半導(dǎo)體晶體切割用樹脂支撐板的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種半導(dǎo)體晶體切割用樹脂支撐板，該支撐板的一側(cè)表面為圓弧形，在支撐板的圓弧形表面開設(shè)有若干凹槽。最好所述凹槽為長條狀溝槽，且沿其溝槽長度方向延伸至所述支撐板的兩側(cè)面。本實用新型通過在弧形支撐板上加工溝槽，有效地達(dá)到了減薄膠水層厚度的目，間接地實現(xiàn)了提局桂片等半導(dǎo)體晶體切割質(zhì)量、避免切割掉片的效果，為提高半導(dǎo)體晶片的切割水平有很大的幫助。
【專利說明】半導(dǎo)體晶體切割用樹脂支撐板

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型專利涉及半導(dǎo)體晶體切割【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種半導(dǎo)體晶體切割用樹脂支撐板。

【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體晶體切割采用弧形支撐板來粘接半導(dǎo)體晶體與切割機(jī)。在切割過程中，支撐板起到支撐、固定半導(dǎo)體晶體的作用。切割前，支撐板與半導(dǎo)體晶體的接觸面通過膠水粘接，形成膠水層，如圖1和圖2所示；在切割完成后，用脫膠劑將膠水層分解，使支撐板與半導(dǎo)體晶片脫離。因此，膠水層的厚度、硬度、粘接強(qiáng)度以及支撐板的硬度、耐溫性等參數(shù)對切割質(zhì)量都有著及其重要的影響。
[0003]為了提高切割質(zhì)量，行業(yè)內(nèi)的技術(shù)人員通過反復(fù)實驗證明，膠水層減薄對提高切片質(zhì)量有明顯幫助。為此，膠水層厚度一般控制在0.2?0.3_左右。但是如果進(jìn)一步減薄膠水層，則會面臨至少兩個問題:一是，膠水層變薄，粘接強(qiáng)度減小，切割中掉片，影響切片質(zhì)量；二是，膠水層排氣不均勻，粘接后膠水層存在氣泡，影響切片質(zhì)量。
實用新型內(nèi)容
[0004]本實用新型對半導(dǎo)體晶體切割用樹脂支撐板進(jìn)行改進(jìn)，設(shè)計一種半導(dǎo)體晶體切割用新型樹脂支撐板，消除了膠水層氣泡對粘接強(qiáng)度的影響，并有效增加了粘接強(qiáng)度，使得減薄膠水層厚度、進(jìn)而提高切割質(zhì)量成為可能。
[0005]為實現(xiàn)本實用新型的目的，本實用新型的技術(shù)方案是一種半導(dǎo)體晶體切割用樹脂支撐板，該支撐板的一側(cè)表面為圓弧形，在支撐板的圓弧形表面開設(shè)有若干凹槽。
[0006]通過在支撐板的弧形表面設(shè)置凹槽，膠水可以通過毛細(xì)管作用進(jìn)入溝槽內(nèi)，凝固后的留在溝槽內(nèi)的膠水與貼近弧面的膠水層連成一體，從而增加了膠水層的粘接強(qiáng)度，避免了切割掉片的現(xiàn)象。另一方面，使得膠水層中所含的氣泡可以上升至凹槽內(nèi)，克服了使用傳統(tǒng)半導(dǎo)體切割用樹脂支撐板時氣泡殘留在膠水層內(nèi)影響粘接強(qiáng)度的缺點(diǎn)。
[0007]為了使凹槽內(nèi)的氣泡能更快溢出，進(jìn)而有效地排出膠水層中的氣體，提高了半導(dǎo)體晶體的切片質(zhì)量，優(yōu)選地，所述凹槽為長條狀溝槽，且沿其溝槽長度方向延伸至所述支撐板的兩側(cè)面。
[0008]兼顧到毛細(xì)管作用發(fā)生容易性和洗膠容易性，優(yōu)選地，所述溝槽寬度為2?10mm，所述溝槽的數(shù)量為3?10條。
[0009]為了保證開槽后溝槽內(nèi)不產(chǎn)生粉末殘留、避免殘留粉末影響粘接強(qiáng)度，優(yōu)選地，所述溝槽內(nèi)壁具有圓滑結(jié)構(gòu)。
[0010]為此，所述溝槽可以為帶有圓弧結(jié)構(gòu)的矩形溝槽，或者為帶有圓弧結(jié)構(gòu)的V形溝槽。
[0011]本實用新型的優(yōu)點(diǎn)和有益效果在于:本實用新型通過在弧形支撐板上加工溝槽，有效地達(dá)到了減薄膠水層厚度的目，間接地實現(xiàn)了提高硅片等半導(dǎo)體晶體切割質(zhì)量、避免切割掉片的效果，為提高半導(dǎo)體晶片的切割水平有很大的幫助。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]圖1是傳統(tǒng)的半導(dǎo)體晶體切割用樹脂支撐板的截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0013]圖2是傳統(tǒng)的半導(dǎo)體晶體切割用樹脂支撐板的使用狀態(tài)示意圖；
[0014]圖3是本實用新型半導(dǎo)體晶體切割用樹脂支撐板的截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015]圖4是本實用新型半導(dǎo)體晶體切割用樹脂支撐板的使用狀態(tài)示意圖；
[0016]圖5是本實用新型半導(dǎo)體晶體切割用樹脂支撐板的另一種截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017]圖6是本實用新型半導(dǎo)體晶體切割用樹脂支撐板的又一種截面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0018]圖中:1、支撐板；11、上表面；12、凹槽；3、膠水層；4、半導(dǎo)體晶體。

【具體實施方式】
[0019]下面結(jié)合附圖，對本實用新型的【具體實施方式】作進(jìn)一步描述。以下實施例僅用于更加清楚地說明本實用新型的技術(shù)方案，而不能以此來限制本實用新型的保護(hù)范圍。
[0020]本實用新型是一種半導(dǎo)體晶體切割用樹脂支撐板，如圖3和圖4所示，該支撐板I的一側(cè)表面11為圓弧形，在支撐板I的圓弧形上表面11開設(shè)有若干凹槽12。用于粘接半導(dǎo)體晶體4時，膠水可以通過毛細(xì)管作用進(jìn)入溝槽12內(nèi)，凝固后的留在溝槽12內(nèi)的膠水與貼近圓弧形上表面11的膠水連成一體，從而增加了膠水層3的粘接強(qiáng)度，避免了切割掉片的現(xiàn)象。另外，膠水層3中所含的氣泡可以上升至凹槽12內(nèi)，克服了使用傳統(tǒng)半導(dǎo)體切割用樹脂支撐板時氣泡殘留在膠水層3內(nèi)影響粘接強(qiáng)度的缺點(diǎn)。
[0021]為了使凹槽12內(nèi)的氣泡能更快溢出，進(jìn)而有效地排出膠水層3中的氣體，提高了半導(dǎo)體晶體4的切片質(zhì)量，凹槽12最好為長條狀溝槽，且沿其溝槽長度方向延伸至支撐板I的兩側(cè)面。兼顧到毛細(xì)管作用發(fā)生和洗膠容易性，長條形溝槽寬度最好為2?10mm，長條形溝槽的數(shù)量為3?10條。為了保證開槽后溝槽內(nèi)不產(chǎn)生粉末殘留、避免殘留粉末影響粘接強(qiáng)度，溝槽內(nèi)壁最好具有圓滑結(jié)構(gòu)。為此，溝槽可以為帶有圓弧結(jié)構(gòu)的矩形溝槽，如圖5所示，或者為帶有圓弧結(jié)構(gòu)的V形溝槽，如圖6所示。
[0022]以上所述僅是本實用新型的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實用新型技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本實用新型的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體晶體切割用樹脂支撐板，其特征在于:所述支撐板的一側(cè)表面為圓弧形，在支撐板的圓弧形表面開設(shè)有若干凹槽。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶體切割用樹脂支撐板，其特征在于:所述凹槽為長條狀溝槽，且沿其溝槽長度方向延伸至所述支撐板的兩側(cè)面。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體晶體切割用樹脂支撐板，其特征在于:所述溝槽寬度為2?1mm,所述溝槽的數(shù)量為3?10條。
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體晶體切割用樹脂支撐板，其特征在于:所述溝槽內(nèi)壁具有圓滑結(jié)構(gòu)。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體晶體切割用樹脂支撐板，其特征在于:所述溝槽為帶有圓弧結(jié)構(gòu)的矩形溝槽。
6.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體晶體切割用樹脂支撐板，其特征在于:所述溝槽為帶有圓弧結(jié)構(gòu)的V形溝槽。
【文檔編號】B28D7/04GK204019773SQ201420241527
【公開日】2014年12月17日 申請日期:2014年5月12日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月12日
【發(fā)明者】韓衛(wèi), 王瀅贊, 曹中謙 申請人:蘇州潤德新材料有限公司