專利名稱：一種晶體硅塊切割用過(guò)濾槽支撐結(jié)構(gòu)及其支架的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及中晶體硅塊切割工具技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種晶體硅塊切割用過(guò)濾槽支撐結(jié)構(gòu)及其支架。
背景技術(shù)：
21世紀(jì)對(duì)高效能源需求不斷的增長(zhǎng)，隨著石油等傳統(tǒng)能源的臨近枯竭，且人口快速發(fā)展和生存環(huán)境惡化，世界各國(guó)都開(kāi)始重視環(huán)境問(wèn)題。光伏發(fā)電作為未來(lái)社會(huì)最有希望的可持續(xù)能源之一，具有安全和環(huán)保性，其應(yīng)用領(lǐng)域已十分豐富和廣泛。太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，導(dǎo)致行業(yè)對(duì)硅片的需求越來(lái)越大，且原材料的價(jià)格也日益水漲船高，使得硅片生產(chǎn)成本大幅上升。因此，改進(jìn)工藝方法，減少生產(chǎn)中的浪費(fèi)，提高硅晶體切片的成品率，可以有效降低生產(chǎn)成本，同時(shí)也可為企業(yè)帶來(lái)巨大的經(jīng)濟(jì)利益。隨著硅片行業(yè)的發(fā)展，企業(yè)的經(jīng)營(yíng)從粗放式走向精細(xì)化生產(chǎn)，更加重視生產(chǎn)內(nèi)部效率的提升，特別是提高硅片切割環(huán)節(jié)中的良品率。多線鋸切割所用的砂漿在切割室沉積會(huì)導(dǎo)致砂液分離，造成SiC團(tuán)聚成大顆粒，如果團(tuán)聚大顆粒SiC帶入線網(wǎng)進(jìn)行二次切割，會(huì)影響硅片厚度異常和表面線痕。到目前為止，尚無(wú)有效的方法解決SiC團(tuán)聚進(jìn)入二次切割導(dǎo)致切割不良的問(wèn)題。
實(shí)用新型內(nèi)容有鑒于此，本實(shí)用新型提供了一種晶體硅塊切割用過(guò)濾槽支撐結(jié)構(gòu)及其支架，以收集線網(wǎng)過(guò)濾槽邊部沉積的砂漿，避免其進(jìn)入線網(wǎng)進(jìn)行二次切割導(dǎo)致切割不良的弊端。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案—種晶體硅塊切割用過(guò)濾槽支架，包括呈L形角鐵結(jié)構(gòu)分布的第一支架部和第二支架部，所述第一支架部的兩端均設(shè)有將其固定在切割室兩端的螺絲孔。優(yōu)選的，在上述晶體硅塊切割用過(guò)濾槽支架中，該過(guò)濾槽支架長(zhǎng)為985mm，所述第一支架部和第二支架部的厚度均為4mm，二者呈90°分布，且二者的寬度均為40mm。一種晶體硅塊切割用過(guò)濾槽支撐結(jié)構(gòu)，包括設(shè)置于切片機(jī)導(dǎo)輪內(nèi)側(cè)的過(guò)濾槽支架以及設(shè)置于所述過(guò)濾槽支架上的線網(wǎng)過(guò)濾槽，所述過(guò)濾槽支架為如上所述的過(guò)濾槽支架。優(yōu)選的，在上述晶體硅塊切割用過(guò)濾槽支撐結(jié)構(gòu)中，所述過(guò)濾槽支架通過(guò)其第一支架部上的螺絲孔固定在切片機(jī)切割室的兩端，且兩個(gè)過(guò)濾槽支架的內(nèi)角方向朝向所述線網(wǎng)過(guò)濾槽。從上述的技術(shù)方案可以看出，本實(shí)用新型可將過(guò)濾槽支架置于切片機(jī)導(dǎo)輪內(nèi)側(cè)， 用于固定住線網(wǎng)過(guò)濾槽。切割進(jìn)行時(shí)，線狀鋸高速帶動(dòng)噴嘴流下的砂漿運(yùn)動(dòng)，部分未切割的砂漿噴灑在線網(wǎng)過(guò)濾槽邊部沉積，同時(shí)向下流動(dòng)，最終停留在該L形的過(guò)濾槽支架上，避免進(jìn)入多線鋸線網(wǎng)。本實(shí)用新型提供的過(guò)濾槽支架有利于收集線網(wǎng)過(guò)濾槽砂漿，避免了沉積砂漿直接進(jìn)入切割室進(jìn)行二次切割，有利于改善硅片切割質(zhì)量。對(duì)線網(wǎng)過(guò)濾槽具有更好的支撐作用，不易滑動(dòng)?？刹鹦?，方便機(jī)臺(tái)的清潔。本實(shí)用新通過(guò)對(duì)上述過(guò)濾槽支架的使用，對(duì)硅片的切割質(zhì)量具有很好的保證，有利于切割過(guò)程砂漿的穩(wěn)定，避免沉積砂漿對(duì)硅片表面的切割不利影響。

為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的晶體硅塊切割用過(guò)濾槽支架的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的晶體硅塊切割用過(guò)濾槽支撐結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型公開(kāi)了一種晶體硅塊切割用過(guò)濾槽支撐結(jié)構(gòu)及其支架，以收集線網(wǎng)過(guò)濾槽邊部沉積的砂漿，避免其進(jìn)入線網(wǎng)進(jìn)行二次切割導(dǎo)致切割不良的弊端。下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。請(qǐng)參閱圖1和圖2，圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的晶體硅塊切割用過(guò)濾槽支架的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的晶體硅塊切割用過(guò)濾槽支撐結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。本實(shí)用新型提供的晶體硅塊切割用過(guò)濾槽支架1，包括呈L形角鐵結(jié)構(gòu)分布的第一支架部和第二支架部，即第一支架部和第二支架部均為板狀結(jié)構(gòu)，且二者的一側(cè)相交組成L形，整體與角鐵結(jié)構(gòu)類似。其中，所述第一支架部的兩端均設(shè)有將其固定在切割室兩端的螺絲孔11。可通過(guò)螺釘穿過(guò)其上開(kāi)設(shè)的螺絲孔11將其固定在切割室內(nèi)。優(yōu)選的，該過(guò)濾槽支架1長(zhǎng)為985mm，所述第一支架部和第二支架部的厚度均為4mm，且二者呈90°分布，且二者的寬度均為40mm。本實(shí)用新型提供的晶體硅塊切割用過(guò)濾槽支撐結(jié)構(gòu)，包括設(shè)置于切片機(jī)導(dǎo)輪內(nèi)側(cè)的過(guò)濾槽支架1以及設(shè)置于所述過(guò)濾槽支架1上的線網(wǎng)過(guò)濾槽2，其中，所述過(guò)濾槽支架1 為如上所述的過(guò)濾槽支架。優(yōu)選的，所述過(guò)濾槽支架1通過(guò)其第一支架部上的螺絲孔11固定在切片機(jī)切割室的兩端，且兩個(gè)過(guò)濾槽支架1的內(nèi)角方向朝向所述線網(wǎng)過(guò)濾槽2。除通過(guò)在過(guò)濾槽支架1的兩端開(kāi)設(shè)螺絲孔外，也可通過(guò)在過(guò)濾槽支架1的兩端分別焊接安裝部 12，將該過(guò)濾槽支架1安裝在切片機(jī)的導(dǎo)輪內(nèi)側(cè)。本實(shí)用新型可將過(guò)濾槽支架1置于切片機(jī)導(dǎo)輪內(nèi)側(cè)，用于固定住線網(wǎng)過(guò)濾槽2。 切割進(jìn)行時(shí)，線狀鋸高速帶動(dòng)噴嘴流下的砂漿運(yùn)動(dòng)，部分未切割的砂漿噴灑在線網(wǎng)過(guò)濾槽2 邊部沉積，同時(shí)向下流動(dòng)，最終停留在該L形的過(guò)濾槽支架1上，避免進(jìn)入多線鋸線網(wǎng)。本實(shí)用新型提供的過(guò)濾槽支架1有利于收集線網(wǎng)過(guò)濾槽砂漿，避免了沉積砂漿直接進(jìn)入切割室進(jìn)行二次切割，有利于改善硅片切割質(zhì)量。對(duì)線網(wǎng)過(guò)濾槽2具有更好的支撐作用，不易滑動(dòng)?？刹鹦叮奖銠C(jī)臺(tái)的清潔。本實(shí)用新通過(guò)對(duì)上述過(guò)濾槽支架1的使用，對(duì)硅片的切割質(zhì)量具有很好的保證，有利于切割過(guò)程砂漿的穩(wěn)定，避免沉積砂漿對(duì)硅片表面的切割不利影響。本說(shuō)明書(shū)中各個(gè)實(shí)施例采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說(shuō)明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似部分互相參見(jiàn)即可。對(duì)所公開(kāi)的實(shí)施例的上述說(shuō)明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本實(shí)用新型。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將是顯而易見(jiàn)的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本實(shí)用新型的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本實(shí)用新型將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開(kāi)的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
權(quán)利要求1.一種晶體硅塊切割用過(guò)濾槽支架，其特征在于，包括呈L形角鐵結(jié)構(gòu)分布的第一支架部和第二支架部，所述第一支架部的兩端均設(shè)有將其固定在切割室兩端的螺絲孔。
2.如權(quán)利要求1所述的晶體硅塊切割用過(guò)濾槽支架，其特征在于，該過(guò)濾槽支架長(zhǎng)為 985mm，所述第一支架部和第二支架部的厚度均為4mm，二者呈90°分布，且二者的寬度均為 40mmο
3.一種晶體硅塊切割用過(guò)濾槽支撐結(jié)構(gòu)，包括設(shè)置于切片機(jī)導(dǎo)輪內(nèi)側(cè)的過(guò)濾槽支架以及設(shè)置于所述過(guò)濾槽支架上的線網(wǎng)過(guò)濾槽，其特征在于，所述過(guò)濾槽支架為如權(quán)利要求1 或2所述的過(guò)濾槽支架。
4.如權(quán)利要求3所述的晶體硅塊切割用過(guò)濾槽支撐結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述過(guò)濾槽支架通過(guò)其第一支架部上的螺絲孔固定在切片機(jī)切割室的兩端，且兩個(gè)過(guò)濾槽支架的內(nèi)角方向朝向所述線網(wǎng)過(guò)濾槽。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種晶體硅塊切割用過(guò)濾槽支架，包括呈L形角鐵結(jié)構(gòu)分布的第一支架部和第二支架部，所述第一支架部的兩端均設(shè)有將其固定在切割室兩端的螺絲孔。還公開(kāi)了一種包括設(shè)置于切片機(jī)導(dǎo)輪內(nèi)側(cè)如上所述的過(guò)濾槽支架以及設(shè)置于所述過(guò)濾槽支架上的線網(wǎng)過(guò)濾槽的晶體硅塊切割用過(guò)濾槽支撐結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型提供的過(guò)濾槽支架有利于收集線網(wǎng)過(guò)濾槽砂漿，避免了沉積砂漿直接進(jìn)入切割室進(jìn)行二次切割，有利于改善硅片切割質(zhì)量。對(duì)線網(wǎng)過(guò)濾槽具有更好的支撐作用，不易滑動(dòng)。可拆卸，方便機(jī)臺(tái)的清潔。本實(shí)用新通過(guò)對(duì)上述過(guò)濾槽支架的使用，對(duì)硅片的切割質(zhì)量具有很好的保證，有利于切割過(guò)程砂漿的穩(wěn)定，避免沉積砂漿對(duì)硅片表面的切割不利影響。
文檔編號(hào)B28D7/00GK201970412SQ20102068509
公開(kāi)日2011年9月14日 申請(qǐng)日期2010年12月28日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月28日
發(fā)明者張成勇, 邱昌盛, 顧志剛 申請(qǐng)人:浙江昱輝陽(yáng)光能源有限公司