拐角吸波塊的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了拐角吸波塊,呈發(fā)散型或收斂型,在發(fā)散或收斂的表面上有密集排布難燃型吸波角錐單元體組成的吸波材料，所述難燃型吸波角錐單元體由難燃型吸波基材制成，吸波基材由無紡布構(gòu)成，其外面涂有鋁鎂復(fù)合粉、水溶性增塑劑、粘結(jié)劑、炭黑和水混合物質(zhì)。本實(shí)用新型可以根據(jù)墻面的不同形狀，收斂型或發(fā)散型，制作相應(yīng)的墻面吸波材料，能夠很好地解決了以往這些發(fā)散型或收斂型墻面無法滿足吸波要求的難題，節(jié)約了成本，具有實(shí)際應(yīng)用和推廣價(jià)值。
【專利說明】拐角吸波塊

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及吸波領(lǐng)域，特別是涉及拐角吸波塊。

【背景技術(shù)】
[0002]由于暗室的形狀和空間不一，墻面的結(jié)構(gòu)復(fù)雜，現(xiàn)有的吸波塊對于墻面發(fā)散部和收斂部沒有很好的處理方式，導(dǎo)致在這些部位吸波塊的安裝及吸波效果不夠理想。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供一種能夠同時(shí)吸收不同波長電磁波的拐角吸波塊，其成本低廉、安裝簡單。
[0004]本實(shí)用新型采取的技術(shù)方案如下:
[0005]拐角吸波塊，呈凸?fàn)罨虬紶睿谄渫範(fàn)罨虬紶畹谋砻嫔厦懿加谐拾l(fā)散型或收斂型的難燃型吸波角錐單元體。
[0006]所述難燃型吸波角錐單元體由難燃型吸波基材制成，吸波基材由無紡布構(gòu)成，其外面涂有鋁鎂復(fù)合粉、水溶性增塑劑、粘結(jié)劑、炭黑和水混合物質(zhì)層。
[0007]吸波角錐單元體底部為一長方形或正方形，其高度Ii1為衰減段，從底部至角錐單元體吸波基材頂部為角錐H1，角錐底寬為b，匹配段為H1-1v
[0008]吸波角錐單元體底部內(nèi)設(shè)置有另一至四個(gè)小角錐單元體，其張角α大于其外的角錐單元體角錐張角α。
[0009]吸波角錐單元體外面僅涂炭黑。
[0010]本實(shí)用新型可以根據(jù)墻面的不同形狀，收斂型或發(fā)散型，制作相應(yīng)的墻面吸波塊，能夠很好地解決了以往這些發(fā)散型或收斂型墻面無法滿足吸波要求的難題，節(jié)約了成本，具有實(shí)際應(yīng)用和推廣價(jià)值。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]圖1吸波角錐單元體結(jié)構(gòu)圖
[0012]圖2底部內(nèi)設(shè)置的小角錐單元體結(jié)構(gòu)圖
[0013]圖3角錐單元體底部內(nèi)設(shè)置有四個(gè)小角錐單元體的結(jié)構(gòu)圖
[0014]圖4發(fā)散拐角吸波塊側(cè)視圖
[0015]圖5發(fā)散拐角吸波塊斜視圖
[0016]圖6發(fā)散拐角吸波塊底部視圖
[0017]圖7收斂拐角吸波塊側(cè)視圖
[0018]圖8收斂拐角吸波塊斜視圖
[0019]具體實(shí)施方法
[0020]下面結(jié)合附圖，對本實(shí)用新型的具體實(shí)施方法作進(jìn)一步說明。
[0021]根據(jù)圖1所示，此為拐角吸波塊的一個(gè)吸波角錐單元體。在本實(shí)施例中，此吸波角錐單元體由難燃型吸波基材制成，基材基本塊是無紡布，也可以由其它吸波基材比如聚氨酯泡沫吸波基材構(gòu)成。在無紡布外面涂有鋁鎂復(fù)合粉、水溶性增塑劑、粘結(jié)劑、炭黑和水混合的物質(zhì)層，加強(qiáng)無紡布的結(jié)構(gòu)性能以及阻燃、吸波性能，然后用機(jī)械壓痕，進(jìn)行折疊，制作、粘結(jié)成吸波角錐單元體，其底部是一長方形或正方形的結(jié)構(gòu)，其高度Ii1為衰減段，從底部至角錐單元體頂部為角錐H1，角錐底寬為b，匹配段為H1-1v
[0022]在吸波角錐單元體底部設(shè)置另外的小角錐單元體，本例中采用四個(gè)同樣大小的三角形小角錐單元體，如圖2所示，其張角α大于外部的角錐單元體的角錐張角，因此在外部的角錐單元體底部附近收口，如圖3所示。能夠阻擋外部角錐單元體底部反射回的電磁波，吸波效果更佳。
[0023]圖4和圖5所展示的分別是發(fā)散拐角吸波塊側(cè)視圖和斜試圖，在發(fā)散型的表面上密集排布著吸波角錐單元體，發(fā)散型墻面一般呈凸?fàn)睿鶕?jù)其大小和面積制作相應(yīng)規(guī)格的發(fā)散拐角吸波塊。
[0024]圖6是發(fā)散墻面吸波塊的底視圖，在該實(shí)施中，吸波角錐單元體的底部設(shè)置了另外的角錐單元體，吸波效果更好。
[0025]圖7和圖8所展示的分別是收斂拐角吸波塊側(cè)視圖和斜試圖，在收斂型的表面上密集排布著吸波角錐單元體，收斂型墻面一般呈凹狀，根據(jù)實(shí)際大小和面積制作相應(yīng)規(guī)格的收斂拐角吸波塊。
[0026]具體使用中，選取α為12-14度，角錐底寬b為60mm，角錐H1為270_330mm，衰減段Ii1為50-80mm，匹配段H1-1i1為220_250mm，則在800MHZ-50GHZ頻段內(nèi)具有良好吸波能力、
反射率低。
[0027]選取α為6.5-11.4度，角錐底寬b為60mm，角錐H1為400_600臟，衰減段Ii1為70-100mm,匹配段H1-1i1為300_530mm，則在800MHZ_100GHZ頻段內(nèi)具有良好吸波能力、反射率低。
[0028]選取α為7.4-8.4度，角錐底寬b為80.5mm,角錐H1為700_720mm，衰減段Ii1為100-140mm,匹配段Hfh1為560_620mm，則在800MHZ_50GHZ頻段內(nèi)具有良好吸波能力、反射率低的EMC難燃吸波塊。
[0029]選取α為7.9-8.8度，角錐底寬b為123mm，角錐H1為980_1020mm，衰減段Ii1為130-180mm,匹配段H1-1i1為800_890mm，則在50MHZ_40GHZ頻段內(nèi)同鐵氧體吸波板匹配具有良好吸波能力、反射率低。
[0030]選取α為8.8-10度，角錐底寬13為163111111，角錐!11為1180-1220111111，衰減段111為160-240mm,匹配段H1-1i1為940_1060mm，則在30MHZ_40GHZ頻段內(nèi)具有良好的吸波能力、反射率低，較好地解決了匹配特性和衰減特性之間的矛盾。
[0031]選取α為7-9度，角錐底寬b為163mm，角錐H1為1500-1650mm，衰減段Ii1為500-650mm,匹配段H1-1i1為950-1150mm，則在30MHZ-40GHZ頻段內(nèi)具有良好的吸波能力、反射率低，較好地解決了匹配特性和衰減特性之間的矛盾。
[0032]選取α為9.6-10.8度，角錐底寬b為245mm，角錐H1為1920_2020mm，衰減段Ii1為560-620mm，匹配段H1-1i1為1300_1460_，則在10MHZ_40GHZ頻段內(nèi)具有良好的吸波能力、反射率低，較好地解決了匹配特性和衰減特性之間的矛盾。
[0033]在角錐單元體頂部50-80_根據(jù)需要僅涂碳黑吸波層,減小吸波單元體角錐頭部相對介電常數(shù)，進(jìn)一步改善吸波塊的匹配特性。
[0034]本實(shí)用新型不限于本實(shí)施例的描述，凡是經(jīng)過簡單替換、等同替換的各實(shí)施方式也落入本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.拐角吸波塊，其特征在于呈凸?fàn)罨虬紶?，在其凸?fàn)罨虬紶畹谋砻嫔厦懿加谐拾l(fā)散型或收斂型的難燃型吸波角錐單元體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拐角吸波塊，所述吸波角錐單元體底部為一長方形或正方形，其高度hi為衰減段，從底部至角錐單元體吸波基材頂部為角錐H1，角錐底寬為b，匹配段為Hl-hl。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拐角吸波塊，所述吸波角錐單元體底部內(nèi)設(shè)置有另一至四個(gè)小角錐單元體，其張角α大于其外的角錐單元體角錐張角a。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拐角吸波塊，所述吸波角錐單元體外面僅涂炭黑。
【文檔編號】E04B1/92GK204081116SQ201420483159
【公開日】2015年1月7日 申請日期:2014年8月25日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月25日
【發(fā)明者】張宇橋 申請人:張宇橋