分流器，一種電流采樣及電路控制裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種分流器，一種電流采樣及電路控制裝置。分流器，其特征在于，包括：第一接線柱；第二接線柱；上采樣電阻和下采樣電阻，所述上采樣電阻兩端分別與第一接線柱和第二接線柱接觸連接；所述下采樣電阻兩端分別與第一接線柱和第二接線柱接觸連接；所述上采樣電阻與所述下采樣電阻均位于第一接線柱與第二接線柱之間，且第一采樣電阻與第二采樣電阻之間具有間隙；第一導(dǎo)線，所述第一導(dǎo)線與所述第一接線柱或所述上采樣電阻和下采樣電阻中之一在第一采樣點(diǎn)連接；第二導(dǎo)線，所述第二導(dǎo)線與所述第二接線柱或所述上采樣電阻和下采樣電阻中的另一個在第二采樣點(diǎn)連接；所述上采樣電阻、下采樣電阻、第一接線柱和第二接線柱圍成一通孔；所述第一導(dǎo)線與所述第二導(dǎo)線絞合延伸。
【專利說明】分流器，一種電流采樣及電路控制裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種分流器，一種電流采樣及電路控制裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]分流器是電流計(jì)量領(lǐng)域常用的器件，其對被測量電路的電流采樣，利用電流表測量通過分流器的電流值，通過計(jì)算可得出被測量電路中的電流值。圖1所示為一種分流器結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，其結(jié)構(gòu)包括第一接線柱31、第二接線柱32、采樣電阻33及第一導(dǎo)線34、第二導(dǎo)線35。第一接線柱31和第二接線柱32分別設(shè)置在采樣電阻33兩端，并與采樣電阻33接觸連接。第一導(dǎo)線34與采樣電阻33在第一采樣點(diǎn)36連接；第二導(dǎo)線35與采樣電阻33在第二采樣點(diǎn)37連接。第一采樣點(diǎn)36與第二采樣點(diǎn)37均位于采樣電阻33上端。第一導(dǎo)線34與第二導(dǎo)線35在絞合點(diǎn)38開始絞合延伸。在實(shí)際使用時，絞合點(diǎn)38與第一米樣點(diǎn)36之間的第一導(dǎo)線34、絞合點(diǎn)38與第二米樣點(diǎn)37之間的第二導(dǎo)線35及第一米樣點(diǎn)36和第二采樣點(diǎn)37之間的采樣電阻33形成一環(huán)路區(qū)域39。由電磁感應(yīng)定律可知，當(dāng)穿過該環(huán)路區(qū)域39的磁場發(fā)生變化時，會在形成該環(huán)路區(qū)域的導(dǎo)體內(nèi)產(chǎn)生感應(yīng)電流。感應(yīng)電流的產(chǎn)生會導(dǎo)致電流表檢測到的電流值與實(shí)際電流值不一致，存在誤差，影響測量精度。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]本實(shí)用新型的目的之一是為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足，提供一種可降低外部磁場干擾的分流器。
[0004]為實(shí)現(xiàn)以上目的，本實(shí)用新型通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):
[0005]分流器，其特征在于，包括:
[0006]第一接線柱；
[0007]第二接線柱；
[0008]上采樣電阻和下采樣電阻，所述上采樣電阻兩端分別與第一接線柱和第二接線柱接觸連接；所述下采樣電阻兩端分別與第一接線柱和第二接線柱接觸連接；所述上采樣電阻與所述下采樣電阻均位于第一接線柱與第二接線柱之間，且第一采樣電阻與第二采樣電阻之間具有間隙；
[0009]第一導(dǎo)線，所述第一導(dǎo)線與所述第一接線柱或所述上采樣電阻和下采樣電阻中之
一在第一米樣點(diǎn)連接；
[0010]第二導(dǎo)線，所述第二導(dǎo)線與所述第二接線柱或所述上采樣電阻和下采樣電阻中的另一個在第二采樣點(diǎn)連接；
[0011]所述上采樣電阻、下采樣電阻、第一接線柱和第二接線柱圍成一通孔；所述第一導(dǎo)線與所述第二導(dǎo)線絞合延伸。
[0012]優(yōu)選地是，所述第一接線柱設(shè)置有第一凹槽，所述第一凹槽自所述通孔一邊緣起沿所述第一接線柱寬度方向延伸。
[0013]優(yōu)選地是，所述第二接線柱設(shè)置有第二凹槽，所述第二凹槽自所述通孔另一邊緣起沿所述第二接線柱寬度方向延伸。
[0014]優(yōu)選地是，所述第一凹槽與所述第二凹槽尺寸相同且對稱設(shè)置。
[0015]優(yōu)選地是，所述第一凹槽、第二凹槽分別由所述第一接線柱和所述由第二接線柱的正表面內(nèi)陷而成。
[0016]優(yōu)選地是，所述第一采樣點(diǎn)與所述絞接點(diǎn)之間的第一導(dǎo)線長度、所述第二采樣點(diǎn)與所述絞合點(diǎn)之間的第二導(dǎo)線長度，兩者相同。
[0017]優(yōu)選地是，所述第一采樣點(diǎn)、第二采樣點(diǎn)和絞合點(diǎn)位于同一水平線上。
[0018]優(yōu)選地是，所述絞合點(diǎn)位于所述通孔的中心線方向上。
[0019]優(yōu)選地是，所述上采樣電阻與所述下采樣電阻的形狀及尺寸均相同。
[0020]優(yōu)選地是，所述上采樣電阻、下采樣電阻具有相同的寬度；所述上采樣電阻、下采樣電阻的寬度，所述通孔的寬度，兩者相同。
[0021]優(yōu)選地是，所述上采樣電阻與所述下采樣電阻為相同金屬制成的部件。
[0022]優(yōu)選地是，所述第一接線柱、第二接線柱和所述上采樣電阻、下采樣電阻為不同金屬制成的部件。
[0023]優(yōu)選地是，所述絞合點(diǎn)位于所述通孔的中心線上。
[0024]本實(shí)用新型的目的之二是為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足，提供一種可降低外部磁場干擾的電流采樣及電路控制裝置。
[0025]為實(shí)現(xiàn)以上目的，本實(shí)用新型通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):
[0026]一種電流采樣及電路控制裝置，其特征在于，包括繼電器和前述的分流器；
[0027]所述繼電器包括多個連接端子；
[0028]所述分流器設(shè)置在所述繼電器本體之外；
[0029]所述第一接線柱和第二接線柱之一分別與所述多個連接端子之一連接或形成一體。
[0030]本實(shí)用新型中的分流器，第一接線柱、上采樣電阻、下采樣電阻和第二接線柱之間設(shè)置通孔，第一導(dǎo)線與第二導(dǎo)線的絞合點(diǎn)可設(shè)置在通孔相對的位置或者設(shè)置在通孔內(nèi)，消除了圖1所示包括環(huán)路區(qū)域39在內(nèi)的垂直于紙面方向的環(huán)路區(qū)域，進(jìn)一步降低了外界交變磁場變化而產(chǎn)生感應(yīng)電流的影響。絞合點(diǎn)位于與通孔相對的位置，使得第一導(dǎo)線與第一接線柱表面的距離、第二導(dǎo)線與第二接線柱表面的距離進(jìn)一步降低，環(huán)形區(qū)域面積進(jìn)一步減小。當(dāng)絞合點(diǎn)位于通孔內(nèi)時，第一采樣點(diǎn)與絞合點(diǎn)之間的第一導(dǎo)線、第二采樣點(diǎn)與絞合點(diǎn)之間的第二導(dǎo)線能夠不突出于第一接線柱、第二接線柱、上采樣電阻和下采樣電阻的表面，完全消除圖1所述的環(huán)形區(qū)域，將外界磁場的影響降到最低。由于絞合點(diǎn)位于通孔處，在絞合時，絞合點(diǎn)不會與采樣電阻表面形成干涉，生產(chǎn)容易、更方便。第一凹槽與第二凹槽尺寸相同，且對稱設(shè)置，可使測量結(jié)果更準(zhǔn)確。本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，使得第一導(dǎo)線與第二導(dǎo)線均無需在穿過采樣電阻后與另外一個再絞合，節(jié)省材料成本及生產(chǎn)工序。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0031]圖1為一種分流器結(jié)構(gòu)示意圖。
[0032]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例1分流器結(jié)構(gòu)示意圖。
[0033]圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例1中的分流器結(jié)構(gòu)正視圖。[0034]圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例1中的分流器剖視圖。
[0035]圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例1中的分流器剖視結(jié)構(gòu)仰視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0036]下面結(jié)合附圖及實(shí)施例對本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)的描述:
[0037]如圖1所示的分流器，為避免環(huán)路區(qū)域39受到外界磁場影響，其中一種方法是將第一采樣點(diǎn)36設(shè)置在采樣電阻33下端。這樣會在采樣電阻33上端和下端分別形成兩個環(huán)形區(qū)域。這兩個環(huán)形區(qū)域的感應(yīng)電流相反，可以相互抵消。但這樣設(shè)置的問題之一在于，無法保證兩個環(huán)形區(qū)域的面積相等，因此也就無法保證兩個環(huán)形區(qū)域的感應(yīng)電流大小相等，導(dǎo)致仍然存在感應(yīng)電流的影響。這樣設(shè)置的另一個問題在于，由于第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線均與采樣電阻隔有絕緣材料，因此，當(dāng)?shù)谝徊蓸狱c(diǎn)36位于采樣電阻33下端時，會形成垂直于水平方向或上下方向的環(huán)形區(qū)域。垂直于上下方向的環(huán)形區(qū)域仍然容易受外界磁場影響而產(chǎn)生感應(yīng)電流，降低測量精度。
[0038]如圖2至圖5所示，分流器，包括第一接線柱31、第二接線柱32、上采樣電阻331、下采樣電阻332、第一導(dǎo)線34和第二導(dǎo)線35。上采樣電阻331和下采樣電阻332可為錳銅電阻。上采樣電阻331的右端和左端分別與第一接線柱31和第二接線柱32接觸連接。下采樣電阻332的右端和左端分別與第一接線柱31和第二接線柱32接觸連接。上采樣電阻331與下采樣電阻332均位于第一接線柱31和第二接線柱32之間，且，上采樣電阻331與下采樣電阻332之間具有間隙。第一接線柱31、上采樣電阻331、下采樣電阻332和第二接線柱32之間圍成一通孔40。上采樣電阻331與下采樣電阻332尺寸相同，采用相同金屬材料制成。第一接線柱31與第二接線柱32尺寸相同，采用相同的金屬材料制成。采樣電阻與接線柱材料不同。
[0039]第一導(dǎo)線34與第一接線柱31在第一采樣點(diǎn)36連接。第一采樣點(diǎn)36位于第一接線柱31正表面。第二導(dǎo)線35與第二接線柱32在第二采樣點(diǎn)37連接。第二采樣點(diǎn)37位于第二接線柱32正表面。在如圖所示的優(yōu)選示例中，第一接線柱31上設(shè)置第一凹槽311。在如圖3所示的示例中，第一凹槽311由第一接線柱31的正表面內(nèi)陷而成。第一凹槽311自通孔40右邊緣起沿第一接線柱31寬度方向延伸，即向右延伸。在如圖3所示的示例中，第一凹槽311的高度與通孔40高度相同，高度是指圖3所示的上邊緣與下邊緣之間的距離。第一采樣點(diǎn)36位于第一凹槽311內(nèi)。第二接線柱32上設(shè)置第二凹槽321。在如圖3所示的示例中，第二凹槽321由第二接線柱32的正表面內(nèi)陷而成。第二凹槽321自通孔40左邊緣起沿第二接線柱32寬度方向延伸，即向左延伸。在如圖3所示的示例中，第二凹槽321的高度與通孔40高度相同。高度是指圖3所示的上邊緣與下邊緣之間的距離。第二采樣點(diǎn)37位于第二凹槽321內(nèi)。第一凹槽311與第二凹槽321尺寸相同、且對稱設(shè)置。
[0040]在如圖5所不的不例中，所述第一米樣點(diǎn)36、第二米樣點(diǎn)37和絞合點(diǎn)38位于同一水平線上。所述絞合點(diǎn)38位于所述通孔40的中心線方向上，即，第一導(dǎo)線34與第二導(dǎo)線35在通孔40的在水平方向的中心位置絞合。第一采樣點(diǎn)36與絞合點(diǎn)38之間的第一導(dǎo)線34的長度、所述第二采樣點(diǎn)37與所述絞合點(diǎn)38之間的第二導(dǎo)線長度，兩者相同。
[0041]本實(shí)用新型中的寬度，是指圖3中的水平方向，左端與右端之間的距離；高度是指以圖3所示的上下方向的距離，上端與下端之間的距離。正表面與反表面相對，即圖3中的正視圖示出的是本實(shí)用新型的正表面。
[0042]本實(shí)用新型中的分流器使用時，可以和任意現(xiàn)有的繼電器組合使用。第一接線柱31和第二接線柱32分別與繼電器的引腳連接即可使用。
[0043]本實(shí)用新型中的分流器，第一接線柱、上采樣電阻、下采樣電阻和第二接線柱之間設(shè)置通孔，第一導(dǎo)線與第二導(dǎo)線的絞合點(diǎn)可設(shè)置在通孔相對的位置或者設(shè)置在通孔內(nèi)，消除了圖1所示包括環(huán)路區(qū)域39在內(nèi)的垂直于紙面方向的環(huán)路區(qū)域，進(jìn)一步降低了外界交變磁場變化而產(chǎn)生感應(yīng)電流的影響。絞合點(diǎn)位于與通孔相對的位置，使得第一導(dǎo)線與第一接線柱表面的距離、第二導(dǎo)線與第二接線柱表面的距離進(jìn)一步降低，環(huán)形區(qū)域面積進(jìn)一步減小。當(dāng)絞合點(diǎn)位于通孔內(nèi)時，第一采樣點(diǎn)與絞合點(diǎn)之間的第一導(dǎo)線、第二采樣點(diǎn)與絞合點(diǎn)之間的第二導(dǎo)線能夠不突出于第一接線柱、第二接線柱、上采樣電阻和下采樣電阻的表面，完全消除圖1所述的環(huán)形區(qū)域，將外界磁場的影響降到最低。由于絞合點(diǎn)位于通孔處，在絞合時，絞合點(diǎn)不會與采樣電阻表面形成干涉，生產(chǎn)容易、更方便。第一凹槽與第二凹槽尺寸相同，且對稱設(shè)置，可使測量結(jié)果更準(zhǔn)確。本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，使得第一導(dǎo)線與第二導(dǎo)線均無需在穿過采樣電阻后與另外一個再絞合，節(jié)省材料成本及生產(chǎn)工序。
[0044]本實(shí)用新型中的實(shí)施例僅用于對本實(shí)用新型進(jìn)行說明，并不構(gòu)成對權(quán)利要求范圍的限制，本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員可以想到的其他實(shí)質(zhì)上等同的替代，均在本實(shí)用新型保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.分流器，其特征在于，包括: 第一接線柱； 第二接線柱； 上采樣電阻和下采樣電阻，所述上采樣電阻兩端分別與第一接線柱和第二接線柱接觸連接；所述下采樣電阻兩端分別與第一接線柱和第二接線柱接觸連接；所述上采樣電阻與所述下采樣電阻均位于第一接線柱與第二接線柱之間，且第一采樣電阻與第二采樣電阻之間具有間隙； 第一導(dǎo)線，所述第一導(dǎo)線與所述第一接線柱或所述上采樣電阻和下采樣電阻中之一在第一采樣點(diǎn)連接； 第二導(dǎo)線，所述第二導(dǎo)線與所述第二接線柱或所述上采樣電阻和下采樣電阻中的另一個在第二采樣點(diǎn)連接； 所述上采樣電阻、下采樣電阻、第一接線柱和第二接線柱圍成一通孔；所述第一導(dǎo)線與所述第二導(dǎo)線絞合延伸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分流器，其特征在于，所述第一接線柱設(shè)置有第一凹槽，所述第一凹槽自所述通孔一邊緣起沿所述第一接線柱寬度方向延伸。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的分流器，其特征在于，所述第二接線柱設(shè)置有第二凹槽，所述第二凹槽自所述通孔另一邊 緣起沿所述第二接線柱寬度方向延伸。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的分流器，其特征在于，所述第一凹槽與所述第二凹槽尺寸相同且對稱設(shè)置。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的分流器，其特征在于，所述第一凹槽、第二凹槽分別由所述第一接線柱和所述由第二接線柱的正表面內(nèi)陷而成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分流器，其特征在于，所述第一采樣點(diǎn)與所述絞接點(diǎn)之間的第一導(dǎo)線長度、所述第二采樣點(diǎn)與所述絞合點(diǎn)之間的第二導(dǎo)線長度，兩者相同。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分流器，其特征在于，所述第一采樣點(diǎn)、第二采樣點(diǎn)和絞合點(diǎn)位于同一水平線上。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分流器，其特征在于，所述絞合點(diǎn)位于所述通孔的中心線方向上。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分流器，其特征在于，所述上采樣電阻與所述下采樣電阻的形狀及尺寸均相同。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分流器，其特征在于，所述上采樣電阻、下采樣電阻具有相同的寬度；所述上采樣電阻、下采樣電阻的寬度，所述通孔的寬度，兩者相同。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分流器，其特征在于，所述上采樣電阻與所述下采樣電阻為相同金屬制成的部件。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的分流器，其特征在于，所述第一接線柱、第二接線柱和所述上采樣電阻、下采樣電阻為不同金屬制成的部件。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分流器，其特征在于，所述絞合點(diǎn)位于所述通孔的中心線上。
14.一種電流采樣及電路控制裝置，其特征在于，包括繼電器和權(quán)利要求1至13任一權(quán)利要求所述的分流器；所述繼電器包括多個連接端子；所述分流器設(shè)置在所述繼電器本體之外； 所述第一接線柱和第二接線柱之一分別與所述多個連接端子之一連接或形成一體。
【文檔編號】G01R15/00GK203705514SQ201420057415
【公開日】2014年7月9日 申請日期:2014年1月29日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月29日
【發(fā)明者】付振興, 張曉寧 申請人:泰科電子(深圳)有限公司