一種消除硅片粘接面線痕的方法
【專利摘要】一種消除硅片粘接面線痕的方法，涉及多晶硅切割【技術(shù)領(lǐng)域】，由粘接墊板（1）、硅棒（4）、膠層（2）和刮膠工具（3）組成，通過改變膠層（2）的硬度，使鋼線切割到膠層（2）時的切割條件變化最小，以此來達(dá)到消除硅棒（4）表面切割線痕的目的；本發(fā)明實用性強，操作起來比較方便，有效解決了鋼線切割硅棒（4）時容易留下線痕的問題，極大方便了后續(xù)的加工和使用，滿足了客戶的要求。
【專利說明】一種消除硅片粘接面線痕的方法
[0001]【【技術(shù)領(lǐng)域】】
本發(fā)明涉及多晶硅切割【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其是涉及一種消除硅片粘接面線痕的方法。
[0002]【【背景技術(shù)】】
公知的，多線切割機切割半導(dǎo)體硅片的原理，就是通過多道高速運行的鍍銅鋼線攜帶砂漿對硅棒進(jìn)行磨削進(jìn)而成片的過程，現(xiàn)有的粘接工藝只是簡單的用膠水把硅棒和粘接墊板粘在一起，但是因為膠水固化后的硬度和硅棒的硬度相差很遠(yuǎn)而且有一定的彈性，在刮膠的時候需要利用刮膠工具將硅棒和粘接墊板處的余膠掏刮干凈，當(dāng)切割至硅棒和粘接墊板接觸的位置時，由于切割條件的突然變化，膠層對鋼線攜帶的砂漿起到了阻擋和過濾的作用，這樣就影響切割過程中的磨削力，體現(xiàn)在硅片表面就是比較嚴(yán)重的線痕，該線痕嚴(yán)重影響了后續(xù)的使用和加工。
[0003]【
【發(fā)明內(nèi)容】
】
為了克服【背景技術(shù)】中的不足，本發(fā)明公開了一種消除硅片粘接面線痕的方法，本發(fā)明通過改變膠層的硬度，使鋼線切割到膠層時的切割條件變化最小，以此來達(dá)到消除硅棒表面切割線痕的目的。
[0004]為了實現(xiàn)所述發(fā)明目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
一種消除硅片粘接面線痕的方法，包括粘接墊板、硅棒、膠層和刮膠工具，其操作步驟如下:
第一步，取10%的微粉，去除雜質(zhì)后進(jìn)行烘干(95°C /2小時)去除其中水分，再用800目的濾網(wǎng)過濾掉微粉中的大顆粒后備用；
進(jìn)一步，分別取40%的A膠和40%的B膠，然后放入調(diào)膠杯中快速攪拌均勻，攪拌均勻后再加入烘干后的微粉再進(jìn)行攪拌，攪拌均勻后將硅棒粘貼在粘接墊板上，粘好后等膠固化7 —10分鐘后形成膠層，再利用刮膠工具沿著粘接墊板的側(cè)面鏟掉多余的膠即可。
[0005]所述微粉的硬度為9-9.5 (莫氏)，微粉粒徑為0.005-0.015mm。
[0006]所述A膠和B膠的粘度為40000-55000cpS/25°C，A膠和B膠的固化強度≥13Mpa。
[0007]由于采用了上述技術(shù)方案，本發(fā)明具有如下有益效果:
本發(fā)明所述的一種消除硅片粘接面線痕的方法，包括粘接墊板、硅棒、膠層和刮膠工具，通過改變膠層的硬度，使鋼線切割到膠層時的切割條件變化最小，以此來達(dá)到消除硅棒表面切割線痕的目的；本發(fā)明實用性強，操作起來比較方便，有效解決了鋼線切割硅棒時容易留下線痕的問題，極大方便了后續(xù)的加工和使用，滿足了客戶的要求。
[0008]【【專利附圖】

【附圖說明】】
圖1是本發(fā)明的加工截面結(jié)構(gòu)示意圖；
圖中:1、粘接墊板；2、膠層；3、刮膠工具；4、硅棒。
[0009]【【具體實施方式】】
通過下面的實施例可以詳細(xì)的解釋本發(fā)明，公開本發(fā)明的目的旨在保護本發(fā)明范圍內(nèi)的一切技術(shù)改進(jìn)。
[0010]結(jié)合附圖1所述的一種消除硅片粘接面線痕的方法，包括粘接墊板1、硅棒4、膠層2和刮膠工具3，其操作步驟如下:
第一步，取10%的微粉，去除雜質(zhì)后進(jìn)行烘干(95°C /2小時)去除其中水分，再用800目的濾網(wǎng)過濾掉微粉中的大顆粒后備用；
進(jìn)一步，分別取40%的A膠和40%的B膠，然后放入調(diào)膠杯中快速攪拌均勻，攪拌均勻后再加入烘干后的微粉再進(jìn)行攪拌，攪拌均勻后將硅棒4粘貼在粘接墊板I上，粘好后等膠固化7 —10分鐘后形成膠層2，再利用刮膠工具3沿著粘接墊板I的側(cè)面鏟掉多余的膠即可；所述微粉的硬度為9-9.5 (莫氏)，微粉粒徑為0.005-0.015mm ;所述A膠和B膠的粘度為40000-55000cps/25°C，A膠和B膠的固化強度≤13Mpa。
[0011]本發(fā)明未詳述部分為 現(xiàn)有 技術(shù)。
【權(quán)利要求】
1.一種消除硅片粘接面線痕的方法，包括粘接墊板(I)、硅棒(4)、膠層(2)和刮膠工具(3)，其特征是:所述消除硅片粘接面線痕的方法的操作步驟如下: 第一步，取10%的微粉，去除雜質(zhì)后進(jìn)行烘干(95°C /2小時)去除其中水分，再用800目的濾網(wǎng)過濾掉微粉中的大顆粒后備用； 進(jìn)一步，分別取40%的A膠和40%的B膠，然后放入調(diào)膠杯中快速攪拌均勻，攪拌均勻后再加入烘干后的微粉再進(jìn)行攪拌，攪拌均勻后將硅棒(4)粘貼在粘接墊板(I)上，粘好后等膠固化7 —10分鐘后形成膠層(2)，再利用刮膠工具(3)沿著粘接墊板(I)的側(cè)面鏟掉多余的膠即可。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種消除硅片粘接面線痕的方法，其特征是:所述微粉的硬度為9-9.5 (莫氏)，微粉粒徑為0.005-0.015mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種消除硅片粘接面線痕的方法，其特征是:所述A膠和B膠的粘度為40000-55000cpS/25°C，A膠和B膠的固化強度≥13Mpa。
【文檔編號】B28D5/04GK103552162SQ201310457564
【公開日】2014年2月5日 申請日期:2013年9月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月30日
【發(fā)明者】馬明濤, 邵斌, 王振國, 郭立洲 申請人:洛陽鴻泰半導(dǎo)體有限公司