本公開(kāi)涉及光通信，具體涉及一種切縫方法及切縫裝置。

背景技術(shù)：

1、集成化是光通信器件的發(fā)展趨勢(shì)，光通信集成器件的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)是光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)。在實(shí)際應(yīng)用中，為了實(shí)現(xiàn)通信目的，需要對(duì)光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)進(jìn)行切割；例如，在陣列波導(dǎo)光柵的無(wú)熱封裝方案中采用波導(dǎo)切割的方式以補(bǔ)償波長(zhǎng)隨溫度的變化。但是波導(dǎo)結(jié)構(gòu)在進(jìn)行切縫時(shí)，一方面要求切縫的寬度要窄，從而減少切縫損耗，另一方面要求切縫的內(nèi)側(cè)光滑平整，不能有太多的缺口或崩邊。

2、相關(guān)技術(shù)中雖然通過(guò)在波導(dǎo)芯片的背面進(jìn)行開(kāi)槽以解決上述問(wèn)題，但是此方法不能提升波導(dǎo)芯片的切縫精度，不利于提升波導(dǎo)芯片的溫度補(bǔ)償效果。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本公開(kāi)的主要目的在于提供一種切縫方法及切縫裝置。

2、第一方面，本公開(kāi)實(shí)施例提供一種切縫方法，所述方法應(yīng)用于具有切縫標(biāo)記的波導(dǎo)芯片，所述方法，包括：

3、基于所述波導(dǎo)芯片的第一表面的切縫標(biāo)記，設(shè)置所述波導(dǎo)芯片的第二表面的開(kāi)槽區(qū)域，所述切縫標(biāo)記在所述波導(dǎo)芯片的第二表面的投影位于所述開(kāi)槽區(qū)域內(nèi)部；

4、將開(kāi)槽后的波導(dǎo)芯片固定于切縫基板上，所述開(kāi)槽區(qū)域在所述切縫基板上的投影位于所述切縫基板的切縫區(qū)域內(nèi)部；

5、基于所述波導(dǎo)芯片的第一表面的切縫標(biāo)記，對(duì)所述波導(dǎo)芯片進(jìn)行切縫，形成所述波導(dǎo)芯片上的細(xì)縫。

6、可選地，所述基于所述波導(dǎo)芯片的第一表面的切縫標(biāo)記，設(shè)置所述波導(dǎo)芯片的第二表面的開(kāi)槽區(qū)域，包括：

7、基于所述波導(dǎo)芯片的第一表面的切縫標(biāo)記，在所述波導(dǎo)芯片的邊緣選取所述波導(dǎo)芯片的參考標(biāo)記；

8、確定所述參考標(biāo)記與所述切縫標(biāo)記之間的相對(duì)位置信息；

9、基于所述相對(duì)位置信息和所述參考標(biāo)記，在所述波導(dǎo)芯片的第二表面開(kāi)設(shè)凹槽，以形成所述開(kāi)槽區(qū)域，所述凹槽的凹陷深度小于所述波導(dǎo)芯片的厚度，所述凹槽的槽寬大于所述波導(dǎo)芯片的切縫寬度。

10、可選地，所述基于所述相對(duì)位置信息和所述參考標(biāo)記，在所述波導(dǎo)芯片的第二表面開(kāi)設(shè)凹槽，包括：

11、基于所述參考標(biāo)記和所述相對(duì)位置信息，在所述波導(dǎo)芯片的第二表面選取第一標(biāo)記，所述切縫標(biāo)記在所述波導(dǎo)芯片的第二表面上的投影與所述第一標(biāo)記重合；

12、基于預(yù)設(shè)的切縫寬度，確定開(kāi)槽區(qū)域的目標(biāo)槽寬；

13、以所述第一標(biāo)記為中心點(diǎn)，設(shè)置具有所述目標(biāo)槽寬的所述凹槽。

14、可選地，所述波導(dǎo)芯片為平板波導(dǎo)芯片；所述相對(duì)位置信息至少包括：相對(duì)距離；

15、所述基于所述參考標(biāo)記和所述相對(duì)位置信息，在所述波導(dǎo)芯片的第二表面選取第一標(biāo)記，包括：

16、確定所述參考標(biāo)記所在的定位線，其中，所述定位線與所述切縫標(biāo)記所在的直線平行；

17、將所述定位線沿靠近所述波導(dǎo)芯片內(nèi)的切縫標(biāo)記的方向移動(dòng)所述相對(duì)距離；

18、基于移動(dòng)后的所述定位線的所在位置，確定所述第一標(biāo)記的所在位置。

19、可選地，所述波導(dǎo)芯片包括：平板波導(dǎo)和與所述平板波導(dǎo)相連的單模波導(dǎo)，且平板波導(dǎo)相對(duì)于單模波導(dǎo)傾斜；

20、所述相對(duì)位置信息至少包括：相對(duì)距離和相對(duì)角度；

21、所述基于所述參考標(biāo)記和所述相對(duì)位置信息，在所述波導(dǎo)芯片的第二表面選取第一標(biāo)記，包括：

22、基于所述相對(duì)角度，對(duì)所述參考標(biāo)記所在的定位線旋轉(zhuǎn)，其中，旋轉(zhuǎn)后的所述定位線與切縫標(biāo)記所在的直線平行；

23、將所述定位線沿靠近所述平板波導(dǎo)內(nèi)的切縫標(biāo)記的方向移動(dòng)所述相對(duì)距離；

24、基于移動(dòng)后的所述定位線的所在位置，確定所述第一標(biāo)記的所在位置。

25、可選地，所述方法，還包括：

26、基于所述參考標(biāo)記在所述切縫基板上的投影，確定所述切縫基板上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記；

27、基于所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記和所述相對(duì)位置信息，選取所述切縫基板上的切縫區(qū)域，所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與所述切縫區(qū)域之間的第一距離小于或等于所述參考標(biāo)記與所述開(kāi)槽區(qū)域之間的第二距離。

28、可選地，所述基于所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記和所述相對(duì)位置信息，選取所述切縫基板上的切縫區(qū)域，包括：

29、基于所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記和所述相對(duì)位置信息，在所述切縫基板上選取第二標(biāo)記，所述切縫標(biāo)記在所述切縫基板上的投影與所述第二標(biāo)記重合；

30、以所述第二標(biāo)記為中心點(diǎn)，選取所述切縫區(qū)域，所述切縫區(qū)域的區(qū)域?qū)挾却笥谒鲩_(kāi)槽區(qū)域的目標(biāo)槽寬。

31、可選地，所述切縫基板為溫度補(bǔ)償基板；所述方法，還包括：

32、在溫度變化的影響下，與所述波導(dǎo)芯片固定的所述溫度補(bǔ)償基板，帶動(dòng)所述細(xì)縫兩側(cè)的波導(dǎo)芯片相對(duì)移動(dòng)，以補(bǔ)償由溫度引起的所述波導(dǎo)芯片折射率變化，進(jìn)而導(dǎo)致的中心波長(zhǎng)的偏移。

33、可選地，所述基于所述波導(dǎo)芯片的第一表面的切縫標(biāo)記，在所述波導(dǎo)芯片的邊緣選取所述波導(dǎo)芯片的參考標(biāo)記，還包括：

34、若所述波導(dǎo)芯片是不規(guī)則形狀，基于所述切縫標(biāo)記，確定波導(dǎo)芯片對(duì)應(yīng)的切割線，其中，所述切割線與多個(gè)所述切縫標(biāo)記之間的連線不相交；

35、基于所述切割線，對(duì)所述波導(dǎo)芯片切割，以獲得規(guī)則形狀的波導(dǎo)芯片；

36、在所述規(guī)則形狀的波導(dǎo)芯片的邊緣選取所述參考標(biāo)記。

37、第二方面，本公開(kāi)實(shí)施例提供一種切縫裝置，所述裝置，包括：

38、開(kāi)槽組件，所述開(kāi)槽組件用于基于所述波導(dǎo)芯片的第一表面的切縫標(biāo)記，設(shè)置所述波導(dǎo)芯片的第二表面的開(kāi)槽區(qū)域，所述切縫標(biāo)記在所述波導(dǎo)芯片的第二表面的投影位于所述開(kāi)槽區(qū)域內(nèi)部；

39、固定組件，所述固定組件用于將開(kāi)槽后的波導(dǎo)芯片固定于切縫基板上，所述開(kāi)槽區(qū)域在所述切縫基板上的投影位于所述切縫基板的切縫區(qū)域內(nèi)部；

40、切縫組件，所述切縫組件用于基于所述波導(dǎo)芯片的第一表面的切縫標(biāo)記，對(duì)所述波導(dǎo)芯片進(jìn)行切縫，形成所述波導(dǎo)芯片上的細(xì)縫。

41、本公開(kāi)實(shí)施例基于波導(dǎo)芯片的第一表面的切縫標(biāo)記，設(shè)置波導(dǎo)芯片的第二表面的開(kāi)槽區(qū)域，使得波導(dǎo)芯片的第一表面的切縫標(biāo)記在波導(dǎo)芯片的第二表面上的投影位于波導(dǎo)芯片的開(kāi)槽區(qū)域的內(nèi)部；并將開(kāi)槽后的波導(dǎo)芯片固定于切縫基板上，令開(kāi)槽區(qū)域在切縫基板上的投影位于切縫基板的切縫區(qū)域內(nèi)部，從而使得波導(dǎo)芯片的第一表面的切縫標(biāo)記在切縫基板的投影也位于切縫基板的切縫區(qū)域內(nèi)部；最后基于波導(dǎo)芯片的第一表面的切縫標(biāo)記，對(duì)波導(dǎo)芯片進(jìn)行切縫，形成波導(dǎo)芯片上的細(xì)縫；以提高波導(dǎo)芯片的切縫精度，降低波導(dǎo)芯片的切縫損耗，提升波導(dǎo)芯片的溫度補(bǔ)償效果。

技術(shù)特征：

1.一種切縫方法，其特征在于，所述方法應(yīng)用于具有切縫標(biāo)記的波導(dǎo)芯片，所述方法，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述波導(dǎo)芯片的第一表面的切縫標(biāo)記，設(shè)置所述波導(dǎo)芯片的第二表面的開(kāi)槽區(qū)域，包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述基于所述相對(duì)位置信息和所述參考標(biāo)記，在所述波導(dǎo)芯片的第二表面開(kāi)設(shè)凹槽，包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述波導(dǎo)芯片為平板波導(dǎo)芯片；所述相對(duì)位置信息至少包括：相對(duì)距離；

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述波導(dǎo)芯片包括：平板波導(dǎo)和與所述平板波導(dǎo)相連的單模波導(dǎo)，且平板波導(dǎo)相對(duì)于單模波導(dǎo)傾斜；

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法，還包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述基于所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記和所述相對(duì)位置信息，選取所述切縫基板上的切縫區(qū)域，包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述切縫基板為溫度補(bǔ)償基板；所述方法，還包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述基于所述波導(dǎo)芯片的第一表面的切縫標(biāo)記，在所述波導(dǎo)芯片的邊緣選取所述波導(dǎo)芯片的參考標(biāo)記，還包括：

10.一種切縫裝置，所述裝置應(yīng)用于權(quán)利要求1至9任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述裝置，包括：

技術(shù)總結(jié)
本公開(kāi)提供一種切縫方法及切縫裝置，所述方法應(yīng)用于具有切縫標(biāo)記的波導(dǎo)芯片，所述方法，包括：基于所述波導(dǎo)芯片的第一表面的切縫標(biāo)記，設(shè)置所述波導(dǎo)芯片的第二表面的開(kāi)槽區(qū)域，所述切縫標(biāo)記在所述波導(dǎo)芯片的第二表面的投影位于所述開(kāi)槽區(qū)域內(nèi)部；將開(kāi)槽后的波導(dǎo)芯片固定于切縫基板上，所述開(kāi)槽區(qū)域在所述切縫基板上的投影位于所述切縫基板的切縫區(qū)域內(nèi)部；基于所述波導(dǎo)芯片的第一表面的切縫標(biāo)記，對(duì)所述波導(dǎo)芯片進(jìn)行切縫，形成所述波導(dǎo)芯片上的細(xì)縫。

技術(shù)研發(fā)人員：孔祥健,丁蘭,劉文俊,陳宏剛,張博,羅勇,馬衛(wèi)東
受保護(hù)的技術(shù)使用者：武漢光迅科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/26