玻璃基材的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種作為化合物半導(dǎo)體太陽能電池等太陽能電池用玻璃基材具有優(yōu)異的鈉供給能力的玻璃基材。其為太陽能電池中所使用的玻璃基材，其特征在于，該玻璃基材的至少一個(gè)面的深度為0.2μm處的鈉濃度相對(duì)于深度1μm處的鈉濃度的相對(duì)值在0.55以上。
【專利說明】玻璃基材
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及太陽能電池所用玻璃基材，特別涉及銅(Cu)-銦(In)-硒(Se)(下文記為CIS)或銅(Cu)-銦(In)-鎵(Ga) IB(Se)(以下記為CIGS)等化合物半導(dǎo)體太陽能電池所用玻璃基材。
【背景技術(shù)】
[0002]太陽能電池大致分為本體(bulk)太陽能電池和薄膜太陽能電池。薄膜太陽能電池是以形成于基材上的厚度數(shù)微米的半導(dǎo)體薄膜為發(fā)電層的太陽能電池，其與本體太陽能電池相比，發(fā)電所需的半導(dǎo)體材料很少即可。因此，可以預(yù)見其作為每單位制造費(fèi)用的發(fā)電效率(性能價(jià)格比)優(yōu)異的太陽能電池在今后的普及。其中，化合物半導(dǎo)體太陽能電池與薄膜硅太陽能電池相比發(fā)電效率更優(yōu)且制造工藝的自由度更高，因此有望實(shí)現(xiàn)更優(yōu)異的性能價(jià)格比。特別是CIS和CIGS太陽能電池與同為化合物半導(dǎo)體太陽能電池的鎘(Cd)-碲(Te)太陽能電池相比能夠?qū)崿F(xiàn)更優(yōu)的發(fā)電效率，且不含有害物質(zhì)鎘，因此可以預(yù)見，其作為性能價(jià)格比優(yōu)異的安全型太陽能電池在今后的迅速普及(例如，參照專利文獻(xiàn)I)。
[0003]化合物半導(dǎo)體太陽能電池通常具有在玻璃基材上依次形成鑰等電極、CIS或CIGS等化合物半導(dǎo)體層、CdS或ZnS等緩沖層、和Ζη0、ΑΖ0 (鋁摻雜氧化鋅)或ITO (錫摻雜氧化銦)等透明導(dǎo)電膜的結(jié)構(gòu)。
[0004]在先技術(shù)文獻(xiàn)
[0005]專利文獻(xiàn)
[0006]專利文獻(xiàn)1:日本國特開平8-330614號(hào)公報(bào)
【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]發(fā)明要解決的課題
[0008]已知，CIS或CIGS太陽能電池等化合物半導(dǎo)體太陽能電池因半導(dǎo)體結(jié)晶中含有鈉(Na)而使得結(jié)晶的組成穩(wěn)定區(qū)域擴(kuò)大、太陽能電池的發(fā)電效率提高。
[0009]為使化合物半導(dǎo)體層中含有鈉，可以舉出在半導(dǎo)體結(jié)晶成膜時(shí)作為原料供給單質(zhì)鈉或含鈉化合物的方法。但是，盡管該方法易于控制鈉的添加量，但存在工藝趨于復(fù)雜的問題。
[0010]作為其它方法，還有在制造工藝中藉助鑰等金屬電極使玻璃基材中的鈉擴(kuò)散至化合物半導(dǎo)體層的方法。該方法的工藝簡單，性能價(jià)格比優(yōu)異。但是，現(xiàn)有的用于太陽能電池的玻璃基材的向化合物半導(dǎo)體層供給鈉的能力不足。
[0011]本發(fā)明即是鑒于上述狀況而做出，其目的在于提供一種作為化合物半導(dǎo)體太陽能電池等太陽能電池用玻璃基材，具有優(yōu)異的鈉供給能力的玻璃基材。
[0012]解決課題的手段
[0013]本發(fā)明涉及一種玻璃基材，其為太陽能電池中所使用的玻璃基材，其特征在于，上述玻璃基材的至少一個(gè)面的深度0.2 μ m處的鈉濃度相對(duì)于深度I μ m處的鈉濃度的相對(duì)值在0.55以上。
[0014]在太陽能電池的制造工藝中，鈉從玻璃基材向化合物半導(dǎo)體層的擴(kuò)散是起于玻璃基材淺表層的現(xiàn)象，玻璃基材表層的鈉分布狀態(tài)將極大影響鈉的向化合物半導(dǎo)體層的供給量。因此，在適于化合物半導(dǎo)體太陽能電池的玻璃基材的組成設(shè)計(jì)中，重要的不是著眼于玻璃基材整體的平均組成,而是玻璃基材表面附近的組成。具體而言,通過將玻璃基材表層的鈉濃度分布如上所述進(jìn)行控制，將能夠達(dá)到優(yōu)異的鈉供給量。
[0015]第二，本發(fā)明的玻璃基材優(yōu)選為，在玻璃基材的深度方向的鈉濃度分布曲線上，在玻璃基材的表面至深度不足0.2 μ m的區(qū)間內(nèi)存在拐點(diǎn)，并且玻璃基材表面與拐點(diǎn)之間的鈉平均濃度梯度相對(duì)于拐點(diǎn)與深度0.2 μ m處之間的鈉平均濃度梯度的相對(duì)值在2以上。
[0016]為了從玻璃基材表面持續(xù)向化合物半導(dǎo)體層供給鈉，通常必須從玻璃基材的內(nèi)部向表面補(bǔ)給鈉。玻璃基材中的成分的移動(dòng)能夠作為擴(kuò)散現(xiàn)象處理，以下述菲克第一定律表示。在單位時(shí)間內(nèi)通過單位截面積的成分的擴(kuò)散量J與該位置處的該成分的濃度梯度成正t匕，其比例常數(shù)被稱為擴(kuò)散系數(shù)。
[0017]J= — D (dc/dx)
[0018]式中，c為成分濃度、X為距離、dc/dx為成分的濃度梯度，D表示擴(kuò)散系數(shù)。由于成分從濃度高的一方向低的一方擴(kuò)散，因此擴(kuò)散系數(shù)取負(fù)號(hào)。即，濃度梯度正值越大，單位時(shí)間內(nèi)的擴(kuò)散成分量越多、擴(kuò)散速度越快。
[0019]根據(jù)本發(fā)明人的研究可知:在玻璃基材表層的鈉濃度梯度大的情況下，其濃度分布曲線在玻璃基材的表面至深度不足0.2 μ m的區(qū)間內(nèi)突現(xiàn)一個(gè)拐點(diǎn)，此后，隨著朝向玻璃基材內(nèi)部，濃度以更平緩的梯度上升。因此，通過使從玻璃基材表面至拐點(diǎn)的鈉的平均濃度梯度與比其更靠內(nèi)部(拐點(diǎn)與深度0.2μπι處之間)的區(qū)間內(nèi)的鈉的平均濃度梯度之比滿足上述范圍，就能夠增大從玻璃基材的內(nèi)部向表面的鈉的擴(kuò)散量和擴(kuò)散速度，從而能夠高效地向玻璃基材表面補(bǔ)給鈉。
[0020]需要說明的是，拐點(diǎn)是指鈉濃度分布曲線中的濃度的二階微分(=d/dx (dc/dx))變?yōu)樨?fù)最大值的點(diǎn)。
[0021 ] 第三，本發(fā)明的玻璃基材優(yōu)選為，在玻璃基材的深度方向的鉀濃度分布曲線上，在玻璃基材的表面至深度0.05 μ m的區(qū)間內(nèi)存在鉀濃度的極小值。
[0022]在玻璃基材表面附近發(fā)生了鈉減少的部分，由于陽離子不足，因此容易顯示帶負(fù)電。但由于鉀(K)在其附近濃縮，以陽離子的形態(tài)存在，有時(shí)能夠起到保持電荷平衡的作用。因此，即使是同為堿金屬元素，鉀仍然顯示出與鈉不同特性，濃度分布也顯示出與鈉不同的特性曲線。
[0023]在玻璃基材含有鉀的情況下，通過將玻璃基材的表面至深度0.05 μ m以內(nèi)的部分的鉀濃縮，能夠有效調(diào)節(jié)電荷平衡，實(shí)現(xiàn)高效的鈉的供給。需要說明的是，鉀的濃度分布狀態(tài)能夠由玻璃基材表層產(chǎn)生鉀濃縮的結(jié)果的濃度分布曲線的極小值位置規(guī)定。
[0024]第四，本發(fā)明的玻璃基材優(yōu)選為應(yīng)變點(diǎn)在520°C以上。
[0025]通過使玻璃基材的應(yīng)變點(diǎn)滿足上述范圍，將由于后文所述的原因而易于制作表層滿足規(guī)定鈉濃度的玻璃基材。并能夠抑制太陽能電池制造工藝中玻璃基材因受熱而產(chǎn)生的變形。
[0026]第五，本發(fā)明的玻璃基材優(yōu)選為距玻璃基材表面的深度0.01 μ m處的鈉濃度相對(duì)于深度I μ m處的鈉濃度的相對(duì)值在0.02以上。
[0027]通過如上所述規(guī)定距玻璃基材表面的深度為0.01 μ m處的鈉濃度，將使得玻璃基材表面附近的鈉濃度梯度更陡，使鈉的擴(kuò)散量和擴(kuò)散速度增大，能夠更有效地向玻璃基材表面補(bǔ)給鈉。
[0028]第六，本發(fā)明的玻璃基材優(yōu)選為相對(duì)于距離玻璃基材表面的深度為0.01 μ m處的鈉濃度相對(duì)于距離玻璃基材表面的深度為0.01 μ m處的鈣、鍶、鋇的濃度的合計(jì)量的比值在5以上。
[0029]根據(jù)本發(fā)明人的研究可知:為了提高玻璃基材表面的鈉供給量，優(yōu)選提高鈉相對(duì)于鈣、鍶、鋇等堿土元素的表面附近的濃度比例。具體而言，通過使深度為0.01 μ m處的鈉濃度相對(duì)于深度為0.01 μ m處的鈣、鍶、鋇的濃度的合計(jì)量之比在上述范圍，能夠得到更優(yōu)異的鈉供給能力。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0030]圖1 (a)為實(shí)施例1的玻璃基板表層的鈉濃度分布示意圖；圖1 (b)為實(shí)施例1的玻璃基板表層的鈉和鉀的濃度分布示意圖。
[0031]圖2 Ca)為實(shí)施例2的玻璃基板表層的鈉濃度分布示意圖；圖2 (b)為實(shí)施例2的玻璃基板表層的鈉和鉀的濃度分布示意圖。
[0032]圖3 Ca)為比較例的玻璃基板表層的鈉濃度分布示意圖；圖3 (b)為比較例的玻璃基板表層的鈉和鉀的濃度分布示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0033]本發(fā)明的玻璃基材在至少一個(gè)面的深度0.2 μ m處的鈉濃度相對(duì)于深度I μ m處的鈉濃度的相對(duì)值在0.55以上。當(dāng)該相對(duì)值過小時(shí)，將有可能導(dǎo)致向化合物半導(dǎo)體層供給鈉的能力不足。該相對(duì)值的優(yōu)選范圍在0.65以上，更優(yōu)選在0.75以上。需要說明的是，盡管該值上限無特別限定，但現(xiàn)實(shí)中通常在0.99以下，更優(yōu)選為在0.9以下。
[0034]另外，本發(fā)明的玻璃基材優(yōu)選為，玻璃基材的深度方向的鈉濃度分布為，在玻璃基材表面至深度不足0.2 μ m的區(qū)間內(nèi)存在拐點(diǎn)，并且玻璃基材表面與拐點(diǎn)之間的鈉平均濃度梯度相對(duì)于拐點(diǎn)與深度0.2 μ m處之間的鈉平均濃度梯度的相對(duì)值在2以上。當(dāng)該相對(duì)值過小時(shí)，從玻璃基材的內(nèi)部向表面擴(kuò)散的鈉的擴(kuò)散量或擴(kuò)散速度變小，難以高效向玻璃基材表面補(bǔ)給鈉。該相對(duì)值的優(yōu)選范圍在4以上，更優(yōu)選為在8以上。需要說明的是，盡管上限無特別限定，但現(xiàn)實(shí)中通常為50以下，特別優(yōu)選為20以下。
[0035]而且，本發(fā)明的玻璃基材優(yōu)選為，在玻璃基材的深度方向的鉀濃度分布曲線上，在玻璃基材的表面至深度0.05 μ m的區(qū)間內(nèi)存在鉀濃度的極小值。更優(yōu)選為該極小值的位置在距離玻璃基材表面的深度0.04 μ m以內(nèi)、進(jìn)一步優(yōu)選為0.03 μ m以內(nèi)。當(dāng)該極小值的位置超過上述范圍而過于靠近玻璃基材的內(nèi)部側(cè)時(shí)，則在鈉移動(dòng)至化合物半導(dǎo)體層之后，玻璃基材表層容易出現(xiàn)電荷失衡，有可能導(dǎo)致鈉擴(kuò)散能力的降低。
[0036]本發(fā)明的玻璃基材優(yōu)選為，距玻璃基材的表面的深度為0.01 μ m處的鈉濃度相對(duì)于深度為I μ m處的鈉濃度的相對(duì)值在0.02以上。更優(yōu)選的范圍為在0.2以上、進(jìn)一步優(yōu)選為0.3以上、更進(jìn)一步優(yōu)選為0.4以上、特別優(yōu)選為大于0.45。[0037]本發(fā)明的玻璃基材優(yōu)選為，距離玻璃基材表面的深度為0.01 μ m處的鈉濃度相對(duì)于深度為0.01 μ m處的鈣、鍶、鋇的濃度的合計(jì)量的比值在5以上。更優(yōu)選的范圍為在10以上，進(jìn)一步優(yōu)選的范圍為在15以上，更進(jìn)一步優(yōu)選的范圍為在20以上。
[0038]需要說明的是，在檢測(cè)距玻璃表面最近的部分的所含成分的濃度變化方面，輝光放電發(fā)射光譜法(GD-OES:Glow Discharge Optical Emission Spectroscopy)是有效的方法。該方法是通過以較小的能量對(duì)玻璃基材表面進(jìn)行濺射，基于玻璃基材表面的發(fā)光狀態(tài)來檢測(cè)所含成分的方法。該方法與二次離子質(zhì)譜法相比，由于施加至玻璃基材表面的能量較小，因此分析中不易引發(fā)玻璃基材中所含成分的移動(dòng)。因此能夠以較高的空間解析度對(duì)玻璃基材淺表層附近的所含成分的濃度進(jìn)行定量，得到精度高的濃度分布信息。在本發(fā)明中，玻璃基材表面附近的成分濃度被定義為以玻璃基材的表面至深度I μ m處的區(qū)間內(nèi)各成分的濃度為基準(zhǔn)的相對(duì)值。
[0039]玻璃基材表面附近的鈉的濃度分布受玻璃熔液的成型工藝、成型后的各種表面處理等的影響。例如，在浮法成型工藝中，一旦在錫浴中的滯留時(shí)間延長或玻璃熔液的溫度升高，從玻璃熔液表面蒸發(fā)的鈉量就會(huì)增多。并且，盡管已知有為避免成型后受損而向玻璃基材表面噴射SO2氣體，使玻璃基材表面形成Na2SO4的方法，但這也會(huì)導(dǎo)致玻璃基材表面的鈉被拔出。而且還已知鈉與水或者水蒸汽接觸也將導(dǎo)致鈉在玻璃基材表面發(fā)生熔離，從而與空氣中的二氧化碳反應(yīng)形成碳酸鹽。由于這有可能導(dǎo)致存在于玻璃基材中的鈉在制造工藝中被拔出，因此存在越接近玻璃基材的表面鈉濃度越低的可能。且已知鈣(Ca)顯示出同樣的濃度分布。
[0040]另一方面，玻璃基材表面附近的鉀如上所述具有以在鈉(或鈣)減少的部分保持電荷平衡的方式分布的趨勢(shì)。
[0041]這樣，盡管玻璃基材表層的鈉和鉀的濃度分布會(huì)因各種因素而發(fā)生變化，但尤其是通過提高為避免成型后受損而向玻璃基材表面噴射SO2氣體時(shí)的溫度，或降低SO2氣體的濃度，將變得易于滿足上述規(guī)定的濃度分布。特別是相對(duì)于鈣、鍶、鋇等堿土元素表面附近濃度的降低，維持鈉在表面附近的高濃度變得容易。
[0042]本發(fā)明的玻璃基材的應(yīng)變點(diǎn)優(yōu)選為在520°C以上、更優(yōu)選為在550°C以上、進(jìn)一步優(yōu)選為在580°C以上，特別優(yōu)選為在600°C以上。如果玻璃基材的應(yīng)變點(diǎn)過低，在噴射SO2氣體時(shí)或電極等構(gòu)件的成膜等制造工序中容易發(fā)生熱變形。
[0043]作為本發(fā)明玻璃基材的組成(玻璃基材整體的平均組成)，例如可以舉出下述所示范圍(質(zhì)量分?jǐn)?shù))。
[0044]SiO2:45 ?65%
[0045]Al2O3:1 ?18%
[0046]Li2O:0 ?5%
[0047]Na20:l ?10%
[0048]K2O:0 ?15%
[0049]MgO:0 ?12%
[0050]CaO:0 ?12%
[0051]SrO:0 ?18%
[0052]BaO:0 ?18%[0053]ZrO2:0 ?10%
[0054]上述玻璃組成為優(yōu)選的理由如下所述。
[0055]SiO2為玻璃立體構(gòu)造形成成分，其含量為45?65%，優(yōu)選為46?60%，更優(yōu)選為46?55%。SiO2的含量過少將有可能導(dǎo)致應(yīng)變點(diǎn)降低。而當(dāng)SiO2的含量過多時(shí)，因熔融溫度升高，將導(dǎo)致熔融性降低，成型時(shí)易發(fā)生失透。
[0056]Al2O3為用于提高應(yīng)變點(diǎn)的成分，其含量為I?18%，優(yōu)選為2?15%、更優(yōu)選為7?15%、進(jìn)一步優(yōu)選為11.1?15%、特別優(yōu)選為12?15%。Al2O3的含量過少時(shí)，難以實(shí)現(xiàn)提高應(yīng)變點(diǎn)的效果；而當(dāng)Al2O3的含量過多時(shí)，因熔融溫度升高，將導(dǎo)致熔融性降低，成型時(shí)易發(fā)生失透。
[0057]Li20、Na20和K2O均為用于提高玻璃的熔融性并控制熱膨脹系數(shù)的成分。當(dāng)這些成分的含量過少時(shí)，熔融溫度易升高，熔融性易降低。而當(dāng)其含量過多時(shí)，應(yīng)變點(diǎn)易降低。需要說明的是，為充分實(shí)現(xiàn)上述效果，優(yōu)選適當(dāng)調(diào)節(jié)這些成分的含量。具體而言，Li20、Na20和K2O的合計(jì)量優(yōu)選為7?20%、更優(yōu)選為7?15%、進(jìn)一步優(yōu)選為8?13%。
[0058]Mg0、Ca0、Sr0和BaO均為提高熔融性并控制熱膨脹系數(shù)的成分。當(dāng)這些成分的含量過多時(shí)，成型時(shí)易發(fā)生失透。為充分實(shí)現(xiàn)上述效果，優(yōu)選適當(dāng)調(diào)節(jié)這些成分的合計(jì)量。具體而言，MgO, CaO, SrO, BaO的合計(jì)量優(yōu)選為10?27%、更優(yōu)選為15?25%。
[0059]ZrO2是用于提高應(yīng)變點(diǎn)且提高化學(xué)耐久性的成分。ZrO2的含量為O?10%、優(yōu)選為I?7%。ZrO2的含量過多時(shí)，成型時(shí)易發(fā)生失透。
[0060]除了上述成分以外，還可含有TiO2作為用于抑制紫外線所導(dǎo)致的玻璃著色(solarization:白化作用)的成分。當(dāng)玻璃基材中作為雜質(zhì)含有鐵離子(例如0.01?0.2%)時(shí)，長期使用采用了該玻璃基材的太陽能電池就容易出現(xiàn)鐵離子所導(dǎo)致的著色。為此，通過使玻璃基材中含有TiO2,就能夠抑制這種著色。TiO2的含量為O?5%，優(yōu)選為0.01?4%、更優(yōu)選為I?4%。TiO2的含量過多時(shí)，成型時(shí)易發(fā)生失透。
[0061]作為澄清劑，可以含有合計(jì)量為O?1%的Sn02、Sb2O3> As2O3和SO3等。這些成分的含量過多時(shí)，成型時(shí)易發(fā)生失透。
[0062]盡管本發(fā)明的玻璃基材在用作具有CIS或CIGS等化合物半導(dǎo)體的太陽能電池的基材時(shí)能夠發(fā)揮特別優(yōu)異的效果，但作為適用對(duì)象的化合物半導(dǎo)體的種類不限于此。例如也能夠適用于作為IB族元素使用銀(Ag)、作為IIIA族元素使用招(Al)、作為VIA族元素使用硫(S)等的化合物半導(dǎo)體。本發(fā)明玻璃基材還能夠適用于由Cu、鋅(Zn)、錫(Sn)、Se或S等構(gòu)成的所謂CZTS系太陽能電池。
[0063]本發(fā)明玻璃基材的形狀無特別限定，例如可舉出板狀及管狀。
[0064]實(shí)施例
[0065]下面，基于實(shí)施例對(duì)作為本發(fā)明玻璃基材的用途的一例的玻璃基板進(jìn)行詳細(xì)說明，但本發(fā)明不限于這些實(shí)施例。
[0066](實(shí)施例1和實(shí)施例2)
[0067]SiO2:56%
[0068]Al2O3:7%
[0069]Na2O:4%
[0070]K2O:7%[0071]MgO:2%
[0072]CaO:2%
[0073]SrO:9%
[0074]BaO:9%
[0075]ZrO2:4%
[0076]在規(guī)定溫度下降原料粉末熔融，采用浮法成型為厚度1.8mm的板狀之后，用連續(xù)式退火爐進(jìn)行冷卻。為了避免玻璃基板表面受傷，向退火爐內(nèi)導(dǎo)入SO2氣體，在650?700°C的溫度下與玻璃基板表面接觸。在實(shí)施例1中，退火后進(jìn)行水洗；在實(shí)施例2中，退火后進(jìn)行研磨，以除去在玻璃基板表面析出的硫酸鹽。
[0077]接著，采用GD-OES法求出所得玻璃基板的表層中的鈉、鉀及堿土金屬的濃度分布。結(jié)果示于圖1、圖2及表I。需要說明的是，圖1和圖2的曲線圖的橫軸表示距玻璃基板表面的距離(深度)、縱軸表示濃度(任意單位)。另外，在圖1 (b)和圖2 (b)中，虛線a表示玻璃基板表面與拐點(diǎn)之間的鈉的平均濃度梯度、虛線b表示拐點(diǎn)與深度0.2 μ m處之間的鈉的平均濃度梯度。
[0078](實(shí)施例3)
[0079]對(duì)原料粉末進(jìn)行調(diào)制，以形成下述玻璃組成。
[0080]SiO2:51%
[0081]Al2O3:13%
[0082]Na2O:6%
[0083]K2O:4%
[0084]CaO:5%
[0085]SrO: 12%
[0086]BaO:4%
[0087]ZrO2:5%
[0088]使用所得原料粉末按照與實(shí)施例1同樣的方法制成玻璃基板。采用GD-OES法求出所得玻璃基板表層的鈉、鉀及堿土金屬的濃度分布。結(jié)果示于表I。
[0089](比較例)
[0090]除了將SO2與玻璃基板接觸時(shí)的溫度設(shè)為500?600°C以外，按照與實(shí)施例1同樣的方法制成玻璃基板。
[0091]采用GD-OES法求出所得玻璃基板表層的鈉、鉀及堿土金屬的濃度分布，結(jié)果示于圖3和表I。
[0092]表I
【權(quán)利要求】
1.一種玻璃基材，所述玻璃基材為太陽能電池中所使用的玻璃基材，其特征在于，所述玻璃基材的至少一個(gè)面的深度0.2 μ m處的鈉濃度相對(duì)于深度I μ m處的鈉濃度的相對(duì)值在0.55以上。
2.如權(quán)利要求1所述的玻璃基材，其特征在于，在所述玻璃基材的深度方向的鈉濃度分布曲線上，在所述玻璃基材的表面至深度不足0.2 μ m的區(qū)間內(nèi)存在拐點(diǎn)，并且，所述玻璃基材的表面與所述拐點(diǎn)之間的鈉平均濃度梯度相對(duì)于所述拐點(diǎn)與深度0.2 μ m處之間的鈉平均濃度梯度的相對(duì)值在2以上。
3.如權(quán)利要求1或2所述的玻璃基材，其特征在于，在所述玻璃基材的深度方向的鉀濃度分布曲線上，在所述玻璃基材的表面至深度0.05 μ m的區(qū)間內(nèi)存在鉀濃度的極小值。
4.如權(quán)利要求1?3中任一項(xiàng)所述的玻璃基材，其特征在于，所述玻璃基材的應(yīng)變點(diǎn)在520°C以上。
5.如權(quán)利要求1?4中任一項(xiàng)所述的玻璃基材，其特征在于，距所述玻璃基材的表面的深度為0.01 μ m處的鈉濃度相對(duì)于深度為I μ m處的鈉濃度的相對(duì)值在0.02以上。
6.如權(quán)利要求1?5中任一項(xiàng)所述的玻璃基材，其特征在于，距離所述玻璃基材的表面的深度為0.01 μ m處的鈉濃度相對(duì)于距離所述玻璃基材的表面的深度為0.01 μ m處的鈣、鍶、鋇的濃度的合計(jì)量的比值在5以上。
【文檔編號(hào)】C03C3/087GK103688368SQ201280036002
【公開日】2014年3月26日 申請(qǐng)日期:2012年7月9日 優(yōu)先權(quán)日:2011年7月19日
【發(fā)明者】坂本明彥, 川村昌正, 谷田正一, 六車真人, 姬井裕助 申請(qǐng)人:日本電氣硝子株式會(huì)社