本發(fā)明涉及半導體晶體材料切割技術領域，具體涉及一種晶體的定向切割方法及定位粘接裝置。

背景技術：

多線切割機主要用于定向切割半導體晶體材料，切割前晶體的定位粘接是晶體材料加工過程中的一個關鍵步驟。由于切割后晶圓晶向的要求很高，這就需要在晶體材料加工過程中對切割前晶體定位的粘接要求就嚴格，以保證晶體材料在多線切割的過程中按既定的晶向進行切割。目前，在國內晶體材料的多線切割過程中采用手工粘接，產(chǎn)品一致性差，同時在粘接劑凝固過程中容易造成晶體與切割底座角度偏差，切割后晶片的晶向偏差大。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明提出一種晶體的定向切割方法及定位粘接裝置，以解決現(xiàn)有技術中因手工粘接造成的晶體與切割底座角度偏差，切割后晶片的晶向偏差大等問題。

本發(fā)明的技術方案是這樣實現(xiàn)的：

一種晶體的定向切割方法，包括以下步驟：S1、將切割底座與圓柱形晶體平整放置并接觸，在二者之間填充粘接劑；S2、將切割底座與圓柱形晶體的上下左右均固定，靜置，使二者粘結在一起；S3、將粘接好的晶體放置在X射線定向儀上，進行晶體底面定向測試，以確定切割線及切割面晶向；S4、將粘接好的晶體及切割底座裝在多線切割機上，根據(jù)所述切割線及切割面晶向，調整切割角度，切割后就可以得出相應晶向的晶體切割片。

作為本發(fā)明的進一步改進，步驟S3包括：S31、先依據(jù)晶體的晶向確定主副參考邊，即大邊和小邊；S32、根據(jù)大邊和小邊，測出晶體4個點的角度值，每個測試點相隔90°相鄰兩個測試點的角度值相差4°，找出角度值相同的兩個點，該兩點的連線即為切割線。

作為本發(fā)明的進一步改進，步驟S2中，靜置2小時以上。

本發(fā)明還涉及一種晶體的定位粘接裝置，包括：底板，其兩端設有向上的折邊，其中一個折邊上設有通孔；2塊側板，分別設于底板的兩側，2塊側板的內側上端分別設有滑槽；用于分別固定切割底座與晶體的兩個旋轉頂桿，包括：內桿、與內桿上部相配合旋轉的外桿、與外桿下端固連的支撐片和套設在內桿下部的彈簧，彈簧位于支撐片的下方，支撐片的兩端分別卡在2塊側板的滑槽內；用于固定晶體頂部的支撐托桿，設于通孔處。

作為本發(fā)明的進一步改進，還包括：固定塊，設于晶體頂部與支撐托桿之間。

作為本發(fā)明的進一步改進，一塊側板與底板固連，另一塊側板與底板活動連接。

本發(fā)明的有益效果如下：

本發(fā)明晶體的定向切割方法及定位粘接裝置，使得切割石墨底座與晶體緊密粘接在一起，避免粘接劑在凝固過程中造成切割石墨底座與晶體底面偏差，保證晶體切割后晶向偏差控制在6’以內。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是實施例中4H-SiC碳化硅晶體晶向的測試圖；

圖2是實施例中定位粘接裝置的結構分解示意圖；

圖3是實施例中定位粘接裝置的結構示意圖。

具體實施方式

下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

說明性實施例中的晶體的定向切割方法，包括以下步驟：

S1、將切割底座與圓柱形晶體平整放置并接觸，在二者之間填充粘接劑；

S2、將切割底座與圓柱形晶體的上下左右均固定，靜置，使二者粘結在一起；

S3、將粘接好的晶體的切割底座放置在X射線定向儀上，進行晶體底面定向測試，以確定切割線及切割面晶向；

S4、將粘接好的晶體裝在多線切割機上，根據(jù)所述切割線，調整切割角度，切割后就可以得出相應的晶體切割片。

實施例中步驟S3包括：

S31、先依據(jù)晶體的晶向確定主副參考邊，即大邊(主參考邊)和小邊(副參考邊)，該主副參考邊用于區(qū)分圓形晶片的正反面，正反面即晶片的硅(Si)面和碳(C)面；

如圖1所示，為實施例中4H-SiC碳化硅晶體的測試圖，A點一側為小邊，B點一側為大邊，BD兩點的連線即為切割線。

S32、根據(jù)大邊和小邊，測出晶體4個點的角度值，每個測試點相隔90°相鄰兩個測試點的角度值相差4°，找出角度值相同的兩個點，該兩點的連線即為切割線。

優(yōu)選地，步驟S2中，靜置2小時以上。

如圖2和3所示，為實施例中定位粘接裝置的結構示意圖。

本發(fā)明還涉及一種晶體的定位粘接裝置，包括：底板1、2塊側板2、用于分別固定切割底座7與晶體8的兩個旋轉頂桿3、用于固定晶體8頂部的支撐托桿9；底板1的兩端設有向上的折邊，其中一個折邊上設有通孔；2塊側板2分別設于底板1的兩側，2塊側板2的內側上端分別設有滑槽；旋轉頂桿3包括：內桿、與內桿上部相配合旋轉的外桿、與外桿下端固連的支撐片5和套設在內桿下部的彈簧6，彈簧6位于支撐片5的下方，支撐片5的兩端分別卡在2塊側板2的滑槽內；支撐托桿9設于通孔處。

實施例中晶體的定位粘接裝置，還包括：固定塊10，設于晶體8頂部與支撐托桿9之間。

優(yōu)選地，一塊側板2與底板1固連，另一塊側板2與底板1活動連接。

實施例中，定位粘接裝置使用時，將側板與底板分離，旋轉頂桿旋轉到最上部，支撐托桿、固定塊也均與底板分離；粘接晶體時，將切割底座、晶體、固定塊平整放置在底板上，在切割底座與晶體之間填充粘接劑，隨后旋轉螺絲使得側板與底板固定結實，在旋轉桿支撐片的支撐下，旋緊兩個旋轉頂桿使其分別頂在石墨底座中部和晶體中部，調整頂部支撐托桿使固定塊頂在晶體頂部，靜置2小時以上，使得切割石墨底座與晶體緊密粘接在一起。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內。