除砂漿雜質(zhì)的硅塊切割裝置及方法
【專利摘要】一種除砂漿雜質(zhì)的硅塊切割裝置，所述除砂漿雜質(zhì)的硅塊切割裝置包括底座、切割機構(gòu)和砂漿噴嘴，所述底座包括多根并列的中空金屬管道，所述多根金屬管道內(nèi)設(shè)置可插拔的磁體，所述切割機構(gòu)包括切割本體和切割網(wǎng)線，所述切割網(wǎng)線安裝于所述底座，用于切割所述硅塊，并與所述多根金屬管道相對應(yīng)，所述砂漿噴嘴相對于所述切割本體固定，對所述切割網(wǎng)線噴設(shè)硅切割砂漿。所述切割網(wǎng)線上砂漿的金屬雜質(zhì)在所述磁體的磁力驅(qū)動下，被吸附于所述多根金屬管道上，使得所述砂漿的性能改善，提高了砂漿利用率，降低硅切割的成本；降低硅塊切割后的線痕比例；提高了硅塊切割的生產(chǎn)良率及品質(zhì)。
【專利說明】除砂漿雜質(zhì)的硅塊切割裝置及方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及硅塊加工工藝領(lǐng)域，尤其涉及一種除砂漿雜質(zhì)的硅塊切割裝置及方法。

【背景技術(shù)】
[0002]近幾年，隨著光伏行業(yè)的迅猛發(fā)展，硅晶行業(yè)對硅片產(chǎn)品的質(zhì)量和外觀要求越來越嚴格，硅片外觀要符合無邊緣、去缺角、無崩邊、無歸落等要求，而且客戶對硅片的破片率投訴較多。目前硅塊的切割方式主要采用多線切割，利用切割鋼線攜帶切割液和Sic混合后的砂漿對硅塊進行切割，通常對切割后的砂漿進行回收循環(huán)使用。然而目前使用過的砂漿混有金屬雜質(zhì)，即國內(nèi)使用的切割液和碳化硅微粉在線切割過程中，砂漿中不可避免的會混入娃粉、鐵、聞聚物等雜質(zhì)，導致娃切割砂楽■的PH及粘度過聞，碳化娃顆粒易團聚，造成砂漿在二次使用時，使得硅塊切割后的線痕嚴重，導致砂漿的回收利用率低，使得硅塊切割的成本變高。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于提供一種提高硅塊切割生產(chǎn)效率的除砂漿雜質(zhì)的硅塊切割裝置及應(yīng)用該裝置的除砂漿雜質(zhì)的硅塊切割方法。
[0004]為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種除砂漿雜質(zhì)的硅塊切割裝置，其中，所述除砂漿雜質(zhì)的硅塊切割裝置包括底座、切割機構(gòu)和砂漿噴嘴，所述底座包括多根并列的中空金屬管道，所述多根金屬管道之間存在間距，所述多根金屬管道內(nèi)設(shè)置可插拔的磁體，所述切割機構(gòu)包括切割本體和切割網(wǎng)線，所述切割網(wǎng)線安裝于所述底座上并與所述多根金屬管道相對應(yīng)，所述切割本體上用于懸掛硅塊，所述切割本體沿靠近或遠離所述切割網(wǎng)線的方向滑動設(shè)置并且朝向所述切割網(wǎng)線設(shè)置，所述砂漿噴嘴相對所述切割本體固定，對所述切割網(wǎng)線噴設(shè)硅切割砂漿。
[0005]其中，所述除砂漿雜質(zhì)的硅塊切割裝置還包括繞線輪，所述繞線輪轉(zhuǎn)動連接于所述底座，所述切割網(wǎng)線纏繞于所述繞線輪。
[0006]其中，所述砂漿噴嘴的噴射方向朝向所述多根金屬管道。
[0007]其中，所述多根金屬管道等距排列。
[0008]其中,所述磁體為電磁鐵或者釹鐵硼磁棒。
[0009]其中，所述金屬管道一端開口，另一端封閉。
[0010]本發(fā)明還提供一種除砂漿雜質(zhì)的硅塊切割方法，其中，所述除砂漿雜質(zhì)的硅塊切割方法運用上述的除砂漿雜質(zhì)的硅塊切割裝置，所述除砂漿雜質(zhì)的硅塊切割方法包括步驟:
[0011]將硅塊放置于切割本體上；
[0012]調(diào)節(jié)所述繞線輪預(yù)設(shè)轉(zhuǎn)速；
[0013]調(diào)節(jié)所述砂漿噴嘴噴射預(yù)設(shè)流量的所述砂漿；
[0014]將所述磁體插入所述金屬管道內(nèi)；
[0015]調(diào)節(jié)所述切割本體靠近所述底座，利用所述切割網(wǎng)線切割所述硅塊；
[0016]停止切割，調(diào)節(jié)所述切割本體遠離所述底座。
[0017]其中，所述除砂漿雜質(zhì)的硅塊切割方法還包括:取出所述磁體，對所述多根金屬管道表面進行清洗。
[0018]其中，所述預(yù)設(shè)轉(zhuǎn)速為100r/min?5000r/min。
[0019]其中，所述預(yù)設(shè)流量為800ml/s?2000ml/s。
[0020]本發(fā)明提供的除砂漿雜質(zhì)的硅塊切割裝置及方法，通過在所述多根金屬管道中插入磁體，使得所述切割網(wǎng)線對所述硅塊切割時，所述切割網(wǎng)線上砂漿落至所述多根金屬導管上進行回收，所述砂漿內(nèi)的金屬雜質(zhì)在所述磁體的磁力驅(qū)動下，被吸附于所述多根金屬管道上，使得所述砂漿的性能改善，提高了砂漿回收利用率，降低硅切割的成本；降低了砂楽.再次使用時娃塊切割后的線痕比例；提聞了娃塊切割的生廣良率及品質(zhì)。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0021]為了更清楚地說明本發(fā)明的技術(shù)方案，下面將對實施方式中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施方式，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0022]圖1是本發(fā)明提供的除砂漿雜質(zhì)的硅塊切割裝置示意圖；
[0023]圖2是本發(fā)明提供的除砂漿雜質(zhì)的硅塊切割方法流程圖。

【具體實施方式】
[0024]下面將結(jié)合本發(fā)明實施方式中的附圖，對本發(fā)明實施方式中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述。
[0025]請參閱圖1，本發(fā)明的實施方式提供的除砂漿雜質(zhì)的硅塊切割裝置100。所述除砂漿雜質(zhì)的硅塊切割裝置100包括底座10、切割機構(gòu)20和砂漿噴嘴30。所述底座10包括多根并列的中空金屬管道11，所述多根金屬管道11之間存在間距。所述多根金屬管道11內(nèi)設(shè)置可插拔的磁體12。所述切割機構(gòu)20包括切割本體21和切割網(wǎng)線22，所述切割網(wǎng)線22安裝于所述底座10上，并于所述多根金屬管道11相對應(yīng)，所述切割本體21上用于懸掛硅塊，所述切割本體21沿靠近或遠離所述切割網(wǎng)線22的方向滑動設(shè)置并且朝向所述切割網(wǎng)線22設(shè)置。所述砂漿噴嘴30固定于所述底座10上，對所述切割網(wǎng)線22噴設(shè)硅切割砂漿。
[0026]通過在所述多根金屬管道11中插入所述磁體12，使得所述切割網(wǎng)線22對所述硅塊I切割時，所述切割網(wǎng)線22上砂漿的金屬雜質(zhì)在所述磁體12的磁力驅(qū)動下，被吸附于所述多根金屬管道11上，使得所述砂漿的性能改善，提高了砂漿利用率，降低硅切割的成本；降低娃塊切割后的線痕比例；提聞了娃塊切割的生廣良率及品質(zhì)。
[0027]本實施方式中，所述底座10呈矩形塊狀，所述底座10還包括兩根支撐桿13。所述兩根支撐桿13的長度方向在水平面內(nèi)，并位于所述多根金屬管道11遠離所述硅塊I 一偵U，實現(xiàn)對所述多根金屬管道11的支撐。所述多根金屬管道11的長度方向在水平面內(nèi)，并垂直所述兩根支撐桿13的延伸方向。所述多根金屬管道11包括七根等距排列的管道。所述多根金屬管道11形成砂漿接收盤，對從所述切割網(wǎng)線22上落下的砂漿進行除雜質(zhì)，實現(xiàn)同時進行切割硅塊和砂漿回收的工藝步驟。所述金屬管道11的材質(zhì)采用不銹鋼材質(zhì)，以方便對所述金屬管道11的表面進行清洗，使得所述金屬管道11多次使用，增加所述除砂漿雜質(zhì)的硅塊切割裝置100的使用壽命。所述金屬管道11 一端開口，另一端封閉，使得所述磁體12穩(wěn)定的固定于所述金屬管道11內(nèi)。在其他實施方式中，所述多根金屬管道還可以包括八根不等距排列的管道；所述金屬管道的材質(zhì)還可以采用鋁合金材質(zhì)。
[0028]本實施方式中，所述磁體12為纏繞有導線線圈的鐵芯，對所述磁體12接入電流所述磁體12周側(cè)形成磁場，對所述磁體12的周側(cè)金屬產(chǎn)生磁力，將所述磁體12插入所述金屬管道11中，所述金屬管道11的周側(cè)展現(xiàn)磁性，進而使得所述金屬管道11的周側(cè)對所述砂漿中的金屬雜質(zhì)進行吸附。當然，在其他實施方式中，所述磁體還可以是釹鐵硼磁棒。
[0029]本實施方式中，所述切割機構(gòu)20還包括基座23，所述基座23固定于所述底座10上，所述切割本體21通過導軌(未標示)滑動連接于所述基座23上。所述切割本體21為托盤，所述切割本體21靠近所述底座10 —側(cè)懸掛住所述硅塊I。所述基座23上設(shè)置有電源(未圖示)、控制器(未圖示)和驅(qū)動機構(gòu)(未圖示)。所述電源為所述磁體12、所述切割本體21和所述驅(qū)動機構(gòu)提供電能，所述控制器控制所述切割本體21和所述驅(qū)動機構(gòu)運作。所述驅(qū)動機構(gòu)驅(qū)動所述切割本體21以及所述切割網(wǎng)線22對所述硅塊I進行切割。在其他實施方式中，所述電源和所述驅(qū)動機構(gòu)也可以設(shè)置于所述切割本體上。
[0030]本實施方式中，所述切割網(wǎng)線22安裝于所述基座23上，并相對所述底座10固定。所述切割網(wǎng)線22為七根等距排列的鋼線，七根鋼線位于同一水平面內(nèi)。所述切割網(wǎng)線22與所述多根金屬管道11在豎直方向上相對應(yīng)，并且所述切割網(wǎng)線22與所述多根金屬管道11之間存在間距，使得所述硅塊I切割結(jié)束后不會碰到所述金屬管道11。通過驅(qū)動所述切割網(wǎng)線22相對所述硅塊I移動，利用所述切割網(wǎng)線22上的砂漿對所述硅塊I摩擦，同時利用所述切割本體21靠近所述底座10移動，從而實現(xiàn)對所述硅塊I進行切割，使得所述硅塊I被切割成八個硅片。當然，在其他實施方式中，所述切割網(wǎng)線還可以設(shè)置八根黃銅線，若需要將所述硅塊切割成厚薄不一的硅片，所述切割網(wǎng)線還可以設(shè)置多根不等距排列的鋼絲。
[0031]本實施方式中，所述除砂漿雜質(zhì)的硅塊切割裝置100包括多個噴射管道31。具體的，所述多個噴射管道31相對所述切割本體21固定。所述砂漿噴嘴30設(shè)置于所述噴射管道31 —端，所述噴射管道31另一端接通砂漿儲蓄罐(未圖示)。所述噴射管道31的長度方向平行于豎直方向，每一根所述噴射管道31對應(yīng)所述切割網(wǎng)線22的一根鋼線噴射砂漿，使得所述切割網(wǎng)線22的每一根鋼線上包覆有所述砂漿。當然，在其他實施方式中，還可以是多個所述砂漿噴嘴對應(yīng)所述切割網(wǎng)線的一根鋼線。
[0032]進一步地，所述除砂漿雜質(zhì)的硅塊切割裝置100還包括繞線輪40，所述繞線輪40轉(zhuǎn)動連接于所述底座10，所述切割網(wǎng)線22纏繞于所述繞線輪40。
[0033]具體的，所述繞線輪40的轉(zhuǎn)軸設(shè)置于所述基座23上，并且所述繞線輪40的轉(zhuǎn)軸軸向垂直于所述多根金屬管道11的長度方向。通過所述切割網(wǎng)線22纏繞于所述繞線輪40上，使得所述切割網(wǎng)線22對所述硅塊I的切割更穩(wěn)定，保證了所述硅塊I的質(zhì)量。
[0034]本實施方式中，所述切割機構(gòu)20包括四個所述繞線輪23，所述四個繞線輪23包括位于所述基座23頂端的兩個相對設(shè)置的第一轉(zhuǎn)輪231，以及位于所述基座23底端的兩個相對設(shè)置的第二轉(zhuǎn)輪232。所述第二轉(zhuǎn)輪232在豎直方向上相對所述第一轉(zhuǎn)輪231，并且所述第二轉(zhuǎn)輪232的轉(zhuǎn)動方向與所述第一轉(zhuǎn)輪231的轉(zhuǎn)動方向在同一平面內(nèi)，且相同設(shè)置。所述切割網(wǎng)線22同時纏繞于所述四個繞線輪23上，位于所述兩個第二轉(zhuǎn)輪232之間的切割網(wǎng)線22對所述硅塊I切割。所述砂漿噴嘴30位于所述兩個第二轉(zhuǎn)輪232之間。進而使得所述切割網(wǎng)線22上的砂漿量充足，保證了所述硅塊I的切割質(zhì)量。在其他實施方式中，所述切割機構(gòu)還可以設(shè)置三個所述繞線輪。
[0035]進一步地，所述砂漿噴嘴30的噴射方向朝向所述多根金屬管道11。
[0036]本實施方式中，所述砂衆(zhòng)噴嘴30的噴射方向為豎直方向朝向所述多根金屬管道11，使得所述切割網(wǎng)線22上的所述砂漿距離所述金屬管道11最短，增強了所述金屬管道11對所述砂漿中的雜質(zhì)吸附力，使得所述除砂漿雜質(zhì)的硅塊切割裝置100的除雜質(zhì)效率提高，從而保證了所述硅塊I的切割質(zhì)量。在其他實施方式中，所述砂漿噴嘴的噴射方向還可以是水平方向。
[0037]請一并參閱圖1和圖2，本發(fā)明的實施方式中還提供一種除砂漿雜質(zhì)的硅塊切割方法。所述除砂漿雜質(zhì)的硅塊切割方法運用所述除砂漿雜質(zhì)的硅塊切割裝置100 (見圖1)，所述除砂漿雜質(zhì)的硅塊切割方法包括步驟:
[0038]101:將硅塊I放置于切割本體21上。
[0039]本實施方式中，將所述硅塊I懸掛于所述切割本體21上，并調(diào)節(jié)所述硅塊I的四個側(cè)面對應(yīng)所述底座10的四個側(cè)面距離相等。當然，在其他實施方式中，還可以是調(diào)節(jié)所述硅塊的幾何中心與所述底座的幾何中心在同一豎直方向上。
[0040]102:調(diào)節(jié)所述繞線輪23預(yù)設(shè)轉(zhuǎn)速。
[0041]本實施方式中，調(diào)節(jié)所述繞線輪23預(yù)設(shè)轉(zhuǎn)速為100r/min?5000r/min。具體的，所述預(yù)設(shè)轉(zhuǎn)速為200r/min。
[0042]103:調(diào)節(jié)所述砂漿噴嘴30噴射預(yù)設(shè)流量的所述砂漿。
[0043]本實施方式中，調(diào)節(jié)所述砂漿噴嘴30的預(yù)設(shè)流量為800ml/s?2000ml/s。具體的，所述預(yù)設(shè)流量為1400ml/s。
[0044]104:將所述磁體12插入所述金屬管道11內(nèi)。
[0045]本實施方式中，對所述磁體12接入220V電壓，使得所述磁體12接入電流產(chǎn)生磁性。當然，在其他實施方式中，還可以對所述磁體接入I1v電壓。
[0046]105:調(diào)節(jié)所述切割本體21靠近所述底座10，利用所述切割網(wǎng)線22切割所述硅塊
1
[0047]本實施方式中，通過所述切割機構(gòu)20的控制器控制所述切割本體21勻速靠近所述底座10，使得所述切割網(wǎng)線22勻速對所述硅塊I進行切割。
[0048]106:停止切割，調(diào)節(jié)所述切割本體21遠離所述底座10。
[0049]本實施方式中，在所述切割網(wǎng)線22對所述硅塊I切割完畢后，利用所述控制器控制所述切割本體21升起，遠離所述底座10，從而將切割成型的多個硅片取出。
[0050]本實施方式中，所述除砂漿雜質(zhì)的硅塊切割方法還包括步驟:
[0051]107:對所述磁體12斷開電流，取出所述磁體12，對所述多根金屬管道11表面進行清洗。
[0052]具體的，在所述除砂漿雜質(zhì)的硅塊切割方法中需要對多個硅塊進行切割時，當切割完一個所述硅塊I后，對所述磁體12斷開電流，將所述多根金屬管道11從基座23拆卸下來，取出所述磁體12，對所述多根金屬管道11的表面進行清洗，然后將所述多根金屬管道11安裝于所述基座23上，將另一所述硅塊I放置于所述切割本體21上，按照所述步驟101?106對另一個所述娃塊I進行切割。
[0053]本發(fā)明提供的除砂漿雜質(zhì)的硅塊切割裝置及方法，通過在所述多根金屬管道中插入磁體，使得所述切割網(wǎng)線對所述硅塊切割時，所述切割網(wǎng)線上砂漿的金屬雜質(zhì)在所述磁體的磁力驅(qū)動下，被吸附于所述多根金屬管道上，使得所述砂漿的性能改善，提高了砂漿利用率，降低硅切割的成本；降低硅塊切割后的線痕比例；提高了硅塊切割的生產(chǎn)良率及品質(zhì)。
[0054]以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當指出，對于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也視為本發(fā)明的保護范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種除砂漿雜質(zhì)的硅塊切割裝置，其特征在于，所述除砂漿雜質(zhì)的硅塊切割裝置包括底座、切割機構(gòu)和砂漿噴嘴，所述底座包括多根并列的中空金屬管道，所述多根金屬管道之間存在間距，所述多根金屬管道內(nèi)設(shè)置可插拔的磁體，所述切割機構(gòu)包括切割本體和切割網(wǎng)線，所述切割網(wǎng)線安裝于所述底座上并與所述多根金屬管道相對應(yīng)，所述切割本體上用于懸掛硅塊，所述切割本體沿靠近或遠離所述切割網(wǎng)線的方向滑動設(shè)置并且朝向所述切割網(wǎng)線設(shè)置，所述砂漿噴嘴相對所述切割本體固定，對所述切割網(wǎng)線噴設(shè)硅切割砂漿。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的除砂漿雜質(zhì)的硅塊切割裝置，其特征在于，所述除砂漿雜質(zhì)的硅塊切割裝置還包括繞線輪，所述繞線輪轉(zhuǎn)動連接于所述底座，所述切割網(wǎng)線纏繞于所述繞線輪。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的除砂漿雜質(zhì)的硅塊切割裝置，其特征在于，所述砂漿噴嘴的噴射方向朝向所述多根金屬管道。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的除砂漿雜質(zhì)的硅塊切割裝置，其特征在于，所述多根金屬管道等距排列。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的除砂漿雜質(zhì)的硅塊切割裝置，其特征在于，所述磁體為電磁鐵或者釹鐵硼磁棒。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的除砂漿雜質(zhì)的硅塊切割裝置，其特征在于，所述金屬管道一端開口，另一端封閉。
7.—種除砂漿雜質(zhì)的硅塊切割方法，其特征在于，所述除砂漿雜質(zhì)的硅塊切割方法運用權(quán)利要求1?6所述的除砂漿雜質(zhì)的硅塊切割裝置，所述除砂漿雜質(zhì)的硅塊切割方法包括步驟: 將娃塊放置于切割本體上； 調(diào)節(jié)所述繞線輪預(yù)設(shè)轉(zhuǎn)速； 調(diào)節(jié)所述砂漿噴嘴噴射預(yù)設(shè)流量的所述砂漿； 將所述磁體插入所述金屬管道內(nèi)； 調(diào)節(jié)所述切割本體靠近所述底座，利用所述切割網(wǎng)線切割所述硅塊； 停止切割，調(diào)節(jié)所述切割本體遠離所述底座。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的除砂漿雜質(zhì)的硅塊切割方法，其特征在于，所述除砂漿雜質(zhì)的硅塊切割方法還包括:取出所述磁體，對所述多根金屬管道表面進行清洗。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的除砂漿雜質(zhì)的硅塊切割方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)轉(zhuǎn)速為100r/min ?5000r/mino
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的除砂漿雜質(zhì)的硅塊切割方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)流量為800ml/s ?2000ml/s。
【文檔編號】B28D7/00GK104325567SQ201410448807
【公開日】2015年2月4日 申請日期:2014年9月4日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月4日
【發(fā)明者】曹琦, 章金兵, 范立峰, 李建, 毛偉, 宋紹林, 張細根 申請人:江西賽維Ldk太陽能高科技有限公司