(shí)現(xiàn)了利用玻璃襯底制作器件。
文檔編號(hào)C03C15/00GK102543675SQ20101062046
公開日2012年7月4日 申請(qǐng)日期2010年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月31日
發(fā)明者劉國(guó)安, 劉煊杰, 黃河 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司