一種拋光磚拋釉磚加工工藝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種拋光磚拋釉磚加工工藝，其特征在于，包括：拋光—水洗—風(fēng)干—潔亮—第一次防污—磨邊—水洗—風(fēng)干—對色、分級—第二次防污—包裝。其中，所述潔亮是指在風(fēng)干后的磚體表面涂布一層二氧化硅溶膠，二氧化硅溶膠經(jīng)失水后聚合成玻璃體填充在拋光磚面層的孔洞內(nèi)；所述第一次防污是指在潔亮后的磚體表面涂布不足量的防污液，充當(dāng)工序間的臨時(shí)保護(hù)；所述第二次防污是指在磚體表面涂布防污液形成永久保護(hù)。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明將磨邊工序放在第一次防污工藝，即使在瓷磚邊緣存在暗邊區(qū)，但通過后續(xù)的磨邊工序也可將暗邊區(qū)完全磨去，從根本上解決了高光澤度拋光磚的邊沿光度低、防污差的問題，使高光澤度拋光磚的產(chǎn)品性能得到極大提升。
【專利說明】—種拋光磚拋釉磚加工工藝
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及建筑陶瓷【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種拋光磚拋釉磚加工工藝。
【背景技術(shù)】
[0002]在拋光磚的制備過程中，當(dāng)磚體被拋光后其表面層布滿毛細(xì)孔，這些毛細(xì)孔容易填充、吸附其他固體顆粒、液體、膠體等，從而造成污染。為提高拋光磚的抗污性能，需在磚體表面層涂覆防污液。
[0003]如圖1所示，傳統(tǒng)的拋光磚制備工藝主要包括以下流程:粗拋、中拋一精拋一磨邊一水洗一風(fēng)干一潔亮一對色、分級一防污一包裝。在傳統(tǒng)工藝中，磨邊之后，磚體的尺寸就被定型，受潔亮和防污工藝本身的局限性，在磚體邊緣往往存在暗邊，光度低，防污效果差的缺陷，以及崩角、爛邊造成少量廢品。對于一些光澤度要求不高(75° -85° )的拋光磚而言，這種缺陷帶來的影響并不是很明顯；而對于一些高光澤度(95° -100° )的拋光磚拋釉磚而言，這種缺陷是不允許的。尤其當(dāng)相鄰地磚拼合在一起使用一段時(shí)間后，黑邊面積翻倍而變得更加凸顯，難以滿足客戶對高檔地磚所提出的要求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷，本發(fā)明的目的在于提供一種無暗邊，拋光磚邊緣防污效果凸出的拋光磚拋 釉磚加工工藝。
[0005]為達(dá)到以上目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案。
[0006]一種拋光磚拋釉磚加工工藝，其特征在于，包括:拋光一7jC洗一風(fēng)干一潔亮一第一次防污一磨邊一水洗一風(fēng)干一對色、分級一第二次防污一包裝；其中，
[0007]所述潔亮是指在風(fēng)干后的磚體表面涂布一層二氧化硅溶膠，二氧化硅溶膠經(jīng)失水后聚合成玻璃體填充在拋光磚面層的孔洞內(nèi)，形成光滑的鏡面；
[0008]所述第一次防污是指在潔亮后的磚體表面涂布不足量的防污液，充當(dāng)工序間的臨時(shí)保護(hù)；
[0009]所述第二次防污是指在磚體表面涂布防污液形成永久保護(hù)。
[0010]作為上述方案的一種改進(jìn)，所述二氧化硅溶膠利用正硅酸乙酯，乙醇，去離子水和催化劑經(jīng)復(fù)雜反應(yīng)制成；也可用金屬硅直接水合生成。
[0011]作為上述方案的一種改進(jìn)，所述二氧化娃溶膠的固含量為5-30%。
[0012]作為上述方案的一種改進(jìn)，第一次防污時(shí)防污液的涂布量不超過拋光磚對防污液吸收總量的80%，第一次防污與第二次防污所用防污液總量不超過拋光磚對防污液吸收總量的100%。
[0013]作為上述方案的一種改進(jìn)，所述防污液由兩種能發(fā)生聚合反應(yīng)的有機(jī)硅油混合而成，其中一種有機(jī)硅油為含氫硅油，另一種有機(jī)硅油為烷基改性硅油，聚醚改性硅油，環(huán)氧改性硅油,羥基改性硅油中的一種。
[0014]作為上述方案的一種改進(jìn)，所述防污液為溶劑型防污液，該溶劑型防污液按重量份計(jì)包括以下原料:
[0015]含氫硅油，15-20份；
[0016]氨基硅烷，0.5-2.5份；
[0017]120號溶劑汽油，100份； [0018]200號溶劑汽油或溶劑汽油D-40，0-4份；
[0019]氨基硅油，3-5份。
[0020]作為上述方案的一種改進(jìn)，所述潔亮工序是通過多組加壓磨盤連續(xù)拋磨來實(shí)現(xiàn)的，所述加壓磨盤的工作壓力為1-5公斤力/平方厘米，每塊拋光磚經(jīng)過加壓磨盤的數(shù)量為3-40 組。
[0021]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的一種拋光磚拋釉磚加工工藝具有以下有益效果:
[0022]一、將磨邊工序放在第一次防污工藝之后，拋光磚邊緣區(qū)即暗邊區(qū)通過后續(xù)的磨邊工序可完全磨去，從根本上解決了高光澤度拋光磚的邊緣光度低、防污差的問題，使高光澤度拋光磚的產(chǎn)品性能得到極大提升。
[0023]二、由于第一次防污與第二次防污所用防污液總量不超過拋光磚對防污液吸收總量的100%，有效避免因防污的涂布而帶來色差問題。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0024]圖1所示為現(xiàn)有的拋光磚加工工藝流程圖；
[0025]圖2所示為本發(fā)明提供的拋光磚加工工藝流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0026]為方便本領(lǐng)域普通技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的實(shí)質(zhì)，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】進(jìn)行詳細(xì)闡述。
[0027]實(shí)施例一
[0028]如圖2所示，一種拋光磚拋釉磚加工工藝，包括如下步驟:
[0029]I)粗、中拋，利用粗拋設(shè)備對瓷磚粗坯進(jìn)行拋磨，去除瓷磚粗坯上的較大凸起，使磚體表面盡量平整。
[0030]2)精拋，利用精拋機(jī)對瓷磚粗坯繼續(xù)拋磨，使瓷磚表面的光度達(dá)到25° -55°。在精拋之前進(jìn)行粗、中拋的好處是，不僅減少精拋機(jī)的磨損，而且盡量節(jié)約了拋光時(shí)間尤其是精拋時(shí)間。
[0031]3)水洗，利用水洗去瓷磚上的拋光粉末。
[0032]4)風(fēng)干，將水洗后的瓷磚防止在陰涼通風(fēng)處，讓殘留的水潰自然揮發(fā)。
[0033]5)潔亮，在瓷磚表面涂布一層的二氧化硅溶膠，二氧化硅溶膠經(jīng)失水后聚合成玻璃體填充在瓷磚面層的孔洞內(nèi)。具體進(jìn)行潔亮?xí)r，將瓷磚依次通過多組加壓磨盤，在每組加壓磨盤上添加適量的二氧化硅溶膠，利用加壓磨盤的連續(xù)拋磨實(shí)現(xiàn)瓷磚的潔亮。本實(shí)施例中，優(yōu)選加壓磨盤的工作壓力約為3公斤力/平方厘米，每塊瓷磚經(jīng)過加壓磨盤的數(shù)量為30組。其他實(shí)施方式中，加壓磨盤的工作壓力在1-5公斤力/平方厘米內(nèi)調(diào)整，加壓磨盤的數(shù)量在10-40組內(nèi)調(diào)整,不限于本實(shí)施例。
[0034]6)第一次防污，在潔亮后的磚體表面涂布不足量的防污液，充當(dāng)工序間的臨時(shí)保護(hù)。防污液的涂布量為拋光磚對防污液吸收總量的80%。
[0035]7)磨邊，利用磨邊機(jī)去除瓷磚邊緣部分形成平整邊面，并使瓷磚符合既定的尺寸標(biāo)注。
[0036] 8)水洗，利用水洗去磨邊時(shí)產(chǎn)生的粉末。
[0037]9)風(fēng)干，將水洗后的瓷磚防止在陰涼通風(fēng)處，讓殘留的水潰自然揮發(fā)。
[0038]10)對色、分級，將制得的瓷磚與既定的標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行對比，進(jìn)行分級。
[0039]11)第二次防污，在磚體表面涂布防污液形成永久保護(hù)。第二次防污時(shí)，防污液的涂布量為拋光磚能吸收的剩余量。為避免防污的涂布導(dǎo)致拋光磚出現(xiàn)色差，第一次防污與第二次防污所用防污液總量不超過拋光磚對防污液吸收總量的100%。
[0040]12)包裝，將產(chǎn)品打包，入庫存放。
[0041]其中，所述二氧化硅溶膠利用正硅酸乙酯，乙醇，去離子水和催化劑反應(yīng)制配而成。本實(shí)施例中，二氧化硅溶膠的固含量優(yōu)選為15%。在其他實(shí)施方式中，二氧化硅溶膠的固含量在5-30%中自由選擇,不限于本實(shí)施例。
[0042]所述防污液由兩種能發(fā)生聚合反應(yīng)的有機(jī)硅油混合而成，其中一種有機(jī)硅油為含氫硅油，另一種有機(jī)硅油為烷基改性硅油。在其他實(shí)施方式中，所述烷基改性硅油用聚醚改性硅油，環(huán)氧改性硅油，氨基改性硅油，羥基改性硅油中的一種替代。
[0043]本實(shí)施例提供的一種拋光磚拋釉磚加工工藝，由于在磨邊之前進(jìn)行了潔亮和第一次防污工藝，雖然經(jīng)第一防污工序后，在瓷磚邊緣區(qū)存在暗邊、光度低、防污效果差的缺陷，但通過后續(xù)的磨邊工序?qū)颠厖^(qū)完全磨去,從根本上解決了高光澤度拋光磚的暗邊問題，使高光澤度拋光磚的產(chǎn)品性能得到極大提升。實(shí)施例二
[0044]一種拋光磚拋釉磚加工工藝，其特征在于，包括:拋光一7jC洗一風(fēng)干一潔亮一第一次防污一磨邊一水洗一風(fēng)干一對色、分級一第二次防污一包裝。
[0045]其中，所述潔亮是指在風(fēng)干后的磚體表面涂布一層二氧化硅溶膠，二氧化硅溶膠經(jīng)失水后聚合成玻璃體填充在拋光磚面層的孔洞內(nèi)。所述第一次防污是指在潔亮后的磚體表面涂布不足量的防污液，充當(dāng)工序間的臨時(shí)保護(hù)。所述第二次防污是指在磚體表面涂布防污液形成永久保護(hù)。
[0046]本實(shí)施例提供的拋光磚拋釉磚制造工藝與實(shí)施例一基本一致，區(qū)別在于:
[0047]一、將二氧化硅溶膠的固含量優(yōu)選為20%。
[0048]二、所述防污液為溶劑型防污液，該溶劑型防污液按重量份計(jì)包括以下原料:
[0049]含氫硅油，15-20份；
[0050]氨基硅烷，0.5-2.5份；
[0051]120號溶劑汽油，100份；
[0052]200號溶劑汽油或溶劑汽油D-40，0-4份；
[0053]氨基硅油，3-5份。
[0054]三、在進(jìn)行潔亮工序時(shí)，加壓磨盤的組數(shù)改為20組。
[0055]以上【具體實(shí)施方式】對本發(fā)明的實(shí)質(zhì)進(jìn)行了詳細(xì)說明，但并不能以此來對本發(fā)明的保護(hù)范圍進(jìn)行限制。但凡依照本發(fā)明之實(shí)質(zhì)，所做的簡單改進(jìn)、修飾或等效變換，都落在本發(fā)明的權(quán)利要求保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種拋光磚拋釉磚加工工藝，其特征在于，包括:拋光一水洗一風(fēng)干一潔亮一第一次防污一磨邊一水洗一風(fēng)干一對色、分級一第二次防污一包裝；其中，所述潔亮是指在風(fēng)干后的磚體表面涂布一層二氧化硅溶膠，二氧化硅溶膠經(jīng)失水后聚合成玻璃體填充在拋光磚面層的孔洞內(nèi)，形成光滑的鏡面； 所述第一次防污是指在潔亮后的磚體表面涂布不足量的防污液，充當(dāng)工序間的臨時(shí)保護(hù)； 所述第二次防污是指在磚體表面涂布防污液形成永久保護(hù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種拋光磚拋釉磚加工工藝，其特征在于，所述二氧化硅溶膠利用正硅酸乙酯，乙醇，去離子水和催化劑反應(yīng)制備而成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種拋光磚拋釉磚加工工藝，其特征在于，所述二氧化硅溶膠的固含量為5-30%。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種拋光磚拋釉磚加工工藝，其特征在于，第一次防污時(shí)防污液的涂布量不超過拋光磚對防污液吸收總量的80%，第一次防污與第二次防污所用防污液總量不超過拋光磚對防污液吸收總量的100%。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種拋光磚拋釉磚加工工藝，其特征在于，所述防污液由兩種能發(fā)生聚合反應(yīng)的有機(jī)硅油混合而成，其中一種有機(jī)硅油為含氫硅油，另一種有機(jī)硅油為烷基改性硅油，聚醚改性硅油，環(huán)氧改性硅油，羥基改性硅油中的一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種拋光磚拋釉磚加工工藝，其特征在于，所述防污液為溶劑型防污液，該溶劑型防污液按重量份計(jì)包括以下原料: 含氫硅油，15-20份； 氨基硅烷，0.5-2.5份； 120號溶劑汽油，100份； 200號溶劑汽油或溶劑汽油D-40，0-4份； 氨基硅油，3-5份。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種拋光磚拋釉磚加工工藝，其特征在于，所述潔亮工序是通過多組加壓磨盤連續(xù)拋磨來實(shí)現(xiàn)的，所述加壓磨盤的工作壓力為1-5公斤力/平方厘米，每塊拋光磚經(jīng)過加壓磨盤的數(shù)量為3-40組。
【文檔編號】C04B41/89GK103964901SQ201410184712
【公開日】2014年8月6日 申請日期:2014年5月4日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月4日
【發(fā)明者】林亮銀, 姚燕春 申請人:佛山市三水宏源陶瓷企業(yè)有限公司