專利名稱：Ito濺射靶及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種ITO濺射靶，更具體而言，涉及一種即使SnA的含量小于等于質(zhì)量百分比5%，在粘合時也不易產(chǎn)生裂紋的ITO濺射靶。
背景技術：
由于ITOandium-Tin-Oxide)膜具有較高的滲透性和導電性，因此可廣泛利用于平板顯示器的透明電極及觸摸面板等。雖然用于透明電極的ITO膜通常含有以SnO2換算時為質(zhì)量百分比10%左右的Sn，但是作為用于觸摸面板的ITO膜，由于要求比較高的電阻，因而使用Sn的含量以SnA換算時為質(zhì)量百分比3%左右的ITO膜。ITO膜一般通過濺射ITO 濺射靶而形成。ITO濺射靶一般通過與Cu制的背板粘合而使用。因此，當形成用于觸摸面板的ITO膜時，一般將Sn的含量以SnO2換算時為質(zhì)量百分比3%左右的ITO濺射靶粘合在 Cu制的背板上而實施濺射。但是，已知Sn的含量較少的ITO濺射靶，例如Sn的含量以SnA換算時小于等于質(zhì)量百分比5%的ITO濺射靶較脆，從而容易產(chǎn)生裂紋。特別是，已知Sn的含量以SnA換算時小于等于質(zhì)量百分比5%的ITO濺射靶，在與Cu制等的背板粘合時容易產(chǎn)生裂紋。作為防止ITO濺射靶的裂紋的技術，例如在日本特開平9-125236號公報中公開了一種氧化銦類燒結(jié)體，其由h、0和大于等于質(zhì)量百分比0. 的Sn組成，相對密度在90% 以上，且殘留應力χ為-200彡χ彡200Mpa。在該文獻中記載有如下內(nèi)容，即，由于當在燒結(jié)體中存在如偏離-200 ^ x^ 200Mpa的范圍的這種較大的殘留應力χ時，燒結(jié)體將產(chǎn)生裂紋或裂縫，因而不為優(yōu)選。在日本特開平6-316760號公報中公開了一種ITO多孔質(zhì)燒結(jié)體，其為對由重量百分比1 20%的氧化錫成分和殘部的氧化銦成分組成的粉末進行成型燒結(jié)而獲得的ITO 多孔狀燒結(jié)體，在大氣中以1200 1600°C對所述粉末進行預燒，并通過球磨機混合了預燒后的粉末后，進行造粒、成型，并以900 1100°C進行燒結(jié)而獲得。在日本特開平6-64959 號公報中公開了一種ITO燒結(jié)體，其燒結(jié)密度大于等于90%小于等于100%，燒結(jié)微粒直徑大于等于Ιμπι小于等于20μπι，且(In0.6Sn0.4)203的量在10%以下。另外，在日本特開平5-3114 號公報中公開了一種高密度ITO燒結(jié)體，其燒結(jié)密度大于等于90%小于等于 100%,燒結(jié)微粒直徑大于等于1 μ m小于等于201 μ m。但是，在這些燒結(jié)體中的任意一種ITO燒結(jié)體中，在Sn的含量以SnO2換算時小于等于質(zhì)量百分比5%時，均無法充分防止裂紋，特別是，難以防止在與背板粘合時產(chǎn)生的裂紋。在先技術文獻專利文件1 日本特開平9-125236號公報專利文件2 日本特開平6-316760號公報專利文件3 日本特開平6-64959號公報專利文件4 日本特開平5-3114 號公報

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的課題本發(fā)明的目的在于，提供一種即使Sn的含量較少也不易產(chǎn)生裂紋，特別是在與背板粘合時也不易產(chǎn)生裂紋的ITO濺射靶。用于解決課題的方法本發(fā)明人為實現(xiàn)所述目的而專心研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，當將特定大小的壓縮殘留應力賦予ITO濺射靶時，即使減少Sn的含量也不易產(chǎn)生裂紋，特別是在與背板粘合時也不易產(chǎn)生裂紋的現(xiàn)象，從而完成本發(fā)明。S卩，實現(xiàn)所述目的的本發(fā)明為一種ITO濺射靶，所述ITO濺射靶中Sn的含量以SnA 換算時小于等于質(zhì)量百分比5%，其特征在于，殘留應力為-650 -200Mpa。作為該ITO濺射靶的優(yōu)選形式，Sn的含量以SnO2換算時小于等于質(zhì)量百分比4%， 或者Sn的含量以SnA換算時為質(zhì)量百分比1 4%。另外，當所述ITO濺射靶為，通過與由熱膨脹系數(shù)在2.386X10_5/°C以下的金屬材料所構(gòu)成的背板粘合而使用的ITO濺射靶時，優(yōu)選為，殘留應力為-600 -200Mpa。并且，當所述ITO濺射靶為，通過與由熱膨脹系數(shù)大于2. 386X 10_5/°C的金屬材料所構(gòu)成的背板粘合而使用的ITO濺射靶時，優(yōu)選為，殘留應力為-650 -250Mpa。其它發(fā)明為所述ITO濺射靶的制造方法，其特征在于，在燒結(jié)爐內(nèi)以1450 1700°C的燒結(jié)溫度對ITO濺射靶制造用原料粉末進行燒結(jié)，并通過使燒結(jié)爐內(nèi)的溫度以 3000C /h以上的速度從所述燒結(jié)溫度下降至700 900°C，而后使燒結(jié)爐內(nèi)的溫度以10 IOO0C /h的速度下降，從而冷卻所獲得的ITO燒結(jié)體。發(fā)明的效果即使本發(fā)明的ITO濺射靶中Sn的含量以SnA換算時小于等于質(zhì)量百分比5%也不易產(chǎn)生裂紋，且本發(fā)明的ITO濺射靶即使在與Cu制的背板等粘合時也不易產(chǎn)生裂紋。根據(jù)本發(fā)明的ITO濺射靶的制造方法，能夠有效地制造上述ITO濺射靶。
具體實施例方式本發(fā)明所涉及的ITO濺射靶的特征在于，Sn的含量以SnA換算時小于等于質(zhì)量百分比5%，殘留應力為-650 -200Mpa。下面，對本發(fā)明所涉及的ITO濺射靶進行詳細敘述。本發(fā)明所涉及的ITO濺射靶的殘留應力為-650 _200Mpa。殘留應力在其數(shù)值為正時，成為拉伸殘留應力，而在其數(shù)值為負時，成為壓縮殘留應力。因此，本發(fā)明的ITO濺射靶具有壓縮殘留應力。在本發(fā)明中，殘留應力使用作為一般的殘留應力測定方法的X射線衍射法來進行測定。具體而言，使用PAnalytical ( ^ t 'J r 4 ^ A )公司的多晶粉末X射線衍射儀 (X’ Pert PRO型)，以如下的測量條件進行測量，所述測量條件包括X射線管球Cu靶； 衍射角2Θ =30.6° (In2O3(222))；測定方法Φ0側(cè)傾法；彈性常數(shù)178GPa ；泊松比 0. 33。本發(fā)明的ITO濺射靶通過具有上述范圍的殘留應力，從而即使在Sn的含量以Sn02 換算時小于等于質(zhì)量百分比5%也不易產(chǎn)生裂紋，尤其是在與背板粘合時也不易產(chǎn)生裂紋。
這種現(xiàn)象可以被認為是由于下述原因所引起的。背板通常為Cu制。當將濺射靶與背板粘合時，將濺射靶與背板加熱到大約200°C，并在濺射靶與背板的各自的粘合面上涂布粘合劑，再將各自的粘合面貼合并將兩者壓緊。然后，通過對濺射靶與背板進行冷卻從而完成粘合。在進行該冷卻時，濺射靶與背板均收縮。由于作為背板的材料的Cu等與ITO相比熱膨脹系數(shù)較大，因而背板比濺射靶收縮得更大。也就是說，與背板相比收縮率較小的濺射靶在與粘合面平行的方向上，僅能夠收縮短于背板所收縮的長度的長度。因此，由于上述冷卻，濺射靶以其中央部向上側(cè)(背板所在側(cè)的相反一側(cè))隆起的方式翹曲，從而在濺射靶的上表面(與粘合面相反一側(cè)的表面)部上產(chǎn)生拉伸應力。ITO等的陶瓷一般耐壓縮力較強， 而耐拉伸力較弱。因此，由于冷卻時所施加的拉伸應力，ITO濺射靶容易產(chǎn)生裂紋。此時，如果為本發(fā)明中的ITO濺射靶，則如前所述，由于其具有壓縮殘留應力，因此即使由于冷卻而施加了拉伸應力，也由于本濺射靶所具有的壓縮殘留應力而消除了該拉伸應力，其結(jié)果為，不易產(chǎn)生裂紋。由于當濺射靶的殘留應力為_200Mpa以下(濺射靶的壓縮殘留應力在相當于-200Mpa的壓縮殘留應力以上)時，可以獲得相對于上述拉伸應力的充分的緩沖力，因此能夠充分地防止濺射靶的裂紋。但是，由于當殘留應力小于_650Mpa(濺射靶的壓縮殘留應力大于相當于_650Mpa的壓縮殘留應力)時，濺射靶無法承受該壓縮殘留應力，而導致在燒成結(jié)束時或加工時等容易產(chǎn)生裂紋，因而不為優(yōu)選。另一方面，由于當濺射靶的殘留應力大于_200Mpa(濺射靶的壓縮殘留應力小于相當于-200Mpa的壓縮殘留應力)時，將無法獲得相對于上述拉伸應力的充分的緩沖力，因而無法充分地防止濺射靶的裂紋。因此，例如，由于在日本特開平9-125236號公報中所記載的、殘留應力χ為-200 ^x^ 200Mpa的燒結(jié)體，不具有消除上述拉伸應力的充分的壓縮殘留應力，或者相反地具有拉伸殘留應力，因而當與背板粘合時容易產(chǎn)生裂紋。如前文所述，粘合時的濺射靶的裂紋可以被認為是，由于濺射靶與背板的熱膨脹系數(shù)的差而產(chǎn)生的。由于根據(jù)背板的材料的種類不同熱膨脹系數(shù)不同，因此根據(jù)背板的材料的種類不同，濺射靶與背板的熱膨脹系數(shù)的差也不同，在為該熱膨脹系數(shù)的差較大的背板的情況下，濺射靶更容易產(chǎn)生裂紋。因此，為了切實地防止粘合時的濺射靶的裂紋，優(yōu)選為，形成背板的金屬材料的熱膨脹系數(shù)越大，將ITO濺射靶的殘留應力設定得越小(將壓縮殘留應力設定得越大)。具體而言，當形成背板的金屬材料的熱膨脹系數(shù)大于2. 386 X 10_5/°C時，作為與該背板粘合的ITO濺射靶的殘留應力，優(yōu)選為-650 -250Mpa，更優(yōu)選為-500 _300Mpa，而作為最理想值，為_400Mpa左右。因此，例如，當使用Al制的背板時，ITO濺射靶的殘留應力優(yōu)選為在所述范圍內(nèi)。另一方面，當形成背板的金屬材料的熱膨脹系數(shù)在2. 386 X 10_5/°C以下時，作為與該背板粘合的ITO濺射靶的殘留應力，優(yōu)選為-600 -200Mpa，更優(yōu)選為-450 _250Mpa， 而作為最理想值，為_350Mpa左右。因此，例如，當使用Cu、不銹鋼、Ni合金和Ti合金制的背板時，ITO濺射靶的殘留應力優(yōu)選為在所述范圍內(nèi)。并且，在本發(fā)明中，熱膨脹系數(shù)的數(shù)值是以化學大辭典(縮印版、共立出版(株) (1984年))為依據(jù)的。
本發(fā)明所涉及的ITO濺射靶所含有的Sn，以SnA換算時大于質(zhì)量百分比0%且小于等于質(zhì)量百分比5%，優(yōu)選為大于質(zhì)量百分比0%且小于等于質(zhì)量百分比4%，更優(yōu)選為， 為質(zhì)量百分比1 4%。由于在Sn的含量以SnA換算時大于質(zhì)量百分比5%時，濺射靶的強度將增高，從而在粘合的冷卻時，即使從背板上受到如上述這種拉伸應力也不易產(chǎn)生裂紋，因而對濺射靶的殘留應力進行控制的必要性較小。由于當Sn的含量以SnO2換算時小于等于質(zhì)量百分比5%時，濺射靶的強度較低， 從而在受到所述的拉伸應力時容易產(chǎn)生裂紋，因而對濺射靶的殘留應力進行控制的必要性較大，另外，通過將殘留應力設定在所述范圍內(nèi)，從而能夠充分地防止裂紋。由于當Sn含量以SnO2換算時小于等于質(zhì)量百分比4%時，將特別容易產(chǎn)生在受到了所述拉伸應力時的裂紋，因而對濺射靶的殘留應力進行控制的必要性較大，而在將殘留應力設定在所述范圍內(nèi)時，防止裂紋的效果也較好。另外，由于當Sn含量以SnA換算時為質(zhì)量百分比1 4%時， 容易將濺射靶的殘留應力設定在所述范圍內(nèi)，因而尤為優(yōu)選。作為本發(fā)明所涉及的ITO濺射靶的形狀和大小，并沒有特別限制，無論為何種形狀和大小的濺射靶，只要其殘留應力在所述范圍內(nèi)，均能夠有效地防止裂紋的產(chǎn)生。但是， 由于與濺射靶的粘合面平行的面的面積越大，冷卻時翹曲的力越大，拉伸應力越大，因而濺射靶所具有的壓縮殘留應力越大越不易產(chǎn)生裂紋。另外，由于濺射靶的厚度越小，冷卻時越容易翹曲，拉伸應力越大，因此濺射靶所具有的壓縮殘留應力越大越不易產(chǎn)生裂紋。因此， 優(yōu)選為，與濺射靶的粘合面平行的面的面積越大，或者濺射靶的厚度越小，濺射靶的殘留應力在所述范圍內(nèi)越小(壓縮殘留應力越大)。作為本發(fā)明所涉及的ITO濺射靶的相對密度，優(yōu)選為在95 %以上，更優(yōu)選為在 97%以上。當相對密度在95%以上時，將不易產(chǎn)生裂紋，另外，能夠抑制在濺射時電弧或粒子的產(chǎn)生，從而能夠?qū)崿F(xiàn)良好的濺射。雖然對本發(fā)明所涉及的ITO濺射靶的制造方法并沒有特別的限制，但作為理想的制造方法，可以列舉如下的方法，即，在對ITO成型體進行燒結(jié)之后，冷卻所獲得的燒結(jié)體時，從燒結(jié)溫度急速冷卻至固定的溫度，再從該溫度慢冷卻至室溫。在該方法中，通過在高溫區(qū)域進行急速冷卻，從而使濺射靶產(chǎn)生壓縮殘留應力。另一方面，在低溫區(qū)域，由于在冷卻時容易產(chǎn)生濺射靶與外部氣體之間的溫度差，因而當與高溫區(qū)域相同地進行急速冷卻時，由于起因于該溫度差而產(chǎn)生的熱應力將使濺射靶容易產(chǎn)生裂紋，因此為了防止產(chǎn)生裂紋而進行慢冷卻。下面，對該方法進行詳細敘述。例如，將作為原料粉末的M2O3粉末與SnA粉末混合成，SnO2粉末的含量小于等于質(zhì)量百分比5%而制備混合粉末。In2O3粉末通過BET (Brunauer-Emmett-Teller)法所測定的比表面積通常為1 40m2/g，SnO2粉末通過BET法所測定的比表面積通常為1 40m2/g。 混合粉末通過BET法所測定的比表面積通常為1 40m2/g。另外，作為原料粉末，也可以使用Sn的含量以SnA換算時小于等于質(zhì)量百分比 5%的ITO粉末以代替In2O3粉末和SnA粉末。也可以將ITO粉末和In2O3粉末、ITO粉末和SnA粉末、或者ITO粉末和M2O3粉末和SnA粉末混合成Sn的含量以SnA換算時小于等于質(zhì)量百分比5%來使用。對于混合方法并沒有特別限制，例如可以放入坩堝，并通過球磨機進行混合。雖然混合粉末可以就這樣成型而形成成型體，并對該成型體進行燒結(jié)，但是根據(jù)需要，也可以將粘合劑加入混合粉末而進行成型從而形成成型體。作為該粘合劑，可以使用在公知的粉末冶金法中獲得成型體時所使用的粘合劑，例如聚乙烯醇等。另外，所獲得的成型體也可以根據(jù)需要而通過在公知的粉末冶金法中所采用的方法進行脫脂。成型方法也可以應用在公知的粉末冶金法中所采用的方法，例如澆鑄成型。成型體的密度通常為50 75%。對所獲得的成型體進行燒結(jié)，從而獲得燒結(jié)體。燒結(jié)所使用的燒結(jié)爐只要能夠在冷卻時控制冷卻速度，則沒有特別的限制，從而利用在粉末冶金中通常所使用的燒結(jié)爐也無妨。燒結(jié)環(huán)境并沒有特別限制，可以設為大氣環(huán)境。從高密度化和防止裂紋的觀點出發(fā)，升溫速度通常為100 500°C /h。燒結(jié)溫度通常為1450 1700°C，優(yōu)選為1500 1600°C，燒結(jié)溫度下的保持時間通常為3 30h，優(yōu)選為5 10h。當燒結(jié)溫度和保持時間在所述范圍內(nèi)時，將能夠獲得高密度的燒結(jié)體。在燒結(jié)完成之后，使燒結(jié)爐內(nèi)的溫度以較高的速度從所述燒結(jié)溫度下降到700 900°C，優(yōu)選為下降到750 850°C，更優(yōu)選為下降到800°C左右。也就是說，在該溫度范圍內(nèi)，對燒結(jié)體進行急速冷卻。通過在該溫度范圍內(nèi)對燒結(jié)體進行急速冷卻，從而能夠?qū)埩魬x予燒結(jié)體，另外，只要是在這種高溫區(qū)域中，即使對燒結(jié)體進行急速冷卻，燒結(jié)體產(chǎn)生裂紋的可能性也較低。該溫度范圍內(nèi)的降溫速度在300°C /h以上，優(yōu)選為300 900°C / h，更優(yōu)選為400 800°C /h，進一步優(yōu)選為500 700°C /h。當降溫速度小于300°C /h時， 將難以切實地對濺射靶賦予所述范圍內(nèi)的殘留應力。另外，雖然降溫速度越大，能夠?qū)R射靶賦予的殘留應力越大，但是由于在降溫速度過大時加熱器將無法忍受急速冷卻，從而將容易發(fā)生劣化，因而降溫速度優(yōu)選為在900°C /h以下。而后，使燒結(jié)爐內(nèi)的溫度以較低的速度下降至例如室溫。也就是說，在該溫度范圍內(nèi)對燒結(jié)體進行慢冷卻。通過在該溫度范圍內(nèi)對燒結(jié)體進行慢冷卻，從而如前文所述，能夠防止燒結(jié)體的裂紋。該溫度范圍內(nèi)的降溫速度為10 100°C /h，優(yōu)選為10 50°C /h，更優(yōu)選為10 30°C /h。當以這種降溫速度進行冷卻時，將能夠切實地防止燒結(jié)體的裂紋，并且不會損害制造效率。對降溫速度的調(diào)節(jié)方法并沒有特別限制。以較高的速度進行的降溫可以通過例如切斷燒結(jié)爐的加熱器、或者向爐內(nèi)吹送冷卻氣體等來進行。以較低的速度進行的降溫可以通過例如對燒結(jié)爐的加熱器的溫度進行控制來進行。能夠根據(jù)需要而將以此種方式所獲得的ITO燒結(jié)體切割成所需的形狀，并通過研磨等而形成ITO濺射靶。本發(fā)明中的ITO濺射靶通常與背板粘合而使用。背板通常為Cu、Al或者不銹鋼制。粘合劑能夠使用現(xiàn)有的ITO濺射靶的粘合所使用的粘合劑，例如^金屬。粘合方法也與現(xiàn)有的ITO濺射靶的粘合方法相同。例如，在將本發(fā)明中的ITO濺射靶與背板加熱到粘合劑熔解的溫度，例如大約200°C，并在濺射靶與背板的各自的粘合面上涂布粘合劑，再將各自的粘合面貼合并將兩者壓緊之后，進行冷卻。或者，在本發(fā)明中的 ITO濺射靶與背板的各自的粘合面上涂布粘合劑，并將各自的粘合面貼合，再將濺射靶與背板加熱到粘合劑熔解的溫度，例如大約200°C之后，進行冷卻。如前文所述，本發(fā)明中的ITO濺射靶在進行該粘合時，與現(xiàn)有的ITO濺射靶相比產(chǎn)生裂紋的可能性極小。
實施例[實施例1 12、比較例1 6]利用球磨機將通過BET法所測定的比表面積為表1所示的值的、In2O3粉末和SnA 粉末混合成SnA的含量成為表1所示的量，并對混合粉末進行調(diào)制。在表1中表示了所獲得的混合粉末通過BET法所測定的比表面積。將稀釋為質(zhì)量百分比4%的聚乙烯醇以相對于混合粉末為質(zhì)量百分比6%的量添加在混合粉末中，并利用研缽使聚乙烯醇與粉末調(diào)和，再透過5. 5篩孔的網(wǎng)狀篩。將所獲得的粉末填充在沖壓用的模具中，并以沖壓壓力lt/cm2沖壓成型60秒，從而獲得 200mm X 500mm X IOmm 的成型體。將所獲得的成型體放入容量為大約Im3的燒結(jié)爐中，并使氧氣以lL/h的速度向爐內(nèi)流入，從而將燒成環(huán)境設為氧氣流動環(huán)境，再將升溫速度設為350°C /h，燒結(jié)溫度設為 1550°C，燒結(jié)溫度下的保持時間設為9h而進行燒結(jié)。然后，在表1中所示的冷卻條件下對所獲得的燒結(jié)體進行冷卻。在以較高的速度進行降溫的情況下，降溫速度的調(diào)節(jié)通過切斷燒結(jié)爐的加熱器、 向爐內(nèi)吹入冷卻氣體來進行，而在以較低的速度進行降溫(30°C /h)的情況下，降溫速度的調(diào)節(jié)通過控制燒結(jié)爐的加熱器的溫度來進行。通過以上方式，獲得了 176_X440_X8. 8mm的ITO濺射靶。對于該ITO濺射靶進行以下的評價。結(jié)果顯示在表1中。<相對密度>根據(jù)阿基米德法對所述濺射靶的相對密度進行測定。具體而言，由體積(=濺射靶燒結(jié)體的水中重量/計測溫度下的水比重)除濺射靶的空中重量，而將相對于基于下述公式(X)的理論密度P (g/cm3)的百分率的值設為相對密度(單位％ )。[公式1]
權利要求
1.一種ITO濺射靶，所述ITO濺射靶的Sn的含量以SnA換算時小于等于質(zhì)量百分比 5%，其特征在于，殘留應力為-650 -200Mpa。
2.如權利要求1所述的ITO濺射靶，其特征在于，Sn的含量以SnO2換算時小于等于質(zhì)量百分比4%。
3.如權利要求1所述的ITO濺射靶，其特征在于，Sn的含量以SnO2換算時為質(zhì)量百分比1 4%。
4.如所述權利要求1至3中任意一項所述的ITO濺射靶，所述ITO濺射靶通過與由熱膨脹系數(shù)在2. 386 X 10_5/°C以下的金屬材料所構(gòu)成的背板粘合而使用，其特征在于，殘留應力為-600 -200Mpa。
5.如所述權利要求1至3中任意一項所述的ITO濺射靶，所述ITO濺射靶通過與由熱膨脹系數(shù)大于2. 386 X 10-5/oC的金屬材料所構(gòu)成的背板粘合而使用，其特征在于，殘留應力為-650 -250Mpa。
6.一種如權利要求1至5中任意一項所述的ITO濺射靶的制造方法，其特征在于，在燒結(jié)爐內(nèi)以1450 1700°C的燒結(jié)溫度對ITO濺射靶制造用原料粉末進行燒結(jié)，并通過使燒結(jié)爐內(nèi)的溫度以300°C /h以上的速度從所述燒結(jié)溫度下降至700 900°C，其后使燒結(jié)爐內(nèi)的溫度以10 100°C /h的速度下降，從而冷卻所獲得的ITO燒結(jié)體。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種ITO濺射靶及其制造方法，所述ITO濺射靶的特征在于，Sn的含量以SnO2換算時小于等于質(zhì)量百分比5％，殘留應力為-650～-200MPa。所述殘留應力優(yōu)選為，在粘合有ITO濺射靶的背板的熱膨脹系數(shù)在2.386×10-5/℃以下的情況下，為-600～-200MPa，而在熱膨脹系數(shù)大于2.386×10-5/℃的情況下，為-650～-250MPa。即使本發(fā)明中的ITO濺射靶的SnO2含量小于等于質(zhì)量百分比5％也不易產(chǎn)生裂紋，并且，本發(fā)明中的ITO濺射靶即使在與銅制的背板等粘合時也不易產(chǎn)生裂紋。
文檔編號C04B35/622GK102285791SQ20111014866
公開日2011年12月21日 申請日期2011年5月27日 優(yōu)先權日2010年6月4日
發(fā)明者真崎貴則 申請人:三井金屬礦業(yè)株式會社