一種大功率led底座的制備方法和大功率led底座的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種大功率LED底座的制備方法，包括以下步驟：S1、在氧化鋁陶瓷基板的表面鍍氧化亞銅層和銅層，得到表面覆銅陶瓷；S2、將表面覆銅陶瓷在惰性氣氛中進行1064-1080℃下熱處理，曝光顯影蝕刻得到表面具有金屬化線路的陶瓷電路板；S3、將銅基座表面進行氧化；S4、使陶瓷電路板與銅基座貼合，然后在惰性氣氛中進行1064-1080℃下熱處理，冷卻后在金屬化線路表面繼續(xù)金屬化，得到大功率LED底座。本發(fā)明還提供了采用該制備方法制備得到的大功率LED底座。本發(fā)明提供的制備方法制備得到的大功率LED底座，散熱性能好，陶瓷電路板的金屬層與氧化鋁陶瓷基板具有良好的結(jié)合力，同時陶瓷電路板整體與銅基座也具有良好的結(jié)合力。
【專利說明】一種大功率LED底座的制備方法和大功率LED底座
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于陶瓷表面金屬化領(lǐng)域，具體地涉及一種大功率LED底座的制備方法以及由該制備方法制備得到的大功率LED底座。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，對陶瓷表面進行金屬化的方法主要有:(I)先通過離子鈀或膠體鈀對陶瓷表面進行活化，然后進行化學鍍，并通過曝光顯影蝕刻后形成圖案，電鍍加厚后得到線路；
[2]對已預(yù)處理的陶瓷表面直接進行磁控濺射，形成金屬濺射鍍層，然后通過曝光顯影蝕刻后形成圖案，電鍍加厚得到線路；(3)直接將預(yù)氧化好的銅箔進行燒結(jié)，使其覆蓋于陶瓷表面，然后通過曝光顯影蝕刻后形成線路。
[0003]上述方法(I)和(2)形成的金屬鍍層與陶瓷的結(jié)合力都較差，這是由于鍍層與陶瓷之間僅通過物理結(jié)合而發(fā)生沉積，且方法(I)中在金屬鍍層與陶瓷之間還存在金屬鈀層，其與陶瓷的附著力更差。方法(3)中由于現(xiàn)有技術(shù)中難以形成厚度低于50 μ m的銅箔，即常用的銅箔的厚度較大，存在燒結(jié)瓶頸，燒結(jié)后覆蓋于陶瓷表面時難以保證界面之間不產(chǎn)生氣泡，即難以保證銅箔與陶瓷的附著力。
[0004]而目前陶瓷表面金屬化產(chǎn)品主要可用于制備大功率LED底座，由于大功率LED底座還具有結(jié)構(gòu)復(fù)雜的銅基座，銅基座與具有金屬化線路的陶瓷電路板之間的結(jié)合性也是目前一直希望得到解決的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明解決了現(xiàn)有技術(shù)中存在的陶瓷表面金屬化存在的金屬層與陶瓷基底結(jié)合力差、以及大功率LED底座的銅基座與陶瓷電路板之間的結(jié)合力差的技術(shù)問題。
[0006]本發(fā)明提供了一種大功率LED底座的制備方法，包括以下步驟:
51、在氧化鋁陶瓷基板的表面鍍一層氧化亞銅層，然后在氧化亞銅層表面繼續(xù)鍍銅層，得到表面覆銅陶瓷；
52、將表面覆銅陶瓷在惰性氣氛中進行熱處理，熱處理溫度為1064-1080°C;然后進行曝光顯影蝕刻，得到表面具有金屬化線路的陶瓷電路板；
53、將銅基座表面進行氧化，得到具有微氧化結(jié)合面的銅基座；
54、使陶瓷電路板具有金屬化線路的一面向外，將陶瓷電路板的另一面與銅基座的微氧化結(jié)合面貼合，然后在惰性氣氛中進行熱處理，熱處理溫度為1064-1080°C，冷卻后在金屬化線路的表面繼續(xù)金屬化，得到所述大功率LED底座。
[0007]本發(fā)明還提供了一種大功率LED底座，所述大功率LED底座由本發(fā)明提供的制備方法制備得到。
[0008]本發(fā)明提供的大功率LED底座的制備方法，其通過先在陶瓷表面鍍氧化亞銅層和銅層后，在1064-1080°C下進行熱處理，熱處理過程中通過銅-氧共晶液相潤濕原理，氧化亞銅層和相鄰的部分銅層發(fā)生共晶潤濕形成銅-氧共晶潤濕層，其與氧化鋁陶瓷基板之間的結(jié)合力遠高于化學鍍或濺射鍍形成的鍍層與陶瓷基板之間的結(jié)合力；同時，在將陶瓷電路板與銅基座貼合時，也在1064-1080°C下進行熱處理，同樣形成具有良好結(jié)合力的銅-氧共晶潤濕層，使得陶瓷電路板與銅基座之間也具有良好的結(jié)合力。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]圖1是本發(fā)明實施例1提供的大功率LED底座的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0010]圖2是本發(fā)明實施例2提供的大功率LED底座的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0011]圖中，I——金屬銅線路，2——第三銅-氧共晶潤濕層，3——氧化鋁陶瓷基板，4—第二銅-氧共晶潤濕層，5—銅層，6—第一銅-氧共晶潤濕層，7—銅基座，8 銀層，9 鎮(zhèn)層，10 金層ο
【具體實施方式】
[0012]本發(fā)明提供了一種大功率LED底座的制備方法，包括以下步驟:
51、在氧化鋁陶瓷基板的表面鍍一層氧化亞銅層，然后在氧化亞銅層表面繼續(xù)鍍銅層，得到表面覆銅陶瓷；
52、將表面覆銅陶瓷在惰性氣氛中進行熱處理，熱處理溫度為1064-1080°C;然后進行曝光顯影蝕刻，得到表面具有金屬化線路的陶瓷電路板；
53、將銅基座表面進行氧化，得到具有微氧化結(jié)合面的銅基座；
54、使陶瓷電路板具有金屬化線路的一面向外，將陶瓷電路板的另一面與銅基座的微氧化結(jié)合面貼合，然后在惰性氣氛中進行熱處理，熱處理溫度為1064-1080°C，冷卻后在金屬化線路的表面繼續(xù)金屬化，得到所述大功率LED底座。
[0013]本發(fā)明提供的大功率LED底座的制備方法，其通過先在陶瓷表面鍍氧化亞銅層和銅層后，在1064-1080°C下進行熱處理，熱處理過程中通過銅-氧共晶液相潤濕原理，氧化亞銅層和相鄰的部分銅層轉(zhuǎn)化為銅-氧共晶潤濕層，其與氧化鋁陶瓷基板之間的結(jié)合力遠高于化學鍍或濺射鍍形成的鍍層與陶瓷基板之間的結(jié)合力；同時，在將陶瓷電路板與銅基座貼合時，也在1064-1080°C下進行熱處理，同樣形成具有良好結(jié)合力的銅-氧共晶潤濕層，使得陶瓷電路板與銅基座之間也具有良好的結(jié)合力。
[0014]本發(fā)明中，所述氧化亞銅層在后續(xù)與相鄰的部分銅層在共晶溫度(1064-1080 V )下發(fā)生共晶潤濕滲透，形成所述銅-氧共晶潤濕層。該銅-氧共晶潤濕層與銅層、氧化鋁陶瓷基板以及銅基座均具有良好的結(jié)合力。所述氧化亞銅層的厚度無需多大，優(yōu)選情況下，所述氧化亞銅層的厚度為10-60nm。所述銅層的厚度為20-100 μ m。
[0015]本發(fā)明中，所述氧化亞銅層可通過蒸鍍或濺射鍍形成。以蒸鍍氧化亞銅為例，鍍所述氧化亞銅層的步驟包括:將氧化鋁陶瓷基板置于真空管離子鍍膜機中，工作環(huán)境為真空，蒸鍍的條件包括:真空度低于10_3Pa，電源偏壓為100-300V，電源功率為1500-2000W，電源的占空比為40-70%，蒸鍍材料為氧化亞銅壓制粉末塊，真空蒸鍍時間為10-60min。
[0016]作為本領(lǐng)域技術(shù)人員的公知常識，在對氧化鋁陶瓷基板表面鍍氧化亞銅層之間，還可根據(jù)需要對其表面進行前處理。所述前處理的步驟為本領(lǐng)域技術(shù)人員公知，例如可以為先除油2min后水洗，然后酸洗3min后水洗，烘干即可。
[0017]在氧化亞銅層表面鍍銅層的方法可以為先通過蒸鍍、濺射鍍或化學鍍在氧化亞銅層表面鍍一層薄銅層，然后通過電鍍加厚。以濺射鍍薄銅層并通過電鍍加厚為例，鍍所述銅層的步驟包括:將表面鍍有氧化亞銅層的氧化鋁陶瓷基板放入鍍膜機中，更換為濺射鍍模式，靶材為銅靶，在氧化亞銅層表面濺射鍍60-120min形成厚度為1_3 μ m的薄銅層，然后將其作為陰極、以電解銅箔為陽極，在酸性硫酸銅電鍍液中進行電鍍加厚處理，電鍍過程中不斷鼓泡，至銅層的總厚度達到所需厚度即可停止電鍍。
[0018]本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，氧化亞銅與銅在共晶溫度(1064-1080°C )下能發(fā)生共晶潤濕，形成Cu-Cu2O 二元共晶液相，該二元共晶液相能很好的潤濕Al2O3及金屬Cu表面。因此本發(fā)明中，一方面，通過在S2中對表面覆銅陶瓷在共晶溫度下進行熱處理，能顯著提高陶瓷電路板中金屬層與氧化鋁陶瓷基板之間的附著力；另一方面，通過在S4中對陶瓷電路板與銅基座在共晶溫度下進行熱處理，能顯著提高陶瓷電路板與銅基座之間的附著力。優(yōu)選情況下，本發(fā)明中，共晶溫度為1066-1073°C時，氧化亞銅層與銅層的共晶潤濕效果更好。即，本發(fā)明中，優(yōu)選情況下，步驟S2中熱處理溫度為1066-1073°C，步驟S4中熱處理溫度為1066-1073°C。
[0019]本發(fā)明中，對于熱處理時間(即共晶潤濕時間)沒有特殊要求。優(yōu)選情況下，步驟S2中熱處理時間為5-20min，步驟S4中熱處理時間為10_30min。更優(yōu)選情況下，步驟S2中熱處理時間為5-15min，步驟S4中熱處理時間為10_20min。
[0020]根據(jù)本發(fā)明的方法，熱處理完成后，氧化鋁陶瓷基板表面的氧化亞銅層和相鄰的部分銅層共晶潤濕形成所述銅-氧共晶潤濕層，而銅-氧共晶潤濕層的上下表面分別為銅層、氧化鋁陶瓷基板，得到熱處理后的表面覆銅陶瓷。該熱處理后的表面覆銅陶瓷相鄰的兩層之間均具有良好的結(jié)合力。此時，對該熱處理后的表面覆銅陶瓷進行曝光顯影蝕刻的步驟是針對銅-氧共晶潤濕層上的銅層進行，即將銅層蝕刻形成具有所需圖案的金屬銅線路，即得到陶瓷電路板。所述曝光顯影蝕刻的步驟為本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知，此處不再贅述。
[0021]本發(fā)明中，鍍氧化亞銅層和銅層可在氧化鋁陶瓷基板的單面進行，也可在氧化鋁陶瓷基板的兩個雙面均進行，即分別得到單面覆銅陶瓷、雙面覆銅陶瓷。
[0022]其中，單面覆銅陶瓷在熱處理后，直接對其表面的銅層進行曝光顯影蝕刻，即可在該表面形成金屬銅線路，而另一面則為氧化鋁陶瓷基板底面。因此，在將該一面為金屬銅線路、另一面為氧化鋁陶瓷基板的陶瓷電路板與銅基座貼合時，需保證使陶瓷電路板的金屬銅線路的一面向外，而將陶瓷電路板另一面的氧化鋁陶瓷基板與銅基座的微氧化結(jié)合面接觸，然后進行熱處理。
[0023]而雙面覆銅陶瓷熱處理后，得到氧化鋁陶瓷基板的上下兩個表面均覆蓋有銅-氧共晶潤濕層，而上下兩個銅-氧共晶潤濕層的表面還覆蓋有未參與共晶潤濕的剩余銅層。本發(fā)明中，只需在一個表面形成金屬銅線路即可，則只需對該表面的銅層進行曝光顯影蝕刻即可，而另外一個表面不無需進行相應(yīng)處理，仍為銅層，其用于直接與銅基座貼合。具體地，將該一面為金屬銅線路、另一面為銅-氧共晶潤濕層的陶瓷電路板與銅基座貼合時，使陶瓷電路板的金屬銅線路的一面向外，而將未形成金屬銅線路的一面(即銅層)與銅基座的微氧化結(jié)合面接觸，然后進行熱處理。
[0024]本發(fā)明中，對銅基座表面進行氧化處理形成微氧化結(jié)合面的方法可以為熱風處理法，具體包括:空氣中將銅基座用100-300°C的熱風處理10-60min，熱處理完成后，在銅基座表面形成微氧化結(jié)合面，該微氧化結(jié)合面即為氧化亞銅層。
[0025]根據(jù)本發(fā)明的方法，將銅基座與陶瓷電路板貼合后，繼續(xù)進行熱處理，該熱處理仍然在共晶溫度下進行。熱處理過程中，銅基座表面的微氧化結(jié)合面(即氧化亞銅層)與銅基座發(fā)生共晶潤濕，在銅基座表面形成銅-氧共晶潤濕層，其與銅基座具有良好的附著力，同時其與陶瓷電路板也具有良好的附著力。
[0026]本發(fā)明中，在共晶溫度(1064-1080°C )下進行的熱處理均在惰性氣氛中進行，保證銅與氧化亞銅的共晶潤濕充分進行，又不至于銅層表面過度氧化。所述惰性氣氛采用的氣體選自氮氣、惰性氣體中的一種或多種。
[0027]具體地，當所述銅基座與單面覆銅陶瓷貼合并進行熱處理后，由于銅基座表面的銅-氧共晶潤濕層與氧化鋁陶瓷基板具有良好的附著力，因此使得銅基座與氧化鋁陶瓷基板具有良好的附著力，即保證銅基座與陶瓷電路板具有良好的結(jié)合力。
[0028]當所述銅基座與雙面覆銅陶瓷貼合并進行熱處理時，銅基座表面的微氧化結(jié)合面(即氧化亞銅層)一方面能與銅基座發(fā)生共晶潤濕在銅基座表面形成銅-氧共晶潤濕層，另一方面還能與陶瓷電路板表面的銅層發(fā)生共晶潤濕在陶瓷電路板表面形成銅-氧共晶潤濕層，進一步提高銅基座與陶瓷電路的結(jié)合力。
[0029]根據(jù)本發(fā)明提供的制備方法，陶瓷電路板與銅基座貼合并熱處理完成后，可根據(jù)需要在金屬化線路(即金屬銅線路)表面繼續(xù)進行金屬化，滿足產(chǎn)品不同外觀或質(zhì)量要求。優(yōu)選情況下，步驟S4中，在金屬化線路(金屬銅線路)表面繼續(xù)金屬化的方法為在金屬化線路的表面繼續(xù)鍍鎳、金、銀中的一種或多種。其中，鍍鎳、金、銀的方法為本領(lǐng)域技術(shù)人員公知，此處不再贅述。
[0030]本發(fā)明還提供了一種大功率LED底座，所述大功率LED底座由本發(fā)明提供的制備方法制備得到。
[0031]若所述大功率LED底座由雙面覆銅陶瓷制備得到，則該大功率LED底座具有圖1所示結(jié)構(gòu)，從下至上依次包括銅基座7、第一銅-氧共晶潤濕層6、銅層5、第二銅-氧共晶潤濕層4、氧化鋁陶瓷基板3、第三銅-氧共晶潤濕層2、金屬銅線路I和表面繼續(xù)金屬化形成的金屬層(圖1中該金屬層為銀層8)。
[0032]若所述大功率LED底座由單面覆銅陶瓷制備得到，則該大功率LED底座具有圖2所示結(jié)構(gòu)，從下至上依次包括銅基座7、第一銅-氧共晶潤濕層6、氧化鋁陶瓷基板3、第三銅-氧共晶潤濕層2、金屬銅線路I和表面繼續(xù)金屬化形成的金屬層(圖2中該金屬層依次包括鎳層9和金層10)。
[0033]為了使本發(fā)明所解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白，以下結(jié)合實施例，對本發(fā)明進行進一步詳細說明。應(yīng)當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0034]實施例1
(1)陶瓷前處理
取35mmX35mmX800ym的氧化鋁陶瓷基板，對該氧化鋁陶瓷基板表面先除油2min后水洗，接著酸洗3min后水洗，烘干；
(2)制備雙面覆銅陶瓷
在前處理后的氧化鋁陶瓷基板上下兩個表面分別依次蒸鍍厚度為30nm的氧化亞銅層、濺射鍍厚度為2μπι的薄銅層；然后將該樣品作為陰極、電解銅箔作為陽極，在酸性硫酸銅電鍍液中進行電鍍加厚，電鍍過程中不斷鼓泡，至銅層厚度為75μπι，停止電鍍，得到雙面覆銅陶瓷；
(3)制備陶瓷電路板
在氮氣保護下，將步驟(2)的雙面覆銅陶瓷在1068°c下保溫9min，得到熱處理后的雙面覆銅陶瓷，冷卻至室溫；然后對該雙面覆銅陶瓷一個表面的銅層進行曝光顯影蝕刻，在該表面形成金屬銅線路，另一個表面仍然為銅層，得到本實施例的陶瓷電路板；
(4)制備大功率LED底座
空氣下將銅基座采用200°C熱風處理30min，得到表面具有微氧化結(jié)合面的銅基座；然后使步驟(4)的陶瓷電路板的金屬銅線路的一面向外，將銅基座微氧化結(jié)合面與陶瓷電路板的仍然為銅層的一個表面貼合，并在1072°C下的氮氣保護氣氛中熱處理12min，冷卻至室溫后，在金屬銅線路的表面繼續(xù)進行化學鍍銀，形成厚度為I μ m的銀層，得到本實施例的大功率LED底座Y1，具有圖1所示結(jié)構(gòu)，從下至上依次包括:銅基座7、第一銅-氧共晶潤濕層6、銅層5、第二銅-氧共晶潤濕層4、氧化鋁陶瓷基板3、第三銅-氧共晶潤濕層2、金屬銅線路I和銀層8。
[0035]實施例2
(1)陶瓷前處理
取35mmX35mmX800ym的氧化鋁陶瓷基板，對該氧化鋁陶瓷基板表面先除油2min后水洗，接著酸洗3min后水洗，烘干；
(2)制備單面覆銅陶瓷
在前處理后的氧化鋁陶瓷基板的上表面依次蒸鍍厚度為40nm的氧化亞銅層、濺射鍍厚度為3μπι的薄銅層；然后將該樣品作為陰極、電解銅箔作為陽極，在酸性硫酸銅電鍍液中進行電鍍加厚，電鍍過程中不斷鼓泡，至銅層厚度為80 μ m,停止電鍍，得到單面覆銅陶瓷；
(3)制備陶瓷電路板
在氮氣保護下，將步驟(2)的單面覆銅陶瓷在1072°C下保溫lOmin，得到熱處理后的單面覆銅陶瓷，冷卻至室溫；然后對該單面覆銅陶瓷表面的銅層進行曝光顯影蝕刻，在該表面形成金屬銅線路，另一個表面則為氧化鋁陶瓷基板的下表面，得到本實施例的陶瓷電路板；
(4)制備大功率LED底座
空氣下將銅基座采用200°C熱風處理30min，得到表面具有微氧化結(jié)合面的銅基座；然后使步驟(4)的陶瓷電路板的金屬銅線路的一面向外，將銅基座微氧化結(jié)合面與陶瓷電路板的另一面(即氧化鋁陶瓷基板的下表面)貼合，并在1072°C下的氮氣保護氣氛中熱處理12min,冷卻至室溫后，在金屬銅線路的表面先化學鍍鎳，形成厚度為2 μ m的鎳層，然后在鎳層表面鍍金，形成厚度為IOOnm的金層，得到本實施例的大功率LED底座Y2，具有圖2所示結(jié)構(gòu)，從下至上依次包括:銅基座7、第一銅-氧共晶潤濕層6、氧化鋁陶瓷基板3、第三銅-氧共晶潤濕層2、金屬銅線路1、鎳層9和金層10。
[0036]實施例3
采用與實施例2相同的步驟準備本實施例的大功率LED底座Y3，不同之處: 步驟(2)中，蒸鍍氧化亞銅層厚度為20nm，濺射鍍薄銅層的厚度為Ιμπι，電鍍加厚后銅層的厚度為70μπι;
步驟(3)中，熱處理溫度為1070°C，保溫時間為8min ；
步驟(4)中，在金屬銅線路的表面進行化學鍍銀，形成厚度為Iym的銀層；
通過上述步驟，得到本實施例的大功率LED底座Y3。
[0037]實施例4
采用與實施例2相同的步驟準備本實施例的大功率LED底座Y4，不同之處:
步驟(2)中，蒸鍍氧化亞銅層厚度為50nm，濺射鍍薄銅層的厚度為3μπι，電鍍加厚后銅層的厚度為90μπι;
步驟(3)中，熱處理溫度為1071°C，保溫時間為Ilmin ；
步驟(4)中，在金屬銅線路的表面先化學鍍鎳，形成厚度為3 μ m的鎳層，再在鎳層表面鍍金，形成厚度為IlOnm的金層；
通過上述步驟，得到本實施例的大功率LED底座Y4。
[0038]對比例I
采用與實施例1相同的氧化鋁陶瓷基板，先進行表面前處理，然后浸入鈀液(PdCl2
0.3g/L + HCl 2mL/L的水溶液)中活化2min，之后再放入化學鍍銅液中進行化學鍍6h，在氧化鋁陶瓷基板的上下兩個表面均形成銅層；然后對上表面的銅層進行曝光顯影蝕刻形成金屬銅線路，將下表面的銅層與銅基座貼合，然后在上表面的金屬銅線路表面繼續(xù)化學鍍銀，形成厚度為I μ m的銀層，得到本對比例的大功率LED底座DYl。
[0039]對比例2
采用與實施例1相同的氧化鋁陶瓷基板，先進行表面前處理，然后在其上表面上真空濺射鍍厚度為Iym的薄銅層，然后電鍍加厚銅層；然后將對銅層表面進行曝光顯影蝕刻形成金屬銅線路，將氧化鋁陶瓷基板的下表面與銅基座貼合，然后在上表面的金屬銅線路上繼續(xù)化學鍍銀，形成厚度為I μ m的銀層，得到本對比例的大功率LED底座DY2。
[0040]性能測試
1、附著力測試:采用ISO 2409公開的方法對Y1-Y4、DY1-DY2進行如下測試:使用外科手術(shù)刀的刀背或指定的交叉割刀在大功率LED底座樣品的金屬線路上劃痕，兩條刮痕互相成90°角，劃痕的間隔為1_，劃痕時確保切割至陶瓷基材表面。沿著劃痕的方向用刷子刷5次。把3M膠帶600粘在表面上，用指尖將膠帶壓緊，確保與金屬線路的良好接觸，在5分鐘內(nèi)從膠帶的自由端起以60°的角度在0.5秒內(nèi)將膠帶有規(guī)則的揭開撕去膠帶。如沒有任何脫落為5B，脫落量在0-5%之間為4B，5-15%之間為3B，15-35%之間為2B，35-65%之間為1B，65%以上為OB0
[0041]2、耐冷熱沖擊測試:使用外科手術(shù)刀的刀背或指定的交叉割刀在陶瓷基材表面金屬線路上劃痕，兩條刮痕互相成90°角，劃痕的間隔為1mm，劃痕時確保切割至陶瓷基材表面。沿著劃痕的方向用刷子刷5次。將各樣品在300°C下保溫0.5h后迅速投入水中急冷，觀測各樣品表面起翹情況，未起翹記為0K，有起翹記為NG。
[0042]3、剝離強度測試
使用剝離強度測試機(東莞市長安亞星精密儀器有限公司生產(chǎn)的YX-BL-OlA型剝離強度測試儀)進行測試。用一已氧化一面的銅片替代各實施例及對比例中的銅基座(該銅片處理方式與銅基座一樣)，與各實施例及對比例中的陶瓷電路板采用相同的方法進行貼合，將銅片蝕刻成的長條，然后在剝離強度測試機上進行90° (垂直)方向撕下，測試其剝離強度，剝離速度50mm/min，測量頻率10次/s。
[0043]測試結(jié)果如表1所示。
表1
【權(quán)利要求】
1.一種大功率LED底座的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 51、在氧化鋁陶瓷基板的表面鍍一層氧化亞銅層，然后在氧化亞銅層表面繼續(xù)鍍銅層，得到表面覆銅陶瓷； 52、將表面覆銅陶瓷在惰性氣氛中進行熱處理，熱處理溫度為1064-1080°C;然后進行曝光顯影蝕刻，得到表面具有金屬化線路的陶瓷電路板； 53、將銅基座表面進行氧化，得到具有微氧化結(jié)合面的銅基座； 54、使陶瓷電路板具有金屬化線路的一面向外，將陶瓷電路板的另一面與銅基座的微氧化結(jié)合面貼合，然后在惰性氣氛中進行熱處理，熱處理溫度為1064-1080°C，冷卻后在金屬化線路的表面繼續(xù)金屬化，得到所述大功率LED底座。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟SI中，氧化亞銅層的厚度為10-60nm，銅層的厚度為20-100 μ m。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，鍍氧化亞銅層的方法為蒸鍍或濺射鍍；鍍銅層的方法為先進行蒸鍍、濺射鍍或化學鍍形成薄銅層，然后進行電鍍加厚。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟S2中熱處理溫度為1066-1073°C，步驟S4中熱處理溫度為1066_1073°C。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的制備方法，其特征在于，步驟S2中熱處理時間為5-20min，步驟S4中熱處理時間為10_30min。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟S3中，銅基座表面進行氧化的步驟為:空氣中將銅基座用100-300°C的熱風處理10-60min。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟SI中，在氧化鋁陶瓷基板的一個表面鍍氧化亞銅層和銅層，得到的所述表面覆銅陶瓷為單面覆銅陶瓷；S2中，熱處理后對所述單面覆銅陶瓷的銅層表面進行曝光顯影蝕刻，得到表面具有金屬化線路的陶瓷電路板；S4中，將陶瓷電路板與銅基座貼合時，使陶瓷電路板的金屬化線路的一面向外，而將陶瓷電路板另一面的氧化鋁陶瓷基板與銅基座的微氧化結(jié)合面接觸，然后進行熱處理。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟SI中，在氧化鋁陶瓷基板的上下兩個表面均鍍氧化亞銅層和銅層，得到所述表面覆銅陶瓷為雙面覆銅陶瓷；S2中，熱處理后對所述雙面覆銅陶瓷的其中一個銅層表面進行曝光顯影蝕刻，在該表面形成金屬化線路，得到所述陶瓷電路板；S4中，將陶瓷電路板與銅基座貼合時，使陶瓷電路板的金屬化線路的一面向外，而將未曝光顯影蝕刻的仍為銅層的一面與銅基座的微氧化結(jié)合面接觸，然后進行熱處理。
9.根據(jù)權(quán)利要求1、7或8任一項所述的制備方法，其特征在于，S4中，在金屬化線路的表面繼續(xù)金屬化的方法為在金屬化線路的表面繼續(xù)鍍鎳、金、銀中的一種或多種。
10.一種大功率LED底座，其特征在于，所述LED底座由權(quán)利要求1_9任一項所述的制備方法制備得到。
【文檔編號】C04B41/91GK103515509SQ201210212333
【公開日】2014年1月15日 申請日期:2012年6月26日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月26日
【發(fā)明者】徐強, 林信平, 張保祥, 任永鵬 申請人:比亞迪股份有限公司