用于開(kāi)方機(jī)的托盤(pán)組件及具有其的開(kāi)方的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供了一種用于開(kāi)方機(jī)的托盤(pán)組件及具有其的開(kāi)方機(jī)。其中，托盤(pán)組件包括：晶托（10），具有硅塊承載面（11）；第一定位基準(zhǔn)件（20），設(shè)置在硅塊承載面（11）上。本實(shí)用新型的技術(shù)方案有效地提高了開(kāi)方處理后的硅塊的切割效率。
【專利說(shuō)明】用于開(kāi)方機(jī)的托盤(pán)組件及具有其的開(kāi)方機(jī)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及多晶硅片制造【技術(shù)領(lǐng)域】，具體而言，涉及一種用于開(kāi)方機(jī)的托盤(pán)組件及具有其的開(kāi)方機(jī)。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，多晶硅片的加工工序主要是:在坩堝內(nèi)鑄成大塊的立方體硅錠，將大塊的立方體硅錠送入開(kāi)方機(jī)內(nèi)進(jìn)行開(kāi)方處理，通過(guò)開(kāi)方機(jī)內(nèi)的切割線將大塊的立方體硅錠切割成小塊的立方體硅塊，將小塊的立方體硅塊經(jīng)過(guò)特殊處理后送入硅片切割設(shè)備中，通過(guò)硅片切割設(shè)備的切割線將小塊的立方體硅塊切割成硅片。開(kāi)方機(jī)的切割線包括相互垂直的切割經(jīng)線和切割緯線，將大塊的立方體硅錠直接放到開(kāi)方機(jī)的的晶托上，切割線從晶托的上方沿垂直方向向硅塊移動(dòng)并且對(duì)硅塊進(jìn)行切割。
[0003]由于多晶硅鑄錠環(huán)節(jié)為了大幅降低生產(chǎn)成本，使得鑄造更大更重的硅錠成為其發(fā)展的一個(gè)重要方向，相應(yīng)的開(kāi)方處理后的硅塊也變得越來(lái)越長(zhǎng)，這就造成了開(kāi)方處理后的硅塊與現(xiàn)有硅片切割設(shè)備的不匹配，則必須截短該硅塊來(lái)適應(yīng)原硅片切割設(shè)備，這種改變引出了三個(gè)問(wèn)題:第一，硅塊截?cái)嗟娜蝿?wù)量大幅增加，由于原帶鋸或內(nèi)圓鋸均屬于逐塊逐刀加工方式，加工效率較低，人工搬運(yùn)硅塊的勞動(dòng)量大。第二，由于多晶硅錠體積變大，開(kāi)方機(jī)單位時(shí)間完成的硅塊開(kāi)方工量增加，產(chǎn)能出現(xiàn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)原帶鋸或內(nèi)圓鋸截?cái)喙鑹K的產(chǎn)能，造成開(kāi)方機(jī)利用率降低；第三，帶鋸或內(nèi)圓鋸所截?cái)嗟墓鑹K，中間斷面垂直度較差，切割質(zhì)量比較差，因此，直接導(dǎo)致后續(xù)硅片切割過(guò)程中的嚴(yán)重質(zhì)量問(wèn)題。此外，由于大塊的立方體硅錠的頂部和底部的成分不符合規(guī)定，因此，開(kāi)方處理后的小塊的立方體硅塊的兩端需要截去，這樣，增加了原帶鋸或內(nèi)圓鋸的負(fù)荷。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]本實(shí)用新型旨在提供一種有效提高開(kāi)方處理后的硅塊切割效率的用于開(kāi)方機(jī)的托盤(pán)組件及具有其的開(kāi)方機(jī)。
[0005]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)方面，提供了一種用于開(kāi)方機(jī)的托盤(pán)組件，包括:晶托，具有硅塊承載面，托盤(pán)組件還包括:第一定位基準(zhǔn)件，設(shè)置在硅塊承載面上。
[0006]進(jìn)一步地，硅塊承載面具有至少三個(gè)彼此獨(dú)立的承載區(qū)域，相鄰兩個(gè)承載區(qū)域之間形成間隙區(qū)域，第一定位基準(zhǔn)件為多個(gè)，任一第一定位基準(zhǔn)件設(shè)置在任一相應(yīng)的間隙區(qū)域內(nèi)，并作為相鄰兩個(gè)承載區(qū)域的共用定位基準(zhǔn)件。
[0007]進(jìn)一步地，至少三個(gè)承載區(qū)域均沿第一方向延伸并且彼此平行設(shè)置，多個(gè)第一定位基準(zhǔn)件均沿第一方向延伸并且彼此平行設(shè)置。
[0008]進(jìn)一步地，各承載區(qū)域均包括多個(gè)彼此獨(dú)立的分承載區(qū)域，各承載區(qū)域中的多個(gè)分承載區(qū)域均沿第一方向延伸并且沿第一方向間隔設(shè)置。
[0009]進(jìn)一步地，還包括:按壓組件，包括按壓件，按壓件在垂直于硅塊承載面的方向上可移動(dòng)地設(shè)置在硅塊承載面的上方。
[0010]進(jìn)一步地，按壓組件還包括:墊塊，設(shè)置在按壓件上，墊塊位于按壓件與硅塊承載面之間。
[0011]進(jìn)一步地，按壓組件還包括:導(dǎo)向桿，第一端設(shè)置在硅塊承載面或第一定位基準(zhǔn)件上，導(dǎo)向桿的第二端具有第一外螺紋，按壓件具有避讓導(dǎo)向桿的避讓通孔；螺母，具有與第一外螺紋配合的第一螺紋孔以及止擋按壓件的端壁。
[0012]進(jìn)一步地，螺母上設(shè)置有兩個(gè)凸耳，兩個(gè)凸耳相對(duì)于第一螺紋孔的軸線對(duì)稱設(shè)置。
[0013]進(jìn)一步地，還包括:多個(gè)按壓組件，各按壓組件均包括按壓件，按壓件在垂直于硅塊承載面的方向上可移動(dòng)地設(shè)置在硅塊承載面的上方，各分承載區(qū)域?qū)?yīng)至少一個(gè)按壓件。
[0014]進(jìn)一步地，第一定位基準(zhǔn)件由多個(gè)沿第一方向間隔設(shè)置的分定位基準(zhǔn)件組成，在第一方向上相鄰的兩個(gè)分定位基準(zhǔn)件之間具有避讓開(kāi)方機(jī)的切割經(jīng)線的第一避讓間隙。
[0015]進(jìn)一步地，硅塊承載面具有避讓開(kāi)方機(jī)的切割經(jīng)線的第一避讓通槽以及避讓開(kāi)方機(jī)的切割緯線的第二避讓通槽，第一避讓通槽沿第一方向延伸，第二避讓通槽與第一避讓通槽垂直，第一避讓通槽和第二避讓通槽均為多個(gè)。
[0016]進(jìn)一步地，還包括:定位基座，具有第一定位面，第一定位面上設(shè)置有至少兩個(gè)定位凸起，晶托具有與硅塊承載面相對(duì)的第二定位面，第二定位面上設(shè)置有至少兩個(gè)定位凹槽，至少兩個(gè)定位凹槽與至少兩個(gè)定位凸起一一對(duì)應(yīng)設(shè)置。
[0017]進(jìn)一步地，還包括多個(gè)止擋硅塊的止擋件，各承載區(qū)域均具有沿第一方向相對(duì)的第一端和第二端，第一端和第二端均對(duì)應(yīng)至少一個(gè)止擋件。
[0018]進(jìn)一步地，還包括:多個(gè)硅塊盛放架，各硅塊盛放架與晶托連接，各硅塊盛放架均具有硅塊承載部，各硅塊承載部設(shè)置有第二定位基準(zhǔn)件，多個(gè)硅塊承載部中的相鄰兩個(gè)硅塊承載部之間具有避讓開(kāi)方機(jī)的切割線的第二避讓間隙。
[0019]根據(jù)本實(shí)用新型的另一方面，提供了一種開(kāi)方機(jī)，包括底座和與底座可拆卸連接的托盤(pán)組件，其特征在于，托盤(pán)組件為上述的用于開(kāi)方機(jī)的托盤(pán)組件。
[0020]應(yīng)用本實(shí)用新型的技術(shù)方案，將經(jīng)過(guò)開(kāi)方處理后的小塊立方體的硅塊放置在硅塊承載面，由于該硅塊的體積相對(duì)于開(kāi)方處理之前小了很多，為了將該硅塊放置在對(duì)應(yīng)切割線的位置，因此，將該硅塊貼靠在第一定位基準(zhǔn)件的一側(cè)，很方便快捷的實(shí)現(xiàn)將該硅塊放置在對(duì)應(yīng)切割線的位置。第一定位基準(zhǔn)件起到了確定位置的作用。由上述分析可知，本實(shí)用新型的用于開(kāi)方機(jī)的托盤(pán)組件能使開(kāi)方處理后的硅塊很方便快捷地放置到對(duì)應(yīng)切割線的位置，并且通過(guò)切割線將該硅塊截?cái)喑尚枰某叽?。因此，本?shí)用新型的用于開(kāi)方機(jī)的托盤(pán)組件有效地提高了開(kāi)方處理后的硅塊的切割效率。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0021]構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分的說(shuō)明書(shū)附圖用來(lái)提供對(duì)本實(shí)用新型的進(jìn)一步理解，本實(shí)用新型的示意性實(shí)施例及其說(shuō)明用于解釋本實(shí)用新型，并不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型的不當(dāng)限定。在附圖中:
[0022]圖1示出了根據(jù)本實(shí)用新型的用于開(kāi)方機(jī)的托盤(pán)組件的實(shí)施例一的主視示意圖(圖中僅示出晶托、第一定位基準(zhǔn)件、止擋件和承載區(qū)域)；[0023]圖2示出了圖1托盤(pán)組件的主視示意圖(圖中還示了分承載區(qū)域)；
[0024]圖3示出了圖2的托盤(pán)組件的主視示意圖(圖中還示出了分定位基準(zhǔn)件)；
[0025]圖4示出了圖3的托盤(pán)組件的主視示意圖(圖中還示出了第一避讓通槽和第二避讓通槽)；
[0026]圖5示出了圖4的托盤(pán)組件的主視示意圖(圖中還示出了按壓組件)；
[0027]圖6示出了圖5的托盤(pán)組件的主視示意圖(圖中示出了硅塊、切割緯線和切割經(jīng)線)；
[0028]圖7示出了圖5的托盤(pán)組件的左視示意圖；
[0029]圖8示出了本實(shí)用新型的托盤(pán)組件的定位基座的側(cè)視示意圖；
[0030]圖9不出了圖8的定位基座的王視不意圖；以及
[0031]圖10示出了圖5的托盤(pán)組件的左視示意圖(圖中還示出了定位基座)。
[0032]其中，上述圖中的附圖標(biāo)記如下:
[0033]1、硅塊；2、切割經(jīng)線；3、切割緯線；10、晶托；11、硅塊承載面；12、第一避讓通槽；
13、承載區(qū)域；13a、第一端；13b、第二端；14、間隙區(qū)域；15、分承載區(qū)域；16、第二避讓通槽；17、止擋件；18、第二定位面；20、第一定位基準(zhǔn)件；21、分定位基準(zhǔn)件；22、第一避讓間隙；31、按壓件；32、墊塊；33、導(dǎo)向桿；34、螺母；35、凸耳；40、定位基座；41、第一定位面；42、定位凸起。
【具體實(shí)施方式】
[0034]需要說(shuō)明的是，在不沖突的情況下，本申請(qǐng)中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)用新型。
[0035]如圖1所示，本實(shí)施例的用于開(kāi)方機(jī)的托盤(pán)組件包括晶托10和第一定位基準(zhǔn)件20。晶托10具有硅塊承載面11，第一定位基準(zhǔn)件20設(shè)置在硅塊承載面11上。
[0036]應(yīng)用本實(shí)施例的用于開(kāi)方機(jī)的托盤(pán)組件，將經(jīng)過(guò)開(kāi)方處理后的小塊立方體的硅塊放置在硅塊承載面11，由于該硅塊的體積相對(duì)于開(kāi)方處理之前體積小了很多，為了將該硅塊放置在對(duì)應(yīng)切割線的位置，因此，將該硅塊外周面的一側(cè)貼靠在第一定位基準(zhǔn)件20的一偵牝這樣，很方便快捷地實(shí)現(xiàn)了將該硅塊放置在對(duì)應(yīng)切割線的位置。第一定位基準(zhǔn)件20起到了確定位置的作用。由上述分析可知，本實(shí)施例的用于開(kāi)方機(jī)的托盤(pán)組件能使開(kāi)方處理后的硅塊很方便快捷地放置到對(duì)應(yīng)切割線的位置，并且通過(guò)切割線將該硅塊截?cái)喑尚枰某叽?。因此，本?shí)施例的用于開(kāi)方機(jī)的托盤(pán)組件有效地提高了開(kāi)方處理后的硅塊的切割效率。
[0037]此外，由于晶托10的硅塊承載面11上可以放置多塊開(kāi)方處理后的硅塊，開(kāi)方機(jī)的切割線能夠同時(shí)截?cái)嗌鲜龆鄩K開(kāi)方處理后的硅塊，提高了切割效率。由于用切割線進(jìn)行切割的斷面垂直度可達(dá)到0.3mm以內(nèi)，而帶鋸或內(nèi)圓鋸加工的斷面垂直度在Imm以上,這樣，提高了切割質(zhì)量。開(kāi)方機(jī)的切割線可以根據(jù)需要進(jìn)行編排。第一定位基準(zhǔn)件20優(yōu)選為定位塊，當(dāng)然，可以是與硅塊承載面11垂直的定位桿。第一定位基準(zhǔn)件20同時(shí)起到止擋硅塊的作用。優(yōu)選地，第一定位基準(zhǔn)件20位于硅塊承載面11的中部。
[0038]為了進(jìn)一步提高開(kāi)方處理后的硅塊的切割效率。如圖1所示，在本實(shí)施例中，硅塊承載面11具有五個(gè)彼此獨(dú)立的承載區(qū)域13 (圖中虛線框)，相鄰兩個(gè)承載區(qū)域13之間形成間隙區(qū)域14，在本實(shí)施例中，有四個(gè)間隙區(qū)域14。第一定位基準(zhǔn)件20為三個(gè)，任一第一定位基準(zhǔn)件20設(shè)置在任一相應(yīng)的間隙區(qū)域14內(nèi)，并作為相鄰兩個(gè)承載區(qū)域13的共用定位基準(zhǔn)件，也就是說(shuō)，一個(gè)第一定位基準(zhǔn)件20設(shè)置在一個(gè)間隙區(qū)域14上，但是，第一定位基準(zhǔn)件20與間隙區(qū)域14可以數(shù)量不相等。在本實(shí)施例中，有一個(gè)間隙區(qū)域14內(nèi)沒(méi)有設(shè)置第一定位基準(zhǔn)件20。當(dāng)然，承載區(qū)域13以及第一定位基準(zhǔn)件20的數(shù)量不限于上述數(shù)量，承載區(qū)域13的數(shù)量為至少三個(gè)，第一定位基準(zhǔn)件20的數(shù)量為至少兩個(gè)，均可以大幅提高放置在硅塊承載面11上的硅塊的數(shù)量，進(jìn)而提高開(kāi)方處理后的硅塊的切割效率。
[0039]如圖1所示，在本實(shí)施例中，五個(gè)承載區(qū)域13均沿第一方向延伸并且彼此平行設(shè)置，三個(gè)第一定位基準(zhǔn)件20均沿第一方向延伸并且彼此平行設(shè)置。這樣，能夠統(tǒng)一各硅塊的排列方式，增加硅塊承載面11的利用率，進(jìn)而提高開(kāi)方處理后的硅塊的切割效率。
[0040]如圖1所示，本實(shí)施例的托盤(pán)組件還包括多個(gè)止擋硅塊的止擋件17，各承載區(qū)域13均具有沿第一方向相對(duì)的第一端13a和第二端13b,第一端13a和第二端13b均對(duì)應(yīng)至少一個(gè)止擋件17。經(jīng)開(kāi)方處理后的硅塊在被切割時(shí)會(huì)分別朝向第一端13a的外側(cè)和第二端13b的外側(cè)移動(dòng)，影響切割的效果，由于設(shè)置了止擋件17，能夠?qū)Ρ磺懈畹墓鑹K的至少一端產(chǎn)生止擋作用。止擋件17優(yōu)選為與硅塊承載面11垂直的止擋桿，當(dāng)然，也可以是止擋板。優(yōu)選地，第一端13a和第二端13b均對(duì)應(yīng)兩個(gè)止擋桿。
[0041]為了進(jìn)一步提高開(kāi)方處理后的硅塊的切割效率。如圖2所示，在本實(shí)施例中，各承載區(qū)域13均包括兩個(gè)彼此獨(dú)立的分承載區(qū)域15 (圖中虛線框)，各承載區(qū)域13中的兩個(gè)分承載區(qū)域15均沿第一方向延伸并且沿第一方向間隔設(shè)置，每個(gè)分承載區(qū)域15上放置一塊經(jīng)開(kāi)方處理后的硅塊。在本實(shí)施例中，分承載區(qū)域15的數(shù)量為十個(gè)，也就是說(shuō)，應(yīng)用本實(shí)施例的托盤(pán)組件的開(kāi)方機(jī)能夠同時(shí)切割十塊經(jīng)開(kāi)方處理后的硅塊。當(dāng)然，各承載區(qū)域13也可以均包括三個(gè)以上的彼此獨(dú)立的分承載區(qū)域15。每個(gè)分承載區(qū)域15在第一方向上的長(zhǎng)度與經(jīng)開(kāi)方處理后的硅塊的高度相等，硅塊平躺放置在分承載區(qū)域15上，硅塊的外周的一個(gè)表面與分承載區(qū)域15完全貼合，提高硅塊承載面11的利用率。
[0042]由于第一定位基準(zhǔn)件20的材料可能損壞開(kāi)方機(jī)的切割經(jīng)線(垂直于第一方向)，為了防止切割經(jīng)線切割到第一定位基準(zhǔn)件20，造成切割經(jīng)線的損壞。如圖3所示，在本實(shí)施例中，第一定位基準(zhǔn)件20由五個(gè)沿第一方向間隔設(shè)置的分定位基準(zhǔn)件21，在第一方向上相鄰的兩個(gè)分定位基準(zhǔn)件21之間具有避讓開(kāi)方機(jī)的切割經(jīng)線的第一避讓間隙22，第一避讓間隙22數(shù)量為四個(gè)。當(dāng)然，分定位基準(zhǔn)件21的數(shù)量可以根據(jù)需要設(shè)定，只要大于兩個(gè)即可。各分定位基準(zhǔn)件21在第一方向上的長(zhǎng)度不一定相等。
[0043]為了使開(kāi)方機(jī)的切割線將硅塊完全截?cái)?，開(kāi)方機(jī)的切割線會(huì)切割到晶托10，此外，由于開(kāi)方機(jī)的切割經(jīng)線在切割硅塊時(shí)產(chǎn)生線弓，同樣會(huì)切割到晶托10。由于晶托10的材料可能損壞開(kāi)方機(jī)的切割線，為了防止晶托10損壞切割線，如圖4所示，在本實(shí)施例中，硅塊承載面11具有避讓開(kāi)方機(jī)的切割經(jīng)線的第一避讓通槽12以及避讓開(kāi)方機(jī)的切割緯線(平行于第一方向)的第二避讓通槽16，第一避讓通槽12沿第一方向延伸，第二避讓通槽16與第一避讓通槽12垂直，第一避讓通槽12為四個(gè)，第二避讓通槽16為兩個(gè)。第一避讓通槽12的數(shù)量與同一第一方向上的第一避讓間隙22數(shù)量相等。當(dāng)然，第一避讓通槽12和第二避讓通槽16的數(shù)量可以根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)情況來(lái)確定。
[0044]經(jīng)開(kāi)方處理后的硅塊較開(kāi)方之前的體積變得很小，為了防止經(jīng)開(kāi)方處理后的硅塊由于晶托10的搬運(yùn)而在硅塊承載面11上產(chǎn)生移動(dòng)，影響切割效果，如圖5所示，本實(shí)施例的托盤(pán)組件還包括按壓組件，按壓組件包括按壓件31，按壓件31在垂直于硅塊承載面11的方向上可移動(dòng)地設(shè)置在硅塊承載面11的上方。先將經(jīng)開(kāi)方處理后的硅塊放置在硅塊承載面11上，然后驅(qū)動(dòng)按壓件31朝向該硅塊移動(dòng)，并按壓在該硅塊上，實(shí)現(xiàn)對(duì)該硅塊的固定。
[0045]如圖7所示，在本實(shí)施例中，按壓組件還包括墊塊32，墊塊32設(shè)置在按壓件31上，墊塊32位于按壓件31與硅塊承載面11之間。這樣，按壓件31通過(guò)墊塊32按壓在硅塊上，能夠防止按壓件31對(duì)硅塊造成損傷。墊塊32優(yōu)選為軟質(zhì)膠皮。
[0046]如圖7所示，在本實(shí)施例中，按壓組件還包括導(dǎo)向桿33和螺母34。導(dǎo)向桿33的第一端設(shè)置在第一定位基準(zhǔn)件20上，也就是說(shuō)，導(dǎo)向桿33的第一端設(shè)置在分定位基準(zhǔn)件21上。導(dǎo)向桿33的第二端具有第一外螺紋，按壓件31具有避讓導(dǎo)向桿33的避讓通孔。當(dāng)然，導(dǎo)向桿33的第一端可以設(shè)置在硅塊承載面11上。螺母34具有與第一外螺紋配合的第一螺紋孔以及止擋按壓件31的端壁。通過(guò)螺母34與導(dǎo)向桿33的配合即可實(shí)現(xiàn)按壓件31在垂直于硅塊承載面11的方向上可移動(dòng)地設(shè)置，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單可靠。當(dāng)然，作為可行的實(shí)施方式，按壓件31可以通過(guò)齒輪與齒條配合的結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)按壓件31在垂直于硅塊承載面11的方向上可移動(dòng)地設(shè)置。當(dāng)然，每個(gè)按壓組件中的導(dǎo)向桿33優(yōu)選為兩個(gè)。此外，每個(gè)按壓組件也可以具有一體成型的兩個(gè)按壓件31。
[0047]如圖7所示，在本實(shí)施例中，螺母34上設(shè)置有兩個(gè)凸耳35，兩個(gè)凸耳35相對(duì)于第一螺紋孔的軸線對(duì)稱設(shè)置。工作人員通過(guò)轉(zhuǎn)動(dòng)兩個(gè)凸耳35來(lái)很方便地實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)動(dòng)螺母34。
[0048]如圖5所示，在本實(shí)施例中，按壓組件為多個(gè)，各分承載區(qū)域15對(duì)應(yīng)兩個(gè)按壓件31。這樣，放置在硅塊承載面11上的硅塊均可以被按壓件31按壓。各分承載區(qū)域15也可以對(duì)應(yīng)一個(gè)按壓件31。
[0049]如圖6所不,在本實(shí)施例中，經(jīng)開(kāi)方處理后的娃塊I與分承載區(qū)域15 對(duì)應(yīng)并放置在分承載區(qū)域15上。每個(gè)硅塊被兩條切割經(jīng)線2 (圖中虛線)所切割，一條切割經(jīng)線2的作用是將硅塊的不符合規(guī)定的一端截?cái)?，另一條切割經(jīng)線2將硅塊的符合規(guī)定的部分截?cái)?，也就是說(shuō)，將符合規(guī)定的比較長(zhǎng)的硅塊截?cái)喑蓛蓧K比較短的硅塊，以匹配現(xiàn)有的硅片切割設(shè)備。兩條切割緯線3 (圖中虛線)與兩個(gè)第二避讓通槽16—一對(duì)應(yīng)。
[0050]如圖8和9所示，本實(shí)施例的托盤(pán)組件還包括定位基座40。定位基座40具有第一定位面41，第一定位面41上設(shè)置有兩個(gè)定位凸起42，如圖7所示，晶托10具有與硅塊承載面11相對(duì)的第二定位面18，第二定位面18上設(shè)置有三個(gè)定位凹槽(圖中未示出)，三個(gè)定位凹槽與三個(gè)定位凸起42 —一對(duì)應(yīng)設(shè)置。通過(guò)定位凹槽與定位凸起42的配合能夠?qū)⒕?0很穩(wěn)定的放置在定位基座40上，這樣，方便晶托10的取放。提高了更換硅塊的效率。當(dāng)然，定位凸起42和定位凹槽的數(shù)量不限于上述固定的數(shù)量，定位凸起42以及定位凹槽的數(shù)量只要均大于兩個(gè)即可。三個(gè)定位凸起42的連線優(yōu)選為三角形。如圖10所示，在本實(shí)施例中，晶托10與定位基座40相配合,第一定位面與第二定位面相貼合。
[0051]本實(shí)施例的托盤(pán)組件還包括多個(gè)硅塊盛放架(未圖示)。各硅塊盛放架與晶托連接，各硅塊盛放架均具有硅塊承載部，各硅塊承載部設(shè)置有第二定位基準(zhǔn)件，多個(gè)硅塊承載部中的相鄰兩個(gè)硅塊承載部之間具有避讓開(kāi)方機(jī)的切割線的第二避讓間隙。這樣，能夠在娃塊承載面的上方增加了一層娃塊，這樣，增加了開(kāi)方機(jī)的切割線同時(shí)切割娃塊的數(shù)量，提高了開(kāi)方處理后的硅塊的切割效率。各硅塊盛放架的尺寸不一定相等，多個(gè)硅塊盛放架上盛放的硅塊的的數(shù)量與硅塊承載面上盛放的硅塊的的數(shù)量相等，并且上下兩層的硅塊一一對(duì)應(yīng)。
[0052]本實(shí)用新型還提供了一種開(kāi)方機(jī)(未圖示)。本實(shí)施例的開(kāi)方機(jī)包括底座和與底座可拆卸連接的托盤(pán)組件，托盤(pán)組件為上述實(shí)施例的用于開(kāi)方機(jī)的托盤(pán)組件。優(yōu)選地，底座與定位基座通過(guò)螺栓和螺母連接。本實(shí)施例的開(kāi)方機(jī)能夠方便準(zhǔn)確地切割經(jīng)開(kāi)方處理后的多個(gè)硅塊。提高了硅塊的切割效率和切割質(zhì)量。
[0053]以上所述僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本實(shí)用新型，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本實(shí)用新型可以有各種更改和變化。凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種用于開(kāi)方機(jī)的托盤(pán)組件，包括: 晶托(10)，具有硅塊承載面(11 )，其特征在于，所述托盤(pán)組件還包括: 第一定位基準(zhǔn)件(20 )，設(shè)置在所述硅塊承載面(11)上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的托盤(pán)組件，其特征在于，所述硅塊承載面(11)具有至少三個(gè)彼此獨(dú)立的承載區(qū)域(13)，相鄰兩個(gè)所述承載區(qū)域(13)之間形成間隙區(qū)域(14)，所述第一定位基準(zhǔn)件(20)為多個(gè)，任一所述第一定位基準(zhǔn)件(20)設(shè)置在任一相應(yīng)的所述間隙區(qū)域(14)內(nèi)，并作為所述相鄰兩個(gè)所述承載區(qū)域(13)的共用定位基準(zhǔn)件。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的托盤(pán)組件，其特征在于，所述至少三個(gè)承載區(qū)域(13)均沿第一方向延伸并且彼此平行設(shè)置，所述多個(gè)第一定位基準(zhǔn)件(20)均沿所述第一方向延伸并且彼此平行設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的托盤(pán)組件，其特征在于，各所述承載區(qū)域(13)均包括多個(gè)彼此獨(dú)立的分承載區(qū)域(15)，各所述承載區(qū)域(13)中的所述多個(gè)分承載區(qū)域(15)均沿所述第一方向延伸并且沿所述第一方向間隔設(shè)置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的托盤(pán)組件，其特征在于，還包括: 按壓組件，包括按壓件(31 )，所述按壓件(31)在垂直于所述硅塊承載面(11)的方向上可移動(dòng)地設(shè)置在所述硅塊承載面(11)的上方。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的托盤(pán)組件，其特征在于，所述按壓組件還包括: 墊塊(32)，設(shè)置在所述按壓件(31)上，所述墊塊(32)位于所述按壓件(31)與所述硅塊承載面(11)之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的托盤(pán)組件，其特征在于，所述按壓組件還包括: 導(dǎo)向桿(33 )，第一端設(shè)置在所述硅塊承載面(11)或所述第一定位基準(zhǔn)件(20 )上，所述導(dǎo)向桿(33)的第二端具有第一外螺紋，所述按壓件(31)具有避讓所述導(dǎo)向桿(33)的避讓通孔； 螺母(34)，具有與所述第一外螺紋配合的第一螺紋孔以及止擋所述按壓件(31)的端壁。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的托盤(pán)組件，其特征在于，所述螺母上設(shè)置有兩個(gè)凸耳(35)，所述兩個(gè)凸耳(35)相對(duì)于所述第一螺紋孔的軸線對(duì)稱設(shè)置。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的托盤(pán)組件，其特征在于，還包括: 多個(gè)按壓組件，各所述按壓組件均包括按壓件(31 )，所述按壓件(31)在垂直于所述硅塊承載面(11)的方向上可移動(dòng)地設(shè)置在所述硅塊承載面(11)的上方，各所述分承載區(qū)域(15)對(duì)應(yīng)至少一個(gè)所述按壓件(31)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的托盤(pán)組件，其特征在于，所述第一定位基準(zhǔn)件(20)由多個(gè)沿第一方向間隔設(shè)置 的分定位基準(zhǔn)件(21)組成，在所述第一方向上相鄰的兩個(gè)所述分定位基準(zhǔn)件(21)之間具有避讓開(kāi)方機(jī)的切割經(jīng)線的第一避讓間隙(22)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的托盤(pán)組件，其特征在于，所述硅塊承載面(11)具有避讓所述開(kāi)方機(jī)的切割經(jīng)線的第一避讓通槽(12)以及避讓所述開(kāi)方機(jī)的切割緯線的第二避讓通槽(16)，所述第一避讓通槽(12)沿所述第一方向延伸，所述第二避讓通槽(16)與所述第一避讓通槽(12)垂直，所述第一避讓通槽(12)和所述第二避讓通槽(16)均為多個(gè)。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的托盤(pán)組件，其特征在于，還包括:定位基座(40)，具有第一定位面(41 )，所述第一定位面(41)上設(shè)置有至少兩個(gè)定位凸起(42)，所述晶托(10)具有與所述硅塊承載面(11)相對(duì)的第二定位面(18)，所述第二定位面(18)上設(shè)置有至少兩個(gè)定位凹槽，所述至少兩個(gè)定位凹槽與所述至少兩個(gè)定位凸起(42)——對(duì)應(yīng)設(shè)置。
13.根據(jù)權(quán)利要求3所述的托盤(pán)組件，其特征在于，還包括多個(gè)止擋硅塊的止擋件(17)，各所述承載區(qū)域(13)均具有沿所述第一方向相對(duì)的第一端(13a)和第二端(13b)，所述第一端(13a)和所述第二端(13b)均對(duì)應(yīng)至少一個(gè)所述止擋件(17)。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的托盤(pán)組件，其特征在于，還包括: 多個(gè)硅塊盛放架，各所述硅塊盛放架與所述晶托(10)連接，各所述硅塊盛放架均具有硅塊承載部，各所述硅塊承載部設(shè)置有第二定位基準(zhǔn)件，多個(gè)所述硅塊承載部中的相鄰兩個(gè)所述硅塊承載部之間具有避讓開(kāi)方機(jī)的切割線的第二避讓間隙。
15.一種開(kāi)方機(jī)，包括底座和與所述底座可拆卸連接的托盤(pán)組件，其特征在于，所述托盤(pán)組件為權(quán)利要求1至14 中任一項(xiàng)所述的用于開(kāi)方機(jī)的托盤(pán)組件。
【文檔編號(hào)】B28D5/04GK203485322SQ201320597812
【公開(kāi)日】2014年3月19日 申請(qǐng)日期:2013年9月23日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月23日
【發(fā)明者】田歡, 崔嘉軒 申請(qǐng)人:保定天威英利新能源有限公司