本技術(shù)涉及半導(dǎo)體制造,尤其涉及一種晶圓切邊修整設(shè)備。
背景技術(shù):
1、在mems(微電子機械系統(tǒng))工藝中,例如晶圓鍵合后的工藝中需要對晶圓進行切邊,防止鍵合后的晶圓在后續(xù)的減薄或者其他制作工藝中晶圓出現(xiàn)破片,會需要對晶圓的邊緣進行切邊。在其他半導(dǎo)體工藝中,通常也需要進行切邊的工藝。需要說明的是,此切邊的工藝,有些并非是完全需要切除整個晶圓厚度的邊緣部分。
2、目前的晶圓切邊的主設(shè)備的刀片一次只能完成1mm寬度的切邊,對于環(huán)切寬度超過1mm的晶邊,需要多次進行環(huán)切。這樣直接的結(jié)果易導(dǎo)致此切邊工藝的耗時增長,影響機臺的產(chǎn)能。同時,多次環(huán)切,不同次數(shù)之間環(huán)切的精度差,易導(dǎo)致環(huán)切后的晶圓邊緣表面的不平整。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、為了解決上述問題,本實用新型提供了一種晶圓切邊修整設(shè)備,包括主工藝區(qū)和控制系統(tǒng),所述主工藝區(qū)包括:晶圓承載工作臺、驅(qū)動主軸和與所述驅(qū)動主軸連接的切割刀片;所述控制系統(tǒng)控制所述驅(qū)動主軸和所述晶圓承載工作臺;所述切割刀片包括主體部分和若干磨刃粒,所述主體部分為具有預(yù)設(shè)直徑和預(yù)設(shè)長度的圓柱形,所述若干磨刃粒分布于所述圓柱形主體部分的側(cè)表面;所述驅(qū)動主軸與所述圓柱形主體部分的中心軸連接;
2、工作時,所述圓柱形的主體部分平行于所述晶圓承載工作臺上放置的晶圓,所述控制系統(tǒng)控制所述驅(qū)動主軸連接的切割刀片與所述晶圓的邊緣交疊的長度以及切割刀片旋轉(zhuǎn)切割時的深度,并控制所述晶圓承載工作臺以預(yù)設(shè)轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn),而完成所述晶圓邊緣的環(huán)切。
3、較佳地,所述切割刀片的主體部分的預(yù)設(shè)長度不小于5mm。
4、較佳地,所述切割刀片的主體部分的預(yù)設(shè)直徑大于1mm。
5、較佳地,所述主工藝區(qū)還包括:切邊寬度測量傳感器,所述切邊寬度測量傳感器設(shè)置在所述晶圓承載工作臺的側(cè)邊的主工藝區(qū)內(nèi);所述切邊寬度測量與所述控制系統(tǒng)通訊連接,在一工作狀態(tài)下,將所測量晶圓的切邊寬度反饋至所述控制系統(tǒng)。
6、較佳地,所述主工藝區(qū)還包括:切邊深度測量傳感器,所述切邊深度測量傳感器設(shè)置在垂直所述晶圓承載工作臺邊緣部分的上方的主工藝區(qū)內(nèi);所述切邊深度測量傳感器與所述控制系統(tǒng)通訊連接,在一工作狀態(tài)下,將所測量的晶圓的切邊深度反饋至所述控制系統(tǒng)。
7、較佳地,所述切邊寬度測量傳感器或所述切邊深度測量傳感器為激光測距傳感器。
8、較佳地,所述磨刃粒為金剛石顆粒。
9、與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實用新型存在以下技術(shù)效果:
10、本實用新型通過控制系統(tǒng)控制切割刀片與晶圓的邊緣交疊的長度,可一次性完成不同寬度的晶圓的邊緣的切割,適應(yīng)不同切割工藝的需求,同時可提高機臺的產(chǎn)能,以及切割后晶圓邊緣表面的平整度。
1.一種晶圓切邊修整設(shè)備,包括主工藝區(qū)和控制系統(tǒng),其特征在于,所述主工藝區(qū)包括:晶圓承載工作臺、驅(qū)動主軸和與所述驅(qū)動主軸連接的切割刀片;所述控制系統(tǒng)控制所述驅(qū)動主軸和所述晶圓承載工作臺;所述切割刀片包括主體部分和若干磨刃粒,所述主體部分為具有預(yù)設(shè)直徑和預(yù)設(shè)長度的圓柱形,所述若干磨刃粒分布于所述圓柱形主體部分的側(cè)表面;所述驅(qū)動主軸與所述圓柱形主體部分的中心軸連接;
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓切邊修整設(shè)備,其特征在于,所述切割刀片的主體部分的預(yù)設(shè)長度不小于5mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓切邊修整設(shè)備,其特征在于,所述切割刀片的主體部分的預(yù)設(shè)直徑大于1mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓切邊修整設(shè)備,其特征在于,所述主工藝區(qū)還包括:切邊寬度測量傳感器,所述切邊寬度測量傳感器設(shè)置在所述晶圓承載工作臺的側(cè)邊的主工藝區(qū)內(nèi);所述切邊寬度測量傳感器與所述控制系統(tǒng)通訊連接,在一工作狀態(tài)下,將所測量晶圓的切邊寬度反饋至所述控制系統(tǒng)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓切邊修整設(shè)備,其特征在于,所述主工藝區(qū)還包括:切邊深度測量傳感器,所述切邊深度測量傳感器設(shè)置在垂直所述晶圓承載工作臺邊緣部分的上方的主工藝區(qū)內(nèi);所述切邊深度測量傳感器與所述控制系統(tǒng)通訊連接,在一工作狀態(tài)下,將所測量的晶圓的切邊深度反饋至所述控制系統(tǒng)。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的晶圓切邊修整設(shè)備,其特征在于,所述切邊寬度測量傳感器或所述切邊深度測量傳感器為激光測距傳感器。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓切邊修整設(shè)備,其特征在于,所述磨刃粒為金剛石顆粒。