專利名稱：抗氫致衰減的光纖的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明概括地涉及光纖，具體地涉及抗氫致衰減的光纖及其制備方法。
光纖的低衰減和低色散特性使它可以有利地用于長距離無中繼線路，雖然在任何光纖中都會有一定數(shù)量的衰減。這種衰減最終要求對光纖所承載的光進行再放大。在一些情況下，常希望使用長距離無中繼線路，以便利用因光纖損耗(衰減)低而可供利用的損耗分配中的較大百分數(shù)，因而安全因子很小。如果光纖投入使用以后，光纖中在傳輸波長體系處的衰減顯著增加，系統(tǒng)的運行就會中斷。
研究發(fā)現(xiàn)，安裝后光纖的衰減，部分地是因氫進入光纖(特別是纖芯)而引起的。已知有數(shù)種氫致衰減效應(yīng)(1)填隙氫，它正比于環(huán)境氣氛中氫的分壓，而且是可逆的；(2)磷羥基吸收(1300-2000nm)增大，這就使P2O5不能用作摻雜劑，除非濃度很低(低于0.1重量％)；(3)長期高溫下暴露于H2中，結(jié)果引起在短波區(qū)域高的光吸收，這吸收帶的尾部通過可見波段延伸至紅外區(qū)；(4)H2最初到達纖芯而發(fā)生的瞬態(tài)吸收，最顯著的峰在1330，1440和1530nm；以及在1380nm由Si-O-O-H-H引起的永久性吸收。
其他人曾試圖緩解這個氫致衰減問題。例如參看Blankenship的美國專利5,059,229(已轉(zhuǎn)讓給Corning公司)，其中描述了一種光纖后處理方法，即將光纖暴露于氫中，使其達到一個穩(wěn)定的、雖然是較高的衰減水平；以后當光纖投入使用后暴露于含氫氣氛下時其衰減就不會進一步增大。盡管有了這種有代表性的處理方法以及作了其它努力，氫致衰減的問題仍未解決。
光纖中光衰減的一個主要原因是羥基，它在1380nm附近產(chǎn)生一個很強的光吸收峰。從發(fā)表的文獻可知已作了許多工作來減少這種物質(zhì)的存在。通常都知道，例如，可在將多孔的玻璃微粉預(yù)制棒固化時，在氯的存在下使它干燥，氯就會與存在于玻璃中的水反應(yīng)生成氯化氫氣體，隨即在高溫下從預(yù)制棒中除去，從而使玻璃中的羥基離子濃度降低。
即使采取了這些措施，也仍然有其它衰減源。在形成石英玻璃的過程中(特別是纖芯預(yù)制棒固化時和拉制光纖時)，由于過剩的氧會被捕集在玻璃內(nèi)，可能產(chǎn)生過氧鍵(-Si-O-O-Si-)。這些過氧鍵會分解，產(chǎn)生活潑的-Si-O-O-位置。如果氫隨后進入玻璃，它就會與-Si-O-O-反應(yīng)，生成Si-O-O-H-H-，這種物質(zhì)在1530nm吸收，因而對在1550nm的運行產(chǎn)生不利影響。Si-O-O-H-H-隨后失去一個氫原子而生成在1380nm吸收的Si-O-O-H2。此外，還可能發(fā)生Si-Si缺陷。它們會分解為Si-Si-基團，過量的氧會與它們反應(yīng)生成Si-O-O基團，我們猜想鍺也可能結(jié)合到Si-Si缺陷中。
我們發(fā)現(xiàn)二氧化鍺可控制因氫移入光纖載光區(qū)而引起的衰減增加效應(yīng)，因為它可清除過剩的氧(否則這些氧就會形成活性物種)，從而防止這些氧與移入的氫反應(yīng)生成羥基。鍺是以活性形式(例如四氯化鍺)引入至微粉沉積火焰中的。在沉積預(yù)制棒過程中燃燒包含四氯化鍺的反應(yīng)物以產(chǎn)生玻璃微粉時，四氯化鍺會與氧反應(yīng)生成二氧化鍺。由火焰沉積法沉積的二氧化鍺不是按化學計量的化合物，因為每個鍺原子對應(yīng)少于兩個氧原子。所以該“二氧”化鍺可在固化和光纖拉制過程中清除預(yù)制棒玻璃中過剩的氧。
通常已知可將二氧化鍺用作光纖預(yù)制棒芯部玻璃的摻雜劑。目的是增加芯部的折射率-從而使光可傳輸通過最終得到的光纖。在固化用于纖芯的多孔玻璃微粉時，用來干燥它的氯產(chǎn)生副作用，即與二氧化鍺反應(yīng)生成四氯化鍺。這樣被驅(qū)動后，四氯化物形式的鍺會由芯部向外遷移并再次以二氧化鍺的形式沉積下來。
在小尺寸預(yù)制棒中，由于與氯反應(yīng)而從光纖預(yù)制棒載光區(qū)向外遷移的四氯化鍺，可能足以提供足夠的二氧化鍺以控制過剩的氧(過剩的氧如不控制，就可與日后移入的氫反應(yīng))。但是，氯氣干燥步驟的這一有益效果取決于所干燥和固化的預(yù)制棒的直徑。預(yù)制棒直徑越大，氯氣干燥步驟中作用于芯部的二氧化鍺使之分布至外部載光區(qū)的效果越差。由于拉制光纖時使用的預(yù)制棒體積日益增大(即直徑日益增大)，以便使生產(chǎn)效率相應(yīng)地提高，因此就更迫切需要直接解決清除最終光纖載光區(qū)中過剩的氧的問題。我們發(fā)現(xiàn)直徑超過105mm的預(yù)制棒，通過氯而引起的沉積在芯部的二氧化鍺的遷移不是足夠的。
傳統(tǒng)技術(shù)一直指出二氧化鍺不應(yīng)加至光纖預(yù)制棒芯部玻璃之外的區(qū)域。在多模光纖中，光全部在纖芯傳輸。這是因為纖芯玻璃的折射率設(shè)計成比包層的折射率高。在包層中加入二氧化鍺不可避免地會提高包層的折射率?？赡軙茐墓饫w的載光性能。單模光纖的工作情況略有不同。單模光纖的含意是常規(guī)所指的，在一選定的信號波長下，只傳播HE11模的兩個相互正交的模式的光的光纖。纖芯的折射率仍然必須高于包層的折射率。但是，單模光纖中在纖芯和包層中都有光傳輸。傳統(tǒng)的意思仍然是避免讓二氧化鍺存在于包層中，因為這將增大包層的折射率，并最終破壞光纖的載光性能。
但是，我們已發(fā)現(xiàn)，可以在單模光纖包層中要承載光波的部分加入低濃度的二氧化鍺，它會與玻璃中不穩(wěn)定的過剩的氧反應(yīng)，以控制隨后氫遷移到光纖內(nèi)而引起的衰減增加的影響，而只將玻璃的折射率提高到不足以對光纖的單模傳光性能帶來顯著不利影響的程度。
更具體地，本發(fā)明提供一種單模光纖，它包括中央纖芯，包圍纖芯的內(nèi)包層，和包圍內(nèi)包層的外包層。纖芯是按常規(guī)摻雜的，以提高其折射率。除了內(nèi)包層摻有低濃度的二氧化鍺外，內(nèi)包層和外包層可用基本相同的材料構(gòu)成。在較佳實施例中，纖芯摻雜劑也包括二氧化鍺。內(nèi)包層中二氧化鍺的濃度約為0.005-1％(重量)；較好約為0.1-0.5％(重量)；最好約為0.1-0.3％(重量)。本發(fā)明也提供用以制造這種光纖的纖芯和包層預(yù)制棒的制造方法，以及這些纖芯和包層預(yù)制棒。


圖1是本發(fā)明光纖的截面圖。
圖2顯示了圖1光纖環(huán)形內(nèi)包層內(nèi)二氧化鍺的百分濃度。
圖3和4顯示了將纖芯區(qū)和內(nèi)包層區(qū)的玻璃微粉沉積在芯軸上。
圖5是在圖3，4的芯軸上形成的致密的玻璃坯件的截面圖。
按照形成單模光纖的已知技術(shù)，首先制得一芯棒，它包括纖芯區(qū)和內(nèi)包層區(qū)。在芯棒上再復(fù)蓋附加的包層材料，以形成準備拉成光纖的預(yù)制棒。如圖1所示，該光纖包括中央纖芯10，它由外表面11限定。內(nèi)包層區(qū)22構(gòu)成一個環(huán)繞纖芯10的環(huán)，它具有一個形成在纖芯10的外表面11上的內(nèi)表面13。內(nèi)包層區(qū)22也具有外表面15。外包層區(qū)17環(huán)繞著內(nèi)包層區(qū)22。在上述類型單模光纖的一個工業(yè)實施例中，纖芯10的直徑約為8.8微米，內(nèi)包層區(qū)22的徑向厚度約為6.1微米，而外包層區(qū)17的徑向厚度約為52微米。
內(nèi)包層區(qū)22的材料通常為純石英。也已知可在內(nèi)包層區(qū)22中加入會降低內(nèi)包層區(qū)22的折射率的摻雜劑。通過降低內(nèi)包層區(qū)22的折射率，可顯著增大纖芯10和內(nèi)包層區(qū)22之間的折射率差。因此，按照常規(guī)的意見，一般不希望提高內(nèi)包層區(qū)22的折射率。
但是，在內(nèi)包層22中加入較少量的二氧化鍺可以大大減輕日后氫致衰減的影響。圖2顯示了一次試驗的結(jié)果。圖中顯示了一根未固化直徑為90mm、內(nèi)包層區(qū)無二氧化鍺摻雜的預(yù)制棒中，以及與之相似的未固化直徑為125mm、內(nèi)包層區(qū)加有和未加二氧化鍺摻雜劑的預(yù)制棒中(包括外包層區(qū))內(nèi)包層環(huán)內(nèi)二氧化鍺的相對數(shù)量。正如所預(yù)期的，芯部的二氧化鍺有一部分擴散到內(nèi)包層區(qū)22中鄰近于芯區(qū)10與內(nèi)包層區(qū)22的分界面11-13的區(qū)域。但是，在90mm毛坯和125mm毛坯中二氧化鍺的濃度在內(nèi)包層區(qū)環(huán)22中離內(nèi)表面13約為直徑的30％處就幾乎感小至零。而在內(nèi)包層區(qū)帶有二氧化鍺摻雜的125mm毛坯中，二氧化鍺的濃度水平在一直延伸至內(nèi)包層區(qū)外表面15的環(huán)形區(qū)域內(nèi)都保持在約0.5％(重量)。內(nèi)包層區(qū)靠近芯部的部分具有較高濃度的二氧化鍺，這是因為在干燥和固化過程中，鍺以四氯化物的形式由芯部遷移至內(nèi)包層區(qū)。
圖2的比較結(jié)果列在表1中。
表1
進一步的試驗表明，光纖預(yù)制棒內(nèi)包層區(qū)中的二氧化鍺濃度應(yīng)至少為約0.005％(重量)；但濃度超過1％(重量)會導(dǎo)致內(nèi)包層區(qū)折射率過分增大。內(nèi)包層區(qū)中二氧化鍺的濃度較好為約0.1-0.5％，最好為約0.1-0.3％。我們定義內(nèi)包層區(qū)的邊界為從最終光纖端部引入的光有可感測的部分在其中傳輸?shù)膮^(qū)域的外部邊界(因而降低該處的氫致衰減是有意義的)。
在內(nèi)包層區(qū)所用的相對低的二氧化鍺濃度對光在纖芯和內(nèi)包層區(qū)的傳輸不會產(chǎn)生不良的影響。
現(xiàn)在說明制備纖芯和光纖預(yù)制棒以及光纖的方法和較佳實施例。注意附圖只是示意地說明本發(fā)明，無意于表明圖中各部件的尺寸和相對比例。另外，應(yīng)注意本發(fā)明明確考慮的是單模光纖，因為在多模光纖中不存在氫致衰減問題。本發(fā)明也考慮到芯部具有恒定折射率梯度或具有按其它方式變化的折射率的光波導(dǎo)。
可按如圖3和4所示的常規(guī)方法制備光波導(dǎo)微粉預(yù)制棒。利用火焰水解燃燒器14將一層玻璃微粉10復(fù)蓋在圓柱形芯軸12上。燃料氣和氧或空氣由氣源(圖中未示出)供給燃燒器14。這種混合物與玻璃微粉的液態(tài)前體(如四氯化硅或八甲基環(huán)丁硅氧烷之類的聚烷基硅氧烷)一起燃燒，產(chǎn)生由燃燒器噴出的火焰16。用火焰16將燃料氣、氧和微粉前體的氣體-汽體混合物氧化，形成一股離開火焰的玻璃微粉流18，并將該微粉流引向芯軸12。最初沉積在芯軸12上的微粉復(fù)蓋層(包括許多層)構(gòu)成光纖的纖芯10。在圓柱形芯軸上形成微粉復(fù)蓋層的火焰水解方法在美國專利Re28,029和3,823,995中有更詳細說明。芯軸12用手柄20支承，可按圖3中在其附近的箭頭所示旋轉(zhuǎn)和平移，使微粉均勻沉積。
如圖4所示在第一復(fù)蓋層10的外圍表面涂復(fù)第二復(fù)蓋層(包括許多層)。第二復(fù)蓋層將構(gòu)成內(nèi)包層區(qū)22。按照公知的方法，通過改變火焰16所產(chǎn)生的微粉24的成份來使內(nèi)包層區(qū)22的折射率低于復(fù)蓋層10(芯區(qū))的折射率。這可通過改變引入至火焰中的摻雜材料的濃度或類型，或者省略某種摻雜材料來達到。芯軸12可再旋轉(zhuǎn)和平移來均勻沉積內(nèi)包層區(qū)22，復(fù)合結(jié)構(gòu)包括構(gòu)成光波導(dǎo)微粉纖芯預(yù)制棒41的第一復(fù)蓋層10(芯區(qū))和第二包層22。
按照本發(fā)明，涂覆最終構(gòu)成內(nèi)包層區(qū)22的第二微粉復(fù)蓋層的方法與常規(guī)方法不同，在其中引入了適當濃度的鍺前體(如四氯化鍺)以在預(yù)制棒和最終光纖的內(nèi)包層區(qū)中產(chǎn)生預(yù)定濃度的二氧化鍺。在較佳實施例中，在微粉前體組合物中鍺前體的濃度范圍約為0.003-0.6％(摩爾)，較好為約0.03-0.3％(摩爾)，最好為約0.06-0.2％(摩爾)。在另一較佳實施例中，內(nèi)包層微粉前體組合物的組份在內(nèi)包層區(qū)玻璃微粉沉積過程中保持恒定。我們在這里指出。上面對本方法的說明除了在內(nèi)包層區(qū)加入鍺以外，其余都完全是常規(guī)方法。因此，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可改變那些常規(guī)的方法步驟。例如，可以使用多種沉積方法中的任何一種。包括(但不限于)外汽相沉積、內(nèi)汽相沉積、汽相軸向沉積、改進的化學汽相沉積、或等離子體外部內(nèi)部沉積。
制造光纖時，光纖的纖芯和包層(內(nèi)包層和外包層)區(qū)應(yīng)當用具有最低光衰減的玻璃制成，雖然任何一種光學品質(zhì)的玻璃都可以用，但最適宜的是熔凝石英。根據(jù)結(jié)構(gòu)和其它應(yīng)用的考慮，纖芯和包層的玻璃最好具有相似的物理特性。由于纖芯玻璃的折射率必須高于包層的折射率才能正常工作，纖芯最好用與包層相同類型的玻璃構(gòu)成，但摻有少量其它材料以稍微提高其折射率。例如，如果以純?nèi)勰⒆鳛榘鼘?，纖芯玻璃可用摻有某種材料以提高其折射率的熔凝石英。石英的前體可包括(作為例子)四氯化硅；聚烷基硅氧烷，如六甲基環(huán)丙硅氧烷；和聚烷基環(huán)硅氧烷，如八甲基環(huán)丁硅氧烷，六甲基環(huán)丙硅氧烷和十甲基環(huán)戊硅氧烷。
有許多適當?shù)牟牧峡蓡为毜鼗蚪Y(jié)合起來用作摻雜劑以提高熔凝石英的折射率。包括(但不限于)氧化鈦、氧化鉭、氧化鋁、氧化鑭、氧化磷和二氧化鍺。由摻有二氧化鍺的熔凝石英構(gòu)成的纖芯可方便地配以熔凝石英包層。二氧化鍺的前體可包括四氯化鍺。
取去芯軸12后，得到空心圓柱形多孔微粉纖芯預(yù)制棒41，如圖5所示。預(yù)制棒41包括第一和第二多孔微粉玻璃層，在圖中分別以10和22表示，玻璃層10的折射率比玻璃層22高。也可以(但不如上面方法好)在單只沉積和固化芯層10以后拉制芯棒(core cane)。
然后將纖芯預(yù)制棒41固化，沉積一層復(fù)蓋層以形成外包層區(qū)，再進行固化，固化和沉積復(fù)蓋層步驟是本領(lǐng)域人所共知的，但為了敘述的連續(xù)性，在這里仍予以簡略說明。預(yù)制棒41是一種多孔結(jié)構(gòu)，其質(zhì)地與白堊相似。它是在爐子中通過控制狀態(tài)下加熱而固化的，一般是在氯存在下，也可在氦存在下加熱，以去除其中的孔隙。氯是用來使預(yù)制棒干燥；可以在固化步驟之前進行干燥(這方法較好)也可以固化老化同時進行。固化的纖芯預(yù)制棒然后被拉伸，消除其中心孔，制得芯棒。再切成適當長度進行復(fù)蓋。然后在適當長度的芯棒上沉積微粉涂上復(fù)蓋層。隨后將復(fù)蓋后的預(yù)制棒固化以去除復(fù)蓋層內(nèi)的孔隙。最后，把固化的復(fù)蓋好的預(yù)制棒拉制成光纖。
本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在實施本發(fā)明時可采用的常規(guī)光纖技術(shù)(列于此引為參考)，包括下列作為非限制性的例子關(guān)于用作微粉前體的原料，見Dobbins的美國專利5,043,002；和Blackwell的美國專利5,152,819。
關(guān)于蒸發(fā)或霧化微粉前體的方法,見Antos的美國專利5,078,092；Cain的美國專利5,356,451；Blankenship的美國專利4,230,744；以及Blankenship的美國專利4,341,837；和Blankenship的美國專利4,173,305。
關(guān)于燃燒微粉前體以及沉積芯區(qū)和包層區(qū)，見Abbott的美國專利5,116,400；Abbott的美國專利5,211,732；Berkey的美國專利4,486,212；Powers的美國專利4,568,370；Powers的美國專利4,639,079；Berkey的美國專利4,684,384；Powers的美國專利4,714,488；Powers的美國專利4,726,827；Schultz的美國專利4,230,472；和Sarkar的美國專利4,233,045。
關(guān)于纖芯預(yù)制棒固化，芯棒拉制和復(fù)蓋后預(yù)制棒固化等步驟，見Lane的美國專利4,906,267；Lane的美國專利4,906,268；Lane的美國專利4,950,319；Blankenship的美國專利4,251,251；Schultz的美國專利4,263,031；Bailey的美國專利4,286,978；Powers的美國專利4,125,388；Powers的美國專利4,165,223和Abbott的美國專利5,396,323。
關(guān)于由固化的已復(fù)蓋預(yù)制棒拉制光纖，見Harvey的美國專利5,284,499；Koening的美國專利5,314,517；Amos的美國專利5,366,527；Brown的美國專利4,500,043；Darcangelo的美國專利4,514,205；Kar的美國專利4,531,959；Lane的美國專利4,741,748；Deneka的美國專利4,792,347；Ohls的美國專利4,246,299；Claypoole的美國專利4,264,649以及Brundage的美國專利5,410,567。
權(quán)利要求
1.一種單模光纖，包括纖芯區(qū)和圍繞纖芯的內(nèi)包層區(qū)，在選定的信號波長下，光在纖芯傳播的同時，也以可感測到的程度在內(nèi)包層區(qū)傳播，所述內(nèi)包層區(qū)具有比纖芯區(qū)低的折射率，內(nèi)包層區(qū)還被外包層區(qū)包圍，其特征在于內(nèi)包層區(qū)中的二氧化鍺濃度是內(nèi)包層區(qū)重量的約0.005-1％，從而有效地顯著降低內(nèi)包層區(qū)中會形成缺陷引起氫致衰減的氧原子的濃度。
2.如權(quán)利要求1所述的單模光纖，其特征在于內(nèi)包層區(qū)中二氧化鍺的濃度是所述內(nèi)包層區(qū)重量的0.1-0.5％，或是所述內(nèi)包層區(qū)重量的0.1-0.3％。
3.如權(quán)利要求1所述的單模光纖，其特征在于中央纖芯區(qū)、內(nèi)包層區(qū)和外包層區(qū)都由熔凝石英構(gòu)成，和/或中央纖芯區(qū)摻有二氧化鍺。
4.如權(quán)利要求1所述的單模光纖，其特征在于將其置于23℃含1％體積氫的氣氛下保持10天，在這10天期間，在1530nm的信號光的衰減的絕對變化小于0.5db/km，或所述衰減的絕對變化小于0.005db/km。
5.一種制備可用來制造單模光纖的纖芯預(yù)制棒的方法，包括燃燒纖芯微粉前體組合物，在襯底上沉積中央芯區(qū)玻璃微粉，然后燃燒內(nèi)包層微粉前體組合物，在所述中央芯區(qū)玻璃微粉上沉積內(nèi)包層區(qū)玻璃微粉，從而產(chǎn)生所述纖芯預(yù)制棒，其特征在于在所述內(nèi)包層微粉前體組合物中，包含有二氧化鍺前體，其濃度選自以下的定量范圍(a)約0.003-0.6％(摩爾)，能有效地產(chǎn)生包含約0.005-1％(重量)二氧化鍺的內(nèi)包層區(qū)玻璃微粉；(b)約0.03-0.3％(摩爾)，能有效地產(chǎn)生包含約0.1-0.5％(重量)二氧化鍺的內(nèi)包層區(qū)玻璃微粉；(c)約0.06-0.2％(摩爾)，能有效地產(chǎn)生含有約0.1-0.3％(重量)二氧化鍺的內(nèi)包層區(qū)玻璃微粉。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于在沉積內(nèi)包層區(qū)玻璃微粉的過程中，內(nèi)包層微粉前體組合物的組份保持恒定。
7.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于在所述內(nèi)包層和/或纖芯微粉前體組合物中主要包含一種二氧化硅的前體和一種二氧化鍺的前體。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于所述二氧化硅前體選自四氯化硅、六甲基環(huán)丙硅氧烷、八甲基環(huán)丁硅氧烷和十甲基環(huán)戊硅氧烷；和/或所述二氧化鍺前體是四氯化鍺。
9.一種制備可用來制造單模光纖的已復(fù)蓋預(yù)制棒的方法，包括(a)燃燒纖芯微粉前體組合物，在襯底上沉積中央芯區(qū)玻璃微粉，然后(b)燃燒內(nèi)包層微粉前體組合物，在所述中央芯區(qū)玻璃微粉上沉積內(nèi)包層區(qū)玻璃微粉，制得纖芯預(yù)制棒，接著(c)在氯存在下干燥纖芯預(yù)制棒并在高溫下將其固化，然后(d)加熱該纖芯預(yù)制棒并由它拉制芯棒，再(e)燃燒外包層微粉前體組合物，在一段長度的所述芯棒上沉積外包層玻璃微粉，從而制得所述已復(fù)蓋預(yù)制棒，其特征在于在所述內(nèi)包層微粉前體組合物中，包含有二氧化鍺前體，其濃度為約0.003-0.6％(摩爾)，能有效地產(chǎn)生包含約0.005-1％(重量)二氧化鍺的內(nèi)包層區(qū)玻璃微粉。
10.一種制備單模光纖的方法，包括(a)燃燒纖芯微粉前體組合物，在襯底上沉積中央芯區(qū)玻璃微粉，然后(b)燃燒內(nèi)包層微粉前體組合物，在所述中央芯區(qū)玻璃微粉上沉積內(nèi)包層區(qū)玻璃微粉，制得纖芯預(yù)制棒，再(c)在氯存在下干燥纖芯預(yù)制棒并在高溫下將其固化，然后(d)加熱該纖芯預(yù)制棒并由它拉制芯棒，再(e)燃燒外包層微粉前體組合物，在一段長度的所述芯棒上沉積外包層區(qū)玻璃微粉，制得所述已復(fù)蓋的預(yù)制棒，然后(f)在氯存在下固化該已復(fù)蓋的預(yù)制棒，再(g)加熱所述已復(fù)蓋的預(yù)制棒，并由它拉制光纖，其特征在于在所述內(nèi)包層微粉前體組合物中，包含有二氧化鍺前體，其濃度為約0.003-0.6％(摩爾)。能有效地產(chǎn)生包含約0.005-1％(重量)二氧化鍺的內(nèi)包層區(qū)玻璃微粉。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種改進的單模光纖，包括中央芯區(qū)和包圍纖芯的內(nèi)包層區(qū)，在選定的信號波長下，光在纖芯傳播的同時，也以可感測到的程度在內(nèi)包層區(qū)傳播，內(nèi)包層區(qū)還被外包層區(qū)包圍，其特征在于在所述內(nèi)包層區(qū)中，含有濃度約為所述內(nèi)包層區(qū)重量的0.005-1％的二氧化鍺，從而有效地顯著降低內(nèi)包層區(qū)中會形成缺陷引起氫致衰減的氧原子濃度。本發(fā)明也提供了纖芯預(yù)制棒，已覆蓋的預(yù)制棒，以及制備光纖、纖芯預(yù)制棒和已覆蓋預(yù)制棒的方法。
文檔編號C03C4/00GK1154345SQ9612289
公開日1997年7月16日 申請日期1996年11月1日 優(yōu)先權(quán)日1995年11月3日
發(fā)明者A·J·翁托什, T·亨特, D·R·鮑爾斯, W·A·惠登 申請人:康寧股份有限公司