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陶瓷配飾磚的制造工藝及通過該工藝制成的陶瓷配飾磚的制作方法

文檔序號:1905237閱讀:177來源:國知局
陶瓷配飾磚的制造工藝及通過該工藝制成的陶瓷配飾磚的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及陶瓷配飾磚的制造工藝及陶瓷配飾磚。該制造工藝包括:⑴在已燒成陶瓷磚表面玻璃層印刷底釉;⑵在印刷底釉層上噴墨打印形成圖案;⑶在圖案層表面兩次布施透明干粒、燒成;⑷采用貼膜定位電鍍法,在表面玻璃層凹槽內(nèi)電鍍金屬色、燒成;⑸對燒成后制品的表面進(jìn)行拋光;⑹對燒后的配飾磚坯進(jìn)行切割,制成配飾磚。陶瓷配飾磚結(jié)構(gòu)由基礎(chǔ)磚、基礎(chǔ)磚表面布施的底釉層、底釉層上附著的圖案層,在圖案層表面布施的第一干粒層和第二干粒層;第二布料干粒層的層面向?qū)觾?nèi)凹設(shè)的不規(guī)則凹坑、凹槽或凹曲線組成。配飾磚品種包括:地花、地線、腰線、轉(zhuǎn)角等,用于陶瓷墻地磚的配套功能。
【專利說明】陶瓷配飾磚的制造工藝及通過該工藝制成的陶瓷配飾磚
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及建筑陶瓷磚生產(chǎn)領(lǐng)域,特別涉及一種陶瓷配飾磚的制造工藝及通過該制造工藝制成的陶瓷配飾磚。
【背景技術(shù)】
[0002]瓷磚是構(gòu)建生活空間必不可少的裝飾材料,它賦予空間以使用功能和裝飾審美情趣,而與之配套的配飾產(chǎn)品更是不可或缺的重要配套組成。
[0003]第一代配飾磚,是在二次燒成的陶瓷成品磚表面上,采用絲網(wǎng)印刷圖案、堆干粒燒制而成,其僅限于平面磚的裝飾;第二代配飾磚采用了浮雕模面,結(jié)合后工序的由人工彩繪或低溫烤花,生產(chǎn)墻體花片和腰線配飾;第三代配飾磚擴(kuò)展到地磚的應(yīng)用,其基礎(chǔ)材料也不再限于瓷磚,以石材、樹脂等基礎(chǔ)材料的配飾產(chǎn)品也加入陶瓷配飾磚的行列。
[0004]目前水刀切割、拼接的陶瓷配飾磚大多由陶瓷磚生產(chǎn)企業(yè)組織生產(chǎn),通過預(yù)先設(shè)計(jì)圖案,采用不用色的成品磚進(jìn)行切割、組合拼接,成為配飾產(chǎn)品,通常一組地面配飾磚要由十幾甚至數(shù)十單元組成;其切割量大、拼接復(fù)雜,浪費(fèi)大、效率低,常作為高級裝飾的大廳、大堂所選用。
[0005]CN201210112608.4公開了一種鍍金屬拋釉陶瓷磚制品,其包括磚體、磚體表面有凹槽、凹槽內(nèi)填充有金屬鍍層,凹槽內(nèi)的鍍金屬層經(jīng)過加工處理形成鍍金屬層殘缺。這種鍍金屬層制品的制作工藝是先在陶瓷磚坯表面印制圖案層,然后通過鋪撒熔塊粉在圖案邊緣的輪廓線留空形成凹槽,燒成,在整個半成品表面鍍上金屬層,最后對所得的成品陶瓷磚表面進(jìn)行拋光處理,磨去覆蓋在表面的一層金屬層,保留凹槽中的金屬鍍層,并對凹槽中的金屬鍍層進(jìn)行打磨,形成殘缺的金屬鍍層效果。其不足之處在于,作為地面鋪貼裝飾材料,長時間人的踩踏以及表面清理,其不經(jīng)燒成的金屬鍍層雖位于凹槽內(nèi),也會導(dǎo)致鍍層磨損。
[0006]CN200610090584.1公開了一種樹脂產(chǎn)品表面的金屬化處理方法,涉及一種樹脂產(chǎn)品表面的金屬化處理方法,以獲得樹脂產(chǎn)品的表面金屬質(zhì)感,該方法也較多的用于與陶瓷磚配套的腰線的生產(chǎn)。其不足之處在于,陶瓷磚配飾以樹脂為基礎(chǔ)材料和采用樹脂制品的加工工藝,其配套組織困難,產(chǎn)品質(zhì)量難于保證。
[0007]本發(fā)明提供了一種陶瓷配飾磚的制造方法,是在成品磚的表面施釉,噴墨打印形成圖案,再通過干法布施熔塊干粒,入輥道窯燒成,再經(jīng)過貼膜定位電鍍、二次燒成,經(jīng)切割形成具有立體、金屬光澤效果的配飾磚。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明的目的是針對采用石材、玻璃、樹脂等基礎(chǔ)材料作為陶瓷磚配件所導(dǎo)致的配套組織困難、材質(zhì)不統(tǒng)一等使用過程的質(zhì)量問題而提供一種在陶瓷成品磚表面進(jìn)行噴墨打印、干法施釉、燒成、定位電鍍、燒成,拋光的陶瓷配飾磚的制造工藝及通過該工藝制成的陶瓷配飾磚。
[0009]本發(fā)明的技術(shù)解決方案是所述陶瓷配飾磚的制造工藝,其特殊之處在于,包括如下步驟:
[0010]⑴在已燒成的陶瓷磚表面玻璃層印刷底釉;
[0011]⑵在印刷底釉層上通過噴墨打印形成圖案;
[0012]⑶在圖案層的表面兩次布施透明干粒、燒成;
[0013](4)采用貼膜定位電鍍法,即在表面玻璃層凹槽內(nèi)電鍍金屬色、燒成;
[0014](5)對燒成后制品的表面進(jìn)行拋光;
[0015](6)對燒后的配飾磚坯進(jìn)行切割,制造出具有凹凸面、金屬光澤或變色效果的配飾磚。
[0016]作為優(yōu)選:步驟⑴所述的底釉按重量百分比由以下組份組成:
[0017]SiO2 60%~70% Al2O3 5%~8% B2O3 3%~7%
[0018]CaO 3%~9% BaO 2%~8% KNaO 3%~12%。
[0019]作為優(yōu)選:所述步驟⑶布施布料干粒的參數(shù)為:
[0020]第一次:采用40目全通 透網(wǎng),粒徑60~100目,干粒層厚度0.8~I mm ;
[0021]第二次:采用40目具有圖案紋理的印絲網(wǎng),干粒的粒徑60~100目,干粒層厚度為3~3.5暈米;
[0022]所述燒成溫度為900°C~950°C,燒成時間70~80分鐘,保溫時間7~9分鐘。
[0023]作為優(yōu)選:所述步驟⑶進(jìn)一步包括;所述干粒是通過配料、熔制、粉碎、篩分制備成熔塊粒子,該熔塊粒子按重量百分比由以下組份組成:
[0024]SiO2 50%~60% Al2O3 6%~10% B2O3 1%~4% CaO 9%~15%
[0025]BaO 4%~7% ZnO 2%~7% KNaO 0.3%~8%。
[0026]作為優(yōu)選:所述步驟⑷進(jìn)一步包括;將磚面表面不需要鍍圖案的部位用油紙膜覆蓋,需要鍍圖案的部分鏤空,采用真空鍍膜設(shè)備,在真空并惰性氣體狀態(tài)下,金屬鈦靶被電離,金屬鈦電離沉積附著于玻璃層凹槽內(nèi),形成金、銀色的金屬光澤層,沉積附著于玻璃層凹槽內(nèi)而呈現(xiàn)仿金、仿銀的金屬光澤層;燒成溫度為750°C~850°C,燒成周期為70~75分鐘,保溫時間為7~9分鐘。
[0027]作為優(yōu)選:所述步驟⑷進(jìn)一步包括;所述表面玻璃層凹槽的形成,是在第二次布料過程由紋理圖案形成的凹陷部分,再經(jīng)燒成后作為電鍍金屬色的凹槽位;并將磚面表面不需要鍍圖案的部位以油紙膜覆蓋,需要鍍圖案的部分鏤空,采用真空鍍膜設(shè)備,在真空并惰性氣體狀態(tài)下,金屬鈦靶被電離,金屬鈦電離沉積附著于玻璃層凹槽內(nèi),形成金、銀色的金屬光澤層;將鍍金屬的制品進(jìn)行燒成,燒成溫度為750°C~850°C,燒成周期為70~75分鐘,保溫時間為7~9分鐘。
[0028]作為優(yōu)選:所述步驟(5)進(jìn)一步包括:初拋、粗拋、中拋、細(xì)拋、超細(xì)拋、精拋、增光過程中的拋光參數(shù):
[0029]拋光工序初拋粗拋中拋細(xì)拋超細(xì)拋精拋增光拋
[0030]磨頭目數(shù) 50目 150目 300目 500目 1000目 2000目 3000目
[0031]磨頭組數(shù)4~5組4~5組3組 3組 4組 3組 2組
[0032]作為優(yōu)選:所述步驟(6)進(jìn)一步包括:按照預(yù)先設(shè)計(jì)的圖案切割成地花、地線、腰線、轉(zhuǎn)角的配飾品種。本發(fā)明的另一技術(shù)解決方案是所述陶瓷配飾磚結(jié)構(gòu),包括:基礎(chǔ)磚、基礎(chǔ)磚表面布施的底釉層、底釉層上附著的圖案層,在圖案層表面布施的第一干粒層和第二干粒層;以及第二布料干粒層的層面向?qū)觾?nèi)凹設(shè)的凹坑、凹槽、不規(guī)則凹陷及所述凹陷表面的電鍍層。
[0033]與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的有益效果:
[0034]⑴本發(fā)明的制造工藝采用3D噴墨打印技術(shù)進(jìn)行仿水刀切割配飾磚的生產(chǎn),實(shí)現(xiàn)仿水刀切割的地花、地線、腰線、轉(zhuǎn)角等配飾磚的圖案效果;相比絲網(wǎng)及膠輥印花而言,本發(fā)明通過底釉配方及干粒的研究,提高了墨水的發(fā)色能力,能夠?qū)崿F(xiàn)同一坯面多色系圖案紋理的呈色效果,呈色范圍寬,其拼花圖案的效果通過噴墨打印實(shí)現(xiàn)整塊磚的無縫拼接,這是平面印花技術(shù)所不能比擬的。
[0035]⑵通過陶瓷制品的電鍍工藝,電鍍金屬色并對鍍金屬后的制品進(jìn)行第二次燒成,使鍍層與瓷磚的釉面熔融,提高鍍層結(jié)合性。
[0036]⑶本發(fā)明制造的配飾磚,具有凹凸、金屬光澤、閃光變色等裝飾效果,經(jīng)切割可滿足對配飾磚鋪貼圖案及規(guī)格的要求,作為地花、地線、轉(zhuǎn)角、腰線等配飾,為整個裝飾空間起點(diǎn)綴作用。
[0037]⑷本發(fā)明的制造工藝采用貼膜定位電鍍法在表面玻璃層凹槽內(nèi)電鍍金屬色、燒成,再拋光;有針對性的貼膜定位電鍍金屬層,大量的節(jié)省電鍍材料,并且減少了拋光加工的工作量,使凹槽內(nèi)的金屬鍍層不受后拋光工序的影響,金屬鍍層經(jīng)過再次燒成后與瓷磚表面釉層融合的更加牢固,使用過程耐磨性更好。
[0038](5)本發(fā)明的制造方法采用的拋光磨具,是利用二維互通粒狀排列磨塊,在彈性膠皮與拋光機(jī)磨頭的擺動作用下,仿形能強(qiáng),可避免漏拋缺陷。 [0039](6)本發(fā)明對于提高陶瓷磚的配套水平,滿足市場對配飾磚的需求,降低配飾磚產(chǎn)品成本,提高產(chǎn)品附加值具有重要意義。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0040]圖1是本發(fā)明陶瓷配飾磚制造工藝的流程圖。
[0041]圖2至圖9是本發(fā)明陶瓷配飾磚制造工藝的仿水刀切割配件的系列產(chǎn)品示意圖。
[0042]圖10是本發(fā)明配飾磚凹槽部位斷面結(jié)構(gòu)圖示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0043]本發(fā)明下面將結(jié)合附圖作進(jìn)一步詳述:
[0044]請參閱圖1所示,該陶瓷配飾磚的制造工藝,包括如下步驟:
[0045]⑴在已燒成的陶瓷磚表面玻璃層印刷底釉;其中:
[0046]步驟⑴所述的底釉按重量百分比由以下組份組成:
[0047]SiO2 60%~70% Al2O3 5%~8% B2O3 3%~7%
[0048]CaO 3%~9% BaO 2%~8% KNaO 3%~12%。
[0049]⑵在印刷底釉層上通過噴墨打印形成圖案;
[0050]⑶在圖案層的表面兩次布施透明干粒、燒成;
[0051]所述步驟⑶布施布料干粒的參數(shù)為:
[0052]第一次:采用40目全通透網(wǎng),粒徑60~100目,干粒層厚度0.8~I mm ;
[0053]第二次:采用40目具有圖案紋理的印絲網(wǎng),干粒的粒徑60~100目,干粒層厚度為3~3.5暈米;
[0054]所述燒成溫度為900~950°C,燒成時間70~80分鐘,保溫時間7~9分鐘;
[0055]所述干粒通過配料、熔制、粉碎、篩分制備成熔塊粒子,該熔塊粒子按重量百分比由以下組份組成:
[0056]SiO2 50%~60% Al2O3 6%~10% B2O3 1%~4% CaO 9%~15%
[0057]BaO 4%~7% ZnO 2%~7% KNaO 0.3%~8%;
[0058]⑷采用貼膜定位電鍍法,即在表面玻璃層凹槽內(nèi)電鍍金屬色、燒成;
[0059]所述步驟⑷進(jìn)一步包括;所述表面玻璃層凹槽的形成,是在第二次布料過程由紋理圖案形成的凹陷部分,再經(jīng)燒成后作為電鍍金屬色的凹槽位;并將磚面表面不需要鍍圖案的部位以油紙膜覆蓋,需要鍍圖案的部分鏤空,采用真空鍍膜設(shè)備,在真空并惰性氣體狀態(tài)下,金屬鈦靶被電離,金屬鈦電離沉積附著于玻璃層凹槽內(nèi),形成金、銀色的金屬光澤層;將鍍金屬的制品進(jìn)行燒成,燒成溫度為750V~850°C,燒成周期為70~75分鐘,保溫時間為7~9分鐘。
[0060](5)對燒成后制品的表面進(jìn)行拋光;進(jìn)一步包括:初拋、粗拋、中拋、細(xì)拋、超細(xì)拋、精拋、增光過程;拋光參數(shù):
[0061]
【權(quán)利要求】
1.一種陶瓷配飾磚的制造工藝,其特征在于,包括如下步驟: ⑴在已燒成的陶瓷磚表面玻璃層印刷底釉; ⑵在印刷底釉層上通過噴墨打印形成圖案; ⑶在圖案層的表面兩次布施透明干粒、燒成; ⑷采用貼膜定位電鍍法,即在表面玻璃層凹槽內(nèi)電鍍金屬色、燒成; (5)對燒成制品的表面進(jìn)行拋光; (6)對燒后的配飾磚坯進(jìn)行切割,制造出具有凹凸面、金屬光澤或變色效果的配飾磚。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述陶瓷配飾磚的制造工藝,其特征在于:步驟⑴所述的底釉按重量百分比由以下組份組成: S12 60%~70% Al2O3 5%~8% B2O3 3%~7% CaO 3%~9%BaO 2%~8%KNaO 3%~12%。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述陶瓷配飾磚的制造工藝,其特征在于:所述步驟⑶布施布料干粒的參數(shù)為: 第一次:采用40目全通透網(wǎng),粒徑60~100目,干粒層厚度0.8~I mm ; 第二次:采用40目具有圖案紋理的印絲網(wǎng),干粒的粒徑60~100目,干粒層厚度為3~3.5暈米; 所述燒成溫度為900~950°C,燒成時間70~80分鐘,保溫時間7~9分鐘。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述陶瓷配飾磚的制造工藝,其特征在于:所述步驟⑶進(jìn)一步包括;所述干粒是通過配料、熔制、粉碎、篩分制備成熔塊粒子,該熔塊粒子按重量百分比由以下組份組成: S12 50%~60% Al2O3 6%~10% B2O3I^~4% CaO 9%~15% BaO 4%~7% ZnO 2%~7% KNaO 0.3%~8%。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述陶瓷配飾磚的制造工藝,其特征在于:所述步驟⑷進(jìn)一步包括;所述表面玻璃層凹槽的形成,是在第二次布料過程由紋理圖案形成的凹陷部分,再經(jīng)燒成后作為電鍍金屬色的凹槽位;并將磚表面不需要鍍圖案的部位以油紙膜覆蓋,需要鍍圖案的部分鏤空,采用真空鍍膜設(shè)備,在真空并惰性氣體狀態(tài)下,金屬鈦靶被電離,金屬鈦電離沉積附著于玻璃層凹槽內(nèi),形成金、銀色的金屬光澤層;將鍍金屬的制品進(jìn)行燒成,燒成溫度為750°C~850°C,燒成周期為70~75分鐘,保溫時間為7~9分鐘。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述陶瓷配飾磚的制造工藝,其特征在于:所述步驟(5)進(jìn)一步包括:初拋、粗拋、中拋、細(xì)拋、超細(xì)拋、精拋、增光過程中的拋光參數(shù):
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述陶瓷配飾磚的制造工藝,其特征在于:所述步驟(6)進(jìn)一步包括:按照預(yù)先設(shè)計(jì)的圖案切割成地花、地線、腰線、轉(zhuǎn)角的配飾品種。
8.一種依權(quán)利要求1所述制造方法制成的陶瓷配飾磚,其特征在于,包括:基礎(chǔ)磚、基礎(chǔ)磚表面布施的底釉層、底釉層上附著的圖案層,在圖案層表面布施的第一干粒層和第二干粒層; 以及第二布料干粒層的層面向?qū)觾?nèi)凹設(shè)的凹坑、凹槽、不規(guī)則凹陷及所述凹陷表面的電鍍層。
【文檔編號】C04B41/86GK104016726SQ201410224763
【公開日】2014年9月3日 申請日期:2014年5月26日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月26日
【發(fā)明者】黃建平, 謝悅增, 盛正強(qiáng), 滿麗珠, 劉學(xué)斌, 曾凡文, 陳遠(yuǎn)航, 楊福偉 申請人:東莞市唯美陶瓷工業(yè)園有限公司
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