一種陶瓷陣列的制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種CT探測器用閃爍陶瓷陣列的制備方法。該方法首先將陶瓷粉體漿料流延成膜，然后將流延膜層疊、激光切割為陶瓷膜陣列，最后進行脫粘、燒結(jié)處理，得到所需的陶瓷陣列。與傳統(tǒng)的先燒結(jié)后切割的陶瓷陣列加工方法相比，本發(fā)明克服了的陶瓷材料硬度高、難加工的問題，并且加工周期短，成本低，易于工業(yè)化推廣，尤其適用于CT探測器等對陶瓷材料硬度要求很高的【技術(shù)領(lǐng)域】。
【專利說明】一種陶瓷陣列的制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及陶瓷材料【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種陶瓷陣列的制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 陶瓷材料作為一種重要的工業(yè)材料，目前的應(yīng)用領(lǐng)域越來越廣，其中陶瓷陣列的 需求也日益增多。傳統(tǒng)的陶瓷陣列的加工方法是先燒結(jié)整塊致密的陶瓷材料，然后利用機 械加工方法切割成所需的陶瓷陣列。但是，一般陶瓷材料的硬度較高，因此這種利用機械加 工切割制備陶瓷陣列的方法效率低、難度大、成本高。
[0003] 例如，探測器是X射線CT系統(tǒng)的核心部件，而實現(xiàn)X射線向可見光轉(zhuǎn)換的閃爍陶 瓷則是探測器最重要的組成部分。為了獲得高的分辨率與良好的成像質(zhì)量，閃爍陶瓷需加 工成許多相互獨立的像素粒子，傳統(tǒng)的加工方法是先燒結(jié)整塊致密的閃爍陶瓷，然后利用 機械加工方法切割成所需的閃爍陶瓷陣列。但是，用于CT探測器的閃爍陶瓷都有非常高的 硬度，因此該方法效率低、難度大而且成本非常高。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明的技術(shù)目的是針對上述技術(shù)問題，提供一種制備陶瓷陣列的新方法，該方 法簡單易行，有利于工業(yè)化生產(chǎn)。
[0005] 本發(fā)明提供的技術(shù)方案為：一種陶瓷陣列的制備方法，包括如下步驟：
[0006] (1)按照陶瓷材料的組成分子式配料，得到陶瓷粉體，加入分散劑、粘結(jié)劑、溶劑， 混合均勻，得到陶瓷粉體漿料；
[0007] (2)將陶瓷粉體漿料流延成膜，再將流延膜上下層疊，得到陶瓷膜疊層，在陶瓷膜 疊層上按所需陣列圖形進行激光切割，得到陶瓷膜陣列；
[0008] (3)將陶瓷膜陣列升溫進行脫粘處理以除去粘結(jié)劑，最后進行高溫?zé)Y(jié)，得到陶瓷 陣列。
[0009] 所述的陶瓷材料不限，包括氧化物陶瓷、氮化物陶瓷、碳化物陶瓷、硼化物陶瓷等。 所述的氧化物陶瓷不限，包括稀土發(fā)光離子摻雜且具有A3B4o12石榴石結(jié)構(gòu)的氧化物陶瓷， 其中稀土發(fā)光離子包括Ce、Pr、Eu等中的一種或兩種及其以上的組合，石榴石結(jié)構(gòu)中A位離 子為Gd、Lu、Y、Tb等中的一種或兩種及其以上的組合，B位離子為Ga、Al、Sc等中的一種或 兩種及其以上的組合。
[0010] 作為優(yōu)選，所述的步驟（1)中，陶瓷粉體漿料中的固相含量為50vol% -55vol%。
[0011] 作為優(yōu)選，所述的步驟（1)中，陶瓷粉體的平均粒徑為30-100nm。
[0012] 作為優(yōu)選，所述的步驟（1)中，陶瓷粉體的純度高于99. 99%。
[0013] 所述的步驟（1)中，陶瓷漿料的溶劑包括但不限于去離子水或乙醇與丁酮的混合 液。
[0014] 所述的步驟（1)中，陶瓷粉體漿料的溶劑為水時，分散劑優(yōu)選為陽離子型分散劑， 陶瓷粉體漿料中分散劑的質(zhì)量百分含量優(yōu)選為0. 5-3% ;進一步優(yōu)選，分散劑為聚丙烯酸 鉀、聚丙烯酸鈉、聚丙烯酸銨、四甲基氫氧化銨、四乙基氫氧化銨、四丙基氫氧化銨等中的一 種。
[0015] 所述的步驟（1)中，陶瓷粉體漿料的溶劑為水時，粘結(jié)劑優(yōu)選為聚乙烯醇、水溶性 苯丙乳液、水溶性環(huán)氧樹脂乳液等中的一種，陶瓷粉體漿料中粘結(jié)劑的固含量與陶瓷粉體 的質(zhì)量比優(yōu)選為〇. l-o. 3 ;進一步優(yōu)選，粘結(jié)劑為丙烯酸、聚乙烯醇、丙烯酰胺單體、聚丙烯 酸類乳膠。
[0016] 所述的步驟（1)中，陶瓷粉體漿料的溶劑為為乙醇/丁酮時，分散劑優(yōu)選為聚乙烯 吡咯烷酮等，陶瓷粉體漿料中分散劑的質(zhì)量百分含量為1-5%。
[0017] 所述的步驟（1)中，陶瓷粉體漿料的溶劑為為乙醇/丁酮時，粘結(jié)劑優(yōu)選為聚乙烯 醇縮丁醛，陶瓷粉體漿料中粘結(jié)劑的質(zhì)量百分含量為3-12%。
[0018] 作為優(yōu)選，所述的步驟（1)中，陶瓷粉體漿料中包括塑性劑。所述的塑性劑不限， 包括聚乙二醇，丙三醇、鄰苯二甲酸丁芐酯、鄰苯二甲酸二丁酯，陰離子型脂肪族聚氨酯乳 液等中的一種或幾種的混合。當(dāng)陶瓷粉體漿料的溶劑為為乙醇/ 丁酮時，塑性劑優(yōu)選為鄰 苯二甲酸甲苯基丁酯，陶瓷粉體漿料中塑性劑的質(zhì)量含量優(yōu)選為1-2倍粘結(jié)劑的質(zhì)量含 量。
[0019] 所述的步驟（2)中，激光切縫寬度優(yōu)選為0. 1-lmm。
[0020] 作為優(yōu)選，所述的步驟（2)中，沿層疊厚度方向?qū)μ沾赡り嚵屑虞d壓力，并進 行保壓，以使流延膜疊層之間連接更加緊密。壓力大小優(yōu)選為l_30MPa，進一步優(yōu)選為 10-20MPa，保壓時間優(yōu)選為l-10min，進一步優(yōu)選為2-5min。
[0021] 所述的步驟（2)中，陶瓷膜陣列可以采用如下兩種方式實現(xiàn)：
[0022] 方式一具體有如下過程組成：
[0023] (a)將陶瓷粉體漿料流延成膜，再將流延膜上下層疊至第一層疊厚度，得到第一陶 瓷膜疊層；
[0024] (b)在第一陶瓷膜疊層表面繼續(xù)層疊流延膜，并用激光沿層疊厚度方向?qū)⒃摿餮?膜按所需陣列圖形進行切割；
[0025] (c)重復(fù)步驟（b)，直到第一陶瓷膜疊層表面層疊的流延膜達到第二層疊厚度。
[0026] 該方式一中，所述的第一層疊厚度優(yōu)選為5-10mm;所述的第二層疊厚度優(yōu)選為 3-15mm〇
[0027] 該方式一中，作為優(yōu)選，在過程（c)中，當(dāng)所述的第一陶瓷膜疊層表面層疊的流延 膜達到第二層疊厚度后，沿層疊厚度方向?qū)α餮幽ぜ虞d壓力，并保壓一定時間，以使流延膜 疊層之間的連接更加緊密。壓力大小優(yōu)選為l_30MPa，進一步優(yōu)選為10-20MPa，保壓時間優(yōu) 選為l-10min，進一步優(yōu)選為2_5min。
[0028] 方式二具體如下：
[0029] 將陶瓷粉體漿料流延成膜，再將流延膜上下層疊至層疊厚度，得到陶瓷膜疊層，然 后用激光沿層疊厚度方向?qū)⒃撎沾赡くB層按所需陣列圖形進行切割，切割厚度小于所述的 層疊厚度。
[0030] 該方式二中，所述的層疊厚度優(yōu)選為8-25mm ;所述的切割厚度優(yōu)選為3-15mm。
[0031] 方式二中，作為優(yōu)選，沿層疊厚度方向?qū)μ沾赡くB層施加壓力，并保壓一定時間， 以使流延膜疊層之間的連接更加緊密。壓力大小優(yōu)選為l-30MPa，進一步優(yōu)選為10-20MPa， 保壓時間優(yōu)選為l-l〇min，進一步優(yōu)選為2-5min。
[0032] 所述的步驟（3)中，脫粘溫度優(yōu)選為500°C -1000°C，更優(yōu)選為500°C -800°C;進一 步優(yōu)選，在脫粘溫度下進行保溫處理，保溫時間優(yōu)選為l_5h，更優(yōu)選為l-3h。
[0033] 所述的步驟（3)中，燒結(jié)溫度優(yōu)選為1500°C -1700°C，更優(yōu)選為1550°C -1650°C， 保溫時間優(yōu)選為l-l〇h。
[0034] 綜上所述，本發(fā)明針對陶瓷陣列難以機械加工的問題，采用首先將陶瓷粉體漿料 流延成膜，然后將流延膜層疊、激光切割為陶瓷膜陣列，最后進行脫粘、燒結(jié)處理，得到所需 的陶瓷陣列，因此該制備方法具有如下優(yōu)點：
[0035] (1)陶瓷燒結(jié)前就已經(jīng)形成所需的陣列，即可避免對高硬度的陶瓷材料的機械加 工，還能保證陣列尺寸的精確控制，為進一步工程化應(yīng)用推廣奠定了基礎(chǔ)；
[0036] (2)陶瓷材料種類多，陶瓷陣列的應(yīng)用領(lǐng)域較多，因此本發(fā)明的制備方法適用領(lǐng)域 范圍較廣，尤其適用于高硬度的陶瓷材料應(yīng)用領(lǐng)域，例如在CT探測器領(lǐng)域中制備閃爍陶瓷 陣列等。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0037] 圖1是本發(fā)明實施例2中的Cea 95Al 2Ga3012陶瓷陣列圖；
[0038] 圖2是圖1的A部分橫截面放大圖；
[0039] 圖3是圖1的縱截面圖及其中B部分的放大圖。

【具體實施方式】
[0040] 下面結(jié)合附圖實施例對本發(fā)明作進一步詳細(xì)描述，需要指出的是，以下所述實施 例旨在便于對本發(fā)明的理解，而對其不起任何限定作用。
[0041] 圖1-3中的附圖標(biāo)記為：1_像素點；2-像素點間空隙；3-像素點的長度；6-像素 點的寬度；5-像素點的厚度；4、7_像素點間空隙的寬度、8-襯底厚度。
[0042] 實施例1 :
[0043] 本實施例中，陶瓷材料的化學(xué)分子式為εθ(ι (ι56(12.95Α126&30 12，該陶瓷材料的陣列為 長方體陣列，陣列中的像素點的橫截面呈1. 2mmX 1. 2mm的正方形，厚度為5mm，各像素點間 的間隔寬度為〇. 3mm。該陶瓷陣列的制備方法如下：
[0044] (1)按陶瓷材料CeQ.Q5Gd2. 95Al2Ga3012化學(xué)計量比稱量總質(zhì)量為30g的高純Ce0 2， Gd203, Ga203, A1 (N03) 3粉體，加入到12ml含3g分散劑聚丙烯酸銨的水溶液中，以ΑΙΑ為磨 球，高能球磨3h ;之后加入6g粘結(jié)劑聚乙烯醇，2. 5g塑性劑聚乙二醇，高能球磨10h，得到 陶瓷粉體漿料；
[0045] (2)將陶瓷粉體漿料真空脫泡后流延成膜，室溫自然干燥3_5h后從基帶上剝離； 之后在疊層實體制造系統(tǒng)上將流延膜上下層疊，形成厚度為8mm，橫截面為36mmX96mm的 長方體陶瓷膜疊層，然后在疊層上沿層疊厚度方向加載20MPa壓力成型，并保壓5min，最后 用激光將該陶瓷膜疊層進行切割，切割厚度為5mm，使其橫截面切割為24X64的小方塊，小 方塊尺寸為1. 2mmX 1. 2mm，激光切縫寬度為03mm ;
[0046] (3)將切割后的陶瓷膜疊層放入馬夫爐中脫粘，脫粘溫度為800°C，保溫時間為 2h ;最后，將脫粘后的陶瓷膜疊層在氧氣氣氛中燒結(jié)，燒結(jié)溫度為1650°C，保溫時間為5h。
[0047] 上述制得的陶瓷陣列可用于CT探測器中的閃爍陶瓷陣列。
[0048] 實施例2 :
[0049] 本實施例中，陶瓷材料的化學(xué)分子式為Cea(l5Gd2. 95Al2Ga3012，該陶瓷材料的陣列如 圖1所示，為長方體陣列。如圖2所示，陣列中的像素點（圖2中標(biāo)記為1)的橫截面呈 1. 2mmX 1. 2mm(圖2中標(biāo)記為3、6)的正方形，厚度（圖2中標(biāo)記為5)為10mm，各像素點間 的間隔（圖2中標(biāo)記為2)的寬度（圖2中標(biāo)記為4、7)為0. 3_。該陶瓷陣列的制備方法 如下：
[0050] (1)按陶瓷材料Cea 95Al2Ga3012化學(xué)計量比稱量總質(zhì)量為30g的高純 Ce02, Gd203, Ga203, A1 (N03)3粉體，加入到11ml含4g分散劑四甲基氫氧化銨的水溶液中，以 A1A為磨球，高能球磨3h ;之后加入6g粘結(jié)劑水性環(huán)氧樹脂乳液，3g塑性劑脂肪族聚氨酯 乳液，高能球磨l〇h，得到陶瓷粉體漿料；
[0051] (2)將陶瓷粉體漿料真空脫泡后流延成膜，室溫自然干燥3-5h后從基帶上剝離； 之后在疊層實體制造系統(tǒng)上將流延膜上下層疊，如圖3所示，形成橫截面為36mmX96mm，厚 度為5mm(圖3中標(biāo)記為8)的長方體第一陶瓷膜疊層作為襯底；
[0052] (3)在第一陶瓷膜疊層表面再層疊流延膜，并用激光沿層疊厚度方向?qū)⒃摿餮?膜切割為24X64的小方塊像素點，每個像素點尺寸為1.2mmX 1.2mm，激光切縫寬度為 0. 3mm ；
[0053] (4)重復(fù)步驟（3)，直到第一陶瓷膜疊層表面層疊的流延膜達到10mm的厚度，然后 沿層疊厚度方向加載20MPa軸向壓力，并保壓3min。
[0054] (5)將步驟（4)得到的陶瓷膜疊層放入馬夫爐中脫粘，脫粘溫度為800°C，保溫時 間為2h ;最后，將脫粘后的陶瓷膜疊層在氧氣氣氛中燒結(jié)，燒結(jié)溫度為1650°C，保溫時間為 5h〇
[0055] 上述制得的陶瓷陣列可用于CT探測器中的閃爍陶瓷陣列。
[0056] 實施例3 :
[0057] 本實施例中，陶瓷材料的化學(xué)分子式為Cea(l5Gd2. 95Al2Ga3012，該陶瓷材料的陣列為 長方體陣列，陣列中的像素點的橫截面呈1. 2mmXl. 2mm的正方形，厚度為10mm，各像素點 間的間隔寬度為〇. 3mm。該陶瓷陣列的制備方法如下：
[0058] (1)按陶瓷材料Cea 95Al2Ga3012化學(xué)計量比稱量總質(zhì)量為30g的高純 Ce02, Gd203, Ga203, A1 (N03) 3粉體，加入到30ml含0. 6g分散劑聚乙烯吡咯烷酮的乙醇/ 丁酮 溶液中，以A1203為磨球，高能球磨3h ;之后加入2. 6g粘結(jié)劑聚乙烯醇縮丁醛，5. 2g塑性劑 鄰苯二甲酸甲苯基丁酯，高能球磨l〇h，得到陶瓷粉體漿料；
[0059] (2)將陶瓷粉體漿料真空脫泡后流延成膜，室溫自然干燥3_5h后從基帶上剝離； 之后在疊層實體制造系統(tǒng)上將流延膜上下層疊，形成橫截面為36mmX 96mm，厚度為3mm的 長方體第一陶瓷膜疊層；
[0060] (3)在第一陶瓷膜疊層表面再層疊流延膜，并用激光沿層疊厚度方向?qū)⒃摿餮?膜切割為24X64的小方塊像素點，每個像素點尺寸為1.2mmX 1.2mm，激光切縫寬度為 0. 3mm ；
[0061] (4)重復(fù)步驟（3)，直到第一陶瓷膜疊層表面層疊的流延膜達到10mm厚度，然后沿 層疊厚度方向加壓15MPa，并保壓3min。
[0062] (5)將步驟（4)得到的陶瓷膜疊層放入馬夫爐中脫粘，脫粘溫度為500°C，保溫時 間為2h ;最后，將脫粘后的陶瓷膜疊層在氧氣氣氛中燒結(jié)，燒結(jié)溫度為1650°C，保溫時間為 5h〇
[0063] 上述制得的陶瓷陣列可用于CT探測器中的閃爍陶瓷陣列。
[0064] 實施例4 :
[0065] 本實施例中，陶瓷材料的化學(xué)分子式為CeauLUiGduAlfaWu，該陶瓷材料的陣列 為長方體陣列，陣列中的像素點的橫截面呈1. lrnmXl. 1mm的正方形，厚度為10mm，各像素 點間的間隔寬度為〇. 28mm。該陶瓷陣列的制備方法如下：
[0066] (1)按陶瓷材料Ce^LupdnAlsGaA化學(xué)計量比稱量總質(zhì)量為30g的高純Lu20 3， Ce02, Gd203, Ga203, A1 (N03) 3粉體，加入到30ml含0. 6g分散劑聚乙烯吡咯烷酮的乙醇/ 丁酮 溶液中，以A1203為磨球，高能球磨3h ;之后加入2. 6g粘結(jié)劑聚乙烯醇縮丁醛，5. 2g塑性劑 鄰苯二甲酸甲苯基丁酯，高能球磨l〇h，得到陶瓷粉體漿料；
[0067] (2)將陶瓷粉體漿料真空脫泡后流延成膜，室溫自然干燥3_5h后從基帶上剝離； 之后在疊層實體制造系統(tǒng)上將流延膜上下層疊，形成厚度為3mm，橫截面為36mmX96mm的 長方體陶瓷膜疊層，然后沿層疊厚度方向加載20MPa壓力，并保壓3min，最后用激光將該陶 瓷膜疊層進行切割，切割厚度為l〇mm，使其橫截面切割為24X64的小方塊，小方塊尺寸為 1. ImmX 1. 1mm，激光切縫寬度為0. 28mm ;
[0068] (3)將切割后的陶瓷膜疊層放入馬夫爐中脫粘，脫粘溫度為500°C，保溫時間為 2h ;最后，將脫粘后的陶瓷膜疊層在氧氣氣氛中燒結(jié)，燒結(jié)溫度為1620°C，保溫時間為3h。
[0069] 上述制得的陶瓷陣列可用于CT探測器中的閃爍陶瓷陣列。
[0070] 實施例5 :
[0071] 本實施例中，陶瓷材料的化學(xué)分子式為，該陶瓷材料的陣列 與實施例4中的陶瓷陣列相同。
[0072] 該陶瓷陣列的制備方法與實施例4中的制備方法基本相同，所不同的是：在步驟 ⑴中，：
[0073] (1)按陶瓷材料Ce^YiGcUAUScA的化學(xué)計量比稱量總質(zhì)量為30g的高純Y20 3， Ce02, Gd203, Sc203, A1 (Ν03) 3粉體，加入到30ml含0. 6g分散劑聚乙烯吡咯烷酮的乙醇/ 丁酮 溶液中，以A1203為磨球，高能球磨3h ;之后加入2. 6g粘結(jié)劑聚乙烯醇縮丁醛，5. 2g塑性劑 鄰苯二甲酸甲苯基丁酯，高能球磨l〇h，得到陶瓷粉體漿料。
[0074] 上述實施例用來解釋說明本發(fā)明，而不是對本發(fā)明進行限制，在本發(fā)明的精神和 權(quán)利要求的保護范圍內(nèi)，對本發(fā)明作出的任何修改和改變，都落入本發(fā)明的保護范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種陶瓷陣列的制備方法，其特征是：包括如下步驟： (1) 按照陶瓷材料的組成分子式配料，得到陶瓷粉體，加入分散劑、粘結(jié)劑、溶劑，混合 均勻，得到陶瓷粉體漿料； (2) 將陶瓷粉體漿料流延成膜，再將流延膜上下層疊，得到陶瓷膜疊層，在陶瓷膜疊層 上按所需陣列圖形進行激光切割，得到陶瓷膜陣列； (3) 將陶瓷膜陣列升溫進行脫粘處理以除去粘結(jié)劑，最后進行高溫?zé)Y(jié)，得到陶瓷陣 列。
2. 如權(quán)利要求1所述的陶瓷陣列的制備方法，其特征是：所述的步驟（2)中，激光切縫 寬度為〇· 1_1臟。
3. 如權(quán)利要求1所述的陶瓷陣列的制備方法，其特征是：所述的步驟（2)具體由如下 過程（a)、（b)、（c)組成： (a) 將陶瓷粉體漿料流延成膜，再將流延膜上下層疊至第一層疊厚度，得到第一陶瓷膜 置層； (b) 在第一陶瓷膜疊層表面繼續(xù)層疊流延膜，并用激光沿層疊厚度方向?qū)⒃摿餮幽ぐ?所需陣列圖形進行切割； (c) 重復(fù)步驟（b)，直到第一陶瓷膜疊層表面層疊的流延膜達到第二層疊厚度；或者， 所述的步驟（2)具體如下： 將陶瓷粉體漿料流延成膜，再將流延膜上下層疊至總層疊厚度，得到陶瓷膜疊層，然后 用激光沿層疊厚度方向?qū)⒃撎沾赡くB層按所需陣列圖形進行切割，切割厚度小于所述的層 疊厚度。
4. 如權(quán)利要求3所述的陶瓷陣列的制備方法，其特征是：所述的總層疊厚度為8-25mm， 所述的切割厚度為3-15mm。
5. 如權(quán)利要求3所述的陶瓷陣列的制備方法，其特征是：所述的過程（c)中，當(dāng)?shù)谝惶?瓷膜疊層表面層疊的流延膜達到第二層疊厚度后，沿層疊厚度方向?qū)α餮幽ぜ虞d壓力，并 進行保壓；或者，沿層疊厚度方向?qū)λ龅奶沾赡くB層施加壓力，并進行保壓。
6. 如權(quán)利要求3所述的陶瓷陣列的制備方法，其特征是：所述的壓力大小為l-30MPa， 優(yōu)選為10_20MPa，保壓時間為l-10min，優(yōu)選為2-5min。
7. 如權(quán)利要求1至6中任一權(quán)利要求所述的陶瓷陣列的制備方法，其特征是：所述的 步驟（3)中，脫粘溫度為500°C -1000°C，優(yōu)選為500°C -800°C ;在脫粘溫度下進行保溫處 理，保溫時間優(yōu)選為l_5h，更優(yōu)選為l-3h。
8. 如權(quán)利要求1至6中任一權(quán)利要求所述的陶瓷陣列的制備方法，其特征是：所述的 步驟（3)中，燒結(jié)溫度為1500°C _1700°C，優(yōu)選為1550°C _1650°C，保溫時間為l-10h。
9. 如權(quán)利要求1至6中任一權(quán)利要求所述的陶瓷陣列的制備方法，其特征是：所述的 陶瓷材料為稀土發(fā)光離子摻雜且具有Α3Β 4012石榴石結(jié)構(gòu)的氧化物陶瓷。
10. 利用權(quán)利要求1至6中任一權(quán)利要求所述的制備方法制得的陶瓷陣列用于CT探測 器用閃爍陶瓷陣列。
【文檔編號】C04B35/622GK104193348SQ201410442563
【公開日】2014年12月10日 申請日期:2014年9月2日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月2日
【發(fā)明者】羅朝華, 蔣俊, 江浩川 申請人:中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所