專利名稱：一種介電質(zhì)陶瓷組成物及使用此種組成物之疊層陶瓷電容器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種陶瓷電容器，尤其是一種介電質(zhì)陶瓷組成物及使用此種組成物之疊層陶瓷電容器。
背景技術(shù)：
本發(fā)明系提供一種電容量及電容率高、可滿足X7R特性之介電質(zhì)陶瓷組成物及使用它之疊層陶瓷電容器。含有主成分之鈦酸鋇、且至少一種選自于副成分之氧化鎂、氧化鏑、氧化鋇、氧化鈣、氧化釩、氧化矽、氧化錳及氧化鑰，且鈦酸鋇以BaTi03換算為100莫耳時(shí)，氧化鎂以MgO換算為I. 5 3莫耳、氧化鏑以Dy203換算為I 5莫耳、氧化鋇及氧化鈣各以BaO及CaO換算為0. I 5莫耳、氧化釩以V205換算0. 01 0. I、氧化矽以Si02換 算I 5莫耳、氧化錳以MnO換算為0. I I莫耳、氧化鑰以Mo03換算為0. 05 0. 2莫耳
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明系提供一種電容量及電容率高、可滿足X7R特性之介電質(zhì)陶瓷組成物及使用它之疊層陶瓷電容器。含有主成分之鈦酸鋇、且至少一種選自于副成分之氧化鎂、氧化鏑、氧化鋇、氧化鈣、氧化釩、氧化矽、氧化錳及氧化鑰，且鈦酸鋇以BaTi03換算為100莫耳時(shí)，氧化鎂以MgO換算為I. 5 3莫耳、氧化鏑以Dy203換算為I 5莫耳、氧化鋇及氧化鈣各以BaO及CaO換算為0. I 5莫耳、氧化釩以V205換算0. 01 0. I、氧化矽以Si02換算I 5莫耳、氧化錳以MnO換算為0. I I莫耳、氧化鑰以Mo03換算為0. 05 0. 2莫耳
具體實(shí)施例方式一種介電質(zhì)陶瓷組成物，其特征為含有主成分之鈦酸鋇、副成分之氧化鎂、氧化鏑、氧化鋇、氧化鈣及氧化釩，鈦酸鋇以BaTi03換算為100莫耳時(shí)氧化鎂以MgO換算為1_3莫耳、氧化鏑以Dy203換算為1-5莫耳、氧化鋇及氧化鈣各以BaO及CaO換算合計(jì)為0. 1-5莫耳、氧化釩以V205換算為0. 01-0. I莫耳。，其中除了上述副成份以外，更包含有作為副成分之氧化矽以Si02換算為1-5莫耳，除了上述副成分以外，更包含有副成分之氧化矽以Si02換算為1-5莫耳、氧化錳以MnO換算為0. 1-1莫耳，除了上述副成分以外，更包含有副成分之氧化矽以Si02換算為1-5莫耳、氧化錳以MnO換算為0. 1-1莫耳、氧化鑰以Mo03換算為0. 05-0. 2莫耳，更包含有副成分之氧化鉭以Ta205換算為0. 01-1莫耳、氧化矽以Si02換算為1-5莫耳、氧化錳以MnO換算為0. 1-1莫耳，包含有副成分之氧化鎢以W03換算為0. 01-1莫耳、氧化矽以Si02換算為1-5莫耳、氧化錳以MnO換算為0. 1-1莫耳，含有至少一種選自于副成分之氧化矽以Si02換算為1-5莫耳、氧化錳以M n0換算為0. 1-1莫耳、且氧化鉭以Ta205、氧化鎢以W03換算時(shí)、0. 01莫耳彡Ta205+W03 ( I莫耳之氧化鉭及氧化鎢，一種介電質(zhì)陶瓷組成物，其特征為含有主成分之鈦酸鋇、且副成分為含有氧化鎂、氧化猛、氧化鏑、氧化鋇、氧化I丐、氧化砂、和至少由氧化鉭、氧化鶴及氧化fL當(dāng)中選擇一種者，鈦酸鋇以BaTi03換算為100莫耳時(shí)，氧化鎂以MgO換算為1_3莫耳、氧化鏑以Dy203換算為1-5莫耳、氧化鋇及氧化鈣各以BaO及CaO換算為0. 1-5莫耳、氧化矽以Si02換算1_5莫耳、氧化錳以MnO換算為0. 1-1莫耳、氧化鉭、氧化鎢及氧化釩以Ta205、W03及V205換算時(shí)為0. 01莫耳< Ta205+W03+V205 ( I莫耳，其特征為含有主成分之鈦酸鋇、且副成分為含有氧化鎂、氧化鏑、氧化鋇、氧化鈣、氧化矽、氧化錳、以及至少由氧化鉭及氧化鎢、氧化釩及氧化鑰中擇一者，且鈦酸鋇以BaTi03換算為100莫耳時(shí)，氧化鎂以MgO換算為1_3莫耳、氧化鏑以Dy203換算為1-5莫耳、氧化鋇及氧化鈣各以BaO及CaO換算為0. 1-5莫耳、氧化矽 以Si02換算1-5莫耳、氧化錳以MnO換算為0. 1-1莫耳、氧化鉭、氧化鎢及氧化釩以Ta205、W03、V205 及 Mo03 換算時(shí)為 0. 01 莫耳彡 Ta205+W03+V205+Mo03 ( I 莫耳。
權(quán)利要求
1.一種介電質(zhì)陶瓷組成物，其特征為含有主成分之鈦酸鋇、副成分之氧化鎂、氧化鏑、氧化鋇、氧化鈣及氧化釩，鈦酸鋇以BaTi03換算為100莫耳時(shí)氧化鎂以MgO換算為1_3莫耳、氧化鏑以Dy203換算為1-5莫耳、氧化鋇及氧化鈣各以BaO及CaO換算合計(jì)為0. 1-5莫耳、氧化釩以V205換算為0. 01-0. I莫耳。
2.如申請(qǐng)專利范圍第I項(xiàng)之介電質(zhì)陶瓷組成物，其中除了上述副成份以外，更包含有作為副成分之氧化矽以Si02換算為1-5莫耳。
全文摘要
本發(fā)明系提供一種電容量及電容率高、可滿足X7R特性之介電質(zhì)陶瓷組成物及使用它之疊層陶瓷電容器。含有主成分之鈦酸鋇、且至少一種選自于副成分之氧化鎂、氧化鏑、氧化鋇、氧化鈣、氧化釩、氧化矽、氧化錳及氧化鉬，且鈦酸鋇以BaTiO3換算為100莫耳時(shí)，氧化鎂以MgO換算為1.5～3莫耳、氧化鏑以Dy2O3換算為1～5莫耳、氧化鋇及氧化鈣各以BaO及CaO換算為0.1～5莫耳、氧化釩以V2O5換算0.01～0.1、氧化矽以SiO2換算1～5莫耳、氧化錳以MnO換算為0.1～1莫耳、氧化鉬以MoO3換算為0.05～0.2莫耳。
文檔編號(hào)C04B35/468GK102731086SQ20111008551
公開日2012年10月17日 申請(qǐng)日期2011年4月7日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月7日
發(fā)明者徐孝華 申請(qǐng)人:徐孝華