專利名稱：平面顯示器用玻璃基板及其制造方法
平面顯示器用玻璃基板及其制造方法 本申請是分案申請，其原申請的國際申請?zhí)柺荘CT/JP2012/066738，國際申請日是2012年6月29日，中國國家申請?zhí)枮?01280002220.7，進入中國的日期為2013年I月29日，發(fā)明名稱為“平面顯示器用玻璃基板及其制造方法”。
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種平面顯示器用玻璃基板，尤其是涉及一種多晶硅薄膜(以下，記載為P-Si)平面顯示器用玻璃基板及其制造方法。進一步詳細而言，本發(fā)明是關(guān)于一種于基板表面形成P-Si而制造的平面顯示器所使用的玻璃基板及其制造方法。進一步詳細而言，本發(fā)明涉及一種多晶娃薄膜晶體管(以下，記載為p-Si TFT (Thin Film Transistor,薄膜晶體管)平面顯示器用玻璃基板及其制造方法。進一步詳細而言，本發(fā)明涉及一種于基板表面形成P-Si TFT而制造的平面顯示器所使用的玻璃基板及其制造方法。進一步詳細而言，本發(fā)明涉及一種p-Si TFT平面顯示器為液晶顯示器的P-Si TFT平面顯示器用玻璃基板、及其制造方法?；蛘哒f，本發(fā)明涉及一種有機EL(Electro Luminescence,電致發(fā)光)顯示器用玻璃基板、及其制造方法?；蛘哒f本發(fā)明涉及一種氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管平面顯示器用玻璃基板。進一步詳細而言，本發(fā)明涉及一種于基板表面形成氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管而制造的平面顯示器所使用的玻璃基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
根據(jù)可降低耗電等理由，搭載于便攜機器等小型機器上的顯示器于薄膜晶體管(TFT)的制造中應(yīng)用p-Si (多晶硅 )。目前，于p-Si TFT平面顯示器的制造時，必需進行400 600°C的相對高溫下的熱處理。作為p-S1-TFT平面顯示器制造用的玻璃基板，使用耐熱性較高的玻璃。然而，已知現(xiàn)有的a-Si (非晶硅) TFT平面顯示器所使用的玻璃基板的應(yīng)變點并不足夠高，會因P-S1-TFT平面顯示器的制造時的熱處理而產(chǎn)生較大的熱收縮，從而引起像素的間距偏差的問題。近年來，對小型機器的顯示器越發(fā)要求高精細化。因此，期望極力抑制像素的間距偏差，抑制導(dǎo)致像素的間距偏差的顯示器制造時的玻璃基板的熱收縮成為了課題。玻璃基板的熱收縮一般情況下可通過提高玻璃基板的應(yīng)變點或Tg (玻璃轉(zhuǎn)移點)所代表的低溫黏性區(qū)域的特性溫度(以下，記載為低溫黏性特性溫度)來抑制。作為應(yīng)變點較高的玻璃，例如專利文獻I中公開了應(yīng)變點為680°C以上的無堿玻璃。[專利文獻I]日本專利特開2010-6649號公報

發(fā)明內(nèi)容[發(fā)明要解決的問題]為改善玻璃基板的應(yīng)變點或Tg (玻璃轉(zhuǎn)移點)所代表的低溫黏性特性溫度，一般情況下必需增加玻璃中的SiO2或Al2O3的含量(以下，本說明書中，作為“低溫黏性特性溫度”，代表性地記為“應(yīng)變點”)。專利文獻I中記載的玻璃含有58 75質(zhì)量％的Si02、15 19質(zhì)量％的Al2O3 (參照技術(shù)方案I)。其結(jié)果，有熔融玻璃的比電阻上升的傾向。近年來，為使玻璃有效地熔解而較多地使用直接通電加熱。若于直接通電加熱的情況下熔融玻璃的比電阻上升，則存在電流并非于熔融玻璃中流動，而于構(gòu)成熔解槽的耐火物中流動的情況。根據(jù)本發(fā)明者等人研究的結(jié)果可知，這回導(dǎo)致產(chǎn)生熔解槽熔損的問題的情況。然而，上述專利文獻I所記載的發(fā)明中，并未考慮熔融玻璃的比電阻。因此，在欲經(jīng)過利用直接通電加熱的熔融而制造專利文獻I中記載的玻璃的情況下，極其擔(dān)心會產(chǎn)生上述熔解槽熔損的問題。進而，期望 提供一種進一步提高玻璃的低溫黏性特性溫度，即具有更高的應(yīng)變點或Tg的玻璃及玻璃基板，有對產(chǎn)生上述熔解槽熔損的問題的擔(dān)心越發(fā)增強的傾向。因此，本發(fā)明的目的在于提供一種平面顯示器用玻璃基板、尤其是p-S1-TFT平面顯示器用玻璃基板及其制造方法，該玻璃基板由如下的玻璃形成，即應(yīng)變點較高，可抑制顯示器制造時的玻璃基板的熱收縮，且制造過程中能避免于利用直接通電加熱的熔解中產(chǎn)生熔解槽熔損的問題。[解決問題的技術(shù)手段]本發(fā)明是如下所述。[I]一種p-Si TFT平面顯示器用玻璃基板(本發(fā)明的第I方式的玻璃基板。以下，于記載為本發(fā)明的玻璃基板的情況下，是指本發(fā)明的第I方式的玻璃基板)，其由如下的玻璃形成，該玻璃含有:Si0252 78 質(zhì)量％、Al2033 25 質(zhì)量 ％、B2033 15 質(zhì)量 ％、RO (其中，RO 為 MgO、CaO、SrO 及 BaO 的總量)3 20 質(zhì)量 ％、R2O (其中，R2O 為 Li20、Na2O 及 K2O 的總量)0.01 0.8 質(zhì)量 ％、Sb2O3O 0.3 質(zhì)量0/0，該玻璃實質(zhì)上不含有As2O3,質(zhì)量比Ca0/R0為0.65以上，質(zhì)量比(Si02+Al203)/B2O3為7 30的范圍，且質(zhì)量比(Si02+Al203)/R0為 5 以上。[2]如[I]的玻璃基板，其中上述玻璃實質(zhì)上不含有Sb203。[3]一種p-S1-TFT平面顯示器用玻璃基板(本發(fā)明的第I方式的玻璃基板的一例)，其由如下的玻璃形成，該玻璃含有:Si0252 78 質(zhì)量 ％、Al2033 25 質(zhì)量 ％、B2033 15 質(zhì)量 ％、RO (其中，RO 為 MgO、CaO、SrO 及 BaO 的總量)3 20 質(zhì)量 ％、R2O (其中，R2O 為 Li20、Na2O 及 K2O 的總量)0.01 0.8 質(zhì)量 ％，
該玻璃實質(zhì)上不含有Sb2O3,且實質(zhì)上不含有As2O3,質(zhì)量比Ca0/R0為0.65以上，質(zhì)量比(Si02+Al203)/B2O3為8.1 20的范圍，且質(zhì)量比(Si02+Al203)/R0為 5 以上。[4]如[I]至[3]中任一項的玻璃基板，其中上述玻璃中SiO2含量為58 72質(zhì)量％，Al2O3含量為10 23質(zhì)量％，B2O3含量為3 不足11質(zhì)量％。[5]如[I]至[4]中任一項的玻璃基板，其中上述玻璃中SiO2及Al2O3的合計含量為75質(zhì)量％以上，RO的含量為4 16質(zhì)量％，且B2O3的含量為3 不足11質(zhì)量％。[6]如[I]至[5]中任一項的玻璃基板，其中上述玻璃的應(yīng)變點為688°C以上。[7]如[I]至[6]中任一項的玻璃基板，其中上述玻璃的P -OH值為0.05 0.4mm。[8] 如[I]至[7]中任一項的玻璃基板，其中上述玻璃實質(zhì)上不含有Cl。[9]如[I]至[8]中任一項的玻璃基板，其中上述玻璃中SrO及BaO的總量為0 不足3.4質(zhì)量％。[10]一種p-Si *TFT平面顯示器用玻璃基板(本發(fā)明的第2方式的玻璃基板)，其由如下的玻璃形成，且實施升降溫速度為10°c /min并于550°C下保持2小時的熱處理后的由下述式所表示的熱收縮率為75ppm以下，(式)熱收縮率(ppm) = {熱處理前后的玻璃的收縮量/熱處理前的玻璃的長度} X IO6,上述玻璃含有:Si0252 78 質(zhì)量 ％、

Al2033 25 質(zhì)量 ％、B2033 15 質(zhì)量 ％、RO (其中，RO 為 MgO、CaO、SrO 及 BaO 的總量)3 20 質(zhì)量 ％、R2O (其中，R2O 為 Li20、Na2O 及 K2O 的總量)0.01 0.8 質(zhì)量 ％、Sb2O3O 0.3 質(zhì)量 ％,且實質(zhì)上不含有As203。[11]如[10]的玻璃基板，其中上述玻璃實質(zhì)上不含有Sb203。[12]如[10]或[11]的玻璃基板，其中熱收縮率為60ppm以下。[13]
如[10]至[12]中任一項的玻璃基板，其中上述熱收縮率是進行將玻璃基板以Tg保持30分鐘后，以100°C /min冷卻至Tg-100°C，并放冷至室溫的緩冷操作后，實施上述熱處理而獲得的值。[14]一種p-S1-TFT平面顯示器用玻璃基板(本發(fā)明的第3方式的玻璃基板)，其由如下的玻璃形成，該玻璃含有:Si0257 75 質(zhì)量 ％、Al2038 25 質(zhì)量 ％、B2033 15 質(zhì)量0/0、RO (其中，RO 為 MgO、CaO、SrO 及 BaO 的總量)3 25 質(zhì)量 ％、MgOO 15 質(zhì)量 ％、CaOl 20 質(zhì)量 ％、SrO+BaOO 不足 3.4 質(zhì)量 ％、Sb2O3O 0.3 質(zhì)量 ％、R2O (其中，R2O 為 Li20、N a2O 及 K2O 的總量)0.01 0.8 質(zhì)量 ％，質(zhì)量比Ca0/R0為0.65以上，且實質(zhì)上不含有As203。[15]一種p-S1-TFT平面顯示器用玻璃基板(本發(fā)明的第3方式的玻璃基板的一例)，其由如下的玻璃形成，該玻璃含有:Si0257 75 質(zhì)量 ％、Al2038 25 質(zhì)量 ％、B2033 不足11質(zhì)量％、RO (其中，RO 為 MgO、CaO、SrO 及 BaO 的總量)3 25 質(zhì)量 ％、MgOO 15 質(zhì)量 ％、CaOl 20 質(zhì)量 ％、 Sr0+Ba00 不足 3.4 質(zhì)量 ％、R2O (其中，R2O 為 Li20、Na2O 及 K2O 的總量)0.01 0.8 質(zhì)量 ％，質(zhì)量比Ca0/R0為0.65以上，該玻璃實質(zhì)上不含Sb2O3,且實質(zhì)上不含有As203。[16]如[I]至[15]中任一項的玻璃基板，其中上述玻璃的失透溫度為1250°C以下，且上述玻璃基板是以下拉法而成形的。[17]如[I]至[16]中任一項的玻璃基板，其中上述玻璃中質(zhì)量比1(20/%0為0.9以上。[18]如[I]至[17]中任一項的玻璃基板,其是用于TFT液晶顯不器。[19]一種p-Si TFT平面顯示器用玻璃基板的制造方法，其包括:
熔解步驟，其是至少使用直接通電加熱將以成為如下玻璃的方式調(diào)配的玻璃原料熔解而獲得熔融玻璃，該玻璃含有:Si0252 78 質(zhì)量 ％、Al2033 25 質(zhì)量 ％、B2033 15 質(zhì)量 ％、RO (其中，RO 為 MgO、CaO、SrO 及 BaO 的總量)3 20 質(zhì)量 ％、R2O (其中，R2O 為 Li20、Na2O 及 K2O 的總量)0.01 0.8 質(zhì)量 ％、Sb2O3O 0.3 質(zhì)量 ％,該玻璃實質(zhì)上不含有As2O3,質(zhì)量比Ca0/R0為0.65以上，質(zhì)量比(Si02+Al203)/B2O3為7 30的范圍，且質(zhì)量比(Si02+Al203)/RO 為 5 以上；成形步驟，其是使上述熔融玻璃成形為平板狀玻璃；及緩冷步驟，其是對上述平板狀玻璃進行緩冷。[20]一種p-Si TFT平面顯示器用玻璃基板的制造方法，其包括:熔解步驟，其是至少使用直接通電加熱將以成為如下玻璃的方式調(diào)配的玻璃原料熔解而獲得熔融玻璃，該玻璃含有:Si0252 78 質(zhì)量 ％、Al2033 25 質(zhì)量 ％、B2033 15 質(zhì)量 ％、RO (其中，RO 為 MgO、CaO、SrO 及 BaO 的總量)3 20 質(zhì)量 ％、R2O (其中，R2O 為 Li20、Na2O 及 K2O 的總量)0.01 0.8 質(zhì)量 ％，該玻璃實質(zhì)上不含有Sb2O3,且實質(zhì)上不含有As2O3,質(zhì)量比Ca0/R0為0.65以上，質(zhì)量比(Si02+Al203)/B2O3為8.1 20的范圍，且質(zhì)量比(Si02+Al203)/R0為 5 以上；成形步驟，其是使上述熔融玻璃成形為平板狀玻璃；及緩冷步驟，其是對上述平板狀玻璃進行緩冷。[21]如[19]或[20]的制造方法，其中上述玻璃于1550°C的玻璃熔融液中的比電阻為50 300 Q cm。[22]如[19]至[21]中任一項的制造方法，其中于上述緩冷步驟中，實施控制平板狀玻璃的冷卻速度而降低熱收縮率的熱收縮降低處理。[23]如[22]的制造方法，其中于上述緩冷步驟中，實施將平板狀玻璃的中央部的冷卻速度于Tg至Tg-100°C的溫度范圍內(nèi)設(shè)為50 300°C /min的熱收縮降低處理。[24]—種平面顯不器用玻璃基板，其由如下的玻璃形成，該玻璃含有:Si0252 78 質(zhì)量 ％、
Al2033 25 質(zhì)量 ％、B2033 15 質(zhì)量 ％、RO (其中，RO 為 MgO、CaO、SrO 及 BaO 的總量)3 20 質(zhì)量 ％、R2O (其中，R2O 為 Li2O' Na2O 及 K2O 的總量)0.01 0.8 質(zhì)量 ％、Sb2O3O 0.3 質(zhì)量 ％，該玻璃實質(zhì)上不含有As2O3,質(zhì)量比Ca0/R0為0.65以上，質(zhì)量比(Si02+Al203)/B2O3為7 30的范圍，且質(zhì)量比(Si02+Al203)/R0為 5 以上。

[25]—種平面顯不器用玻璃基板，其由如下的玻璃形成，該玻璃含有:Si0252 78 質(zhì)量 ％、Al2033 25 質(zhì)量 ％、B2033 15 質(zhì)量 ％、RO (其中，RO 為 MgO、CaO、SrO 及 BaO 的總量)3 20 質(zhì)量 ％、R2O (其中，R2O 為 Li20、Na2O 及 K2O 的總量)0.01 0.8 質(zhì)量 ％，該玻璃實質(zhì)上不含有Sb2O3,且實質(zhì)上不含有As2O3,質(zhì)量比Ca0/R0為0.65以上，質(zhì)量比(Si02+Al203)/B2O3為8.1 20的范圍，且質(zhì)量比(Si02+Al203)/R0為 5 以上。[26]一種平面顯示器用玻璃基板，其由如下的玻璃形成，且實施升降溫速度為10°C /min并于550°C下保持2小時的熱處理后的由下述式所表示的熱收縮率為75ppm以下，(式)熱收縮率(ppm) = {熱處理前后的玻璃的收縮量/熱處理前的玻璃的長度} X IO6,上述玻璃含有:Si0252 78 質(zhì)量 ％、Al2033 25 質(zhì)量 ％、B2033 15 質(zhì)量 ％、RO (其中，RO 為 MgO、CaO、SrO 及 BaO 的總量)3 20 質(zhì)量 ％、R2O (其中，R2O 為 Li20、Na2O 及 K2O 的總量)0.01 0.8 質(zhì)量 ％、Sb2O3O 0.3 質(zhì)量 ％，且實質(zhì)上不含有As203。[27]—種平面顯不器用玻璃基板，其由如下的玻璃形成，該玻璃含有:Si0257 75 質(zhì)量 ％、Al2038 25 質(zhì)量 ％、B2033 15 質(zhì)量 ％、RO (其中，RO 為 MgO、CaO、SrO 及 BaO 的總量)3 25 質(zhì)量 ％、MgOO 15 質(zhì)量0/0、CaOl 20 質(zhì)量 ％、
SrO+BaOO 不足 3.4 質(zhì)量 ％、Sb2O3O 0.3 質(zhì)量 ％、R2O (其中，R2O 為 Li20、Na2O 及 K2O 的總量)0.01 0.8 質(zhì)量 ％，質(zhì)量比Ca0/R0為0.65以上，且實質(zhì)上不含有As203。[28]—種平面顯不器用玻璃基板，其由如下的玻璃形成，該玻璃含有:Si0257 75 質(zhì)量 ％、Al2038 25 質(zhì)量 ％、B2033 不足11質(zhì)量％、RO (其中，RO 為 MgO、CaO、SrO 及 BaO 的總量)3 25 質(zhì)量 ％、MgOO 15 質(zhì)量 ％、CaOl 20 質(zhì)量 ％、Sr0+Ba00 不足 3.4 質(zhì)量 ％、R2O (其中，R 2O 為 Li20、Na2O 及 K2O 的總量)0.01 0.8 質(zhì)量 ％，質(zhì)量比Ca0/R0為0.65以上， 該玻璃實質(zhì)上不含有Sb2O3,且實質(zhì)上不含有As203。[發(fā)明的效果]根據(jù)本發(fā)明，可以較高的生產(chǎn)率提供一種平面顯示器、尤其是p-Si *TFT平面顯示器用玻璃基板，其由如下的玻璃形成，該玻璃可抑制或避免玻璃熔解爐的熔損并且可制造高應(yīng)變點玻璃，最終可抑制顯示器制造時的玻璃基板的熱收縮。
具體實施方式本申請說明書中，只要無特別說明，則構(gòu)成玻璃基板的玻璃的組成以質(zhì)量％表示，構(gòu)成玻璃的成分的比以質(zhì)量比表示。另外，只要無特別說明，則玻璃基板的組成及物性是指構(gòu)成玻璃基板的玻璃的組成及物性，僅記載為玻璃時，是指構(gòu)成玻璃基板的玻璃。其中，玻璃基板的熱收縮率是指以實施例中記載的條件對以實施例中記載的特定條件形成的玻璃基板進行測定而獲得的值。另外，本申請說明書中，所謂低溫黏性特性溫度，是指玻璃顯示IO7 5 1014 5dPa-s的范圍的黏度的溫度，低溫黏性特性溫度包括應(yīng)變點及Tg。因此，所謂提高低溫黏性特性溫度，也是指提高應(yīng)變點及Tg，反之，所謂提高應(yīng)變點及/或Tg，是指提高低溫黏性特性溫度。另外，所謂成為熔解性的指針的熔融溫度，是玻璃顯示102 5dPa-S的黏度的溫度，且為成為熔解性的指標的溫度。<p-Si TFT平面顯示器用玻璃基板>本發(fā)明的p-Si TFT平面顯示器用玻璃基板(本發(fā)明的第I方式的玻璃基板)是由如下的玻璃形成的平面顯示器用玻璃基板，該玻璃含有Si0252 78質(zhì)量％、Al2033 25質(zhì)量％、B2033 15質(zhì)量％、RO (其中，RO為MgO、CaO、SrO及BaO的總量)3 20質(zhì)量％、R2O (其中，R2O為Li20、Na20及K2O的總量)0.01 0.8質(zhì)量%、Sb2O3O 0.3質(zhì)量％，且實質(zhì)上不含有As2O3，質(zhì)量比Ca0/R0為0.65以上，質(zhì)量比(Si02+Al203) /B2O3為7 30的范圍，且質(zhì)量比(Si02+Al203)/R0為5以上。另外，作為本發(fā)明的p-Si *TFT平面顯示器用玻璃基板(本發(fā)明的第I方式的玻璃基板)的一例，可列舉由如下的玻璃形成的玻璃基板，該玻璃含有 Si025 2 78 質(zhì)量 ％、A12033 25 質(zhì)量 ％、B2033 15 質(zhì)量 ％、RO (其中，RO 為 MgO、CaO、SrO及BaO的總量)3 20質(zhì)量％、R2O (其中，R2O為Li20、Na2O及K2O的總量)0.01 0.8質(zhì)量％，實質(zhì)上不含有Sb2O3,且實質(zhì)上不含有As2O3,進而質(zhì)量比Ca0/R0為0.65以上，質(zhì)量比(Si02+Al203)/B2O3 為 8.1 20 的范圍，且質(zhì)量比(Si02+Al203)/RO 為 5 以上。以下，對本發(fā)明的第I方式的玻璃基板中含有各玻璃成分的理由、及含量或組成比的范圍進行說明。本發(fā)明的第I方式的玻璃基板中的SiO2的含量范圍為52 78質(zhì)量％。SiO2為玻璃的骨架成分，因此為必需成分。若含量較少，則存在耐酸性、耐BHF(Buffered Hydrogen Fluoride,緩沖氫氟酸)性及應(yīng)變點降低的傾向。另外,存在熱膨脹系數(shù)增加的傾向。另外，若SiO2含量過少，則變得難以使玻璃基板低密度化。另一方面，若SiO2含量過多，則存在玻璃熔融液的比電阻上升，熔融溫度明顯變高而變得難以熔解的傾向。若SiO2含量過多，則也存在耐失透性降低的傾向。從這種觀點出發(fā)，將SiO2的含量設(shè)在52 78質(zhì)量％的范圍。SiO2的含量優(yōu)選為57 75質(zhì)量％，更優(yōu)選為58 72質(zhì)量％，進而優(yōu)選為59 70質(zhì)量％，進一步優(yōu)選為59 69質(zhì)量％，進一步更優(yōu)選為61 69質(zhì)量％，進而更優(yōu)選為61 68質(zhì)量％，進而進一步優(yōu)選的范圍為62 67質(zhì)量％。另一方面，若SiO2含量過多，則存在玻璃的蝕刻速率變慢的傾向。從獲得表示使玻璃板減薄化的情況下的速度的蝕刻速率充分快的玻璃基板的觀點出發(fā)，SiO2的含量優(yōu)選為53 75質(zhì)量％，更優(yōu)選為55 70質(zhì)量％，進而優(yōu)選為55 65質(zhì)量％，進一步優(yōu)選的范圍為58 63質(zhì)量％。再者，SiO2含量是考慮到上述耐酸性等特性與蝕刻速率的雙方而適當決定的。

本發(fā)明的第I方式的玻璃基板中的Al2O3的含量范圍為3 25質(zhì)量％。Al2O3是抑制分相且提高應(yīng)變點的必需成分。若含量過少，則玻璃變得容易分相。應(yīng)變點降低。進而，存在楊氏模數(shù)及蝕刻速率也降低的傾向。若Al2O3含量過多，則比電阻上升。另外，由于玻璃的失透溫度上升，耐失透性降低，故而存在成形性惡化的傾向。從這種觀點出發(fā)，Al2O3的含量范圍為3 25質(zhì)量％。Al2O3的含量優(yōu)選為8 25質(zhì)量％，更優(yōu)選為10 23質(zhì)量％，進而優(yōu)選為12 20質(zhì)量％，進一步優(yōu)選為14 20質(zhì)量％，進而進一步優(yōu)選為15 20質(zhì)量％，進而進一步更優(yōu)選的范圍為15 19質(zhì)量％。另一方面，從獲得蝕刻速率充分快的玻璃基板的觀點出發(fā)，Al2O3的含量優(yōu)選為8 25質(zhì)量％，更優(yōu)選為10 23質(zhì)量％，進而優(yōu)選為14 23質(zhì)量％，進一步優(yōu)選為17 22質(zhì)量％。再者，Al2O3的含量是考慮到上述玻璃的分相特性等與蝕刻速率的雙方而適當決定的。本發(fā)明的第I方式的玻璃基板中的B2O3在3 15質(zhì)量％的范圍。B2O3是使玻璃的熔融溫度所代表的高溫黏性區(qū)域中的溫度降低，改善澄清性的必需成分。若B2O3含量過少，則有熔解性、耐失透性及耐BHF性降低的傾向。另外，若B2O3含量過少，則比重增加而變得難以實現(xiàn)低密度化。另一方面，若B2O3含量過多，則比電阻上升。另外，若B2O3含量過多，則應(yīng)變點降低，耐熱性降低。另外，存在耐酸性及楊氏模數(shù)降低的傾向。另外，因玻璃熔解時的B2O3的揮發(fā)，導(dǎo)致玻璃的不均質(zhì)變得明顯而容易產(chǎn)生脈紋。從這種觀點出發(fā)，B2O3含量范圍為3 15質(zhì)量％，優(yōu)選為3 13質(zhì)量％，更優(yōu)選為3 不足11質(zhì)量％，更優(yōu)選為3 不足10質(zhì)量％,進而優(yōu)選為4 9質(zhì)量％,進一步優(yōu)選為5 9質(zhì)量％,進而進一步優(yōu)選的范圍為7 9質(zhì)量％。另一方面，為充分降低失透溫度，使B2O3含量范圍為3 15質(zhì)量％，優(yōu)選為5 15質(zhì)量％，更優(yōu)選為6 13質(zhì)量％，進而優(yōu)選為I 不足11質(zhì)量％。再者，B2O3含量是考慮到上述熔解性等與失透溫度的雙方而適當決定的。本發(fā)明的第I方式的玻璃基板中的Mg0、Ca0、Sr0及BaO的總量即RO在3 20質(zhì)量％的范圍。RO是降低比電阻，提高熔解性的必需成分。若RO含量過少，則比電阻上升，熔解性惡化。若RO含量過多，則應(yīng)變點及楊氏模數(shù)降低。進而，密度上升。另外，若RO含量過多，則還存在熱膨脹系數(shù)增大的傾向。從這種觀點出發(fā)，RO的范圍為3 20質(zhì)量％，優(yōu)選為4 16質(zhì)量％,更優(yōu)選為4 15質(zhì)量％,進而優(yōu)選為6 14質(zhì)量％,進一步優(yōu)選為7 14質(zhì)量％，進一步更優(yōu)選為7 12質(zhì)量％，進而進一步優(yōu)選的范圍為8 11質(zhì)量％。本發(fā)明的第I方式的玻璃基板中含有民0(其中，R2O為Li20、Na2O及K2O的總量)0.01 0.8質(zhì)量％。Li2O, Na2O及K2O即RO是提高玻璃的堿性度，容易使澄清劑氧化，而發(fā)揮澄清性的成分。另外，其還是提高熔解性，降低比電阻的成分。因此，若含有民0，則比電阻降低，澄清性提高，熔解性提高。然而，若R2O含量過多，則會自玻璃基板溶出而使TFT特性劣化。另外，存在熱膨脹系數(shù)增大的傾向。從這些觀點出發(fā)，R2O的總量即Li20+Na20+K20在0.01 0.8質(zhì)量％的范圍，優(yōu)選為0.01 0.6質(zhì)量％，更優(yōu)選為0.01 0.5質(zhì)量％，進而優(yōu)選為0.01 0.4質(zhì)量％,進一步優(yōu)選的范圍為0.01 0.3質(zhì)量％。上述范圍中的下限值0.01質(zhì)量％優(yōu)選為0.05質(zhì)量％，更優(yōu)選為0.1質(zhì)量％。從降低環(huán)境負荷的 觀點出發(fā)，本發(fā)明的第I方式的玻璃基板中Sb2O3優(yōu)選為0 0.3質(zhì)量％，更優(yōu)選為0 0.1質(zhì)量％。另外，從進一步降低環(huán)境負荷的觀點出發(fā)，本發(fā)明的第I方式的玻璃基板進而優(yōu)選為實質(zhì)上不含有Sb2O3，且實質(zhì)上也不含有As203。本說明書中，所謂“實質(zhì)上不含有”，是指玻璃原料中不使用成為這些成分的原料的物質(zhì)，而并非是指排除其作為其它成分中含有的雜質(zhì)而混入玻璃原料中的成分。本發(fā)明的第I方式的玻璃基板中的Ca0/R0成為熔解性與耐失透性的指標。CaO/RO為0.65以上，優(yōu)選為0.65 I，進而優(yōu)選為0.7 1，進一步優(yōu)選為0.85 1，進一步更優(yōu)選為0.9 I，進而進一步優(yōu)選為0.95 I的范圍。通過設(shè)為這些范圍，可同時實現(xiàn)耐失透性與熔解性。進而，可實現(xiàn)低密度化。另外，作為原料，僅含有CaO的情況下提高應(yīng)變點的效果高于含有2種以上堿土金屬的情況。作為堿土金屬氧化物僅含有CaO作為原料的情況下，所得玻璃的Ca0/R0的值例如為0.98 I左右。再者，即便在作為堿土金屬氧化物僅含有CaO作為原料的情況下，也存在所獲得的玻璃中含有其它堿土金屬氧化物作為雜質(zhì)的情況。本發(fā)明的第I方式的玻璃基板中，SiO2與Al2O3的總量即(Si02+Al203)相對于B2O3的質(zhì)量比(Si02+Al203)/B203成為應(yīng)變點與耐失透性的指標。(Si02+Al203)/B203優(yōu)選為7 30，更優(yōu)選為8 25，進而優(yōu)選的范圍為8.1 20。(Si02+Al203)/B2O3越小則應(yīng)變點變得越低，若不足7，則應(yīng)變點不充分，若成為8以上、優(yōu)選為8.1以上，則可充分提高應(yīng)變點。另一方面，(Si02+Al203)/B2O3越大則耐失透性緩緩降低，若超過30，則耐失透性過度降低，只要優(yōu)選為25以下，更優(yōu)選為23以下，進而優(yōu)選為20以下，則可獲得充分的耐失透性。因此，(Si02+Al203)/B2O3優(yōu)選的范圍為9.5 16，更優(yōu)選為9.8 14，進而優(yōu)選的范圍為10 12。另一方面，若考慮獲得充分降低失透溫度并且蝕刻速率也足夠快的玻璃基板，則(Si02+Al203) /B2O3優(yōu)選為7 30，更優(yōu)選為8 25，進而優(yōu)選為8.2 20，進一步優(yōu)選為
8.4 15，進而進一步優(yōu)選為8.5 12。本發(fā)明的第I方式的玻璃基板中，SiO2與Al2O3的總量即(Si02+Al203)相對于RO的質(zhì)量比(Si02+Al203)/R0成為比電阻的指標。(Si02+Al203)/R0為5以上。通過處于該范圍，可同時實現(xiàn)低溫黏性特性溫度(Tg或應(yīng)變點)的提高與比電阻的降低。另外，還可同時實現(xiàn)低溫黏性特性溫度的提高與熔解性。若(Si02+Al203)/R0不足5，則無法充分提高低溫黏性特性溫度(Tg或應(yīng)變點)。(Si02+Al203)/R0優(yōu)選的范圍為5 15，更優(yōu)選為6 13，更優(yōu)選為7.5 12，進而優(yōu)選的范圍為8.1 10。再者，通過使(Si02+Al203)/R0為15以下，可抑制比電阻過度上升。另一方面，若考慮獲得充分提高低溫黏性特性溫度等且蝕刻速率也足夠快的玻璃基板，則(Si02+Al203)/R0優(yōu)選為6 15，更優(yōu)選為7 15，進而優(yōu)選為
7.5 9.5的范圍。本發(fā)明的玻璃基板(本發(fā)明的第I方式的玻璃基板)優(yōu)選為除上述情況以外還具有以下的玻璃組成及/或物性。若本發(fā)明的第I方式的玻璃基板中SiO2與Al2O3的總量即(Si02+Al203)過少，則存在應(yīng)變點降低的傾向，若過多，則存在比電阻上升，耐失透性惡化的傾向。因此，Si02+Al203優(yōu)選為75質(zhì)量％以上，更優(yōu)選為75質(zhì)量％ 87質(zhì)量％，進而優(yōu)選為75質(zhì)量％ 85質(zhì)量％，進一步優(yōu)選為78質(zhì)量％ 83質(zhì)量％。從進一步提高應(yīng)變點的觀點出發(fā)，更優(yōu)選為78質(zhì)量％以上，進而優(yōu)選為79 87質(zhì)量％，進一步優(yōu)選為80 85質(zhì)量％。本發(fā)明的第I方式的玻璃基板中，MgO是降低比電阻，提高熔解性的成分。另外，由于為堿土金屬中難以增加比重的成分，故而若相對增加其含量，則變得容易實現(xiàn)低密度化。雖并非為必需成分，但通過含有MgO可提高熔解性，且抑制切粉的產(chǎn)生。然而，若MgO的含量過多，則玻璃的失透溫度急劇 上升，故而成形性惡化(耐失透性降低)。另外，若MgO的含量過多，則存在耐BHF性降低，耐酸性降低的傾向。尤其是欲降低失透溫度的情況下，優(yōu)選為實質(zhì)上不含有MgO。從這種觀點出發(fā)，MgO含量優(yōu)選為0 15質(zhì)量％，更優(yōu)選為0 10質(zhì)量％，進而優(yōu)選為0 5質(zhì)量％,進一步優(yōu)選為0 4質(zhì)量％,進一步更優(yōu)選為0 3質(zhì)量％,進而更優(yōu)選為0 不足2質(zhì)量％，進而進一步優(yōu)選為0 I質(zhì)量％，最優(yōu)選為實質(zhì)上不含有MgO0本發(fā)明的第I方式的玻璃基板中，CaO是降低比電阻的成分，其還是對不使玻璃的失透溫度急劇上升而提高玻璃的熔解性而言有效的成分。另外，由于為堿土金屬中難以增加比重的成分，故而若相對增加其含量，則變得容易實現(xiàn)低密度化。雖并非為必需成分，但通過含有CaO可實現(xiàn)因玻璃熔融液的比電阻降低及熔融溫度(高溫黏性)降低而獲得的熔解性提高及失透性改善，故而優(yōu)選為含有CaO。若CaO含量過多，則有應(yīng)變點降低的傾向。另外，存在熱膨脹系數(shù)增加的傾向，進而存在密度上升的傾向。CaO含量優(yōu)選為0 20質(zhì)量％，更優(yōu)選為I 20質(zhì)量％，進而優(yōu)選為2 15質(zhì)量％，進一步優(yōu)選為3.6 15質(zhì)量％，進一步更優(yōu)選為4 14質(zhì)量％,進而更優(yōu)選為5 12質(zhì)量％,進而進一步優(yōu)選為5 11質(zhì)量％，進而進一步更優(yōu)選為5 10質(zhì)量％,進而進一步更優(yōu)選為超過6 10質(zhì)量％,最優(yōu)選的范圍為超過6 9質(zhì)量％。本發(fā)明的第I方式的玻璃基板中，SrO是降低比電阻，提高熔解性的成分。雖并非為必需成分，但若含有SrO，則可提高耐失透性及熔解性。若SrO含量過多，則導(dǎo)致密度上升。SrO含量優(yōu)選為0 15質(zhì)量％,更優(yōu)選為0 10質(zhì)量％,進而優(yōu)選為0 3質(zhì)量％,進一步優(yōu)選為0 2質(zhì)量％，進而更優(yōu)選為0 I質(zhì)量％，進而進一步優(yōu)選的范圍為0 0.5質(zhì)量％。欲降低玻璃的密度的情況下，優(yōu)選實質(zhì)上不含有SrO。本發(fā)明的第I方式的玻璃基板中，BaO是降低比電阻，提高熔解性的成分。雖并非為必需成分，但若含有BaO，則耐失透性及熔解性提高。另外，熱膨脹系數(shù)及密度也增大。BaO含量優(yōu)選為0 5質(zhì)量％，更優(yōu)選為0 不足1.5質(zhì)量％，進而優(yōu)選為0 I質(zhì)量％，進一步優(yōu)選為0 不足0.5質(zhì)量％,進而進一步優(yōu)選為0 不足0.1質(zhì)量％。從環(huán)境負荷的問題方面出發(fā)，優(yōu)選實質(zhì)上不含有BaO。本發(fā)明的第I方式的玻璃基板中，SrO與BaO是降低比電阻，提高熔解性的成分。雖并非為必需成分，但若含有這些成分，則耐失透性及熔解性提高。然而，若含量過多，則導(dǎo)致密度上升。就降低密度，實現(xiàn)輕量化的觀點而言，SrO與BaO的總量即SrO+BaO優(yōu)選為0 5質(zhì)量％，更優(yōu)選為0 不足3.4質(zhì)量％，進而優(yōu)選為0 3質(zhì)量％，進一步優(yōu)選為0 2質(zhì)量％，進而更優(yōu)選為0 I質(zhì)量％，進而進一步優(yōu)選為0 0.5質(zhì)量％，進而進一步更優(yōu)選的范圍為0 不足0.1質(zhì)量％。欲降低玻璃基板的密度的情況下，優(yōu)選實質(zhì)上不含有SrO與 BaO0本發(fā)明的第I方式的玻璃基板中，Li2O及Na2O是降低比電阻，提高熔解性的成分，由于這些成分有自玻璃基板溶出而使TFT特性劣化，或玻璃的熱膨脹系數(shù)增大而使基板于熱處理時受到破損的可能,故而Li2O及Na2O的總量優(yōu)選為0 0.2質(zhì)量％,更優(yōu)選為0 0.1質(zhì)量％，進而優(yōu)選為0 0.05質(zhì)量％，進一步優(yōu)選為實質(zhì)上不含有。本發(fā)明的第I方式的玻璃基板中，K2O是提高玻璃的堿性度，容易使澄清劑氧化，而發(fā)揮澄清性的成分。另外，其還是為降低比電阻，提高熔解性的成分。雖并非為必需成分，但若含有K2O,則比電阻降低，熔解性提高。進而，澄清性也可提高。若K2O含量過 多，則存在自玻璃基板溶出而使TFT特性劣化的傾向。另外，存在還熱膨脹系數(shù)增大的傾向。K2O含量優(yōu)選為0.01 0.8質(zhì)量％，更優(yōu)選為0.05 0.7質(zhì)量％，進而優(yōu)選為0.05 0.5質(zhì)量％，進一步優(yōu)選為0.1 0.5質(zhì)量％，進一步更優(yōu)選為0.1 0.4質(zhì)量％,進而更優(yōu)選的范圍為0.1 0.3質(zhì)量％。K2O與Li2O或Na2O相比分子量較大，故而難以自玻璃基板溶出。因此，含有R2O的情況下，優(yōu)選為含有K20。即，優(yōu)選為以高于Li2O的比率含有K20(滿足K20>Li20)。優(yōu)選為以高于Na2O的比率含有K2O (滿足K20>Na20)。若Li2O及Na2O的比例較大，則自玻璃基板溶出而使TFT特性劣化的傾向變強。質(zhì)量比K20/R20優(yōu)選為0.5 I，更優(yōu)選為0.6 1，進而優(yōu)選為0.7 I，進一步優(yōu)選為0.75 I，進而更優(yōu)選為0.8 I，進一步更優(yōu)選為0.9 1，進一步更優(yōu)選為0.95 1，進一步更優(yōu)選的范圍為0.99 I。本發(fā)明的第I方式的玻璃基板中，ZrO2及TiO2是提高玻璃的化學(xué)耐久性及耐熱性的成分。雖并非為必需成分，但通過含有ZrO2及TiO2，可實現(xiàn)Tg或應(yīng)變點(低溫黏性特性溫度)的上升及耐酸性的提高。然而，若ZrO2量及TiO2量過多，則存在失透溫度明顯上升，故而耐失透性及成形性降低的情況。尤其是，存在ZrO2于冷卻過程中析出ZrO2的結(jié)晶的情況，而有其作為內(nèi)含物(inclusion)而引起玻璃的質(zhì)量惡化的情況。從以上理由出發(fā)，本發(fā)明的玻璃基板中，ZrO2及TiO2的含有率分別優(yōu)選為5質(zhì)量％以下，更優(yōu)選為3質(zhì)量％以下，進而優(yōu)選為2質(zhì)量％以下，進而優(yōu)選為I質(zhì)量％以下，進而優(yōu)選為不足0.5質(zhì)量％，進而更優(yōu)選為不足0.2質(zhì)量％。進而優(yōu)選為本發(fā)明的玻璃基板實質(zhì)上不含有ZrO2及Ti02。換言之，ZrO2及TiO2的含有率分別優(yōu)選為0 5質(zhì)量％，更優(yōu)選為0 3質(zhì)量％，進而優(yōu)選為0 2質(zhì)量％，進而優(yōu)選為0 I質(zhì)量％，進而優(yōu)選為0 不足0.5質(zhì)量％，進而更優(yōu)選為0 不足0.2質(zhì)量％。進而優(yōu)選為本發(fā)明的玻璃基板實質(zhì)上不含有ZrO2及TiO2。本發(fā)明的第I方式的玻璃基板中，ZnO是提高耐BHF性或熔解性的成分。但并非為必需成分。若ZnO含量變得過多，則存在失透溫度及密度上升的傾向。另外，存在應(yīng)變點降低的傾向。因此，ZnO含量優(yōu)選為0 5質(zhì)量％，更優(yōu)選為0 3質(zhì)量％，進而優(yōu)選為0 2質(zhì)量％，進一步優(yōu)選的范圍為0 I質(zhì)量％。優(yōu)選為實質(zhì)上不含有ZnO。本發(fā)明的第I方式的玻璃基板中，RO與B2O3的總量即RCHB2O3成為澄清性的指標。若RCHB2O3過少，則玻璃的高溫黏性上升，澄清性降低。另一方面，若過多，則應(yīng)變點降低。RCHB2O3優(yōu)選為不足20質(zhì)量％，更優(yōu)選為5 不足20質(zhì)量％，進而優(yōu)選為10 不足20質(zhì)量％，進一步優(yōu)選為14 不足20質(zhì)量％,進一步更優(yōu)選為15 19質(zhì)量％的范圍。另一方面，為充分降低失透溫度，RCHB2O3優(yōu)選為不足30質(zhì)量％，更優(yōu)選為10 不足30質(zhì)量％，進而優(yōu)選為14 不足30質(zhì)量％，進一步優(yōu)選為14 不足25質(zhì)量％，進一步更優(yōu)選的范圍為15 23質(zhì)量％。再者，RCHB2O3是考慮到澄清性等與失透溫度的雙方而適當決定的。本發(fā)明的第I方式的玻璃基板中，P2O5是降低熔融溫度(高溫黏性)，提高熔解性的成分。但并非為必需成分。若P2O5含量過 多，則因玻璃熔解時的P2O5的揮發(fā)而導(dǎo)致玻璃的不均質(zhì)變得明顯，從而容易產(chǎn)生脈紋。另外，耐酸性明顯惡化。另外，容易產(chǎn)生乳白。P2O5含量優(yōu)選為0 3質(zhì)量％，更優(yōu)選為0 I質(zhì)量％,進而優(yōu)選的范圍為0 0.5質(zhì)量％,優(yōu)選實質(zhì)上不含有P205。本發(fā)明的第I方式的玻璃基板中，B2O3與P2O5的總量即B203+P205成為熔解性的指標。若B203+P205過少，則存在熔解性降低的傾向。若過多，則因玻璃熔解時的B2O3與P2O5的揮發(fā)而導(dǎo)致玻璃的不均質(zhì)變得明顯，從而容易產(chǎn)生脈紋。另外，還存在應(yīng)變點降低的傾向。B203+P205優(yōu)選為3 15質(zhì)量％，更優(yōu)選為4 10質(zhì)量％，進而優(yōu)選為5 9質(zhì)量％，進一步優(yōu)選的范圍為7 9質(zhì)量％。另一方面，為充分降低失透溫度，B203+P205優(yōu)選為3 15質(zhì)量％，優(yōu)選為5 15質(zhì)量％，更優(yōu)選為6 13質(zhì)量％，進而優(yōu)選為7 不足11質(zhì)量％。再者，B203+P205是考慮到熔解性等與失透溫度的雙方而適當決定。本發(fā)明的第I方式的玻璃基板中，Ca0/B203成為熔解性與耐失透性的指標。CaO/B2O3優(yōu)選為0.6以上，更優(yōu)選為0.7 5，進而優(yōu)選為0.9 3，進一步優(yōu)選為1.0 2，進一步更優(yōu)選的范圍為1.1 1.5。通過設(shè)為這些范圍，可同時實現(xiàn)耐失透性與熔解性。本發(fā)明的第I方式的玻璃基板中，將自SiO2的含量減去Al2O3的含量的1/2所得的差即Si02-1/2A1203的值設(shè)為60質(zhì)量％以下，由此可獲得具有足以進行玻璃的減薄化的蝕刻速率的玻璃基板，故而優(yōu)選。再者，若為提高蝕刻速率而過于縮小Si02-1/2A1203的值，則存在失透溫度上升的傾向。另外，由于還存在無法充分提高應(yīng)變點的情況，故而Si02-1/2A1203的值優(yōu)選為40質(zhì)量％以上。根據(jù)以上原因，Si02-1/2A1203的值優(yōu)選為40 60質(zhì)量％，更優(yōu)選為45 60質(zhì)量％，進而優(yōu)選為45 58質(zhì)量％，進一步優(yōu)選為45 57質(zhì)量％，進一步更優(yōu)選為45 55質(zhì)量％，進而更優(yōu)選為49 54質(zhì)量％。
另外，為生產(chǎn)率良好地進行蝕刻(減薄化)，構(gòu)成本發(fā)明的第I方式的玻璃基板的玻璃的蝕刻速率優(yōu)選為50iim/h以上。另一方面，若蝕刻速率過高，則有面板制作步驟中與化學(xué)藥品的反應(yīng)中產(chǎn)生不良情況的可能，故而構(gòu)成玻璃基板的玻璃的蝕刻速率優(yōu)選為160 u m/h以下。蝕刻速率優(yōu)選為60 140 u m/h,更優(yōu)選為65 130 u m/h,更優(yōu)選為70 120um/ho本發(fā)明中，將上述蝕刻速率定義為以如下條件測定的值。蝕刻速率(ii m/h)是以將玻璃基板于HF的比例為lmol/kg、HCl的比例為5mol/kg的混合酸的40°C的蝕刻液中浸潰I小時的情況下的每單位時間(I小時)的玻璃基板的一表面的厚度減少量(ym)而表不。構(gòu)成本發(fā)明的第I方式的玻璃基板的玻璃可含有澄清劑。作為澄清劑，只要對環(huán)境的負荷較小，且玻璃的澄清性優(yōu)異，則并無特別限制，例如可列舉選自Sn、Fe、Ce、Tb、Mo及W的金屬氧化物的組中的至少I種。作為澄清劑，優(yōu)選為Sn02。若澄清劑的添加量過少，則泡質(zhì)量惡化，若含量過多，則存在導(dǎo)致失透或著色等的情況。澄清劑的添加量還取決于澄清劑的種類或玻璃的組成，適當做法為例如設(shè)為0.05 0.1質(zhì)量％，優(yōu)選為設(shè)為0.05 0.5質(zhì)量％，更優(yōu)選為設(shè)在0.1 0.4質(zhì)量％的范圍。構(gòu)成本發(fā)明的第I方式的玻璃基板的玻璃還可含有Fe203。Fe2O3含量的范圍為0 I質(zhì)量％。Fe2O3除具有作為澄清劑的作用以外，還具有降低玻璃的比電阻的作用。于高溫黏性較高且難融的玻璃中，通過含有Fe2O3,能夠在RO帶來的降低玻璃的比電阻的作用基礎(chǔ)上降低玻璃的比電阻。進而，F(xiàn)e2O3除具有降低玻璃的比電阻，提高熔解性的效果以外，還具有提高澄清性的效果。然而，若Fe2O3含量變得過多，則玻璃會著色，透過率降低，低黏特性溫度也降低。因此，F(xiàn)e2O3含量的范圍為0 I質(zhì)量％，優(yōu)選為0 0.5質(zhì)量％，更優(yōu)選為0.001 0.2質(zhì)量％，進而優(yōu)選為0.01 0.1質(zhì)量％，進一步優(yōu)選的范圍為0.02 0.07質(zhì)量％。使用Fe2O3作為澄清劑的情況下，優(yōu) 選與SnO2合用。構(gòu)成本發(fā)明的第I方式的玻璃基板的玻璃優(yōu)選為實質(zhì)上不含有PbO及F。從環(huán)境上的理由出發(fā)，優(yōu)選不含有PbO及F。構(gòu)成本發(fā)明的第I方式的玻璃基板的玻璃優(yōu)選為使用金屬氧化物作為澄清劑。為提高上述金屬氧化物的澄清性，優(yōu)選為使玻璃具有氧化性，但通過使用還原性的原料(例如銨鹽、氯化物)會使上述金屬氧化物的澄清性降低。從使用上述還原性的原料時會在玻璃中殘留NH4+或Cl的觀點出發(fā)，優(yōu)選為NH4+的含量不足4X 10_4%，更優(yōu)選為0 不足2X10_4%，進而優(yōu)選為實質(zhì)上不含有。另外，本發(fā)明的玻璃優(yōu)選為Cl的含量不足0.1%，更優(yōu)選為0 不足0.1%，進而優(yōu)選為0 不足0.05%，進一步優(yōu)選為0 不足0.01%，進而進一步優(yōu)選為實質(zhì)上不含有。再者，上述NH4+及Cl是期待澄清效果而將銨鹽及氯化物(尤其銨鹽)用于玻璃原料中，由此殘留于玻璃中的成分，從環(huán)境上及設(shè)備腐蝕的理由出發(fā)，這些原料的使用并不是優(yōu)選的。若玻璃基板的應(yīng)變點或Tg所代表的低溫黏性特性溫度較低，則于熱處理步驟(顯示器制造時)中熱收縮變大。構(gòu)成本發(fā)明的第I方式的玻璃基板的玻璃的應(yīng)變點[°C ]為665°C以上，優(yōu)選為675°C以上。另外，本發(fā)明的玻璃基板的應(yīng)變點[°C ]優(yōu)選為680°C以上，更優(yōu)選為685°C以上，進而優(yōu)選為688°C以上，進一步優(yōu)選為690°C以上，進一步更優(yōu)選為695°C以上，進而進一步優(yōu)選為700°C以上。玻璃基板的應(yīng)變點可通過參照上述本發(fā)明的玻璃基板的玻璃組成的說明來調(diào)整玻璃組成來成為所期望的值。從低溫黏性特性的觀點出發(fā)，本發(fā)明的玻璃的應(yīng)變點[°c ]并無上限，但作為實用上的標準，例如為750°C以下，優(yōu)選為745°C以下，更優(yōu)選為740°C以下。但并不旨在限定于該上限。另外，構(gòu)成本發(fā)明的第I方式的玻璃基板的玻璃的Tg[°C ]優(yōu)選為720°C以上，更優(yōu)選為730°C以上，進而優(yōu)選為740°C以上，進而優(yōu)選為745°C以上，進一步優(yōu)選為750°C以上。若Tg變低，則存在耐熱性降低的傾向。另外，顯示器制造時還存在熱處理步驟中容易產(chǎn)生熱收縮的傾向。從耐熱性及熱收縮的觀點出發(fā)，本發(fā)明的玻璃的Tg[°C]并無上限，但作為實用上的標準，例如為800°C以下，優(yōu)選為795°C以下，更優(yōu)選為790°C以下。但并不旨在限于該上限。為使玻璃基板的Tg成為上述范圍，適當做法為于本發(fā)明的玻璃基板的組成范圍內(nèi)增多提高Tg的成分，例如增多SiO2及Al2O3等成分。從玻璃基板的輕量化及顯示器的輕量化的觀點出發(fā)，優(yōu)選構(gòu)成本發(fā)明的第I方式的玻璃基板的玻璃的密度[g/cm3]為2.5g/cm3以下，更優(yōu)選為2.45g/cm3以下，進而優(yōu)選為
2.42g/cm3以下，進一步優(yōu)選為2.4g/cm3以下。若密度變高，則玻璃基板的輕量化變得困難，無法實現(xiàn)顯示器的輕量化。進而，構(gòu)成本發(fā)明的第I方式的玻璃基板的玻璃的低黏特性溫度還根據(jù)玻璃熔解時的條件而變化。即便為相同組成的玻璃，因熔解條件的不同而也可能導(dǎo)致玻璃中的含水量不同，且低黏特性溫度于約I 10°c的范圍內(nèi)變化的情況。因此，為獲得具有所期望的低溫黏性特性溫度的玻璃基板，必需調(diào)整玻璃組成，并且要調(diào)整玻璃熔解時的玻璃中的含水量。構(gòu)成本發(fā)明的第I方式的玻璃基板的玻璃中的含水量的指標即P -OH值可根據(jù)原料的選擇而調(diào)整。例如，通過選擇含水量較高的原料(例如氫氧化物原料)，或調(diào)整氯化物等使玻璃中的水分量減少的原 料的含量，可使P-OH值增加。另外，通過調(diào)整用于玻璃熔解的氣體燃燒加熱(氧氣燃燒加熱)與直接通電加熱的比率，可調(diào)整P-OH值。進而，通過使爐內(nèi)環(huán)境中的水分量增加，或于熔解時使熔融玻璃冒出水蒸氣，可使P-OH值增加。再者，玻璃的P-OH值[mnT1]是于玻璃的紅外線吸收光譜中，通過下述式而求出的。3-011值=(1/父)1(^10(1'1/丁2)X:玻璃厚度(mm)Tl:參照波長2600nm下的透過率(%)T2:羥基吸收波長2800nm附近的最小透過率(%)存在玻璃的水分量的指標即P -OH值越小，則應(yīng)變點越高，熱處理步驟(顯示器制造時)中熱收縮越小的傾向。另一方面，存在P-OH值越大，則熔融溫度(高溫黏性)越降低的傾向。為同時實現(xiàn)低收縮率與熔解性，構(gòu)成本發(fā)明的第I方式的玻璃基板的玻璃的3-OH值優(yōu)選為設(shè)為0.05 0.40mm1，更優(yōu)選為0.10 0.35mm S進而優(yōu)選為0.10 0.30臟' 進而優(yōu)選為0.10 0.25mm_1,進一步優(yōu)選為0.10 0.20mm_1,進一步更優(yōu)選為0.10 0.15mm L構(gòu)成本發(fā)明的第I方式的玻璃基板的玻璃的失透溫度[°C ]優(yōu)選為不足1300°C，更優(yōu)選為1250°C以下，進而優(yōu)選為1230°C以下，進一步優(yōu)選為1220°C以下，進一步更優(yōu)選為1210°C以下。只要失透溫度不足1300°C，則變得容易以浮式法成形玻璃板。只要失透溫度為1250°C以下，則變得容易以下拉法形成玻璃板。通過應(yīng)用下拉法，可提高玻璃基板的表面質(zhì)量。另外，還可降低生產(chǎn)成本。若失透溫度過高，則容易產(chǎn)生失透，耐失透性降低。另外，變得無法應(yīng)用于下拉法。另一方面，若考慮到熱收縮率或密度等平面顯示器用基板的特性，則玻璃基板的失透溫度優(yōu)選為1050°C 不足1300°C，更優(yōu)選為1110°C 1250°C，進而優(yōu)選為1150°C 1230°C，進一步優(yōu)選為1160°C 1220°C，進一步更優(yōu)選為1170°C 1210°C。本發(fā)明的第I方式的玻璃基板的熱膨脹系數(shù)(100-30(TC ) [XlO-70C ]優(yōu)選為不足38 X IO^7oC，更優(yōu)選為不足37 X IO^7oC，進而優(yōu)選為28 不足36 X 10〃°C，進一步優(yōu)選為30 不足35 X1(T°C，進一步更優(yōu)選為31 34.5 X 1(T7°C，進而更優(yōu)選為32 34X1(T7°C的范圍。若熱膨脹系數(shù)較大，則顯示器制造時的熱處理步驟中有熱沖擊或熱收縮量增大的傾向。另一方面，若熱膨脹系數(shù)較小，則存在難以取得熱膨脹系數(shù)與形成于玻璃基板上的其它金屬、有機是接著劑等周邊材料的匹配，而導(dǎo)致周邊部件剝離的情況。另外，于P-S1-TFT制造步驟中，重復(fù)急熱與急冷，施加于玻璃基板上的熱沖擊變大。進而，大型玻璃基板于熱處理步驟中容易形成溫度差(溫度分布)，玻璃基板的破壞機率變高。通過將熱膨脹系數(shù)設(shè)為上述范圍，可降低因熱膨脹差而產(chǎn)生的熱應(yīng)力，結(jié)果于熱處理步驟中玻璃基板的破壞機率降低。即，從降低玻璃基板的破壞機率的觀點出發(fā)，將熱膨脹系數(shù)設(shè)為上述范圍對寬度方向為2000 3500mm、縱方向為2000 3500mm的玻璃基板尤其有效。再者，從重視熱膨脹系數(shù)與形成于基板上的金屬、有機是接著劑等周邊材料的匹配的觀點出發(fā)，熱膨脹系數(shù)(100-300°C )優(yōu)選為不足40 [ X1(T°C ]，更優(yōu)選為28 不足40 X 1(T7°C，進而優(yōu)選為30 不足39 X IO-7oC，進一步優(yōu)選為32 不足38 X IO-7oC，進一步更優(yōu)選為34 38 X IO-7oC。本發(fā)明的第I方式的玻璃基板的熱收縮率[ppm]優(yōu)選為75ppm以下,優(yōu)選為65ppm以下。進而，優(yōu)選為60ppm以下，更優(yōu)選為55ppm以下，進而優(yōu)選為50ppm以下，進一步優(yōu)選為48ppm以下,進一步更優(yōu)選為45ppm以下。更詳細而言，熱收縮率[ppm]優(yōu)選為0 75ppm,更優(yōu)選為0 65ppm,進而優(yōu)選為0 60ppm,進一步優(yōu)選為0 55ppm,進一步更優(yōu)選為0 50ppm，進而更優(yōu)選為0 45ppm。若熱收縮率(量)變大，則引起像素的較大的間距偏差的問題，而無法實現(xiàn)高精細的顯示器。為將熱收縮率(量)控制于特定范圍，優(yōu)選為使玻璃基板的應(yīng)變點成為680° C以上。熱收縮率(量)最佳為Oppm，但若欲使熱收縮率成為Oppm，則要求極其延長緩冷步驟，或于緩冷步驟后實施熱收縮降低處理(離線退火)，于此情況下，生產(chǎn)率降低，成本增加。鑒于生產(chǎn)率及成本，熱收縮率例如優(yōu)選為3 75ppm，更優(yōu)選為5 75ppm,進而優(yōu)選為5 65ppm,進一步優(yōu)選為5 60ppm,進一步更優(yōu)選為8 55ppm,進而更優(yōu)選為8 50ppm,進而更優(yōu)選為15 45ppm。再者，熱收縮率是以實施升降溫速度為10°C /min并于550°C下保持2小時的熱處理后的下述式表示。熱收縮率(ppm) = {熱處理前后的玻璃的收縮量/熱處理前的玻璃的長度} X IO6本發(fā)明的第I方式的玻璃基板的熱收縮率是對作為熱收縮率的測定對象的玻璃基板進行上述熱處理后進行測定而獲得的。然而，本發(fā)明的第I方式的玻璃基板的熱收縮率也可為如下值，即，將作為熱收縮率的測定對象的玻璃基板如實施例中的熱收縮測定用試樣玻璃基板的制備中所示般，進行以Tg保持30分鐘后，以100°C /min冷卻至Tg-100°C，并放冷至室溫的緩冷操作后，實施上述熱處理而獲得。以下拉法等連續(xù)式的方法制造的玻璃基板有時冷卻條件不同，通過在實施上述保持Tg后的冷卻處理后測定熱收縮率，可獲得相同條件下的熱收縮率的值。本發(fā)明的第I方式的玻璃基板還包括P-Si TFT平面顯示器用玻璃基板(本發(fā)明的第2方式的玻璃基板)，該P-Si TFT平面顯示器用玻璃基板由如下玻璃形成，且實施升降溫速度為10°C /min并于550°C下保持2小時的熱處理后的由下述式表示的熱收縮率為75ppm以下，上述玻璃含有Si025 2 78質(zhì)量％、Al2033 25質(zhì)量％、B2033 15質(zhì)量％、RO (其中，RO 為 MgO、CaO、SrO 及 BaO 的總量)3 20 質(zhì)量 ％、R2O (其中，R2O 為 Li20、Na2O 及K2O的總量)0.01 0.8質(zhì)量％、Sb2O3O 0.3質(zhì)量％，且實質(zhì)上不含有As203。玻璃基板的熱收縮率為75ppm以下，優(yōu)選為65ppm以下。進而，熱收縮率優(yōu)選為60ppm以下，更優(yōu)選為55ppm以下，進而優(yōu)選為50ppm以下，進一步優(yōu)選為48ppm以下，進一步更優(yōu)選為45ppm以下，進而更優(yōu)選為40ppm以下。R2O含量為0.01 0.8質(zhì)量％的范圍，優(yōu)選為0.01 0.5質(zhì)量％，進而優(yōu)選為0.01 0.3質(zhì)量％的范圍。從降低環(huán)境負荷的觀點出發(fā)，本發(fā)明的第2方式的玻璃基板玻璃優(yōu)選為玻璃中所含的Sb2O3為0 0.3質(zhì)量％ ，更優(yōu)選為0 0.1質(zhì)量％。進而優(yōu)選為本發(fā)明的第2方式的玻璃基板由實質(zhì)上不含有Sb2O3，且實質(zhì)上還不含有As2O3的玻璃形成。熱收縮率為75ppm下，優(yōu)選為65ppm以下，更優(yōu)選為60ppm以下，且由含有R2O0.01 0.8質(zhì)量％的玻璃形成的本發(fā)明的第2方式的p-Si TFT平面顯示器用玻璃基板不會引起像素的間距偏差的問題，且可降低玻璃的比電阻，可避免于利用直接通電加熱的熔解中產(chǎn)生熔解槽熔損的問題。本發(fā)明的第2方式的玻璃基板的上述以外的玻璃組成及物性等可與本發(fā)明的第I方式的玻璃基板相同。構(gòu)成本發(fā)明的第I方式及第2方式的玻璃基板的玻璃的熔融溫度優(yōu)選為1680°C以下，更優(yōu)選為1650°C以下，進而優(yōu)選為1640°C以下，進一步優(yōu)選為1620°C以下。若熔融溫度較高，則對熔解槽的負荷變大。另外，由于大量使用能量，故而成本也變高。為使熔融溫度成為上述范圍，適當做法為于本發(fā)明的玻璃基板的組成范圍內(nèi)含有降低黏性的例如B203、R0等成分。構(gòu)成本發(fā)明的第I方式及第2方式的玻璃基板的玻璃的液相黏度(失透溫度下的黏度)為104 °dPa* s以上，優(yōu)選為IO4 5 l(f°dPa* S。更優(yōu)選為IO4 5 105_9dPa S，進而優(yōu)選為IO4 6 105_8dPa* s，進一步優(yōu)選為IO4 8 105_7dPa* S，進一步更優(yōu)選為IO4 8 105 6dPa s，進而更優(yōu)選的范圍為IO4 9 105_5dPa* S。通過使其處于這些范圍內(nèi)，可具有作為p-S1-TFT平面顯示器用玻璃基板所必需的特性，并且于成形時難以產(chǎn)生失透結(jié)晶，故而容易以溢流下拉法成形玻璃基板。由此，可提高玻璃基板的表面質(zhì)量，并且可降低玻璃基板的生產(chǎn)成本。通過在構(gòu)成本發(fā)明的第I方式及第2方式的玻璃基板的玻璃的組成范圍內(nèi)適當調(diào)整各成分的含量，可使玻璃的液相黏度成為上述范圍。構(gòu)成本發(fā)明的第I方式及第2方式的玻璃基板的玻璃的玻璃熔融液的比電阻(于1550°C下)[Q * cm]優(yōu)選為50 300 Q cm，更優(yōu)選為50 250 Q cm，進而優(yōu)選為50 200 Q !!，進一步優(yōu)選的范圍為100 200 Q.cm0若比電阻變得過小，則存在熔解時所需要的電流值變得過大，設(shè)備上受到制約的情況。另一方面，若比電阻變得過大，則還存在電極的消耗變多的傾向。另外，還存在電流并非于玻璃中而是于形成熔解槽的耐熱磚中流動，從而導(dǎo)致熔解槽熔損的情況。玻璃基板的比電阻可主要通過控制本發(fā)明的玻璃基板的必需成分即RO與R2O的含量而調(diào)整為上述范圍。進而，除通過控制RO與R2O的含量以外，還可通過控制Fe2O3含量而將玻璃基板的比電阻調(diào)整為上述范圍。本發(fā)明的第I方式及第2方式的玻璃基板的楊氏模數(shù)[GPa]優(yōu)選為70GPa以上，更優(yōu)選為73GPa以上，進而優(yōu)選為74GPa以上，進一步優(yōu)選為75GPa以上。若楊氏模數(shù)較小，則因玻璃自身重量所致的玻璃的彎曲而使玻璃容易破損。尤其是于寬度方向2000mm以上的大型玻璃基板中，由彎曲所致的破損問題變得明顯。玻璃基板的楊氏模數(shù)(GPa)可通過在本發(fā)明的玻璃基板的組成范圍內(nèi)調(diào)整使楊氏模數(shù)(GPa)變動的傾向較強的例如Al2O3等成分的含量而增大。本發(fā)明的第I方式及第2方式的玻璃基板的比彈性模數(shù)(楊氏模數(shù)/密度)[GPacm3g_1]優(yōu)選為28GPa cm3g_1以上,更優(yōu)選為29GPa cm3g_1以上,進而優(yōu)選為30GPa cm3g_1以上，進一步優(yōu)選為31GPa Cm3g-1以上。若比彈性模數(shù)較小，則因玻璃自身重量所致的玻璃的彎曲，而使玻璃容易破損。尤其是于寬度方向2000mm以上的大型玻璃基板中，由彎曲所致的破損問題變得明顯。本發(fā)明的第1方式及第2方式的玻璃基板對于大小并無特別限制。寬度方向例如為500 3500mm，優(yōu)選為1000 3500mm，更優(yōu)選為2000 3500mm。縱方向例如為500 3500mm，優(yōu)選為1000 3500mm，更優(yōu)選為2000 3500mm。使用越大的玻璃基板，則越能提
高液晶顯示器或有機EL顯示器的生產(chǎn)率。本發(fā)明的第I方式及第2方式的玻璃基板的板厚[mm]例如可在0.1 1.1mm的范圍。但并不旨在限定于該范圍。板厚[mm]例如可在0.1 0.7mm、0.3 0.7mm、0.3 0.5_的范圍。若玻璃板的厚度過薄，則玻璃基板本身的強度降低。例如容易于平面顯示器制造時產(chǎn)生破損。若板厚過厚，則對于要求薄型化的顯示器而言不是優(yōu)選的。另外，由于玻璃基板的重量變重，故而難以實現(xiàn)平面顯示器的輕量化。本發(fā)明包括一種p-S1-TFT平面顯示器用玻璃基板(本發(fā)明的第3方式的玻璃基板)，其由如下的玻璃形成，該玻璃含有:Si0257 75 質(zhì)量 ％、Al2038 25 質(zhì)量 ％、B2033 15 質(zhì)量0/0、 RO (其中，RO 為 MgO、CaO、SrO 及 BaO 的總量)3 25 質(zhì)量 ％、MgOO 15 質(zhì)量 ％、CaOl 20 質(zhì)量 ％、SrO+BaOO 不足 3.4 質(zhì)量 ％、Sb2O3O 0.3 質(zhì)量 ％、R2O (其中，R2O 為 Li20、Na2O 及 K2O 的總量)0.01 0.8 質(zhì)量 ％，質(zhì)量比Ca0/R0為0.65以上，且實質(zhì)上不含有As203。作為本發(fā)明的第3方式的玻璃基板的一例，可列舉由如下玻璃形成的P-Si TFT平面顯示器用玻璃基板，該玻璃含有:Si0257 75 質(zhì)量 ％、Al2038 25 質(zhì)量 ％、B2033 不足11質(zhì)量％、
RO (其中，RO 為 MgO、CaO、SrO 及 BaO 的總量)3 25 質(zhì)量 ％、MgOO 15 質(zhì)量0/o、CaOl 20 質(zhì)量 ％、SrO+BaOO 不足 3.4 質(zhì)量 ％、R2O (其中，R2O 為 Li2O' Na2O 及 K2O 的總量)0.01 0.8 質(zhì)量 ％，質(zhì)量比Ca0/R0為0.65以上，該玻璃實質(zhì)上不含有Sb2O3,且實質(zhì)上不含有As203。對本發(fā)明的第3方式的玻璃基板中含有各成分的理由、及含量或組成比的范圍進行說明。本發(fā)明的第3方式的玻璃基板中的SiO2的含量為57 75質(zhì)量％的范圍。SiO2是玻璃的骨架成分，因此為必需成分。若含量變少，則存在耐酸性、耐BHF (緩沖氟氫酸)性及應(yīng)變點降低的傾向。另外，存在熱膨脹系數(shù)增加的傾向。另外，若SiO2含量過少，則難以使玻璃基板低密度化。另一方面，若SiO2含量過多，則存在玻璃熔融液的比電阻上升，熔融溫度明顯變高而難以熔解的傾向。若SiO2含量過多，則還存在耐失透性降低的傾向。從這種觀點出發(fā)，將SiO2的含量設(shè)在57 75質(zhì)量％的范圍。SiO2的含量優(yōu)選為58 72質(zhì)量％，進而優(yōu)選為59 70質(zhì)量％，進一步優(yōu)選為59 69質(zhì)量％，進一步更優(yōu)選為61 69質(zhì)量％，進而更優(yōu)選為61 68質(zhì)量％，進而優(yōu)選的范圍為62 67質(zhì)量％。另一方面，若SiO2含量過多，則存在玻璃的蝕刻速率變慢的傾向。就獲得表示進行減薄化的情況下的速度的蝕刻速率充分快的玻璃基板的觀點而言，SiO2的含量優(yōu)選為57 75質(zhì)量％，更優(yōu)選為57 70質(zhì)量％ ，進而優(yōu)選為57 65質(zhì)量％，進一步優(yōu)選的范圍為58 63質(zhì)量％。再者，SiO2含量是考慮到上述耐酸性等特性與蝕刻速率的雙方而適當決定。本發(fā)明的第3方式的玻璃基板中的Al2O3含量為8 25質(zhì)量％的范圍。Al2O3是抑制分相且提高應(yīng)變點的必需成分。若含量過少，則玻璃變得容易分相。另外，存在應(yīng)變點降低的傾向。進而，存在楊氏模數(shù)及蝕刻速率降低的傾向。若Al2O3含量過多，則比電阻上升。另外，由于玻璃的失透溫度上升，耐失透性降低，故而存在成形性惡化的傾向。從這種觀點出發(fā)，Al2O3的含量的范圍為8 25質(zhì)量％。Al2O3的含量優(yōu)選為10 23質(zhì)量％，更優(yōu)選為12 20質(zhì)量％，進而優(yōu)選為14 20質(zhì)量％，進而進一步優(yōu)選為15 20質(zhì)量％，進而更優(yōu)選的范圍為15 19質(zhì)量％。另一方面，從獲得蝕刻速率充分快的玻璃基板的觀點出發(fā)，Al2O3的含量優(yōu)選為8 23質(zhì)量％，更優(yōu)選為10 23質(zhì)量％，進而優(yōu)選為14 23質(zhì)量％，進一步優(yōu)選為17 22質(zhì)量％。再者，Al2O3的含量是考慮到上述玻璃的分相特性等與蝕刻速率的雙方而適當決定的。本發(fā)明的第3方式的玻璃基板中的B2O3在3 15質(zhì)量％的范圍，優(yōu)選為3 13質(zhì)量％，更優(yōu)選的范圍為3 不足11質(zhì)量％。B2O3是使玻璃的高溫黏性區(qū)域中的溫度降低，改善熔解性及澄清性的必需成分。若B2O3含量過少，則熔解性及耐BHF性降低，耐失透性也降低。另外，若B2O3含量過少，則比重增加而難以實現(xiàn)低密度化。若B2O3含量過多，則玻璃熔融液的比電阻上升。另外，若B2O3含量過多，則應(yīng)變點降低。進而，耐熱性及耐酸性降低，楊氏模數(shù)降低。另外，因玻璃熔解時的B2O3的揮發(fā)而導(dǎo)致玻璃的不均質(zhì)變得明顯，從而容易產(chǎn)生脈紋。從這種觀點出發(fā)，B2O3含量的范圍為3 不足11質(zhì)量％，優(yōu)選為3 不足10質(zhì)量％，更優(yōu)選為4 9質(zhì)量％，進而優(yōu)選為5 9質(zhì)量％，進一步優(yōu)選的范圍為7 9質(zhì)量％。另一方面，為充分降低失透溫度，B2O3含量優(yōu)選為5 15質(zhì)量％，更優(yōu)選為6 13質(zhì)量％，進而優(yōu)選為7 不足11質(zhì)量％。再者，B2O3含量是考慮到上述熔解性等與失透溫度的雙方而適當決定的。本發(fā)明的第3方式的玻璃基板中的Mg0、Ca0、Sr0及BaO的總量即RO在3 25質(zhì)量％的范圍。RO是降低比電阻，提高熔解性的必需成分。若RO含量過少，則比電阻上升，熔解性惡化。若RO含量過多，則應(yīng)變點及楊氏模數(shù)降低。另外，密度上升。另外，若RO含量過多，則還存在熱膨脹系數(shù)增大的傾向。從這種觀點出發(fā)，RO為3 25質(zhì)量％的范圍，優(yōu)選為3 16質(zhì)量％，更優(yōu)選為3 15質(zhì)量％，進而優(yōu)選為3 14質(zhì)量％，進一步優(yōu)選為3 13質(zhì)量％，進一步更優(yōu)選為6 13質(zhì)量％，進而更優(yōu)選為6 12質(zhì)量％，進而進一步優(yōu)選的范圍為8 11質(zhì)量％。本發(fā)明的第3方式的玻璃基板中的MgO是降低比電阻，提高熔解性的成分。另外，由于為堿土金屬中難以增加比重的成分，故而若相對增加其含量，則變得容易實現(xiàn)低密度化。雖并非為必需成分，但通過含有MgO可提高熔解性，且抑制切粉的產(chǎn)生。然而，若MgO的含量過多，則玻璃的失透溫度急劇上升，故而成形性惡化(耐失透性降低)。另外，若MgO的含量過多，則存在耐BHF性降低，耐酸性降低的傾向。尤其于欲降低失透溫度的情況下，優(yōu)選為實質(zhì)上不含有MgO。從這種觀點出發(fā)，MgO含量為0 15質(zhì)量％，優(yōu)選為0 10質(zhì)量％，更優(yōu)選為0 5質(zhì)量％,進而優(yōu)選為0 4質(zhì)量％,進一步優(yōu)選為0 3質(zhì)量％,進一步更優(yōu)選為0 不足2質(zhì)量％,進而更優(yōu)選為0 I質(zhì)量％,最佳為實質(zhì)上不含有。本發(fā)明的第3方式的玻璃基板中的CaO是對降低比電阻，且不使玻璃的失透溫度急劇上升而提高玻璃的熔解性而言有效的成分。另外，由于為堿土金屬中難以增加比重的成分，故而若相對增 加其含量，則變得容易實現(xiàn)低密度化。雖并非為必需成分，但通過含有CaO可實現(xiàn)因玻璃熔融液的比電阻降低、及熔融溫度(高溫黏性)降低而獲得的熔解性提高及失透性改善，故而優(yōu)選為含有CaO。另一方面，若CaO含量過多，則存在應(yīng)變點降低的傾向。另外，存在熱膨脹系數(shù)增加及密度上升的傾向。CaO含量為I 20質(zhì)量％，優(yōu)選為I 15質(zhì)量％，更優(yōu)選為3.6 15質(zhì)量％，進而優(yōu)選為4 14質(zhì)量％，進一步優(yōu)選為5 12質(zhì)量％，進一步更優(yōu)選為5 11質(zhì)量％,進而更優(yōu)選為5 10質(zhì)量％,進而進一步優(yōu)選為超過6 10質(zhì)量％,進而進一步更優(yōu)選的范圍為超過6 9質(zhì)量％。本發(fā)明的第3方式的玻璃基板中的SrO與BaO是降低玻璃熔融液的比電阻且降低熔融溫度，提高熔解性，并且降低失透溫度的成分。雖并非為必需成分，但若含有其等，則耐失透性及熔解性提高。然而，若含量過多，則導(dǎo)致密度上升。從降低密度，實現(xiàn)輕量化的觀點出發(fā)，SrO與BaO的總量即SrO+BaO為0 不足3.4質(zhì)量％，優(yōu)選為0 2質(zhì)量％，更優(yōu)選為0 I質(zhì)量％，進而優(yōu)選為0 0.5質(zhì)量％，進而進一步優(yōu)選的范圍為0 不足0.1質(zhì)量％。欲降低玻璃基板的密度的情況下，優(yōu)選為實質(zhì)上不含有SrO與BaO。本發(fā)明的第3方式的玻璃基板中含有R20(其中，R2O為Li20、Na2O及K2O的總量)0.01 8質(zhì)量％。Li2O, Na2O及K2O即RO是提高玻璃的堿性度，容易使澄清劑氧化，而發(fā)揮澄清性的成分。另外，且為提高熔解性，降低比電阻的成分。因此，若含有燦，則比電阻降低，熔解性提高，并且澄清性提高。然而，若R2O含量過多，則會自玻璃基板溶出而使TFT特性劣化。另夕卜，存在熱膨脹系數(shù)增大的傾向。從這些觀點出發(fā)，R2O的總量即Li20+Na20+K20在0.01 0.8質(zhì)量％的范圍，優(yōu)選為0.01 0.6質(zhì)量％，更優(yōu)選為0.01 0.5質(zhì)量％，進而優(yōu)選為0.01 0.4質(zhì)量％，進一步優(yōu)選為0.01 0.3質(zhì)量％的范圍。上述范圍中的下限值0.01質(zhì)量％優(yōu)選為0.05質(zhì)量％,更優(yōu)選為0.1質(zhì)量％。本發(fā)明的第3方式的玻璃基板中的Ca0/R0成為熔解性與耐失透性的指標。CaO/RO為0.65以上，優(yōu)選為0.65 I，進而優(yōu)選為0.7 1，進一步優(yōu)選為0.85 1，進一步更優(yōu)選為0.9 1，進而進一步優(yōu)選的范圍為0.95 I。通過設(shè)為這些范圍，可同時實現(xiàn)耐失透性與熔解性。進而，可實現(xiàn)低密度化。另外，僅含有CaO的情況下提高應(yīng)變點的效果高于含有2種以上堿土金屬的情況。從降低環(huán)境負荷的觀點出發(fā)，本發(fā)明的第3方式的玻璃基板優(yōu)選為Sb2O3為0 0.3質(zhì)量％，更優(yōu)選為0 0.1質(zhì)量％。另外，從進一步降低環(huán)境負荷的觀點出發(fā)，本發(fā)明的第3方式的玻璃基板進而優(yōu)選為實質(zhì)上不含有Sb2O3,且實質(zhì)上也不含有As203。本發(fā)明的第3方式的玻璃基板的上述以外的玻璃組成、物性及大小等可與本發(fā)明的第I方式的玻璃基板相同。本發(fā)明的玻璃基板(與本發(fā)明的第I 3方式的玻璃基板共通)適合于平面顯示器用玻璃基板，尤其適合于表面形成有P-S1-TFT的平面顯示器用玻璃基板。具體而言，適合于液晶顯示器用玻璃基板、有機EL顯示器用玻璃基板。尤其適合于p-S1-TFT液晶顯示器用玻璃基板。其中尤其適合于要求高精細的移動終端等的顯示器用玻璃基板。〈平面顯示器用玻璃基板的制造方法〉本發(fā)明的第I方式的平面顯示器用玻璃基板的制造方法包括:熔解步驟，至少使用直接通電加熱將以成為如下玻璃的方式調(diào)配的玻璃原料熔解而獲得熔融玻璃，該玻璃含有:Si0252 78 質(zhì)量％、 Al2033 25 質(zhì)量 ％、B2033 15 質(zhì)量 ％、RO (其中，RO 為 MgO、CaO、SrO 及 BaO 的總量)3 20 質(zhì)量 ％、R2O (其中，R2O 為 Li20、Na2O 及 K2O 的總量)0.01 0.8 質(zhì)量 ％、Sb2O3O 0.3 質(zhì)量 ％，該玻璃實質(zhì)上不含有As2O3,質(zhì)量比Ca0/R0為0.65以上，質(zhì)量比(Si02+Al203)/B2O3為7 30的范圍，且質(zhì)量比(Si02+Al203)/R0為 5 以上；成形步驟，使上述熔融玻璃成形為平板狀玻璃；及緩冷步驟，對上述平板狀玻璃進行緩冷。<液晶顯示器用玻璃基板的制造方法>進而，本發(fā)明的第I方式的液晶顯示器用玻璃基板的制造方法包括:熔解步驟，至少使用直接通電加熱將以成為如下玻璃的方式調(diào)配的玻璃原料熔解而獲得熔融玻璃，該玻璃含有:Si0252 78 質(zhì)量 ％、Al2033 25 質(zhì)量 ％、
B2033 15 質(zhì)量 ％、
RO (其中，RO 為 MgO、CaO、SrO 及 BaO 的總量)3 20 質(zhì)量 ％、R2O (其中，R2O 為 Li2O' Na2O 及 K2O 的總量)0.01 0.8 質(zhì)量 ％，該玻璃實質(zhì)上不含有Sb2O3,且實質(zhì)上不含有As2O3,質(zhì)量比Ca0/R0為0.65以上，質(zhì)量比(Si02+Al203) /B2O3為8.1 20的范圍，且質(zhì)量比(Si02+Al203)/R0 為 5 以上；成形步驟，使上述熔融玻璃成形為平板狀玻璃；及緩冷步驟，對上述平板狀玻璃進行緩冷。本發(fā)明的第2及3方式的玻璃基板還可經(jīng)過與上述本發(fā)明的第I方式的玻璃基板相同的步驟而制造。然而，本發(fā)明的第2方式的玻璃基板的制造中，所使用的玻璃原料是成為如下玻璃的玻璃原料，該玻璃 含有Si0252 78質(zhì)量％、A12033 25質(zhì)量％、B2033 15質(zhì)量％、RO (其中，RO為MgO、Ca。、SrO及BaO的總量)3 20質(zhì)量％、R2O (其中，R2O為Li2O'Na2O及K2O的總量)0.01 0.8質(zhì)量％，Sb2O3為0 0.3質(zhì)量％，更優(yōu)選為實質(zhì)上不含有Sb2O3,且實質(zhì)上不含有As2O3,所制造的玻璃基板的實施升降溫速度為10°C /min并于550°C下保持2小時的熱處理后的熱收縮率為75ppm以下、更優(yōu)選為60ppm以下。本發(fā)明的第3方式的玻璃基板的制造中，所使用的玻璃原料是成為如下玻璃的玻璃原料，該玻璃含有Si0257 75質(zhì)量％、A12038 25質(zhì)量％、B2033 15質(zhì)量％、RO (其中，RO為MgO、CaO、SrO及BaO的總量)3 25質(zhì)量％、MgOO 15質(zhì)量％、CaOl 20質(zhì)量％、Sr0+Ba00 不足 3.4 質(zhì)量 ％、Sb2O3O 0.3 質(zhì)量 ％、R2O (其中，R2O 為 Li20、Na2O 及 K2O 的總量)0.01 0.8質(zhì)量％，質(zhì)量比Ca0/R0為0.65以上，且實質(zhì)上不含有As203。另外，于作為本發(fā)明的第3方式的玻璃基板的制造方法的一例的玻璃基板的制造方法中，所使用的玻璃原料是成為如下玻璃的玻璃原料，該玻璃含有Si025 7 75質(zhì)量％、A12038 25質(zhì)量％、B2033 不足11質(zhì)量％、RO (其中，RO為MgO、CaO、SrO及BaO的總量)3 25質(zhì)量％、MgOO 15質(zhì)量％、Ca01 20質(zhì)量％、Sr0及BaO的總量0 不足3.4質(zhì)量％、R20 (其中，R2O為Li20、Na20及K2O的總量)0.01 0.8質(zhì)量％，質(zhì)量比Ca0/R0為0.65以上，實質(zhì)上不含有Sb2O3,且實質(zhì)上不含有As203。[熔解步驟]熔解步驟中，至少使用直接通電加熱將以成為特定的玻璃組成的方式調(diào)配的玻璃原料熔解。玻璃原料可自公知的材料中適當選擇。優(yōu)選為以玻璃熔融液的1550°C下的比電阻成在50 300 Q ^cm的范圍的方式調(diào)整玻璃原料的組成，尤其是R2O與RO的含量。通過將R2O的含量設(shè)為0.01 0.8質(zhì)量％，將RO的含量設(shè)為3 20質(zhì)量％的范圍，可使1550°C下的比電阻為上述范圍內(nèi)。另外，優(yōu)選為以玻璃基板的P-OH的值成為0.1 0.4mm的方式調(diào)整熔解步驟。另外，本發(fā)明的第I及2方式的玻璃基板的制造中，通過在3 20質(zhì)量％的范圍內(nèi)調(diào)整RO的含量，可調(diào)整1550°C下的比電阻，本發(fā)明的第3方式的玻璃基板的制造中，通過在3 25質(zhì)量％的范圍內(nèi)調(diào)整RO的含量，可調(diào)整玻璃熔融液1550°C下的比電阻。[成形步驟]成形步驟中，使熔解步驟中熔解的熔融玻璃成形為平板狀玻璃。平板狀玻璃的成形方法例如優(yōu)選為下拉法，尤其是溢流下拉法。此外，可應(yīng)用浮式法、再曳引法、輾平法等。通過采用下拉法，與使用浮式法等其它成形方法的情況相比，所獲得的玻璃基板的主表面為經(jīng)熱成形的表面，故而具有極高的平滑性，而無需成形后的玻璃基板表面的研磨步驟，因此可降低制造成本，進而還可提高生產(chǎn)率。進而，由于使用下拉法所成形的玻璃基板的兩主表面具有均勻的組成，故而可于進行蝕刻處理時進行均勻的蝕刻。此外，通過使用下拉法成形，可獲得具有無微小裂痕的表面狀態(tài)的玻璃基板，故而還可提高玻璃基板本身的強度。[緩冷步驟]通過適當調(diào)整緩冷時的條件可控制玻璃基板的熱收縮率。如上所述，優(yōu)選為玻璃基板的熱收縮率為75ppm以下,更優(yōu)選為60ppm以下,制造熱收縮率為75ppm以下、更優(yōu)選為60ppm以下的玻璃基板而例如使用下拉法的情況下，較理想為以將平板狀玻璃的溫度用20 120秒自Tg冷卻至Tg-100°C的方式進行成形。若不足20秒，則存在無法充分降低熱收縮量的情況。另一方面，若超過120秒，則生產(chǎn)率降低，并且導(dǎo)致玻璃制造裝置(緩冷爐)大型化?；蛘?，優(yōu)選為以將平板狀玻璃的平均冷卻速度于Tg至Tg-100°C的溫度范圍內(nèi)設(shè)為50 300°C /min的方式進行緩冷(冷卻)。若冷卻速度超過300°C /min，則存在無法充分降低熱收縮量的情況。另一方面，若不足50°C /min，則生產(chǎn)率降低，并且導(dǎo)致玻璃制造裝置(緩冷爐)大型化。冷卻速度的優(yōu)選范圍為50 300°C /min，更優(yōu)選為50 200°C /min,進而優(yōu)選為60 120°C /min。另一方面，通過在緩冷步驟后另行設(shè)置熱收縮降低處理(離線退火)步驟，可減小熱收縮率。然而，若與緩冷步驟分開而另外設(shè)置離線退火步驟，則存在生產(chǎn)率降低，成本增加的問題。因此，更優(yōu)選為如上所述，緩冷步驟中實施控制平板狀玻璃的冷卻速度的熱收縮降低處理(在線退火)，由此將熱收縮率抑制于特定范圍內(nèi)。以上，以p-S1-TFT平面顯示器用玻璃基板為例對本發(fā)明的玻璃基板進行了說明，本發(fā)明的玻璃基板還可用于平面顯示器，尤其可用于P-Si平面顯示器。進而，本發(fā)明的玻璃基板還可用作氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管平面顯示器用玻璃。即，本發(fā)明的玻璃基板也可用于在基板表面形成氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管而制造的平面顯示器。[實施例] 以下，根據(jù)實施例進而詳細地說明本發(fā)明。然而，本發(fā)明并不限定于實施例。實施例1 25以成為表I所示的玻璃組成的方式，按照以下順序制作實施例1 25及比較例I 2的試樣玻璃。針對所獲得的試樣玻璃及試樣玻璃基板而求出失透溫度、Tg、100 300°C的范圍內(nèi)的平均熱膨脹系數(shù)(a )、熱收縮率、密度、應(yīng)變點、熔解溫度(黏度為102 5dPa s時的玻璃溫度，表I中表示為T(log(n =2.5))、液相黏度、1550°C下的比電阻、蝕刻速度，并示于表I中。[表 I]
權(quán)利要求
1.一種P-Si *TFT平面顯示器用玻璃基板，其由如下的玻璃形成，且實施升降溫速度為IO0C /min并于550°C下保持2小時的熱處理后的由下述式所表示的熱收縮率為75ppm以下， (式) 熱收縮率(PPm) = {熱處理前后的玻璃的收縮量/熱處理前的玻璃的長度} X IO6, 該玻璃含有:Si025 2 78 質(zhì)量 ％、 Al2033 25 質(zhì)量 ％、 B2033 15質(zhì)量％、 R03 20質(zhì)量％、 R2OO-Ol 0.8 質(zhì)量 ％、Sb2O3O 0.3 質(zhì)量 ％， 并且該玻璃實質(zhì)上不含有As2O3，其中，RO為MgO、CaO、SrO及BaO的總量，R2O為Li20、Na2O及K2O的總量。
2.如權(quán)利要求1所述的玻璃基板，其中上述玻璃實質(zhì)上不含有Sb203。
3.如權(quán)利要求1或2所述的玻璃基板，其中熱收縮率為60ppm以下。
4.如權(quán)利要求1或2所述的玻璃基板，其中上述熱收縮率是進行將玻璃基板以Tg保持30分鐘后，以100°C /min冷卻至Tg-100°C，并放冷至室溫的緩冷操作后，實施上述熱處理而獲得的值。
5.—種p-Si TFT平面顯示器用玻璃基板，其由如下的玻璃形成，該玻璃含有:Si025 7 75 質(zhì)量 ％、 Al2038 25 質(zhì)量 ％、 B2033 15質(zhì)量％、 R03 25質(zhì)量％、 MgOO 15質(zhì)量％、 CaOl 20質(zhì)量％、 Sr0+Ba00 不足3.4質(zhì)量％、Sb2O3O 0.3 質(zhì)量 ％、 R2OO-Ol 0.8 質(zhì)量 ％， 質(zhì)量比Ca0/R0為0.65以上， 且該玻璃實質(zhì)上不含有As2O3，其中，RO為Mg0、Ca0、Sr0及BaO的總量，R2O為Li20、Na20及K2O的總量。
6.一種p-Si TFT平面顯示器用玻璃基板，其由如下的玻璃形成，該玻璃含有:Si025 7 75 質(zhì)量 ％、 Al2038 25 質(zhì)量 ％、 B2033 不足11質(zhì)量％、 R03 25質(zhì)量％、 MgOO 15質(zhì)量％、 CaOl 20質(zhì)量％、SrO+BaOO 不足3.4質(zhì)量％、 R2OO-Ol 0.8 質(zhì)量 ％， 質(zhì)量比Ca0/R0為0.65以上， 并且該玻璃實質(zhì)上不含Sb2O3，且實質(zhì)上不含有As2O3, 其中，RO為MgO、CaO、SrO及BaO的總量，R2O為Li20、Na2O及K2O的總量。
7.如權(quán)利要求1或2所述的玻璃基板，其中上述玻璃的失透溫度為1250°C以下，且上述玻璃基板是以下拉法而成形的。
8.如權(quán)利要求1或2所述的玻璃基板，其中上述玻璃的質(zhì)量比K20/R20為0.9以上。
9.如權(quán)利要求1或2 所述的玻璃基板，其是用于TFT液晶顯示器。
全文摘要
本發(fā)明提供一種p-Si·TFT平面顯示器用玻璃基板及其制造方法，該p-Si·TFT平面顯示器用玻璃基板由低黏特性溫度較高且可在避免利用直接通電加熱的熔解中產(chǎn)生熔解槽熔損的問題下進行制造的玻璃形成。本發(fā)明的玻璃基板含有SiO252～78質(zhì)量%、Al2O33～25質(zhì)量%、B2O33～15質(zhì)量%、RO(其中，RO為MgO、CaO、SrO及BaO的總量)3～20質(zhì)量%、R2O(其中，R2O為Li2O、Na2O及K2O的總量)0.01～0.8質(zhì)量%、Sb2O30～0.3質(zhì)量%，實質(zhì)上不含有As2O3，質(zhì)量比CaO/RO為0.65以上，質(zhì)量比(SiO2+Al2O3)/B2O3為7～30的范圍，且質(zhì)量比(SiO2+Al2O3)/RO為5以上。本發(fā)明的玻璃基板的制造方法包括熔解步驟，至少使用直接通電加熱將以成為上述玻璃組成的方式調(diào)配的玻璃原料熔融而獲得熔融玻璃；成形步驟，使上述熔融玻璃成形為平板狀玻璃；及緩冷步驟，對上述平板狀玻璃進行緩冷。
文檔編號C03C3/091GK103204630SQ20131011102
公開日2013年7月17日 申請日期2012年6月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月1日
發(fā)明者小山昭浩, 阿美諭, 市川學(xué) 申請人:安瀚視特控股株式會社