本發(fā)明屬于光伏設(shè)備制造技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種多晶硅錠的開(kāi)方裝置和方法。

背景技術(shù)：

目前G6多晶硅錠開(kāi)方過(guò)程中，普遍采用的如圖1所示的布線方式，圖1為現(xiàn)有技術(shù)中采用的多晶硅錠開(kāi)方布線的方式的示意圖。開(kāi)方后得到可用硅塊101和多晶邊皮102其中，多晶邊皮102的厚度約為3cm，靠坩堝面的多晶邊皮由于受到坩堝噴涂的氮化硅和坩堝中其他雜質(zhì)的擴(kuò)散影響，導(dǎo)致靠坩堝面的多晶邊皮中雜質(zhì)含量高，正常情況下，該部分的多晶邊皮經(jīng)過(guò)打磨和清洗后，循環(huán)用于鑄錠過(guò)程中。打磨過(guò)程中，硅料成粉塵狀，無(wú)法循環(huán)使用，造成硅料的損耗，而且打磨過(guò)程中，會(huì)產(chǎn)生大量粉塵和噪音，對(duì)員工造成一定的傷害，打磨過(guò)程中，由于部分雜質(zhì)鑲嵌的較深，雜質(zhì)無(wú)法通過(guò)打磨過(guò)程被完全去除，循環(huán)使用會(huì)導(dǎo)致雜質(zhì)被重新引入硅錠中，降低鑄錠質(zhì)量。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種多晶硅錠的開(kāi)方裝置和方法，將邊皮料分為兩部分，靠近坩堝面的邊皮，雜質(zhì)含量較高，后續(xù)將其回爐提純后再鑄錠，而靠中心硅錠區(qū)的邊皮則可以直接通過(guò)清洗后循環(huán)使用，能夠減少靠近坩堝面的邊皮的打磨，減少硅料中的雜質(zhì)，提高鑄錠質(zhì)量，避免雜質(zhì)去除不完全和粉塵狀硅料的損耗問(wèn)題。

本發(fā)明提供的一種多晶硅錠的開(kāi)方裝置，包括相互平行的多條切割線，其中位于最外側(cè)的邊皮切割線用于切出邊皮，在所述邊皮切割線的外側(cè)還設(shè)置有至少一條對(duì)所述邊皮進(jìn)行細(xì)分的附加切割線，用于將靠近坩堝面的邊皮與靠近中心硅錠的邊皮分離出來(lái)。

優(yōu)選的，在上述多晶硅錠的開(kāi)方裝置中，所述附加切割線的數(shù)量為一條。

優(yōu)選的，在上述多晶硅錠的開(kāi)方裝置中，所述附加切割線與硅錠邊緣之間的水平方向上的距離為5毫米至10毫米。

優(yōu)選的，在上述多晶硅錠的開(kāi)方裝置中，所述邊皮切割線與所述硅錠邊緣之間的水平方向上的距離為15毫米至40毫米。

本發(fā)明提供的一種多晶硅錠的開(kāi)方方法，包括：

利用如權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的開(kāi)方裝置對(duì)多晶硅錠進(jìn)行開(kāi)方，得到靠近坩堝面的邊皮以及靠近中心硅錠的邊皮；

將所述靠近坩堝面的邊皮清洗后進(jìn)行回爐提純；

將所述靠近中心硅錠的邊皮清洗后直接循環(huán)利用，生長(zhǎng)多晶硅錠。

優(yōu)選的，在上述多晶硅錠的開(kāi)方方法中，所述將所述靠近坩堝面的邊皮清洗后進(jìn)行回爐提純包括：

將所述靠近坩堝面的邊皮清洗后放入坩堝中進(jìn)行熔化鑄錠，將雜質(zhì)聚集到硅錠的頭部和尾部，再將硅錠頭部和尾部進(jìn)行打磨酸洗以進(jìn)一步除雜提純。

通過(guò)上述描述可知，本發(fā)明提供的上述多晶硅錠的開(kāi)方裝置和方法，由于該裝置包括相互平行的多條切割線，其中位于最外側(cè)的邊皮切割線用于切出邊皮，在所述邊皮切割線的外側(cè)還設(shè)置有至少一條對(duì)所述邊皮進(jìn)行細(xì)分的附加切割線，用于將靠近坩堝面的邊皮與靠近中心硅錠的邊皮分離出來(lái)，因此，靠近坩堝面的邊皮，雜質(zhì)含量較高，后續(xù)將其回爐提純后再鑄錠，而靠中心硅錠區(qū)的邊皮則可以直接通過(guò)清洗后循環(huán)使用，能夠減少靠近坩堝面的邊皮的打磨，減少硅料中的雜質(zhì)，提高鑄錠質(zhì)量，避免雜質(zhì)去除不完全和粉塵狀硅料的損耗問(wèn)題。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中采用的多晶硅錠開(kāi)方布線的方式的示意圖；

圖2為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的第一種多晶硅錠的開(kāi)方裝置的示意圖；

圖3為利用本申請(qǐng)實(shí)施例提供的第一種多晶鑄錠的開(kāi)方裝置切出來(lái)的邊皮的示意圖；

圖4為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的第一種多晶硅錠的開(kāi)方方法的示意圖。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明的核心思想在于提供一種多晶硅錠的開(kāi)方裝置和方法，將邊皮料分為兩部分，靠近坩堝面的邊皮，雜質(zhì)含量較高，后續(xù)將其回爐提純后再鑄錠，而靠中心硅錠區(qū)的邊皮則可以直接通過(guò)清洗后循環(huán)使用，能夠減少靠近坩堝面的邊皮的打磨，減少硅料中的雜質(zhì)，提高鑄錠質(zhì)量，避免雜質(zhì)去除不完全和粉塵狀硅料的損耗問(wèn)題。

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供的第一種多晶硅錠的開(kāi)方裝置如圖2所示，圖2為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的第一種多晶硅錠的開(kāi)方裝置的示意圖。該裝置包括相互平行的多條切割線，其中位于最外側(cè)的邊皮切割線201用于切出邊皮，在所述邊皮切割線201的外側(cè)還設(shè)置有至少一條對(duì)所述邊皮進(jìn)行細(xì)分的附加切割線202，用于將靠近坩堝面的邊皮與靠近中心硅錠的邊皮分離出來(lái)。

切出來(lái)的邊皮如圖3所示，圖3為利用本申請(qǐng)實(shí)施例提供的第一種多晶鑄錠的開(kāi)方裝置切出來(lái)的邊皮的示意圖，其中包括靠近坩堝面的邊皮301和靠近中心硅錠的邊皮302，這兩部分的雜質(zhì)含量不同，靠近坩堝面的邊皮301雜質(zhì)含量高，雜質(zhì)鑲嵌較深，而靠近中心硅錠的邊皮302基本無(wú)雜質(zhì)的存在，后續(xù)流程就能夠?qū)刹糠诌M(jìn)行針對(duì)性的處理，減少了打磨強(qiáng)度，也減少了硅料的損耗。此處需要說(shuō)明的是，還可以將所述靠近中心硅錠的邊皮302進(jìn)一步細(xì)分成不同質(zhì)量的兩部分，具體的就是再添加一組導(dǎo)輪和切割線，從而實(shí)現(xiàn)更為精細(xì)的分類(lèi)處理。當(dāng)然還可以進(jìn)一步細(xì)分，此處并不做任何限制。

通過(guò)上述描述可知，本申請(qǐng)實(shí)施例提供的上述第一種多晶硅錠的開(kāi)方裝置，由于包括相互平行的多條切割線，其中位于最外側(cè)的邊皮切割線用于切出邊皮，在所述邊皮切割線的外側(cè)還設(shè)置有至少一條對(duì)所述邊皮進(jìn)行細(xì)分的附加切割線，用于將靠近坩堝面的邊皮與靠近中心硅錠的邊皮分離出來(lái)，因此，靠近坩堝面的邊皮，雜質(zhì)含量較高，后續(xù)將其回爐提純后再鑄錠，而靠中心硅錠區(qū)的邊皮則可以直接通過(guò)清洗后循環(huán)使用，能夠減少靠近坩堝面的邊皮的打磨，減少硅料中的雜質(zhì)，提高鑄錠質(zhì)量，避免雜質(zhì)去除不完全和粉塵狀硅料的損耗問(wèn)題。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供的第二種多晶硅錠的開(kāi)方裝置，是在上述第一種多晶硅錠的開(kāi)方裝置的基礎(chǔ)上，還包括如下技術(shù)特征：

所述附加切割線的數(shù)量為一條。在這種情況下，就會(huì)將邊皮料劃分為一個(gè)靠近坩堝的邊皮料和一個(gè)靠近中心硅錠的邊皮料，然后將靠近坩堝的邊皮料進(jìn)行提純后再鑄錠，而將靠近中心硅錠的邊皮料直接鑄錠，從而減少邊皮的打磨成本，而且靠近中心的硅錠的純度足夠高，不至于對(duì)鑄錠過(guò)程引入雜質(zhì)，從而降低生產(chǎn)成本。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供的第三種多晶硅錠的開(kāi)方裝置，是在上述第二種多晶硅錠的開(kāi)方裝置的基礎(chǔ)上，還包括如下技術(shù)特征：

所述附加切割線與硅錠邊緣之間的水平方向上的距離為5毫米至10毫米。在這種情況下，得到的靠近坩堝面的邊皮的厚度為5-10毫米，一般而言，坩堝面的雜質(zhì)的穿透厚度不至于高于這種范圍，因此后續(xù)只需要對(duì)這一部分邊皮料進(jìn)行提純即可，提高工作效率。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供的第四種多晶硅錠的開(kāi)方裝置，是在上述第三種多晶硅錠的開(kāi)方裝置的基礎(chǔ)上，還包括如下技術(shù)特征：

所述邊皮切割線與所述硅錠邊緣之間的水平方向上的距離為15毫米至40毫米。

在這種情況下，得到的靠近中心硅錠的邊皮料的厚度為10-30毫米，這種厚度范圍足以保證其內(nèi)部無(wú)雜質(zhì)，可以將其直接用來(lái)生產(chǎn)硅錠，而不至于向硅錠中引入雜質(zhì)，可見(jiàn)，這就避免了對(duì)其打磨等操作，降低了生產(chǎn)成本。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供的第一種多晶硅錠的開(kāi)方方法如圖4所示，圖4為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的第一種多晶硅錠的開(kāi)方方法的示意圖，該方法包括如下步驟：

S1：利用如上任一項(xiàng)所述的開(kāi)方裝置對(duì)多晶硅錠進(jìn)行開(kāi)方，得到靠近坩堝面的邊皮以及靠近中心硅錠的邊皮；

需要說(shuō)明的是，硅錠的每一面上分離出來(lái)的靠近坩堝面的邊皮一般只有一個(gè)，而靠近硅錠中心的邊皮可以為一個(gè)、兩個(gè)或更多，可以根據(jù)處理精細(xì)程度的要求進(jìn)行適應(yīng)性的調(diào)整，實(shí)際上，本實(shí)施例中，只要將靠近坩堝面的邊皮料和靠近硅錠中心的邊皮分離開(kāi)來(lái)就可以。

S2：將所述靠近坩堝面的邊皮清洗后進(jìn)行回爐提純；

具體的，這種靠近坩堝面的邊皮的雜質(zhì)含量高，雜質(zhì)鑲嵌較深，通過(guò)簡(jiǎn)單的打磨后，清洗、回爐提純，通過(guò)回爐去除雜質(zhì)。

S3：將所述靠近中心硅錠的邊皮清洗后直接循環(huán)利用，生長(zhǎng)多晶硅錠。

該靠近中心硅錠的邊皮中基本無(wú)雜質(zhì)的存在，經(jīng)過(guò)清洗后直接循環(huán)使用，而不會(huì)因?yàn)殡s質(zhì)的存在而導(dǎo)致鑄錠效果差。

可見(jiàn)，對(duì)多晶邊皮的兩部分區(qū)分處理，減少了打磨強(qiáng)度，減少了硅料的損耗，通過(guò)區(qū)分處理，減少了硅料中的雜質(zhì)，提高了鑄錠質(zhì)量。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供的第二種多晶硅錠的開(kāi)方方法，在上述第一種多晶硅錠的開(kāi)方方法的基礎(chǔ)上，還包括如下技術(shù)特征：

所述將所述靠近坩堝面的邊皮清洗后進(jìn)行回爐提純包括：

將所述靠近坩堝面的邊皮清洗后放入坩堝中進(jìn)行熔化鑄錠，其中，清洗過(guò)程包括酸洗和堿洗，酸洗過(guò)程主要使用硝酸和氫氟酸的混酸對(duì)硅料進(jìn)行浸泡，堿洗過(guò)程主要使用的堿為片堿氫氧化鈉，清洗完成后，硅料使用純水浸泡去除硅料中的酸液或堿液，之后進(jìn)行超聲，完全去除硅料中的殘存酸液和堿液；鑄錠過(guò)程之后，硅料中的雜質(zhì)匯集到硅錠的頭部和尾部，使得硅料中的無(wú)法去除的分散雜質(zhì)匯集在一起，對(duì)硅料進(jìn)行了有效的提純；其中雜質(zhì)含量較多的頭尾料經(jīng)過(guò)打磨、酸洗等工序進(jìn)行進(jìn)一步的除雜，若以上工序都不能有效去除雜質(zhì)，則進(jìn)行二次回爐將雜質(zhì)聚集到硅錠的頭部和尾部，再將硅錠頭部和尾部進(jìn)行打磨酸洗以進(jìn)一步除雜提純。

對(duì)所公開(kāi)的實(shí)施例的上述說(shuō)明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專(zhuān)業(yè)技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將是顯而易見(jiàn)的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開(kāi)的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。