1.一種切片方法，包括晶圓，其特征在于，包括信號(hào)筆、數(shù)據(jù)處理模塊、控制模塊、第一切割裝置、第二切割裝置，所述信號(hào)筆、數(shù)據(jù)處理模塊、控制模塊依次串聯(lián)相連，所述第一切割裝置和第二切割裝置分別與控制模塊相連；
切片方法如下：
a.所述信號(hào)筆用于收集所待述晶圓待切割面的信息數(shù)據(jù)I，并將所述信息數(shù)據(jù)I傳遞給所述數(shù)據(jù)處理模塊，所述數(shù)據(jù)處理模塊對(duì)所述信息數(shù)據(jù)進(jìn)行處理并向控制模塊傳輸預(yù)切割方案；
b.控制模塊根據(jù)所述預(yù)切割方案向所述第一切割裝置發(fā)出第一次切割命令，所述第一切割裝置對(duì)所述晶圓進(jìn)行第一次切割并得到晶圓切面I；
c.所述信號(hào)筆第二次收集所待晶圓切面I的信息數(shù)據(jù)II，并將所述信息數(shù)據(jù)II傳遞給所述數(shù)據(jù)處理模塊，所述數(shù)據(jù)處理模塊對(duì)所述信息數(shù)據(jù)進(jìn)行處理并向控制模塊傳輸切割方案；
d.控制模塊根據(jù)所述切割方案向所述第二切割裝置發(fā)出第二次切割命令，所述第二切割裝置對(duì)所述晶圓進(jìn)行第二次切割，得到晶圓切片，完成一次切割程序。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種切片方法，其特征在于，所述第一切切割指沿著晶圓一周進(jìn)行。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種切片方法，其特征在于，所述第一切切割深度為1/4-1/3晶圓半徑。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種切片方法，其特征在于，步驟d中得到晶圓切片后用惰性氣體對(duì)晶圓和晶圓切片進(jìn)行吹掃和冷卻。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種切片方法，其特征在于，所述惰性氣體選自氮?dú)?、二氧化碳中的一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種切片方法，其特征在于，所述吹掃結(jié)束后，對(duì)所述晶圓切片進(jìn)行雙面研磨工序，所述研磨工序用于除去切片過(guò)程中的毛刺。