本發(fā)明涉及建筑結構的框架柱，尤其涉及一種提高框架柱延性的對焊箍筋與方法。

背景技術：

框架結構具有平面布置靈活和可提供大空間的特點，廣泛地應用于商場、住宅、學校教學樓等建筑中。框架柱作為框架結構關鍵的受力構件，其抗震性能的優(yōu)劣直接影響框架結構的抗震性能。在荷載作用下，框架柱端部受力復雜，同時受到較大的彎矩、剪力和軸力的共同作用。傳統(tǒng)的鋼筋混凝土框架柱端部布置加密封閉箍筋來承受剪力，并與受力縱筋形成鋼筋骨架約束混凝土。為了保證箍筋的有效作用，現(xiàn)行規(guī)范要求封閉箍筋在連接處要設置彎鉤，并且彎鉤也要具有一定的長度。然而在實際工程和試驗中發(fā)現(xiàn)，即使?jié)M足現(xiàn)行規(guī)范要求，在荷載作用下框架柱端部第一個箍筋也易于發(fā)生彎鉤脫開而失去封閉箍筋的作用。此時，不僅框架柱的受剪承載力下降，而且由于失去了箍筋的有效約束作用，受力縱筋更容易被壓屈成燈籠狀，混凝土更容易被壓碎，導致框架柱的承載力迅速下降?？蚣苤瞬康谝粋€封閉箍筋的約束失效，不僅導致框架柱的承載力下降而易于破壞，而且達不到預期的抗震設計水平。

技術實現(xiàn)要素：

為了解決框架柱端部第一個箍筋由于彎鉤脫開而約束失效的問題，本發(fā)明提供一種提高框架柱延性的對焊箍筋與方法。充分發(fā)揮封閉箍筋的作用，提高框架柱的延性和抗震性能。

本發(fā)明通過下述技術方案實現(xiàn)：

一種提高框架柱延性的對焊箍筋，包括框架柱1、框架梁2，以分布在框架柱1上的加密區(qū)箍筋6；所述加密區(qū)箍筋6位于框架梁2這一側(cè)的第一個箍筋的頭尾結合處分別采用閃光對焊結構8；使第一個箍筋形成對焊封閉箍筋結構7。

所述對焊封閉箍筋結構7的位置，分別距離框架柱1端部45mm～50mm。

所述閃光對焊結構8位于對焊封閉箍筋結構7的中部。

一種提高框架柱延性的方法，其包括如下步驟：

將箍筋以閃光對焊的方式形成對焊封閉箍筋結構7，閃光對焊結構8的焊點位置設在箍筋受力小一邊的中部；

然后將對焊封閉箍筋結構7放置在距離框架柱1端部50mm處作為第一個箍筋。

本發(fā)明相對于現(xiàn)有技術，具有如下的優(yōu)點及效果：

施工工藝為僅需將框架柱端部的第一個箍筋替換為對焊封閉箍筋結構，施工工藝簡單方便。

框架柱端部的第一個箍筋變成了對焊封閉箍筋結構后，在荷載作用下，不會像常規(guī)箍筋一樣彎鉤脫開，充分發(fā)揮了封閉箍筋對縱筋和混凝土的橫向約束作用，提高了框架柱的延性和抗震性能。

附圖說明

圖1為本發(fā)明提高框架柱延性的對焊箍筋示意圖。

圖2為圖1中a-a剖面示意圖。

圖3為本發(fā)明對焊封閉箍筋結構7示意圖。

圖中：框架柱1；框架梁2；樓板3；框架柱縱筋4；框架柱非加密區(qū)箍筋5；加密區(qū)箍筋6；對焊封閉箍筋結構7；閃光對焊結構8。

具體實施方式

下面結合具體實施例對本發(fā)明作進一步具體詳細描述。

實施例

如圖1至3所示。本發(fā)明公開了一種提高框架柱延性的對焊箍筋，包括框架柱1、框架梁2，以分布在框架柱1上的加密區(qū)箍筋6；所述加密區(qū)箍筋6位于框架梁2這一側(cè)的第一個箍筋的頭尾結合處分別采用閃光對焊結構8；使第一個箍筋形成對焊封閉箍筋結構7。

所述對焊封閉箍筋結構7的位置，分別距離框架柱1端部45mm～50mm。

所述閃光對焊結構8位于對焊封閉箍筋結構7的中部。

一種提高框架柱延性的方法，其包括如下步驟：

將箍筋以閃光對焊的方式形成對焊封閉箍筋結構7，閃光對焊結構8的焊點位置設在箍筋受力小一邊的中部；

然后將對焊封閉箍筋結構7放置在距離框架柱1端部50mm處作為第一個箍筋；

然后繼續(xù)按照設計圖紙要求綁扎鋼筋。

如上所述，便可較好地實現(xiàn)本發(fā)明。

本發(fā)明的實施方式并不受上述實施例的限制，其他任何未背離本發(fā)明的精神實質(zhì)與原理下所作的改變、修飾、替代、組合、簡化，均應為等效的置換方式，都包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。

技術特征：

技術總結
本發(fā)明公開了一種提高框架柱延性的對焊箍筋與方法；包括框架柱、框架梁，以分布在框架柱上的加密區(qū)箍筋；加密區(qū)箍筋位于框架梁這一側(cè)的第一個箍筋的頭尾結合處分別采用閃光對焊結構；使第一個箍筋形成對焊封閉箍筋結構。對焊封閉箍筋結構的位置，分別距離框架柱端部45mm～50mm。閃光對焊結構位于對焊封閉箍筋結構的中部。框架柱端部的第一個箍筋變成了對焊封閉箍筋結構后，在荷載作用下，不會像常規(guī)箍筋一樣彎鉤脫開，充分發(fā)揮了封閉箍筋對縱筋和混凝土的橫向約束作用，提高了框架柱的延性和抗震性能。

技術研發(fā)人員：季靜;尤濤;黃狄昉;韓小雷
受保護的技術使用者：華南理工大學
技術研發(fā)日：2017.06.28
技術公布日：2017.09.22