本申請涉及晶體加工,特別涉及一種用于碲鋅鎘材料定向多線切割的方法。
背景技術(shù):
1、碲鋅鎘材料因其與碲鎘汞材料晶格常數(shù)的高匹配度,被廣泛用作紅外碲鎘汞外延用襯底材料。這種材料在晶體生長過程中易發(fā)生非均勻形核生長,導(dǎo)致整根晶體為單晶的概率較低,且生長周期長,待切割晶體形狀多為非規(guī)則塊狀晶粒。
2、現(xiàn)有的碲鋅鎘材料切割方法主要依賴內(nèi)圓切割機,該方法雖然靈活,但每次只能切割一片晶片,導(dǎo)致切割時間長且效率低。此外,多線切割方法雖然能夠一次性切割多個晶片,提高效率,但在切割過程中,由于碲鋅鎘材料對晶向偏差要求高,多線切割過程中的偏差問題對切割質(zhì)量影響較大,傳統(tǒng)的多線切割方法多適用于對晶向偏差要求不高的材料(如si),難以適用于對高晶向偏差要求的晶體(如碲鋅鎘)。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本申請的目的是提供一種用于碲鋅鎘材料定向多線切割的方法,通過結(jié)合內(nèi)圓切割機和多線切割機的使用,實現(xiàn)了碲鋅鎘材料的高效、精確切割,有效解決了現(xiàn)有技術(shù)中因設(shè)備限制而導(dǎo)致的切割效率低下和晶向偏差問題。
2、為實現(xiàn)上述目的,本申請?zhí)峁┮环N用于碲鋅鎘材料定向多線切割的方法,包括:
3、s1、內(nèi)圓切割流程:使用內(nèi)圓切割機,對晶體進行切割,在所述晶體上得到目標基準面;
4、s2、多線切割流程:使用多線切割機,先對料板組件進行切割,在所述料板組件上得到切割基準面,將所述晶體固定在所述料板組件上,使所述目標基準面與所述切割基準面對齊,再對所述晶體進行切割,得到滿足晶向偏差的晶片。
5、在一些實施例中,所述s1、所述內(nèi)圓切割流程,包括:
6、s11、粗切割定向:
7、使用內(nèi)圓切割機,對晶體進行切割,得到切割片;
8、使用定向儀,對所述切割片進行檢測,得到目標基準面與實際切割面的偏移夾角;
9、s12、細切割定向:
10、根據(jù)所述偏移夾角,通過所述內(nèi)圓切割機對切割位置相對所述晶體的位置進行調(diào)整,再對所述晶體進行切割,在所述晶體上得到目標基準面。
11、在一些實施例中,所述s11、粗切割定向,還包括:
12、針對具有多個晶粒的晶塊,使用內(nèi)圓切割機,按照所述晶粒的分布,將所述晶塊拆分成多塊晶體。
13、在一些實施例中,所述s11、粗切割定向,還包括:
14、比較所述偏移夾角與所述內(nèi)圓切割機的調(diào)整范圍,若所述偏移夾角介于所述調(diào)整范圍內(nèi),執(zhí)行下一步,若所述偏移夾角超出所述調(diào)整范圍外,調(diào)整所述晶體的擺放角度,使用所述內(nèi)圓切割機切割所述晶體、使用所述定向儀檢測得到的所述切割片,重復(fù)以上步驟。
15、在一些實施例中,所述s12、細切割定向,具體包括:
16、使用第一粘結(jié)件將所述晶體固定在第一支撐件上,使所述實際切割面與所述第一支撐件的定位面對齊,將所述第一支撐件固定在所述內(nèi)圓切割機的切割頭上;
17、根據(jù)所述偏移夾角,調(diào)整所述切割頭相對所述內(nèi)圓切割機的刀片的第一方向傾角和第二方向傾角,實現(xiàn)所述刀片和所述晶體相對位置的調(diào)整,再對所述晶體進行切割,在所述晶體上得到目標基準面。
18、在一些實施例中,所述s2、多線切割流程,包括:
19、s21、切面定位:
20、使用多線切割機,對料板組件上的第二支撐件進行切割,在所述第二支撐件上得到切割基準面;
21、s22、晶體定位:
22、將所述晶體固定在所述料板組件上,使所述目標基準面與所述切割基準面對齊;
23、s23、晶片切割:
24、對所述晶體進行切割,得到滿足晶向偏差的晶片。
25、在一些實施例中,所述s21、切面定位,包括:
26、將料板組件的第二支撐件固定在所述料板組件的料板上,調(diào)整所述料板相對多線切割機的位置,使得所述多線切割機僅能切割所述第二支撐件2-3片;
27、使用所述多線切割機,對所述第二支撐件進行切割,在所述第二支撐件上得到切割基準面。
28、在一些實施例中,所述s22、晶體定位,包括:
29、使用夾具將所述目標基準面與所述切割基準面對齊后緊貼固定在一起,在所述晶體與所述料板組件的料板之間放置第二粘結(jié)件,涂好粘結(jié)膠,使得所述晶體與所述料板粘結(jié)固定,通過靜置使所述粘結(jié)膠固化后,將所述夾具取下。
30、在一些實施例中,在所述s1、內(nèi)圓切割流程和所述s2、多線切割流程中使用帶燕尾槽的基板結(jié)構(gòu),所述s1、內(nèi)圓切割流程中的基板結(jié)構(gòu)設(shè)于第一支撐件,所述s2、多線切割流程中的基板結(jié)構(gòu)設(shè)于料板組件的料板。
31、在一些實施例中,在所述s1、內(nèi)圓切割流程中使用第一支撐件固定晶體的位置,所述第一支撐件為金屬錠;在所述s2、多線切割流程中使用第二支撐件固定晶體的位置,所述第二支撐件為石墨塊。
32、相對于上述背景技術(shù),本申請所提供的用于碲鋅鎘材料定向多線切割的方法主要包括:s1、內(nèi)圓切割流程:使用內(nèi)圓切割機,對晶體進行切割,在晶體上得到目標基準面;s2、多線切割流程:使用多線切割機,先對料板組件進行切割,在料板組件上得到切割基準面,將晶體固定在料板組件上,使目標基準面與切割基準面對齊,再對晶體進行切割,得到滿足晶向偏差的晶片。
33、本技術(shù)方案針對碲鋅鎘材料的切割過程中存在的效率低下和晶向偏差問題,提出了一種結(jié)合內(nèi)圓切割機和多線切割機的定向多線切割方法。首先,通過內(nèi)圓切割流程(s1),利用內(nèi)圓切割機對晶體進行精確切割,得到目標基準面。這一步驟是關(guān)鍵,因為它為后續(xù)的多線切割流程(s2)提供了一個精確的參照面,確保了切割的精確性和晶向的準確性。
34、在多線切割流程(s2)中,首先對料板組件進行切割,得到切割基準面。這一切割基準面與內(nèi)圓切割得到的目標基準面相對應(yīng),為晶體的固定和后續(xù)切割提供了精確的定位基礎(chǔ)。接著,將晶體固定在料板組件上,確保目標基準面與切割基準面對齊,這一步驟至關(guān)重要,因為它保證了晶體在多線切割過程中的穩(wěn)定性和切割面的一致性。最后,進行晶體的切割,得到滿足晶向偏差要求的晶片。
35、通過這種結(jié)合使用內(nèi)圓切割機和多線切割機的方法,本技術(shù)方案不僅提高了切割效率,因為多線切割機可以一次性切割多個晶片,而且通過精確的基準面對齊,有效控制了晶向偏差,解決了現(xiàn)有技術(shù)中因設(shè)備限制而導(dǎo)致的切割效率低下和晶向偏差問題。這種方法的實施,使得碲鋅鎘材料的切割過程更加高效和精確,滿足了高晶向偏差要求的晶體切割需求,從而提高了最終產(chǎn)品的質(zhì)量,并降低了生產(chǎn)成本,增強了市場競爭力。
1.一種用于碲鋅鎘材料定向多線切割的方法,其特征在于,包括:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于碲鋅鎘材料定向多線切割的方法,其特征在于,所述s1、所述內(nèi)圓切割流程,包括:
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于碲鋅鎘材料定向多線切割的方法,其特征在于,所述s11、粗切割定向,還包括:
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于碲鋅鎘材料定向多線切割的方法,其特征在于,所述s11、粗切割定向,還包括:
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于碲鋅鎘材料定向多線切割的方法,其特征在于,所述s12、細切割定向,具體包括:
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于碲鋅鎘材料定向多線切割的方法,其特征在于,所述s2、多線切割流程,包括:
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于碲鋅鎘材料定向多線切割的方法,其特征在于,所述s21、切面定位,包括:
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于碲鋅鎘材料定向多線切割的方法,其特征在于,所述s22、晶體定位,包括:
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8任一項所述的用于碲鋅鎘材料定向多線切割的方法,其特征在于,在所述s1、內(nèi)圓切割流程和所述s2、多線切割流程中使用帶燕尾槽的基板結(jié)構(gòu),所述s1、內(nèi)圓切割流程中的基板結(jié)構(gòu)設(shè)于第一支撐件,所述s2、多線切割流程中的基板結(jié)構(gòu)設(shè)于料板組件的料板。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至8任一項所述的用于碲鋅鎘材料定向多線切割的方法,其特征在于,在所述s1、內(nèi)圓切割流程中使用第一支撐件固定晶體的位置,所述第一支撐件為金屬錠;在所述s2、多線切割流程中使用第二支撐件固定晶體的位置,所述第二支撐件為石墨塊。