專利名稱：氮化硅陶瓷及其成型工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種氮化硅陶瓷(包括Sialon)，這種陶瓷是通過對可用作以內(nèi)燃機的氣閥機構(gòu)為首的機械部件的氮化硅燒結(jié)體(包括Sialon燒結(jié)體)進行超塑性形變而制得的，它特別在常溫下具有優(yōu)異的機械性能；并涉及一種通過超塑性形變把氮化硅燒結(jié)體成形為所要形狀的氮化硅陶瓷的成形工藝。
近年來，對于以內(nèi)燃機的氣閥機構(gòu)為首的機械部件，為了實現(xiàn)其輕質(zhì)化和小型化，或者為了提高其耐久性，人們正嘗試利用耐磨損性和滑動性能都優(yōu)異的陶瓷作為部件材料。在這些陶瓷材料中，氮化硅(Si3N4)(也包含Sialon)陶瓷質(zhì)量輕且強度高，因此格外引人注目。
但是，為了使氮化硅陶瓷真正能夠用作氣閥機構(gòu)部件等，就不但要提高材料的機械強度，并且也須開發(fā)出一種生產(chǎn)效率高、成本低的成形工藝。
具體地說，由于氮化硅是脆性材料，極不易加工，因此在制作形狀復(fù)雜的部件時，是把原料粉末經(jīng)過注漿成形、金屬模成形、注射成形等工藝成形后，再進行燒結(jié)的。然而這種方法在燒結(jié)過程中伴隨有收縮現(xiàn)象，因此在精度要求高的領(lǐng)域，必須對它進行后機械加工例如切削、研磨、拋光等，這樣就提高了生產(chǎn)成本，成為批量化生產(chǎn)的障礙。
另一方面，對于某種陶瓷利用超塑性進行塑性加工在最近令人注目。例如，日本特許公報平3-5282號公報中就提出一種利用氧化物陶瓷(特別是Z1O2)的超塑性進行成形的工藝。另外，日本公開特許公報平3-197003號公報揭示出，對于具有精細且等軸晶粒的氮化硅-碳化硅復(fù)合燒結(jié)體而言，有可能在可控溫度和應(yīng)變速率下利用超塑性進行成形。
如果能象這樣利用超塑性進行塑性加工，就能省去傳統(tǒng)的機械加工步驟而把陶瓷材料直接成形為具有良好精度的預(yù)定形狀，并能實現(xiàn)生產(chǎn)效率高的批量化生產(chǎn)。然而，現(xiàn)實的狀況是，在顯示有超塑性形變的陶瓷材料中，ZrO2等氧化物陶瓷占據(jù)大多數(shù)，而非氧化物陶瓷據(jù)報道只有象上述Si3N4-SiC陶瓷那樣含有兩種以上的非氧化物陶瓷復(fù)合材料才顯示有超塑性。
如上所述，由于硅化物陶瓷具有超塑性形變的例子只有包含兩種不同種類硅化物的特殊的復(fù)合材料(Si3N4-SiC)；因此希望對單一的氮化硅陶瓷(包括Sialon陶瓷)也能實現(xiàn)超塑性形變。
本發(fā)明的目的就是在前述原有技術(shù)的條件下，找到尚未報道過的具有超塑性形變的單一氮化硅燒結(jié)體以及Sialon燒結(jié)體，并給出一種利用超塑性形變的成形工藝；本發(fā)明的目的還在于提供出根據(jù)該成型工藝制得的、特別在常溫下具有優(yōu)異機械性能的氮化硅陶瓷以及Siaoln陶瓷。
為了達到上述目的，本發(fā)明提供了一種氮化硅以及Sialon陶瓷的成形工藝，其特征在于把相對密度在95％以上、晶粒的線密度對于燒結(jié)體二維橫截面上50μm的長度為120～250的氮化硅以及Sialon燒結(jié)體，于1300～1700℃的溫度在拉伸應(yīng)力或壓縮應(yīng)力的作用下以不超過10-1/秒的應(yīng)變速率發(fā)生塑性形變；從而進行成形。
根據(jù)前述成形工藝，本發(fā)明得到了Si3N4以及Sialon陶瓷，其特征在于成形后燒結(jié)體在平行于成形時的拉伸軸或壓縮軸方向的二維橫截面上，織構(gòu)的取向率根據(jù)Saltykov方法測定在5～80％的范圍內(nèi)，并且還在于上述二維橫截面上晶粒的線密度對于平行于拉伸軸方向或垂直于壓縮軸方向的50μm長度為80～200。
另外，在本發(fā)明的說明書中，即使在僅簡單指明的情況下，術(shù)語“氧化硅陶瓷”也含有包括Sialon陶瓷的意思，而術(shù)語“氧化硅燒結(jié)體”或“Si3N4燒結(jié)體”在只簡單指明的情況下也有包括Sialon燒結(jié)體的意思。
對于氮化硅以及Sialon燒結(jié)體，特別是組成以氮化硅為主成分并含有燒結(jié)不可缺少的燒結(jié)助劑的燒結(jié)體，為了使其能發(fā)生超塑性形變，本發(fā)明者進行了大量的反復(fù)研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)含有柱狀晶粒的微細晶粒的燒結(jié)體在控制溫度和應(yīng)變速率下的單向拉伸試驗中，表現(xiàn)出很大的延展性而沒有發(fā)生頸縮，也就是顯示出超塑性。
根據(jù)本發(fā)明的成形工藝成形出的氮化硅以及Sialon燒結(jié)體，由于使它經(jīng)歷超塑性加工，所以在平行于成形時的拉伸軸或壓縮軸方向的方向上，有織構(gòu)現(xiàn)象。其取向率根據(jù)Saltykov所標明的方法表示如下ω＝100×{(NL)⊥－(NL)∥}/{(NL)⊥＋0.571×(NL)∥}式中，N的單位為百分數(shù)。
(NL)⊥是垂直于拉伸軸的割線與晶粒邊界線的每單位長度的交點的平均數(shù)，或者是平行于壓縮軸的割線與晶粒邊界線的每單位長度的交點的平均數(shù)。而(NL)∥是平行于拉伸軸的割線與晶粒邊界線的每單位長度的交點的平均數(shù)，或者是平行于壓縮軸的割線與晶粒邊界線的每單位長度的交點的平均數(shù)。
大家都很清楚上述測定取向率的方法。在uchida Rokaku Ho出版社于1983年出版的、由Makishima等翻譯的“Keiryo-keitaigaku(計量形態(tài)學(xué))”第131頁中對該方法有詳細的描述。
根據(jù)本發(fā)明制備的成形后的氮化硅燒結(jié)體以及Sialon燒結(jié)體，按上述取向率公式計算，成形后燒結(jié)體在平行于成形時的拉伸軸或壓縮軸方向的任意二維橫截面上，織構(gòu)的取向率在5～80％的范圍內(nèi)。如果在取向率小于5％的程度下實施形變，則應(yīng)變量太小不易成形，相反如果在取向率至少大于80％的程度下進行形變，則應(yīng)變量就大，導(dǎo)致加工時間變長，所以從經(jīng)濟的角度來看不可取。
另外，根據(jù)本發(fā)明制備的成形后的氮化硅燒結(jié)體以及Sialon燒結(jié)體，在前述二維橫截面上，對于平行于拉伸軸或垂直于壓縮軸方向的50μm的長，晶粒的線密度為80～200。如果線密度小于80，則成形后材料的機械性能如強度等就明顯變差，相反如果線密度超過200，就會導(dǎo)致燒結(jié)體本身的機械強度變低，從而不能用作部件材料。在成形后的燒結(jié)體中，所謂線密度就是指在燒結(jié)體的平行于拉伸軸或壓縮軸方向的任何二維橫截面內(nèi)，在平行于拉伸軸方向成垂直于壓縮軸方向上50μm長的線段上存在的晶粒個數(shù)。
為了在成形后得到上述氮化硅燒結(jié)體以及Sialon燒結(jié)體，在成形前選擇晶粒線密度為120～250的燒結(jié)體也是很重要的。這里“線密度”是指，如

圖1所示，在燒結(jié)體的任意二維橫截面內(nèi)任何50μm長的線上所存在的晶粒1的個數(shù)。該線密度說明了燒結(jié)體所具有的由晶粒及晶界構(gòu)成的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的精細度。
如果成形前燒結(jié)體的線密度小于120，那么應(yīng)用本發(fā)明的成形工藝就會由于晶界滑動而在材料中產(chǎn)生空洞，從而導(dǎo)致材料在成形完畢之前就斷裂或者成形后材料的機械性能如強度等顯著降低。相反如果線密度超過250，燒結(jié)體本身的機械強度就會降低而使材料不能使用。
成形后的氮化硅燒結(jié)體以及Sialon燒結(jié)體，除了有上述取向率及線密度的結(jié)構(gòu)外，最好還有以下的結(jié)晶相即在成形后燒結(jié)體含有a-Si3N4和α′-Sialon的至少一種以及β-Si3N4和β′-Sialon的至少一種，并且在X射線衍射圖案中前者與后者的晶相衍射峰強度比在0∶100～30∶70的范圍內(nèi)。這是因為峰值比在該范圍內(nèi)時可得到較高的強度。
其中，a/β的析晶比是根據(jù)(a-Si3N4，a′-Sialon)的(102)＋(210)與(β-Si3N4，β′-Sialon)的(101)＋(210)的衍射線峰值比而求得的。具體地說，是根據(jù)a{(102)＋(210)}/〔a{(102)＋(210)}＋β{(101)＋(210)}〕計算出的。
在成形后為了得到上述Si3N4燒結(jié)體以及Sialon燒結(jié)體；成形前燒結(jié)體中的晶粒構(gòu)造不但要有上述的線密度120～250，而且(1)在成形前燒結(jié)體含有的Si3N4晶粒以及Sialon晶粒中，在二維橫截面上，長軸方向上的粒徑R在0.7μm以下的晶粒的總橫截面積∑AR與所有晶粒的總橫截面積∑A相比，應(yīng)占30％以上，即∑AR/∑A≥0.3，并且(2)成形前燒結(jié)體含有α-Si3N4和a′-Sialon的至少一種以及β-Si2N4和β′-Sialon的至少一種，并且在其晶相的X射線衍圖案中前者與后者的峰強度比為1∶99～60∶40，也是很重要的。
這里，如圖2所示，晶粒的橫截面積是在燒結(jié)體的二維橫截面內(nèi)，測定出晶粒1在長軸方向上的粒徑R作為最大直徑，測定出短軸方向上的粒徑r作為最小直徑，然后把晶粒形狀假定為橢圓，把R作為長軸并把r作為短軸從而近似成橢園而求得的。用這種方法求得的所有晶粒的總橫截面積用∑A表示，這些晶粒中粒徑R小于0.7μm的晶粒的總橫截面積用∑AR表示。
另外，對于成形后具有上述取向率、線密度和晶相比的燒結(jié)體來說，當在平行于成形時的拉伸軸或壓縮軸方向上的任意二維橫截面上用Vickers壓頭壓入成形后的燒結(jié)體時，燒結(jié)體中形成的裂紋在上述平行于拉伸軸方向上的長度與其在垂直方向上的長度之比，或者在垂直于壓縮軸方向上的長度與在平行方向上的長度之比，應(yīng)在1.2以上。
測定該裂紋長度之比的方法如下在Vickers壓頭的棱與拉伸軸或壓縮軸一致的狀態(tài)下壓下Vickers壓頭，分別測定出所制得的裂紋在拉伸軸或壓縮軸的平行方向上以及垂直方向上的長度，求出它們的長度比。也就是說，在燒結(jié)體的平行于拉伸軸或壓縮軸的方向上的任意二維橫截面上壓進Vickers壓頭，對于產(chǎn)生的裂紋，在拉伸的情況下分別測定出它在拉伸軸的平行方向上和垂直方向上的長度，在壓縮的情況下分別測定出它在垂直于壓縮軸的方向上和平行方向上的長度，并求出拉伸或壓縮情況下它們的長度之比。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明可制備出Si3N4燒結(jié)體以及Sialon燒結(jié)體，其取向率根據(jù)Saltykov標明的方法測定在5～80％的范圍內(nèi)，并且晶粒的線密度對于50μm的長度為80～200，燒結(jié)體的抗彎強度為80kg/mm2(784MPa)以上。但是，根據(jù)下面所述的成形條件的變化，成形后在有的情況下燒結(jié)體的強度比成形前的抗彎強度低，在有的情況下強度反而高。因而在成形后為了使燒結(jié)體獲得令人滿意的適于使用的強度，就必須把成形條件適當控制在下面所述的范圍內(nèi)。
下面描述根據(jù)本發(fā)明制取Si3N4燒結(jié)體以及Sialon燒結(jié)體的工藝。首先，成形前使用的Si3N4及Sialon燒結(jié)體，其相對密度應(yīng)至少在95％以上，最好為96％以上；其晶粒線密度對于任何二維橫截面上的50μm的長度應(yīng)為120～250。關(guān)于線密度，正如已經(jīng)描述的那樣，如前所述若該線密度小于120，則成形時在燒結(jié)體中就會產(chǎn)生空洞，若該線密度大于250，則成形后燒結(jié)體的強度就會降低。另一方面，關(guān)于相對密度，如果燒結(jié)體的相對密度小于95％，那么不但燒結(jié)體本身的機械強度會降低，而且其超塑性加工性也不高，因而不能選取相對密度低于95％的燒結(jié)體。
使用具有上述線密度及相對密度的氮化硅燒結(jié)體以及Sialon燒結(jié)體，在1300～1700℃的溫度通過拉伸或壓縮的應(yīng)力作用使其以小于10-1/秒的應(yīng)變速率發(fā)生塑性形變，從而進行成形。若成形溫度小于1300℃，則成形速度遲緩，成形效率低，從經(jīng)濟角度來看不可取，另一方面，若成形溫度超過1700 ℃，則由于燒結(jié)體的熱退化及晶界相的揮發(fā)等造成成形后燒結(jié)體的物理性能或機械能低劣。另外，優(yōu)選的溫度為1350～1650℃的范圍。
成形壓力是通過拉伸或壓縮而產(chǎn)生的，其大小應(yīng)對應(yīng)于所制備的燒結(jié)體和成形溫度進行適當控制，使應(yīng)變速率不超過10-1/秒。把應(yīng)變速率設(shè)置在10-1/秒或其以下的原因是，若應(yīng)變速率超過此值，則成形過程中燒結(jié)體內(nèi)就會產(chǎn)生空洞，空洞與空洞之間互相連接，導(dǎo)致燒結(jié)體破壞或燒結(jié)體的機械強度降低。另外，優(yōu)選的應(yīng)變速率為10-2/秒以下。
成形氣氛為非氧化氣氛或真空。若在氧化氣氛中成形，則由于在該溫度范圍下氮化硅燒結(jié)體的表面發(fā)生氧化造成機械強度大幅度降低，因此在氧化氣氛中成形是不可取的。另外成形用模具是由耐熱材料例如陶瓷、石墨、耐熱合金等構(gòu)成的，材料應(yīng)選擇適當，要與成形溫度、成形氣氛、成形時間相適應(yīng)。
根據(jù)本發(fā)明，通過以上成形工藝，可得到經(jīng)過塑性加工的氮化硅燒結(jié)體和Sialon燒結(jié)體。根據(jù)該工藝，成形時可獲得至少10％的最大形變量(因形變而斷裂時的形變量)。另外，對于要實施該成形工藝的塑性加工前的燒結(jié)體，其抗彎強度最好至少為130kg/mm2(約1300MPa)。
制備能借助超塑性形變通過上述本發(fā)明的工藝從而成形的氮化硅燒結(jié)體的方法的一個實例如下使用平均粒徑在1μm以下的氮化硅粉末，添加能在盡可能的低溫下與粉末表面存在的SiO2等氧化物層生成液相的燒結(jié)助劑，例如Y2O3、Al2O3、含有Y和Al的化合物、甚至能與Y-Al成分在低溫下生成液相的由Mg、Ce、Ca、La、Sr等組成的化合物，在小于1700℃的燒結(jié)溫度下把所得的粉末混合物進行燒結(jié)。
圖1是Si3N4陶瓷橫截面的示意圖，它是為了闡明本發(fā)明中的晶粒的線密度的定義。
圖2是Si3N4晶粒的示意圖，它是為了說明本發(fā)明中晶粒在長軸方向上和在短軸方向上的粒徑的定義。
下面所給的實施例較詳細地說明了本發(fā)明。
實施例1在經(jīng)粒徑分布測試裝置測定平均粒徑為0.7μm、α-Si3N4含量為90％的Si3N4粉末中，加入由5wt％的Y2O3粉末、3wt％的Al2O3粉末、1wt％的MgO粉末組成的燒結(jié)助劑，然后在乙醇中球磨混合48小時。把干燥后所得的粉末混合物進行干壓、冷等靜壓(CIP)，然后在N2氣氛下以不同的溫度進行燒結(jié)，從而得到一系列由具有不同線密度的Si3N4晶粒構(gòu)成的Si3N4燒結(jié)體。
選取所得的各燒結(jié)體的部分橫截面，把它加工至表面粗糙度Ra＝0.02μm，洗凈，然后用反應(yīng)性離子腐蝕裝置把它在O2與CHCl3的混合氣體中(氣體壓力為40mTorr)腐蝕1分鐘。用掃描電鏡觀察經(jīng)過如此處理后所得的成形前燒結(jié)體的二維橫截面結(jié)構(gòu)，按下列步驟對晶粒的線密度、晶粒的橫截面積比，晶相α/(α＋β)之比進行評價。評價結(jié)果與燒結(jié)體的相對密度、室溫抗彎強度一起列在表1中。
即，對于線密度，是在二維橫截面內(nèi)平行于拉伸軸方向的50μm長的線上所存在的晶粒個數(shù)，在每一橫截面要測定5部分，共測定5個橫截面，取其平均值來作為該試樣的晶粒的線密度；對于橫截面積比，是測出各個晶粒在長軸方向上的粒徑R和其橫截面積，從而求出粒徑R小于0.7μm的晶粒的總橫截面積∑AR與所有晶粒的總橫截面積∑A之比∑AR/∑A作為晶粒的橫截面積比；對于晶相的析出比，是根據(jù)X射線衍射線法求得(α-Si3N4，α′-Sialon)的(102)＋(210)與(β-Si3N4，β′-Sialon)的(101)＋(2l0)的衍射峰強度比，根據(jù)該比值計算出α{(102)＋(2l0)}/〔α{(102)＋(210)}＋β(101)＋(210)}〕來作為晶相比的。
表1成形前燒結(jié)體的性能試驗 線密度 橫截面積比 相對密度 抗彎強度α/(α＋B)(/50μ) (％) (％) (kgf/mm2)(％)1*310 86 73 93762*290 78 64 94783 240 72 39 991354 190 51 24 991425 130 34 9 991376*96 25 0 9478(注)表中帶*的試樣為比較例。
接著，分別從每塊燒結(jié)體切出直徑為3mm、長10mm的圓柱形試樣，把試樣放入設(shè)定在1600℃的高溫爐中，在N2氣氛下以4×10-5/秒的應(yīng)變速率進行拉伸形變。對于成形后燒結(jié)體的各個試樣，測定或觀察成形時的應(yīng)力、斷裂時的最大形變量和形變方式(有無頸縮)，把其結(jié)果與各個燒結(jié)體的相對密度、彎曲強度一起列在表2中。表2試驗 成形時應(yīng)力最長形變量形變后形狀(kgf/mm2) (％) (頸縮)1*2.1 129 無2*2.4 136 無3 2.5 152 無4 2.6 163 無5 2.6 133 無6*2.3 50無
(注)表中帶*的試樣為比較例實施例2使用與實施例1相同的Si3N4粉末，進行與實施例1一樣的處理并燒結(jié)，從而得到一系列具有不同線密度的Si3N4燒結(jié)體。取所得的各個燒結(jié)體的部分橫截面加工至表面粗糙度Ra＝0.02μm，進行與實施例1相同的腐蝕處理，然后用掃描電鏡觀察其結(jié)構(gòu)。與實施例1一樣對于晶粒的線密度、晶粒的橫截面積比、晶相α/(α＋β)之比進行評價，評價結(jié)果與燒結(jié)體的相對密度、室溫抗彎強度一起列在表3中。表3成形前燒結(jié)體的性能試驗 線密度 橫截面積比 相對密度抗彎強度α/(α＋β)(/50μ) (％) (％)(kgf/mm2)(％)7*290 7968 94 768 230 7035 98 1399 180 5323 99 14110*160 4720 99 14511170 4821 99 14612130 3910 99 13113*100 270 94 7614210 7162 96 132(注)表中帶*的試樣為比較例。
接著，分別從每塊燒結(jié)體切出直徑6mm、長30mm的試樣，把它放入設(shè)定在1600℃的高溫爐中在N2氣氛下于4×10-5/秒的應(yīng)變速率進行拉伸成形使成形完畢時的形變量為5％、50％、100％，發(fā)現(xiàn)所有試樣都沒發(fā)生頸縮。
對于成形后各個燒結(jié)體的試樣，把包含拉伸軸的二維橫截面加工至表面粗糙度Ra＝0.02μm，進行與實施例1相同的腐蝕處理，然后用掃描電鏡在2000倍下觀察其結(jié)構(gòu)，根據(jù)Saltykov標明的方法計算出取向率。另外，取向率是對于單位長度50μm求出的，對每橫截面要測定5部分，共測定5個橫截面取其平均值來作為燒結(jié)體的取向率。
然后，把Vickers壓頭以壓頭棱與拉伸軸一致的方向壓入同一橫截面，分別測量出模截面中所制的裂紋在拉伸軸的平行方向上與垂直方向上的長度，求出它們的長度比。從各試樣制作出寬3mm、高3mm、長20mm的抗彎試件，測定室溫抗彎強度。與實施例1一樣也要對于成形后各個燒結(jié)體的晶粒線密度、晶粒的橫截面積比、晶相α/(α＋β)之比進行評價，評價結(jié)果列在表4中。
表4
(注)表中帶*的試樣為比較例。
另外，各試樣都沒產(chǎn)生頸縮，NO.13試樣是在形變量為47％時斷裂的。
根據(jù)本發(fā)明，能利用超塑性形變在拉伸和壓縮載荷的作用下對單一的Si3N4燒結(jié)體以及Sialon燒結(jié)體進行塑性加工，并能通過例如鍛造和壓力加工等成形出所要形狀；甚至成形后所得的所要形狀的燒結(jié)體具有與加工前相同的、特別在常溫下優(yōu)異的機械性能。
因而，可用于以內(nèi)燃機的氣閥機構(gòu)為代表的機械部件。
權(quán)利要求
1.一種氮化硅陶瓷，其特征在于成形后燒結(jié)體在平行于成形時的拉伸軸或壓縮軸方向的二維橫截面上，織構(gòu)的取向率根據(jù)Saltykov標明的方法測定在5～80％的范圍內(nèi)，并且在于在該二維橫截面內(nèi)，對于平行于拉伸軸方向或垂直于壓縮軸方向的50μm的長度，晶粒的線密度為80～200。
2.一種權(quán)利要求1中所述的氮化硅陶瓷，其特征在于成形后燒結(jié)體中含有α-Si3N4和α′-Sialon的至少一種以及β-Si3N4和β′-Sialon的至少一種，并且前者與后者的晶相X射線衍射峰強度比在0∶100～30∶70的范圍內(nèi)。
3.一種權(quán)利要求1或2中所述的氮化硅陶瓷，其特征在于，對成形后的燒結(jié)體，在平行于成形時的拉伸或壓縮軸方向的任意二維橫截面上壓下Vickers壓頭，所得到的裂紋在上述拉伸軸的平行方向上和垂直方向上的長度之比，或者在壓縮軸的垂直方向上和平行方向上的長度之比，至少為1.2。
4.一種權(quán)利要求1～3中任一項所述的氮化硅陶瓷，其特征在于成形后燒結(jié)體的抗彎強度在80kg/mm2(784MPa)以上。
5.一種Si3N4陶瓷的成形工藝，其特征在于把相對密度在95％以上、線密度對于燒結(jié)體的二維橫截面上的50μm的長度為120～250范圍內(nèi)的氮化硅燒結(jié)體，在1300～1700℃的溫度通過拉伸或壓縮的作用使其以不超過10-1/秒的應(yīng)變速率發(fā)生塑性形變，從而進行成形。
6.一種權(quán)利要求5中所述氮化硅陶瓷的成形工藝，其特征在于成形時最大形變量在10％以上。
7.一種權(quán)利要求5或6中所述的氮化硅陶瓷的成形工藝，其特征在于成形前燒結(jié)體的強度在130kg/mm2(約1300MPa)以上。
8.一種權(quán)利要求5～7中任一項所述的氮化硅陶瓷的成形工藝，其特征在于在成形前燒結(jié)體二維橫截面上的氮化硅及Sialon晶粒中，長軸方向上的粒徑不超過0.7μm的晶粒的總橫截面積與所有晶粒的總橫截面積之比至少為30％，并且成形前燒結(jié)體中含有a-Si3N4和α′-Sialon的至少一種以及β-Si3N4和β′-Sialon的至少一種，且前一晶相與后一晶相X射線衍射峰的強度比在1∶99～60∶40的范圍內(nèi)。
全文摘要
對于Si
文檔編號C04B35/597GK1134693SQ95190842
公開日1996年10月30日 申請日期1995年10月4日 優(yōu)先權(quán)日1994年10月4日
發(fā)明者近藤直樹, 若井史博, 小畑良洋, 山川晃, 西岡隆夫, 吉村雅司 申請人:工業(yè)技術(shù)院長代表的日本國, 住友電氣工業(yè)株式會社