9]圖2表明耦接到電壓鏈路8和ESD控制模塊(ECM) 7的I⑶S 12的示例實(shí)施例。通過示例，ECM 7可以耦接到ESD 6并且配置成監(jiān)控和控制ESD 6操作，并且也可以配置成通信到在EV 2的比如但不限于車輛控制系統(tǒng)、車輛診斷系統(tǒng)等(未示出)這樣的其他系統(tǒng)。通過示例，ECM 7可以控制ESD 6和電壓鏈路8之間的連接。例如，ESD 6可以體現(xiàn)為高電壓電池，ECM 7可以體現(xiàn)為電池控制模塊，電池控制模塊配置成打開和閉合將牽引電池耦接到電壓鏈路8的繼電器。雖然在圖1中顯示為耦接到充電輸入10，電壓鏈路8也可以耦接到在EV 2的電力轉(zhuǎn)換電路(未示出)，電力轉(zhuǎn)換電路配置成將來(lái)自ESD 6的能量傳輸?shù)奖热缗渲贸沈?qū)動(dòng)EV 2的永磁同步電機(jī)(PMSM)這樣的電機(jī)。
[0040]在示例實(shí)施例中，I⑶S 12可以包括隔離檢測(cè)單元(IDU 14)和電路檢測(cè)和響應(yīng)單元(CDRU) 16。IDU 14可以包括泄露檢測(cè)電路(LDC) 18，和隔離確定組件(IDC) 20。LDC 18可以包含電路以檢測(cè)電壓鏈路8和接地之間的泄露電流。在圖1的示例實(shí)施例中，在正在驅(qū)動(dòng)EV 2期間以及在正在充電ESD 6期間，LDC 18可以電耦接到電壓鏈路8，以便隔離狀態(tài)可以不斷地監(jiān)控而不管EV 2操作模式。
[0041]IDC 20可以包括配置成接收LDC 18輸出并且提供關(guān)于DC鏈路8的隔離特性的隔離特性模塊(ICM) 22 ;以及配置成確定隔離故障的存在的故障確定模塊(FDM) 24。在示例實(shí)施例中，F(xiàn)DM 24可以配置成將由ICM 22提供的隔離特性與預(yù)定的閾值或跳變點(diǎn)相比較以確定是否存在故障狀態(tài)。
[0042]IDU 14可以包括可以包含數(shù)字處理器27和存儲(chǔ)器28的控制模塊(CM) 26。在示例實(shí)施例中，處理器27可以配置成控制LDC 18的操作。處理器27可以配置成執(zhí)行軟件，軟件包含用于在LDC 18或IDC 20執(zhí)行操作的邏輯。在示例實(shí)施例中，IDC 20可以包含配置用于在數(shù)字處理器27執(zhí)行的軟件，并且該軟件具有用于引起處理器27執(zhí)行IDC 20的功能的指令的邏輯。存儲(chǔ)器28可以包含用于儲(chǔ)存用于處理器27的指令的只讀存儲(chǔ)器(ROM)和/或用于儲(chǔ)存比如但不限于LDC 18和IDC 20輸出這樣的信息的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)。
[0043]在示例實(shí)施例中，⑶RU 16可以包括電路確定和表征組件(⑶CC) 30，和確定響應(yīng)組件(DRC) 34。⑶RU 16可以進(jìn)一步地包括控制模塊(CM) 38。雖然為了說(shuō)明的目的描繪為包含圖2中確定的幾種組件，應(yīng)該理解的是，在可變配置的組件或模塊可以執(zhí)行和/或結(jié)合⑶RU 16功能。在示例實(shí)施例中，CM 38可以包含數(shù)字處理器39和存儲(chǔ)器40 ;并且可以配置成執(zhí)行包含用于在⑶CC 30和DRC 34執(zhí)行操作的邏輯的軟件。在示例實(shí)施例中，⑶CC 30和DRC 34可以包含配置用于在CM 38的執(zhí)行的軟件。存儲(chǔ)器40可以包含用于儲(chǔ)存用于處理器39的指令的只讀存儲(chǔ)器(ROM)和/或用于儲(chǔ)存比如但不限于⑶CC 30和DRC 34輸出這樣的信息的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)。雖然顯示為單獨(dú)的單元，可以預(yù)期的是，CDRU 16的組件可以與IDU 14的那些組件結(jié)合，和/或單個(gè)存儲(chǔ)器和單個(gè)數(shù)字處理器可以供⑶RU 16和IDU 14兩者使用。
[0044]通過示例，⑶CC 30可以包含配置成確定第二泄露檢測(cè)電路是否通過共同接地耦接到LDC 18的電路確定模塊(CDM) 31。⑶CC 30可以進(jìn)一步地包含配置成表征檢測(cè)的第二泄露檢測(cè)電路的電路表征模塊(CCM)32。例如，CCM 32可以配置成計(jì)算關(guān)于第二泄露檢測(cè)電路的電阻。DRC 34可以包含配置成基于耦接的第二泄露檢測(cè)電路的存在或不存在確定用于IDU 14的操作模式的模式確定模塊(MDM) 35。DRC 34可以進(jìn)一步地包含配置成提供MDM 35指定的操作模式的操作參數(shù)的模式參數(shù)模塊(MPM) 36。例如，MPM 36可以為L(zhǎng)DC 18提供開關(guān)周期、為FDM 24提供跳變點(diǎn)等。
[0045]圖3表明示例實(shí)施例，在示例實(shí)施例中，LDC 18連接到體現(xiàn)為高電壓電池42的ESD的高電壓鏈路8。如圖3所示，電壓鏈路8可以體現(xiàn)為分別連接到電池42的正極和負(fù)極端子的正極高電壓總線(PHVB)44和負(fù)極高電壓總線(NHVB)46。PHVB 44可以在觸點(diǎn)45終止，并且NHVB 46可以在觸點(diǎn)47終止。為了說(shuō)明的目的，鏈路8描繪為耦接到充電輸入10，如可能在電池42的充電操作之前或在電池42的充電操作期間發(fā)生。然而，應(yīng)該理解的是，在正在驅(qū)動(dòng)EV 2的期間，電壓鏈路8也可以耦接到功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。LDC 18可以包括耦接到PHVB 44的電阻器Rp和耦接到NHVB 46的電阻器R N。LDC 18可以進(jìn)一步地包含耦接到車輛底盤48的檢測(cè)電阻器Rd。檢測(cè)電阻器Rd配置成為在LDC 18的泄露電流提供電流路徑。電壓檢測(cè)器V1可以配置成檢測(cè)檢測(cè)電阻器Rd兩端的電壓VRD。通常，隨著泄露電流增加，Vrd將在量值方面增加。通過示例，V1可以體現(xiàn)為運(yùn)算放大器。耦接到檢測(cè)電阻器Rd的開關(guān)SW1，可以配置成在與Rp的連接、與RN的連接和打開未連接的位置之間切換。開關(guān)Sffl的切換允許來(lái)自正極和負(fù)極高電壓總線44、46兩者的泄露電流的檢測(cè)。在示例實(shí)施例中，CM 26可以配置成與IDC 20和CDRU 16合作控制SWl的切換。
[0046]在示例實(shí)施例中，IDC 20可以配置成接收檢測(cè)的關(guān)于不同開關(guān)位置的Rd兩端的電壓。IDC 20可以配置成使用Vrd測(cè)量值以確定關(guān)于PHVB 44和NHVB 46的隔離特性或狀態(tài)。檢測(cè)的電壓自身可以用于表征隔離；然而，可以進(jìn)一步預(yù)期的是，檢測(cè)的電壓可以用于計(jì)算關(guān)于泄露電流In、的值，或計(jì)算關(guān)于泄露電阻的值，以便表征電壓總線隔離。
[0047]參考圖3，泄露電阻Rlp顯示在PHVB 44和底盤48之間，并且泄露電阻R ?Ν顯示在NHVB 46和底盤48之間。泄露電阻Rlp和R ω是與在PHVB 44和底盤48之間的實(shí)際泄露電流Ι?Ρ和在NHVB 46和底盤48之間的實(shí)際泄露電流Ι?Ν有關(guān)的推定電阻。因?yàn)樾孤峨娮鑂lp和1^是基于泄露電流ILP和I ln，它們可以用于表征PHVB 44和NHVB 46隔離。電壓總線和底盤48之間的電阻越高，電壓總線的隔離越高。在示例實(shí)施例中，ICM 22可以配置成通過計(jì)算關(guān)于泄露電阻Rln的值量化電壓總線隔離。
[0048]IDC 20可以進(jìn)一步地配置成使用隔離狀態(tài)特性一一不論在電壓、電流、電阻或其他單位方面表達(dá)一一以確定高電壓總線44和46兩者之一與車輛底盤48之間是否存在接地故障。例如，F(xiàn)DM 24可以將隔離特性值與預(yù)定的閾值相比較以確定電壓總線是否足夠隔離，或是否存在接地故障狀態(tài)。在示例實(shí)施例中，當(dāng)檢測(cè)到接地故障時(shí)，IDU 14可以配置成設(shè)置故障標(biāo)記和/或提供故障信號(hào)。例如，IDU 14可以向ECM 7提供故障信號(hào)，ECM 7可以配置成通過使ESD 6從電壓鏈路8分離而響應(yīng)。
[0049]在下面提出LDC 18操作的簡(jiǎn)要說(shuō)明。參考圖3，如果L或I⑶都不存在，將沒有關(guān)于任何SWl位置的通過Rd的電流，因此對(duì)于所有SWl位置V RD將是O。然而，如果存在來(lái)自PHVB 44的泄露電流Ι?Ρ，當(dāng)SWl閉合到&時(shí)，將出現(xiàn)R D兩端的電壓，但是當(dāng)SWl閉合到Rp時(shí)，將不會(huì)出現(xiàn)Rd兩端的電壓。相反，如果存在來(lái)自NHVB 46的泄露電流I 那么當(dāng)SWl閉合到Rp時(shí)，將出現(xiàn)Rd兩端的電壓，但是當(dāng)SWl閉合到Rn時(shí)將不會(huì)出現(xiàn)Rd兩端的電壓。由Vl檢測(cè)的關(guān)于閉合開關(guān)位置的電壓Vrd的大小，反映電壓總線和底盤48之間的電流泄露的量。因此，Vrd測(cè)量值自身可以用于量化電流泄露。然而，尤其當(dāng)將值與預(yù)定的閾值相比較時(shí)，與其他單元合作通常是更容易的。因此，與不同SWl位置有關(guān)的Vrd測(cè)量值可以用于計(jì)算關(guān)于泄露電阻的值。
[0050]例如，給定關(guān)于RP、RjP R D的預(yù)定的電阻值，ICM 22可以配置成使用關(guān)于SWl閉合到Rp的電壓VRD以提供關(guān)于In的計(jì)算的泄露電阻值RaN。同樣，ICM 22可以配置成使用關(guān)于SWl閉合到Rn的電壓Vrd以計(jì)算關(guān)于Ru的泄露電阻RαΡ。計(jì)算的值RaN和Rap可以用于表征泄露電流1^和I lp，并且可以用于代表關(guān)于高電壓總線PHVB 44和NHVB 46的隔離狀態(tài)。計(jì)算的值然后可以與預(yù)定的閾值相比較以確定是否存在接地故障狀態(tài)。
[0051]圖4Α表明現(xiàn)有技術(shù)的可以設(shè)置在裝置上的示例泄露檢測(cè)電路52，裝置與設(shè)置CDRU 16的裝置分開但能夠耦接設(shè)置CDRU 16的裝置。通過示例，第一裝置和第二裝置的耦接可以包含將在第一裝置的電壓鏈路與在第二裝置的電壓鏈路電連接；例如，將在第一裝置的第一正極高電壓總線與在第二裝置的第二正極高電壓總線耦接，并且將在第一裝置的第一負(fù)極高電壓總線與在第二裝置的第二負(fù)極高電壓總線電耦接。例如，參考圖1，在圖1中，I⑶S 12設(shè)置在EV 2上，EV 2可以認(rèn)為是第一裝置。EVSE 4，和/或電纜5可以認(rèn)為是第二裝置，并且可以包含電路52。用于EVSE 4的電壓源VS可以連接到正極高電壓總線PHVB 54和負(fù)極高電壓總線NHVB 56，正極高電壓總線PHVB 54和負(fù)極高電壓總線NHVB 56兩者可以配置成用于耦接耦接到ESD 6的電壓鏈路8。PHVB 54可以在觸點(diǎn)55終止，并且NHVB 56可以在觸點(diǎn)57終止。通過示例，觸點(diǎn)55、57可以設(shè)置在用于電纜5的連接器(未示出)上，連接器配置成以實(shí)現(xiàn)觸點(diǎn)55、57和觸點(diǎn)45、47的耦接的方式用于在充電輸入10的接合。
[0052]泄露檢測(cè)電路52可以包含通過開關(guān)SW2和檢測(cè)電阻器Rd2設(shè)置在PHVB 54和接地線58之間的電阻器RP2，以及通過開關(guān)SW2和檢測(cè)電阻器Rd2設(shè)置在NHVB 56和接地線58之間的電阻器RN2。開關(guān)SW2可以配置成在與Rp2和Rn2的連接之間切換。泄露檢測(cè)電路52可以與LDC 18幾乎相同的方式操作，因?yàn)闄z測(cè)的關(guān)于不同SW2位置的Rd2兩端的電壓可以用于檢測(cè)泄露電流和泄露電流I㈨。圖4B表明示例泄露檢測(cè)電路53，在泄露檢測(cè)電路53中，省略開關(guān)SW2。雖然在此在I⑶S 12設(shè)置在EV 2上并且泄露檢測(cè)電路52 (或53)設(shè)置在EVSE 4上的情況下討論，可以預(yù)期的是，I⑶S 12可以設(shè)置在EVSE 4上；并且泄露檢測(cè)電路52或53可以設(shè)置在EV 2上。
[0053]參考圖1、3和4A，當(dāng)電纜5接合在充電輸入10時(shí)，在EV 2的高電壓總線44、46可以