一種藍(lán)色三銀low-e玻璃及制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種藍(lán)色三銀LOW-E玻璃，包括有玻璃基片，在所述的玻璃基片的復(fù)合面上由內(nèi)到外依次相鄰地復(fù)合有十五個(gè)膜層，其特征在于：其中第一膜層即最內(nèi)層為Si3N4層，第二膜層為TiO2層，第三膜層為ZnO層，第四膜層為Ag層，第五膜層為NiCr層，第六層膜為ZnSnO3層，第七膜層為ZnO層，第八膜層為Ag層，第九膜層為NiCr層，第十膜層為ZnSnO3層，第十一膜層為Ag層，第十二膜層為NiCr層，第十三膜層為ZnSnO3層，最外層第十四膜層為Si3N4層。
【專利說明】—種藍(lán)色三銀LOW-E玻璃及制備方法
【【技術(shù)領(lǐng)域】】
[0001]本發(fā)明涉及一種鍍膜玻璃，更具體地說是一種藍(lán)色三銀LOW-E玻璃，本發(fā)明還涉及一種玻璃的制備方法。
【【背景技術(shù)】】
[0002]玻璃是在當(dāng)代的生產(chǎn)和生活中扮演著重要角色，建筑物的門窗汽車車窗和擋風(fēng)玻璃等等許多地方都用到玻璃，給生產(chǎn)和生活帶來了很多的方便。藍(lán)色玻璃需求量也很大，但現(xiàn)有的藍(lán)色玻璃陽光透過率低，反射率高，遮陽系數(shù)高。
【
【發(fā)明內(nèi)容】
】
[0003]本發(fā)明目的是克服了現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種透過率高，反射率低，遮陽系數(shù)小的藍(lán)色三銀LOW-E玻璃。本發(fā)明還提供一種藍(lán)色三銀LOW-E玻璃的制備方法。
[0004]本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:
[0005]一種藍(lán)色三銀LOW-E玻璃，包括有玻璃基片I，在所述的玻璃基片I的復(fù)合面上由內(nèi)到外依次相鄰地復(fù)合有十五個(gè)膜層，其特征在于:其中第一膜層即最內(nèi)層為Si3N4層21，第二膜層為T12層22，第三膜層為ZnO層23，第四膜層為Ag層24，第五膜層為NiCr層25，第六層膜為ZnSnO3層26，第七膜層為ZnO層27，第八膜層為Ag層28，第九膜層為NiCr層29，第十膜層為ZnSnO3層210，第i^一膜層為Ag層211，第十二膜層為NiCr層212，第十三膜層為ZnSnO3層213，最外層第十四膜層為Si3N4層214。
[0006]如上所述的藍(lán)色三銀LOW-E玻璃，其特征在于所述第一膜層的Si3N4層21的厚度為10?15nm,最外層第十四膜層Si3N4層214的厚度為15?20nm。
[0007]如上所述的藍(lán)色三銀LOW-E玻璃，其特征在于所述第二膜層的T12層22的厚度為 15 ?20nm。
[0008]如上所述的藍(lán)色三銀LOW-E玻璃，其特征在于所述第三膜層ZnO層23的厚度為10?15nm,第七膜層ZnO層27的厚度為5?10nm。
[0009]如上所述的藍(lán)色三銀LOW-E玻璃，其特征在于所述第四膜層Ag層24的厚度為4?8nm,第八膜層為Ag層28的厚度為4?1nm,第^ 膜層為Ag層211的厚度為5?10nm。
[0010]如上所述的藍(lán)色三銀LOW-E玻璃，其特征在于所述第五膜層NiCr層25的厚度為0.5?2nm，第九膜層NiCr層29的厚度為0.5?Inm第十二膜層NiCr層212的厚度為0.5 ?2nm。
[0011]如上所述的藍(lán)色三銀LOW-E玻璃，其特征在于第六層膜為ZnSnO3層26的厚度為80?90nm，第十膜層為ZnSnO3層210的厚度為80?90nm，第十三膜層為ZnSnO3層213厚度為15?30nm。
[0012]一種制備上述的藍(lán)色三銀LOW-E玻璃的方法，其特征在于包括如下步驟:
[0013](I)磁控濺射Si3N4層，用交流中頻電源、氮?dú)庾鞣磻?yīng)氣體濺射半導(dǎo)體材料SiAl重量比 S1:Al = 90:10，密度 96% ；
[0014](2)磁控濺射T12層，用交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶；
[0015](3)磁控濺射ZnO層，用中頻交流電源濺射陶瓷Zn靶，為Ag層作鋪墊；
[0016](4)磁控濺射Ag層，用交流電源濺射；
[0017](5)磁控濺射NiCr層，用直流電源、氬氣作主反應(yīng)氣體的金屬濺射；
[0018](6)磁控濺射ZnSnO3層，用中頻交流電流濺射ZnSn重量比Zn: Sn = 48?52:48?52 ；
[0019](7)磁控濺射ZnO層，用中頻交流電源濺射陶瓷Zn靶，為Ag層作鋪墊；
[0020](8)磁控濺射Ag層，用交流電源濺射；
[0021](9)磁控濺射NiCr層，用直流電源、氬氣作主反應(yīng)氣體的金屬濺射；
[0022](10)磁控濺射ZnSnO3層，用中頻交流電流濺射ZnSn重量比Zn: Sn = 48?52:48?52 ；
[0023](11)磁控濺射Ag層，用交流電源濺射；
[0024](12)磁控濺射NiCr層，用直流電源、氬氣作主反應(yīng)氣體的金屬濺射；
[0025](13)磁控濺射ZnSnO3層，用中頻交流電流濺射ZnSn重量比Zn: Sn = 48?52:48?52 ；
[0026](14)磁控濺射Si3N4層，用交流中頻電源、氮?dú)庾鞣磻?yīng)氣體濺射半導(dǎo)體材料SiAl重量比 S1:Al = 90:10，密度 96%。
[0027]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明有如下優(yōu)點(diǎn):
[0028]1、本玻璃利用Si3N4作基膜及頂膜，使膜層有較好的粘結(jié)性及較佳的機(jī)械強(qiáng)度，利用T12提高玻璃的透光率，并用ZnO平整膜層，使T12膜表面光滑，改善后期銀膜的導(dǎo)電率。
[0029]2、本玻璃透光率T(透過透明或半透明體的光通量與其入射光通量的百分率)彡70%;反射率< 10，遮陽系數(shù)SCS 0.45。本玻璃輻射率< 0.03，輻射率是某物體的單位面積輻射的熱量同單位面積黑體在相同溫度、相同條件下輻射熱量之比。輻射率定義是某物體吸收或反射熱量的能力。玻璃的輻射率越接近于零，其絕熱性能就越好。
[0030]3、本玻璃顏色顯現(xiàn)藍(lán)色，a* = -2?-4，b* = -16?-18。
【【專利附圖】

【附圖說明】】
[0031]圖1是本發(fā)明結(jié)構(gòu)示意圖。
【【具體實(shí)施方式】】
[0032]一種藍(lán)色三銀LOW-E玻璃，包括有玻璃基片I，在所述的玻璃基片I的復(fù)合面上由內(nèi)到外依次相鄰地復(fù)合有十五個(gè)膜層，其中第一膜層即最內(nèi)層為Si3N4層21，第二膜層為T12層22，第三膜層為ZnO層23，第四膜層為Ag層24，第五膜層為NiCr層25，第六層膜為ZnSnO3層26，第七膜層為ZnO層27，第八膜層為Ag層28，第九膜層為NiCr層29，第十膜層為ZnSnO3層210，第i^一膜層為Ag層211，第十二膜層為NiCr層212，第十三膜層為ZnSnO3層213，最外層第十四膜層為Si3N4層214。
[0033]所述最內(nèi)層Si3N4層21，即氮化硅層；Si3N4是一種非常堅(jiān)硬的材料，提高膜層硬度及避免不良原子深入破壞銀層鍍膜層，使整個(gè)膜層在高溫下耐熱性更好，機(jī)械性更好，它確保了整個(gè)鍍層具有良好的機(jī)械耐久性。Si3N4層21的厚度為20?35nm，nm是納米，Im =109nm。
[0034]所述的第二層T12層22，即鈦的氧化物——二氧化鈦。采用高折射率η = 2.5的T12是為了提高玻璃的透光率，降低銀層的面電阻，減少銀的消耗，又可以減少LOW-E熱處理后產(chǎn)生光散射，而且玻璃呈中性顏色，T12膜表面非常光滑，因而改善了銀膜的導(dǎo)電率。T12層的厚度是15?20nm。
[0035]所述第三層ZnO層23，即氧化鋅層，是減反射的金屬氧化物層，同時(shí)進(jìn)一步提高銀膜的導(dǎo)電率。氧化鋅ZnO可用作助熔劑，降低玻璃的燒結(jié)溫度，用作玻璃涂料，讓可見光通過的同時(shí)反射紅外線，以達(dá)到保溫或隔熱的效果。ZnO層厚度為10?15nm。
[0036]所述第四層Ag層24，即金屬銀層，金屬銀提供了較低的輻射率，起環(huán)保節(jié)能的作用；厚度為4?8nm。
[0037]所述第五膜層的NiCr層25，即鎳鉻金屬層，作為Ag層的保護(hù)層及平整層，提高耐氧化性能防止Ag層的氧化。NiCr層的厚度為0.5?2nm。
[0038]所述第六層ZnSnO3層26，即氧化鋅錫層，增加玻璃的透過率，ZnSnO3的厚度為80 ?90nm。
[0039]所述第七層ZnO層27，即氧化鋅層，ZnO層厚度為5?10nm。
[0040]所述第八層Ag層28，即金屬銀層,厚度為4?10nm。
[0041]所述第九膜層的NiCr層29，即即鎳鉻金屬層，厚度為0.5?lnm。
[0042]所述第十層ZnSnO3層210,即氧化鋅錫層，ZnSnO3的厚度為80?90nm。
[0043]所述第^ 層Ag層211,即金屬銀層，厚度為5?10nm。
[0044]所述第十二層NiCr層212，即鎳鉻金屬層，作為Ag層的保護(hù)層及平整層，提高耐氧化性能防止Ag層的氧化。NiCr層的厚度為0.5?2nm。
[0045]所述第十三層ZnSnO3層213,即氧化鋅錫層，ZnSnO3的厚度為15?30nm。
[0046]所述的最外層Si3N4層214，即氮化硅層；它確保了整個(gè)鍍層具有良好的機(jī)械耐久性。Si3N4膜是非常堅(jiān)硬，而且抗劃傷，它的硬度是玻璃的三倍，是T12的二倍；Si3N4的折射率為2.05，吸收率幾乎為零，所以它作為Low-e鍍層的頂層是非常適合的。Si3N4層的厚度為 15 ?20nm。
[0047]一種制備上述的藍(lán)色三銀LOW-E玻璃的方法，包括如下步驟:
[0048](I)磁控濺射Si3N4層，用交流中頻電源、氮?dú)庾鞣磻?yīng)氣體濺射半導(dǎo)體材料SiAl重量比 S1:Al = 90:10，密度 96% ；
[0049](2)磁控濺射T12層，用交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶；
[0050](3)磁控濺射ZnO層，用中頻交流電源濺射陶瓷Zn靶，為Ag層作鋪墊；
[0051](4)磁控濺射Ag層，用交流電源濺射；
[0052](5)磁控濺射NiCr層，用直流電源、氬氣作主反應(yīng)氣體的金屬濺射；
[0053](6)磁控濺射ZnSnO3層，用中頻交流電流濺射ZnSn重量比Zn: Sn = 48?52:48?52 ；
[0054](7)磁控濺射ZnO層，用中頻交流電源濺射陶瓷Zn靶，為Ag層作鋪墊；
[0055](8)磁控濺射Ag層，用交流電源濺射；
[0056](9)磁控濺射NiCr層，用直流電源、氬氣作主反應(yīng)氣體的金屬濺射；
[0057](10)磁控濺射ZnSnO3層，用中頻交流電流濺射ZnSn重量比Zn: Sn = 48?52:48?52 ；
[0058](11)磁控濺射Ag層，用交流電源濺射；
[0059](12)磁控濺射NiCr層，用直流電源、氬氣作主反應(yīng)氣體的金屬濺射；
[0060](13)磁控濺射ZnSnO3層，用中頻交流電流濺射ZnSn重量比Zn: Sn = 48?52:48?52 ；
[0061](14)磁控濺射Si3N4層，用交流中頻電源、氮?dú)庾鞣磻?yīng)氣體濺射半導(dǎo)體材料SiAl重量比 S1:Al = 90:10，密度 96%。
[0062]藍(lán)色三銀LOW-E玻璃在陽光性能上有很大提高，三層銀膜可以使發(fā)射率降到很低值，即傳熱系數(shù)降到低值；而且它在降低太陽能的同時(shí)，仍然能保持很高的可見光透過率，所以三銀LOW-E鍍層在陽光性能方面具有良好的選擇性。
[0063]LOff-E玻璃也叫做低輻射鍍膜玻璃。
[0064]本玻璃利用T12可降低銀層的面電阻，減少銀的消耗，又可以減少LOW-E熱處理后產(chǎn)生光散射，利用Si3N4作基膜及頂膜，使膜層有較好的粘結(jié)性及較佳的機(jī)械強(qiáng)度，利用T12提高玻璃的透光率，并用ZnO平整膜層，使T12膜表面光滑，改善后期銀膜的導(dǎo)電率。
[0065]本玻璃透光率T(透過透明或半透明體的光通量與其入射光通量的百分率)彡70%;反射率< 10，遮陽系數(shù)SCS 0.45。本玻璃輻射率< 0.03，輻射率是某物體的單位面積輻射的熱量同單位面積黑體在相同溫度、相同條件下輻射熱量之比。輻射率定義是某物體吸收或反射熱量的能力。玻璃的輻射率越接近于零，其絕熱性能就越好。
[0066]本玻璃顏色顯現(xiàn)藍(lán)色，a* = -2?-4，b* = -16?-18。
【權(quán)利要求】
1.一種藍(lán)色三銀LOW-E玻璃，包括有玻璃基片(I)，在所述的玻璃基片(I)的復(fù)合面上由內(nèi)到外依次相鄰地復(fù)合有十五個(gè)膜層，其特征在于:其中第一膜層即最內(nèi)層為Si3N4層(21)，第二膜層為T12層(22)，第三膜層為ZnO層(23)，第四膜層為Ag層(24)，第五膜層為NiCr層(25)，第六層膜為ZnSnO3層(26)，第七膜層為ZnO層(27)，第八膜層為Ag層(28)，第九膜層為NiCr層(29)，第十膜層為ZnSnO3層(210)，第十一膜層為Ag層(211)，第十二膜層為NiCr層(212)，第十三膜層為ZnSnO3層(213)，最外層第十四膜層為Si3N4層(214)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的藍(lán)色三銀LOW-E玻璃，其特征在于所述第一膜層的Si3N4層(21)的厚度為10?15nm，最外層第十四膜層Si3N4層(214)的厚度為15?20nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的藍(lán)色三銀LOW-E玻璃，其特征在于所述第二膜層的T12層(22)的厚度為15?20nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的藍(lán)色三銀LOW-E玻璃，其特征在于所述第三膜層ZnO層(23)的厚度為10?15nm,第七膜層ZnO層(27)的厚度為5?10nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的藍(lán)色三銀LOW-E玻璃，其特征在于所述第四膜層Ag層(24)的厚度為4?8nm,第八膜層為Ag層(28)的厚度為4?1nm,第^ 膜層為Ag層(211)的厚度為5?10nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的藍(lán)色三銀LOW-E玻璃，其特征在于所述第五膜層NiCr層(25)的厚度為0.5?2nm，第九膜層NiCr層(29)的厚度為0.5?Inm第十二膜層NiCr層(212)的厚度為0.5?2nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的藍(lán)色三銀LOW-E玻璃，其特征在于第六層膜為ZnSnO3層(26)的厚度為80?90nm，第十膜層為ZnSnO3層(210)的厚度為80?90nm，第十三膜層為ZnSnO3層(213)厚度為15?30nm。
8.一種制備權(quán)利要求1-7任意一項(xiàng)所述的藍(lán)色三銀LOW-E玻璃的方法，其特征在于包括如下步驟: (1)磁控濺射Si3N4層，用交流中頻電源、氮?dú)庾鞣磻?yīng)氣體濺射半導(dǎo)體材料SiAl重量比S1:Al = 90:10，密度 96% ； (2)磁控濺射T12層，用交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶； (3)磁控濺射ZnO層，用中頻交流電源濺射陶瓷Zn靶，為Ag層作鋪墊； (4)磁控濺射Ag層，用交流電源濺射； (5)磁控濺射NiCr層，用直流電源、氬氣作主反應(yīng)氣體的金屬濺射； (6)磁控濺射ZnSnO3層，用中頻交流電流濺射ZnSn重量比Zn:Sn = 48?52:48?52 ; (7)磁控濺射ZnO層，用中頻交流電源濺射陶瓷Zn靶，為Ag層作鋪墊； (8)磁控濺射Ag層，用交流電源濺射； (9)磁控濺射NiCr層，用直流電源、氬氣作主反應(yīng)氣體的金屬濺射； (10)磁控濺射ZnSnO3層，用中頻交流電流濺射ZnSn重量比Zn:Sn = 48?52:48?.52 ； (11)磁控濺射Ag層，用交流電源濺射； (12)磁控濺射NiCr層，用直流電源、氬氣作主反應(yīng)氣體的金屬濺射； (13)磁控濺射ZnSnO3層，用中頻交流電流濺射ZnSn重量比Zn:Sn = 48?52:48?
. 52 ； (14)磁控濺射Si3N4層，用交流中頻電源、氮?dú)庾鞣磻?yīng)氣體濺射半導(dǎo)體材料SiAl重量比 S1:Al = 90:10，密度 96%。
【文檔編號】C03C17/36GK104325734SQ201410563886
【公開日】2015年2月4日 申請日期:2014年10月18日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月18日
【發(fā)明者】秦文鋒, 王玲, 楊永華 申請人:中山市創(chuàng)科科研技術(shù)服務(wù)有限公司