專利名稱：：使用溶劑體系內(nèi)的自組裝單層除去高劑量離子注入光致抗蝕劑的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及包含自組裝單層(SAM)的組合物，其用于從微電子器件表面上除去松散和硬化的光致抗蝕劑，并且涉及使用所述組合物除去所述光致抗蝕劑的方法。相關(guān)技術(shù)描述隨著半導(dǎo)體器件變得越來越集成化和小型化，在前段制程(FEOL)工藝過程中已經(jīng)廣泛使用離子注入，以精確控制微電子器件內(nèi)的雜質(zhì)分布和向暴露的器件層添加摻雜原子，如As、B和P。通過改變摻雜劑的劑量、加速能量和離子流來控制摻雜雜質(zhì)的濃度和深度。在后續(xù)加工前，必須除去離子注入光致抗蝕劑層。在過去已經(jīng)使用各種方法除去所述硬化的光致抗蝕劑，這些方法包括但不限于濕法化學(xué)蝕刻工藝，例如在硫酸和過氧化氫的混合物溶液中，和干法等離子蝕刻工藝，例如在氧等離子灰化工藝中。不幸地是，當(dāng)在低(5keV)、中(10keV)和高(20keV)注入能量下將高劑量的離子(例如劑量大于約1x1015原子cm^注入所需層時，它們還被注入到整個光致抗蝕劑層中，尤其是光致抗蝕劑的暴露表面，使該層變成物理和化學(xué)剛性的。剛性的離子注入光致抗蝕劑層也稱為碳化區(qū)域或"硬殼"，已經(jīng)證明它是難以除去的。目前，通常通過等離子蝕刻法然后是多步濕刻工藝來除去離子注入光致抗蝕劑和其它污染物，典型地使用水基蝕刻劑配方來除去光致抗蝕劑、蝕刻后殘渣和其它污染物。本領(lǐng)域的濕刻處理法通常涉及使用強酸、堿、溶劑和氧化劑。然而不利的是，濕刻處理法也會蝕刻下面的含硅層，例如基底和柵氧化物，和/或增加?xùn)叛趸锖穸?。隨著特征尺寸繼續(xù)減小，使用現(xiàn)有技術(shù)的水基蝕刻劑配方滿足上述去除要求變成更大的挑戰(zhàn)。水具有高表面張力，這限制或防止到達具有高縱橫比的較小圖像節(jié)點，因此除去裂縫或凹槽內(nèi)的殘渣變得更加困難。此外，在蒸發(fā)干燥時，水基蝕刻劑配方通常會將以前溶解的溶質(zhì)留在溝槽或通孔里，這抑制了傳導(dǎo)并減少了器件收率。而且，下面的多孔低k介電材料不具有足夠的機械強度來經(jīng)受高表面張力液體如水的毛細管壓力，從而導(dǎo)致結(jié)構(gòu)的圖案塌陷。含水蝕刻劑配方還會強烈改變低k材料的重要材料性質(zhì)，包括介電常數(shù)、機械強度、水分?jǐn)z取、熱膨脹系數(shù)和對不同基底的粘附性。因此，提供克服本領(lǐng)域中從微電子器件上除去松散和硬化的光致抗蝕劑的現(xiàn)有技術(shù)相關(guān)缺陷的改進組合物，這將是本領(lǐng)域中的重要進步。所述改進組合物將在一步或多步工藝中有效地除去松散和硬化的光致抗蝕劑，而不需要等離子蝕刻步驟，而且基本上不會過蝕刻下面的含硅層。發(fā)明概述本發(fā)明涉及包含自組裝單層(SAM)的組合物，其用于從微電子器件表面上除去松散和硬化的光致抗蝕劑，還涉及制備所述組合物的方法和使用它除去所述光致抗蝕劑的方法，以及使用所述組合物制備的改進微電子器件。在一方面，本發(fā)明涉及包含自組裝單層(SAM)的組合物，其包括至少一種溶劑、至少一種催化劑、至少一種SAM組分和任選至少一種表面活性劑，其中所述包含SAM的組合物適合從其上具有松散和硬化光致抗蝕劑材料的微電子器件上除去所述光致抗蝕劑材料。在另一方面，本發(fā)明涉及試劑盒，其在一個或多個容器內(nèi)包括含有SAM的組合物試劑，其中所述包含SAM的組合物包括至少一種溶劑、至少一種催化劑、至少一種SAM組分和任選至少一種表面活性劑，其中所述試劑盒適于形成如下包含SAM的組合物，該組合物適合從其上具有松散和硬化光致抗蝕劑材料的微電子器件上除去所述光致抗蝕劑材料。在還一方面，本發(fā)明涉及從其上具有松散和硬化光致抗蝕劑材料的微電子器件上除去所述光致抗蝕劑材料的方法，所述方法包括使微電子器件與包含SAM的組合物在足夠的接觸條件下接觸足夠的時間，以從微電子器件上至少部分地除去所述光致抗蝕劑材料，其中所述包含SAM的組合物包括至少一種溶劑、至少一種催化劑、至少一種SAM組分和任選至少一種表面活性劑。在又一方面，本發(fā)明涉及從其上具有松散和硬化光致抗蝕劑材料的微電子器件上除去所述光致抗蝕劑材料的方法，所述方法包括使微電子器件與包含SAM的組合物接觸足夠的時間，以至少部分地鈍化光致抗蝕劑材料下面的含硅層，并使微電子器件與包含蝕刻劑的去除組合物接觸，以從微電子器件上至少部分地除去所述光致抗蝕劑材料，其中所述包含SAM的組合物包括不含鹵化物的SAM組分。在另一方面，本發(fā)明涉及從其上具有松散和硬化光致抗蝕劑材料的微電子器件上除去所述光致抗蝕劑材料的方法，所述方法包括使微電子器件與包含SAM的組合物接觸足夠的時間，以從微電子器件上至少部分地除去所述光致抗蝕劑材料，其中所述包含SAM的組合物不含蝕刻劑組分。在還一方面，本發(fā)明涉及制造微電子器件的方法，所述方法包括使微電子器件與包含SAM的組合物接觸足夠的時間，以從其上具有松散和硬化光致抗蝕劑材料的微電子器件上至少部分地除去所述光致抗蝕劑材料，其中所述包含SAM的組合物包括至少一種溶劑、至少一種催化劑、至少一種SAM組分和任選的至少一種表面活性劑，和任選地將所述清潔的微電子器件結(jié)合到產(chǎn)品內(nèi)。本發(fā)明的其它方面、特征和實施方式將從下面的公開和所附權(quán)利要求中變得更充分明顯。圖1A-1D是使包含SAM的組合物與器件表面在7(TC的接觸溫度下接觸后，接觸時間分別為1min、30min、1小時和15小時的微電子器件表面的原子力顯微照片，該組合物在10mL甲苯中包含1mmolCl3SiMe禾口2mmolEt3N。圖2示意本發(fā)明包含SAM的組合物對于四種不同微電子器件層的清潔效率作為溫度的函數(shù)，所述四種不同的微電子器件層包括松散空白光致抗蝕劑層(松散PR)、空白離子注入光致抗蝕劑層(硬殼)、松散圖案化光致抗蝕劑層(圖案化PR)和圖案化離子注入光致抗蝕劑層(圖案化硬殼)。圖3A-3C是使包含SAM的組合物與器件表面在7(TC的接觸溫度下接觸30min后，微電子器件表面的原子力顯微圖，該組合物在2mmolEt3N的10mL甲苯溶液中包含ClSiMe3(圖3A)、Cl2SiMe2(^3B)和Cl3SiMe(圖3C)。圖4A-4C是微電子器件表面上密集圖案化的離子注入光致抗蝕劑的光學(xué)顯微圖像(圖4A)和掃描電子顯微(SEM)圖像(圖4B-4C)。圖5A-5C是微電子器件表面與包含SAM的組合物在7(TC接觸30min后的光學(xué)顯微圖像，該組合物包括ClSiMe3(圖5A)、Cl2SiMe2(圖5B)和Cl3SiMe(圖5C)。圖6示意本發(fā)明包含SAM的組合物對于四種不同微電子器件層的清潔效率作為SAM官能度的函數(shù)，所述四種不同的微電子器件層包括松散空白光致抗蝕劑層(松散PR)、空白離子注入光致抗蝕劑層(硬殼)、松散圖案化光致抗蝕劑層(圖案化PR)和圖案化離子注入光致抗蝕劑層(圖案化硬殼)。圖7A-7C是對照表面(圖7A)、使用本發(fā)明包含SAM的組合物清潔和鈍化后的表面(圖7B)、和根據(jù)本發(fā)明去鈍化后的表面(圖7C)的光學(xué)顯微圖像。圖8A-8E是對照表面(圖8A)、使用本發(fā)明包含SAM的組合物清潔和鈍化后的表面(圖8B)、在去鈍化后處于90。觀察角(圖8C)和60°觀察角(圖8D)的表面、以及在去鈍化后故意過蝕刻的表面(圖8E)的掃描電子顯微圖。發(fā)明詳述及其優(yōu)選實施方式本發(fā)明基于發(fā)現(xiàn)了包含自組裝單層(SAM)的組合物，其可高度有效地從微電子器件表面上除去松散和硬化的光致抗蝕劑，同時保留下面含硅層的完整性。用于本文時，"松散光致抗蝕劑"對應(yīng)微電子器件表面上未碳化的光致抗蝕劑，具體位于硬化光致抗蝕劑硬殼的附近和下面。用于本文時，"硬化的光致抗蝕劑"包括但不限于如下光致抗蝕劑，其例如在后段制程(BEOL)雙鑲嵌加工集成電路的過程中經(jīng)過等離子蝕刻，例如在前段制程(FEOL)加工以將摻雜物注入半導(dǎo)體晶片的合適層的過程中經(jīng)過離子注入，和/或通過任何其它方法，從而在松散光致抗蝕劑的暴露表面上形成碳化或高度交聯(lián)的硬殼。用于本文時，"下面的含硅"層對應(yīng)于在松散和/或硬化的光致抗蝕劑下面的層，包括硅；氧化硅，包括柵氧化物(例如熱或化學(xué)生長的Si02)和TE0S;氮化硅；和低k含硅材料。在本文中定義時，"低k含硅材料"對應(yīng)于用作分層微電子器件內(nèi)的介電材料的任何材料，其中所述材料的介電常數(shù)小于約3.5。優(yōu)選地，低k介電材料包括低極性材料，如含硅有機聚合物、含硅雜化有機/無機材料、有機硅酸鹽玻璃(OSG)、TEOS、氟化的硅酸鹽玻璃(FSG)、二氧化硅、和摻碳的氧化物(CDO)玻璃。將理解低k介電材料可以具有變化的密度和變化的孔隙率。"微電子器件"對應(yīng)于被制造用于微電子、集成電路或計算機芯片應(yīng)用的半導(dǎo)體基底、平板顯示器和微電子機械系統(tǒng)(MEMS)。將理解術(shù)語"微電子器件"絕非意味著以任何方式的限制，而且包括最終將變成微電子器件或微電子組件的任何基底。在本文中定義時，"基本上過蝕刻"對應(yīng)于在根據(jù)本發(fā)明的方法，使本發(fā)明包含SAM的組合物接觸具有所述下面層的微電子器件后，相鄰的下面含硅層除去大于約10。/。、更優(yōu)選除去大于約5%、最優(yōu)選除去大于約2%。換句話說，最優(yōu)選使用本發(fā)明的組合物在指定次數(shù)內(nèi)蝕刻不大于2%的下面含硅層。用于本文時，"約"用于對應(yīng)所示值的±5%。用于本文時，"適合"從其上具有松散和硬化光致抗蝕劑材料的微電子器件上除去所述光致抗蝕劑材料對應(yīng)于從微電子器件上至少部分地除去所述光致抗蝕劑材料。優(yōu)選地，使用本發(fā)明的組合物從微電子器件上除去至少90%光致抗蝕劑材料，更優(yōu)選至少95%、最優(yōu)選至少99%光致抗蝕劑材料被除去。用于本文時，"稠密流體"對應(yīng)于超臨界流體或次臨界流體。用于本文時，術(shù)語"超臨界流體"指在指定化合物的壓力-溫度圖中，處于不低于臨界溫度Te和不小于臨界壓力Pe的條件下的材料。用于本發(fā)明的優(yōu)選超臨界流體是C02，它可以單獨使用或與另一種添加劑如Ar、NH3、N2、CH4、C2H4、CHF3、C2H6、n-C3H8、H20、&0等混合。術(shù)語"次臨界流體"描述處于次臨界狀態(tài)的溶劑，即低于與該具體溶劑有關(guān)的臨界溫度和/或低于與該具體溶劑有關(guān)的臨界壓力。優(yōu)選地，次臨界流體是具有可變密度的高壓液體。重要地，本發(fā)明包含SAM的組合物必須具有良好的含金屬材料相容性，例如在含金屬材料上的低蝕刻速率。相關(guān)包含金屬的材料包括但不限于銅、鎢、鈷、鋁、鉭、鈦和釕及其硅化物和氮化物。已知自組裝單層(SAMS)可以鈍化各種表面，這些表面包括但不限于金屬(例如銅、金等)以及鈦、鉿、硅和鋁的氧化物。SAMs包括具有至少一個離去基團如鹵化物基的硅垸，所述硅垸易于在含硅表面上的氧基團處形成共價鍵(即通過甲硅烷基化反應(yīng))。硅垸本身可以進一步包括共價鍵合的惰性分子，例如聚乙二醇(PEG)，從而在附著至含硅表面后，PEG-硅烷能夠阻止其它分子與所述表面結(jié)合。PEG-硅垸SAM是常用的，因為它們薄(即不松散)而且親水，PEG分子與含硅表面的聯(lián)接導(dǎo)致無粘性的水樣層。相反，如果必要，可以使用垸基氯硅垸形成疏水表面。可以在各種具體配方中體現(xiàn)本發(fā)明的組合物，如下文更充分的描述。在所有這些組合物中，其中根據(jù)包括零下限的重量百分比范圍討論組合物的具體組分，將理解這些組分可以存在或不存在于組合物的各種具體實施方式中，當(dāng)存在所述組分時，按使用該組分的組合物總重量計，它們的含量可以低至0.01重量百分比。在一方面，本發(fā)明涉及包含SAM的液體組合物，其用于從微電子器件上除去松散和硬化的光致抗蝕劑。根據(jù)一個實施方式的液體組合物包括至少一種SAM組分、任選至少一種溶劑、任選至少一種催化劑和任選至少一種表面活性劑。根據(jù)另一個實施方式的液體組合物包括至少一種SAM組分、至少一種催化劑、任選至少一種溶劑和任選至少一種表面活性劑。根據(jù)還一個實施方式的液體組合物包括至少一種SAM組分、至少一種溶劑、至少一種催化劑和任選至少一種表面活性劑。重要地，根據(jù)所選溶劑的性質(zhì)，所述溶劑可以同時作為催化劑。在一個實施方式中，本發(fā)明涉及包含SAM的液體組合物，其用于從微電子器件上除去松散和硬化的光致抗蝕劑，其中所述催化劑可同時作為溶劑。根據(jù)該實施方式的液體組合物包括至少一種催化劑、至少一種SAM組分和任選至少一種表面活性劑，按組合物的總重計，其含量范圍如下<table>complextableseeoriginaldocumentpage8</table>在特別優(yōu)選的實施方式中，本發(fā)明涉及包含SAM的液體組合物，其用于從微電子器件上除去松散和硬化的光致抗蝕劑。根據(jù)該實施方式的液體組合物包括至少一種溶劑、至少一種催化劑、至少一種SAM組分和任選至少一種表面活性劑，按組合物的總重計，其含量范圍如下<table>complextableseeoriginaldocumentpage8</table>在一方面，包含SAM的液體組合物中SAM相對于催化劑的摩爾比范圍為約1:10至約5:1，更優(yōu)選約l:5至約1:1;SAM相對于液體溶劑的摩爾比范圍為約1:200至約1:50，更優(yōu)選約1:125至約1:75;SAM相對于表面活性劑(當(dāng)存在時)的摩爾比范圍為約1:10至約5:1。在本發(fā)明的廣泛實踐中，包含SAM的液體組合物包括如下，或由如下組成，或基本由如下組成至少一種溶劑、至少一種催化劑、至少一種SAM組分和任選至少一種表面活性劑。一般而言，溶劑、催化劑、SAM組分和任選的表面活性劑彼此相對的具體比例和量可以合適地變化，以提供包含SAM的液體組合物對松散和硬化光致抗蝕劑和/或處理設(shè)備的所需去除作用，這在現(xiàn)有技術(shù)的范圍內(nèi)不需要過多的努力就可容易地確定。用于本發(fā)明組合物的溶劑物質(zhì)可以是本質(zhì)上非極性的或極性的。例示性的非極性物質(zhì)包括但不限于甲苯、癸烷、十二烷、辛烷、戊烷、己烷、四氫呋喃(THF)和二氧化碳(次臨界或超臨界)。例示性極性物質(zhì)包括甲醇、乙醇、異丙醇、N-甲基-卩比咯垸酮、N-辛基-吡咯烷酮、N-苯基-妣咯垸酮、二甲亞砜(DMSO)、環(huán)丁砜、乳酸乙酯、乙酸乙酯、甲苯、丙酮、甲基卡必醇、丁基卡必醇、己基卡必醇、單乙醇胺、丁內(nèi)酯、二甘醇胺、垸基氟化銨、7-丁內(nèi)酯、碳酸亞丁酯、碳酸亞乙酯、碳酸亞丙酯及其混合物。優(yōu)選地，所述溶劑包括非極性物質(zhì)。甲苯是尤其優(yōu)選的。SAM組分可以包括烷氧基鹵代硅烷，包括(RO)3SiX、(RO)2SiX2、(RO)SiX3,其中X可以彼此相同或不同，選自F、Cl、Br或I，并且RO可以彼此相同或不同，選自直鏈或支鏈d-C2o垸氧基，例如甲氧基、乙氧基、丙氧基等或其組合。優(yōu)選地，SAM組分包括具有(R)3SiX、(R)2SiX2、(R)SiX3性質(zhì)的垸基鹵代硅烷，其中X可以彼此相同或不同，選自F、Cl、Br或I，并且R可以彼此相同或不同，選自直鏈、支鏈或環(huán)狀d-C20烷基，例如甲基、乙基、丙基、丁基、辛基、癸基、十二烷基等或其組合。還可以使用氟化的垸基和烷氧基衍生物。優(yōu)選地，SAM組分包括如下烷基鹵代硅垸，其中X=C1，R-甲基。在另一個替代方案中，SAM組分具有與其連接的PEG分子。盡管不希望受理論的約束，本發(fā)明組合物中所包括的催化劑是用來引發(fā)甲硅烷基化反應(yīng)并加速下面含硅層的鈍化。優(yōu)選地，催化劑包括胺，如三甲胺、三乙胺、丁胺、吡啶和輔助從SAM組分上除去鹵素離去基團的任何其它親核化合物。認(rèn)為胺催化劑可促進原位甲硅烷基化反應(yīng)，從而使SAM硅垸與下面含硅層上的氧原子共價連接，同時產(chǎn)生質(zhì)子化離去基團如HX。因此，通過共價鍵合的硅垸鈍化下面的含硅層，而所產(chǎn)生的質(zhì)子化離去基團可用于除去硬化的光致抗蝕劑材料。重要地，根據(jù)所選溶劑的性質(zhì)，所述溶劑可同時作為催化劑。本發(fā)明包含SAM的液體組合物還可以包括表面活性劑，以輔助從微電子器件表面上除去抗蝕劑。例示性表面活性劑包括但不限于氟烷基表面活性劑、聚乙二醇、聚丙二醇、聚乙二醇醚或聚丙二醇醚、羧酸鹽、十二垸基苯磺酸或其鹽、聚丙烯酸酯聚合物、二壬基苯基聚氧乙烯、硅氧烷聚合物或改性的硅氧烷聚合物、炔二醇或改性的炔二醇、烷基銨鹽或改性的垸基銨鹽、以及前述表面活性劑的組合。在優(yōu)選實施方式中，按組合物的總重計，包含SAM的液體組合物包括小于約1wt.。/。水，更優(yōu)選小于約0.5wt.。/。水，最優(yōu)選小于約0.25wt.。/。水。此外，優(yōu)選所述至少一種SAM組分基本上不會在微電子器件表面發(fā)生聚合。例如，優(yōu)選小于5wt.。/。的SAM組分在微電子器件表面上聚合，更優(yōu)選小于2wt.Q/n、甚至更優(yōu)選小于1wt.%、最優(yōu)選小于O.lwt.。/。的SAM組分在微電子器件表面上聚合。一般而言，至少一種溶劑、至少一種催化劑、至少一種SAM組分和任選至少一種表面活性劑彼此相對的具體比例和量可以合適地變化，以提供包含SAM的液體組合物對將要從微電子器件上除去的松散和硬化光致抗蝕劑的所需清潔和鈍化作用。在現(xiàn)有技術(shù)的范圍內(nèi)，不需過分努力，通過簡單的實驗就可容易地確定所述具體比例和量。最優(yōu)選地，包含SAM的組分和催化劑以有效地從其上具有松散和硬化光致抗蝕劑材料的微電子器件上除去所述材料。將理解短語"從微電子器件上除去松散和硬化光致抗蝕劑材料"絕非意味著以任何方式的限制，并且包括從最終將變成微電子器件的任何基底上除去松散和硬化光致抗蝕劑材料。本文還預(yù)期本發(fā)明包含SAM的液體組合物可以用于除去硬化的光致抗蝕劑，例如BEOL硬化的光致抗蝕劑、底部抗反射涂層(BARC)材料、CMP后殘渣、BARC殘渣和/或灰化后/蝕刻后光致抗蝕劑，同時鈍化下面的含硅層或具有需要鈍化的羥基封端基團的任何其它親水表面。此外，本發(fā)明包含SAM的液體組合物可以用于從光掩模材料上除去污染材料以再利用它?？梢匀芜x用另外的組分配制本發(fā)明包含SAM的液體組合物，以進一步提高組合物的鈍化和去除能力，或者以其它方式改進組合物的性質(zhì)，即提供金屬鈍化。因此，可以用穩(wěn)定劑、絡(luò)合劑、鈍化劑如Cu鈍化劑、和/或腐蝕抑制劑來配制組合物。通過在輕微的攪拌下混合溶劑、催化劑、SAM組分和任選表面活性劑，可以方便地配制本發(fā)明包含SAM的液體組合物。溶劑、催化劑、SAM組分和任選表面活性劑可以被方便地配制成單包裝配方或者在使用時混合的多部分配方?？梢栽诠ぞ邇?nèi)或工具上游的貯存罐內(nèi)混合多部分配方的個體部分。在本發(fā)明的廣泛實踐中，單包裝配方或多部分配方個體部分的濃度可以以具體倍數(shù)廣泛變化，即更稀或更濃，將理解本發(fā)明包含SAM的液體組合物可以不同或替換地包括符合本發(fā)明的組分的任何組合，或由它們組成，或基本由它們組成。因此，本發(fā)明的另一方面涉及試劑盒，其在一個或多個容器內(nèi)包括一種或多種適于形成本發(fā)明組合物的組分。優(yōu)選地，試劑盒在一個或多個容器內(nèi)包括用于與所述至少一種催化劑即時組合的至少一種溶劑、至少一種SAM組分和任選至少一種表面活性劑。根據(jù)另一個實施方式，試劑盒在一個或多個容器內(nèi)包括與所述至少一種溶劑和所述至少一種催化劑即時組合的至少一種SAM組分和任選至少一種表面活性劑。在還一個實施方式中，試劑盒在一個容器內(nèi)包括在溶劑中的至少一種SAM組分，在另一個容器內(nèi)包括在溶劑中的至少一種催化劑，用于即時組合。例如，試劑盒的容器可以為NOWPak⑧容器(AdvancedTechnologyMaterials,Inc.,Danbury，Conn.,USA)。在還一個實施方式中，本發(fā)明涉及包含SAM的液體組合物，其用于從微電子器件上除去松散和硬化的光致抗蝕劑，其中所述包含SAM的液體組合物包括至少一種溶劑、至少一種催化劑、至少一種SAM組分、任選至少一種表面活性劑和光致抗蝕劑殘渣材料，其中所述光致抗蝕劑是松散和/或硬化的光致抗蝕劑。重要地，殘渣材料可以溶于和/或懸浮于本發(fā)明包含SAM的液體組合物中。在又一個實施方式中，光致抗蝕劑殘渣材料包括選自硼離子、砷離子、磷離子、銦離子和銻離子的離子。在還一方面，本發(fā)明涉及包含SAM的稠密組合物，其包括稠密流體如超臨界流體(SCF)作為主要溶劑體系。由于易于制造的性質(zhì)和缺少毒性及可忽略的環(huán)境影響，超臨界二氧化碳(SCC02)是優(yōu)選的SCF。SCC02是用于除去微電子器件工藝污染物的有吸引力的試劑，因為SCC02具有同為液體和氣體的性質(zhì)。像氣體一樣，它擴散快、粘度低、表面張力接近零、并能容易地滲入深的溝槽和通孔。像液體一樣，它作為"洗滌"介質(zhì)具有總體流動能力。SCC02的密度相當(dāng)于有機溶齊iJ，而且還有可回收的優(yōu)點，因此可使廢物貯存和處理要求最小化。根據(jù)一個實施方式的包含SAM的稠密組合物包括SCC02和包含SAM的液體組合物，即包含SAM的濃縮物，按組合物的總重計，其含量范圍如下組分wt%scco2約95.0%至約99.99%包含SAM的液體組合物約0.01%至約10.0%其中包含SAM的液體組合物包括約75.0%至約90.0%共溶劑、約0.01%至約10.0%SAM組分、約0.01%至約10.0%催化劑和任選0至約10.0%表面活性劑，其中所述的共溶劑、SAM組分、催化劑和任選表面活性劑包括前述物質(zhì)。在一方面，包含SAM的稠密組合物中包含SAM的液體組合物相對SCC02的摩爾比范圍為約1:200至約1:4，更優(yōu)選約1:100至約1:6。在本發(fā)明的廣泛實踐中，包含SAM的稠密組合物包括如下，或由如下組成，或基本由如下組成SCC02和包含SAM的液體組合物，即至少一種另外的溶劑、至少一種催化劑、至少一種SAM組分和任選至少一種表面活性劑。一般而言，SCC02和包含SAM的液體組合物彼此相對的具體比例和量可以合適地變化，以提供包含SAM的稠密組合物對松散和硬化光致抗蝕劑和/或處理設(shè)備的所需去除作用，這在現(xiàn)有技術(shù)的范圍內(nèi)不需要過多的努力就可容易地確定。重要地，包含SAM的液體組合物可以至少部分地溶于和/或懸浮于包含SAM的稠密組合物的稠密流體內(nèi)。在還一個實施方式中，本發(fā)明涉及包含SAM的稠密組合物，其可用于從微電子器件上除去松散和硬化的光致抗蝕劑，其中所述包含SAM的稠密組合物包括SCC02、至少一種溶劑、至少一種催化劑、至少一種SAM組分、任選至少一種表面活性劑和光致抗蝕劑殘渣材料，其中所述光致抗蝕劑是松散和/或硬化的光致抗蝕劑。重要地，殘渣材料可以溶于和/或懸浮于本發(fā)明包含SAM的稠密組合物中。在又一個實施方式中，光致抗蝕劑殘渣材料包括選自硼離子、砷離子、磷離子、銦離子和銻離子的離子。本文還預(yù)期本發(fā)明包含SAM的稠密組合物可以用于除去硬化的光致抗蝕劑，例如BEOL硬化的光致抗蝕劑、底部抗反射涂層(BARq材料、CMP后殘渣、BARC殘渣和/或灰化后/蝕刻后光致抗蝕劑，同時鈍化下面的含硅層或具有需要鈍化的羥基封端基團的任何其它親水表面。此外，本發(fā)明包含SAM的稠密組合物可以用于從光掩模材料上除去污染材料以再利用它。在還一個方面，本發(fā)明涉及使用本文所述包含SAM的組合物，從微電子器件上除去松散和硬化光致抗蝕劑的方法。例如，使用SAM鈍化可以清潔圖案化器件上的溝槽和通孔結(jié)構(gòu)，同時保持下面含硅層的結(jié)構(gòu)完整性。本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解可以在一步或多步除去過程中使用包含SAM的組合物。通過可逆性地鈍化下面的含硅層，同時除去其上沉積的松散和硬化光致抗蝕劑，本發(fā)明包含SAM的組合物克服了現(xiàn)有去除技術(shù)的缺點。通過例如在混合容器或清潔容器中，在輕微的攪拌下簡單地混合各成分，可以方便地配制本發(fā)明包含SAM的液體組合物。通過在適當(dāng)?shù)臏囟群蛪毫ο蚂o態(tài)或動態(tài)混合，可以容易地配制包含SAM的稠密組合物。在鈍化和去除應(yīng)用中，可以以任何合適的方式將包含SAM的液體組合物施用至其上具有光致抗蝕劑材料的微電子器件上，例如通過將組合物噴霧到器件表面上，通過(在一定體積的組合物內(nèi))浸漬包含光致抗蝕劑材料的器件，通過使器件與用組合物飽和的另一種材料如墊、或纖維吸附劑敷料器元件接觸，通過使包括光致抗蝕劑材料的器件與循環(huán)的組合物接觸，或通過任何其它合適的方式、手段或技術(shù)，從而使包含SAM的液體組合物與微電子器件上的光致抗蝕劑材料接觸。鈍化和去除應(yīng)用可以是靜態(tài)或動態(tài)的，這可由本領(lǐng)域技術(shù)人員容易地確定。在將本發(fā)明的組合物用于從其上具有光致抗蝕劑材料的微電子器件表面上除去所述材料時，典型地使包含SAM的液體組合物與器件表面接觸約1分鐘至約60分鐘，優(yōu)選的時間取決于離子注入過程中使用的摻雜離子劑量和注入能量，其中摻雜離子劑量和/或注入能量越高，所需的接觸時間越長。優(yōu)選地，溫度范圍為約2(TC至約8(TC、優(yōu)選約3CrC至約8(TC，最優(yōu)選約7(TC。這種接觸時間和溫度是示例性的，在本發(fā)明的廣泛實踐中，可以使用能有效地從器件表面上至少部分地除去光致抗蝕劑材料的任何其它合適的時間和溫度條件。在本文中定義時，"至少部分的去除"對應(yīng)于去除至少90%的松散和硬化光致抗蝕劑，優(yōu)選去除至少95%。最優(yōu)選地，使用本發(fā)明的組合物除去至少99%的所述松散和硬化光致抗蝕劑材料。在獲得所需的鈍化和清潔作用后，可以用大量乙醇和/或THF仔細漂洗微電子器件，以除去任何殘余的化學(xué)添加劑。本發(fā)明包含SAM的組合物可選擇性地去除100。/。高度摻雜(2xl015As離子cm勺的光致抗蝕劑(500-700nm厚度)，該光致抗蝕劑具有厚度范圍為30-70nm的硬化、交聯(lián)的碳化硬殼。重要地，除去了硬化的硬殼，而基本上不會過蝕刻下面的含硅層。對于使用包含SAM的稠密組合物進行鈍化和清潔，在適當(dāng)?shù)纳邏毫ο?，例如在以合適的體積流速和流量向其中供應(yīng)包含SAM的稠密組合物以實現(xiàn)所需接觸操作的加壓接觸室內(nèi)，使其上具有光致抗蝕劑的微電子器件表面與包含SAM的稠密組合物接觸，以從微電子器件表面上至少部分地除去光致抗蝕劑。該室可以是用于連續(xù)、脈沖或靜態(tài)清潔的批量或單晶片室。在使光致抗蝕劑與包含SAM的稠密組合物接觸的過程中，通過升高的溫度和/或壓力條件，可以增強包含SAM的稠密組合物對硬化光致抗蝕劑的鈍化和去除。可以在約1,500至約4,500psi的壓力范圍內(nèi)，使用包含SAM的適當(dāng)稠密組合物與其上具有光致抗蝕劑的微電子器件表面接觸足夠的時間，以實現(xiàn)光致抗蝕劑的所需去除，例如接觸時間范圍為約5分鐘至約30分鐘，并且溫度為約4(TC至約75°C,盡管在本發(fā)明的廣泛實踐中，可以有益地使用更大或更小的接觸持續(xù)時間和溫度。使用包含SAM的稠密組合物的去除工藝可以包括靜態(tài)浸泡、動態(tài)清潔模式、或連續(xù)加工步驟，該步驟包括使包含SAM的稠密組合物動態(tài)流過微電子器件表面，然后將器件靜態(tài)浸泡在包含SAM的稠密組合物中，其中在這種交替步驟的周期中，交替和重復(fù)地進行各動態(tài)流動和靜態(tài)浸泡步驟。"動態(tài)"接觸模式包括使組合物連續(xù)流過器件表面，以使傳質(zhì)梯度最大化并實現(xiàn)從表面上完全去除抗蝕劑。"靜態(tài)浸泡"接觸模式包括使器件表面與靜態(tài)體積的組合物接觸，并將其間的接觸保持連續(xù)的(浸泡)時間段。在使包含SAM的稠密組合物與微電子器件表面接觸后，然后優(yōu)選用漂洗溶液洗滌器件，例如等份的SCF/共溶劑溶液，例如SCC02/甲醇(80%/20%)溶液、和純SCF，以從被實施抗蝕劑去除的器件表面區(qū)域上除去任何殘余的沉淀化學(xué)添加劑。將理解，用于本發(fā)明包含SAM的液體組合物和包含SAM的稠密組合物的具體接觸條件可以在現(xiàn)有技術(shù)的范圍內(nèi)根據(jù)本文的描述而很容易地確定，而且在實現(xiàn)下面含硅層的所需鈍化和微電子器件表面上硬化光致抗蝕劑材料的所需去除的同時，本發(fā)明組合物組分的具體比例和濃度可以寬泛地變化。本發(fā)明的另一方面涉及從微電子器件上除去松散和硬化光致抗蝕劑的方法，所述方法包括使用不含鹵化物的含SAM組分如六甲基二硅氮烷(HMDS)鈍化微電子器件表面上的下面含硅層，和使用包含蝕刻劑的去除組合物從微電子器件上除去松散和硬化的光致抗蝕劑。包含蝕刻劑的合適去除組合物包括但不限于氟化氫(HF)、氟化銨(NH4F)、烷基氟化氫(NRH3F)、二烷基銨氟化氫(NR2H2F)、三烷基銨氟化氫(NR3HF)、三垸基銨三氟化氫(NR3(3HF))、四烷基氟化銨(NR4F)、吡啶-HF絡(luò)合物、吡啶/HCl絡(luò)合物、吡啶/HBr絡(luò)合物、三乙胺/HF絡(luò)合物、三乙胺/HCl絡(luò)合物、單乙醇胺/HF絡(luò)合物、三乙醇胺/HF絡(luò)合物、三乙胺/甲酸絡(luò)合物和二氟化氙(XeF2)，其中前述R取代物中每個R獨立地選自C,-Cs烷基和C6-d。芳基。另外的物質(zhì)公開于2005年4月15日以PamelaM.Visintin等人的名字提交的、發(fā)明名稱為"DenseFluidFormulationsforCleaningIon-ImplantedPhotoresistLayersfromMicroelectronicDevices")的共同未決美國臨時專利申請No.60/672，157，該文獻被全文納入本文以供參考。在又一方面，本發(fā)明涉及從其上具有松散和硬化光致抗蝕劑材料的微電子器件上除去所述光致抗蝕劑材料的方法，所述方法包括使微電子器件與包含SAM的組合物接觸足夠的時間，以從微電子器件上至少部分地除去所述光致抗蝕劑材料，條件是所述包含SAM的組合物不含選自下列的蝕刻劑組分氟化氫、氟化銨、氟化氫銨和其它熟知的氟化物蝕刻劑物質(zhì)。無論用于從微電子器件上除去硬化光致抗蝕劑的方法如何，本發(fā)明的還一方面包括在從微電子器件表面上除去光致抗蝕劑材料后，再從其上除去SAM鈍化層，這在本文中稱為"去鈍化"。當(dāng)由于鈍化晶片表面上的垸基所致的碳污染不可接受時(當(dāng)所用的SAM為Cl3SiMe時，為約3至10埃甲基單層)，可以使用強酸如H2S04除去SAM，然而，這可能引起不希望地氧化下面的含硅層。因此，在優(yōu)化的加工條件下，包括鹵素離子的稀無機酸如HC1和HF是優(yōu)選的。鹵化物離子將容易地攻擊處于SAM-器件表面界面處的鈍化Si-O-Si鍵，從而使器件表面"去鈍化"。然而，要特別注意使對器件表面下的含硅層的過蝕刻最小化。本發(fā)明人前面已提出，已知HF/吡啶(1:1摩爾比)的無水DMSO溶液可以以小于<0.1埃min"的速率蝕刻熱氧化物、TEOS、氮化硅和多晶硅。因此，去鈍化溶液可以在溶劑中包括約0.01wt。/。至約2wt.。/。稀無機酸/胺絡(luò)合物，以使器件表面去鈍化，同時只對下面的含硅層產(chǎn)生輕微的氟化和過蝕刻。本文預(yù)期的稀無機酸/胺絡(luò)合物包括吡啶/HF絡(luò)合物、吡啶/HCl絡(luò)合物、吡啶/HBr絡(luò)合物、三乙胺/HF絡(luò)合物、三乙胺/HCl絡(luò)合物、和三乙胺/甲酸絡(luò)合物，以及其與過氧化物、濃HC1、氫氧化銨的組合，及其混合物。本文預(yù)期用于去鈍化溶液的溶劑包括但不限于DMSO、甲醇和乙酸乙酯。本發(fā)明的另一方面涉及根據(jù)本發(fā)明的方法制備的微電子器件和包含這種微電子器件的產(chǎn)品。本發(fā)明的還另一方面涉及制造包括微電子器件的制品的方法，所述方法包括使微電子器件與包含SAM的組合物接觸足夠的時間，以從其上具有松散和硬化光致抗蝕劑材料的微電子器件上至少部分地除去所述光致抗蝕劑材料，并將所述微電子器件結(jié)合到所述制品中，其中包含SAM的組合物包括至少一種溶劑、至少一種催化劑、至少一種SAM組分和任選至少一種表面活性劑?；蛘?，包含SAM的組合物還可以包括稠密流體。通過下文描述的例示性實施例更全面地展示本發(fā)明的特征和優(yōu)點。實施例1在使樣品器件表面與本發(fā)明包含SAM的組合物接觸之前和之后，進行原子力顯微鏡(AFM)和表面能測定，以確定硬化光致抗蝕劑的去除程度以及所述器件表面上的單層形成。樣品器件表面包括由下列組分組成的晶片(從頂部到底部)離子注入光致抗蝕劑層(2xl015As離子cm—2;10keV注入能量)、松散的光致抗蝕劑層、含硅柵氧化物層、和硅基底。使用不同的SAM官能度，將樣品在不同的溫度下處理不同的時間，并測量接觸角。將結(jié)果列成下文的表格1-3。表1:使用包含SAM的組合物和70'C接觸溫度的加工作為時間的函數(shù)，該組合物在10mL甲苯中包含1mmolCl3SiMe和2mmolEt3N<table>complextableseeoriginaldocumentpage27</column></row><table>表3:在7(TC的接觸溫度和30min接觸時間下，使用包含SAM的組合物的加工作為SAM官能度的函數(shù)，該組合物在10mL甲苯中包含1mmol所列SAM禾卩2mmolEt3N<table>complextableseeoriginaldocumentpage27</column></row><table>通過在施用包含SAM的組合物到器件表面后接觸角的增加，證明鈍化了下面的含硅層。在表l中能夠看到，需要小于IO分鐘的加工時間將接觸角為35度的羥基封端的親水器件表面轉(zhuǎn)變?yōu)榻佑|角為77度的甲基封端的疏水表面。圖1A-1D示意接觸時間分別等于10min、30min、1小時和15小時的相應(yīng)AFM圖像，其清楚地顯示隨著時間增加(同時保持所有其它加工參數(shù)恒定)，由于多取代氯代硅垸的聚合(或交聯(lián))而在含硅表面上形成了小島。隨著加工時間增加，小島逐步接合或附聚，在15小時在表面上顯示本體聚合的證據(jù)。進行初步的溫度研究，以確定用于表面鈍化和清潔效率的最有效溫度。關(guān)于清潔效率，考慮四種不同的微電子器件層松散空白的光致抗蝕劑；松散空白光致抗蝕劑上具有30-45nm離子注入硬殼；松散圖案化的光致抗蝕劑；和松散圖案化光致抗蝕劑上具有離子注入硬殼。將表2報告的結(jié)果(接觸角)與圖2所示的去除效率百分比進行比較，能夠看到大于6(TC的溫度提供了最大量的鈍化以及幾乎100%的光致抗蝕劑去除。因此，作為時間和SAM官能度的函數(shù)的所有后續(xù)實驗均在70。C進行。圖3A-3C更好地顯示了交聯(lián)的證據(jù)，其中示意在7(TC的溫度和30min的時間下，交聯(lián)變化作為SAM官能度、尤其是氯化物離去基團數(shù)目的函數(shù)。能夠看到在使用ClSiMe3時(圖3A)，SAM不存在交聯(lián)能力，在表面上形成了平滑的單層(rms-0.415nm;對照rms=0.131nm)。然而，在使用Cl2SiMe2(圖3B)和Cl3SiMe(圖3C)時，通過形成上述島證明發(fā)生了交聯(lián)，其結(jié)果是導(dǎo)致較粗糙的膜表面(對于二氯硅垸和三氯硅烷分別為rms=0.465和1.573nm)。島的形成表示需要更具侵入性的去鈍化技術(shù)(例如更濃的組合物、更長的接觸時間等)。實施例2圖4A-4C顯示樣品器件表面的光學(xué)圖像(圖4A)和掃描電子顯微(SEM)圖像，該表面包括由一定區(qū)域的平行線條組成的一層密集圖案化、高度摻雜(2xl015As離子cm—2;10keV注入能量)的光致抗蝕劑。在90度觀察角圖像中(圖4C)，能夠清楚地看到厚度為30nm的硬化硬殼。圖5A(ClSiMe3)、圖5B(Cl2SiMe2)和圖5C(Cl3SiMe)顯示硬殼的清潔效率作為SAM組分上氯化物取代基的函數(shù)。圖5A-5C的光學(xué)顯微圖像示意隨著SAM組分上氯化物離去基團的數(shù)目增加，被除去的硬化光致抗蝕劑也增加。事實上，使用包含Cl3SiMe的組合物可獲得對四種不同微電子器件層的大于90%的去除(參見圖6)。認(rèn)為硬殼去除的增加是由于將包含SAM的組合物應(yīng)用到器件表面上時產(chǎn)生的HC1增加。開展另外外的實驗，從而使不含鹵化物的包含SAM的組合物與包括密集圖案化、高度摻雜光致抗蝕劑和下面含硅層的樣品器件表面接觸。除去了未硬化的光致抗蝕劑，盡管由63。的接觸角證明樣品被鈍化了。因此，我們的結(jié)果顯示一些量的離去基團如氯化物對于硬化光致抗蝕劑去除是必需的。實施例3本發(fā)明的另一方面包括從微電子器件表面上除去鈍化層，或"去鈍化"。圖7A是接觸角為36°和rms=0.15nm的密集圖案化器件表面的光學(xué)顯微圖像。圖7B是在7(TC施用包含SAM的組合物30min后，圖7A器件表面的光學(xué)圖像，該組合物包括Cl3SiMe。確定鈍化表面的接觸角為79。(具有rms=1.10nm)，證明鈍化了含硅表面。能夠看到除去了至少90%硬化光致抗蝕劑。圖7C是在5(TC用NEt3:HF(l:3摩爾比)的DMSO組合物去鈍化2miii后，圖7B器件表面的光學(xué)圖像。確定去鈍化表面的接觸角為35。(具有rms:0.25nm)。一旦表面的接觸角匹配該表面在與包含SAM的組合物接觸前的接觸角，則基本上完成了去鈍化過程。要注意為了消除下面含硅層的氟化和/或過蝕刻，應(yīng)優(yōu)化去鈍化過程。例如，可以以30秒間隔進行去鈍化，以從包含熱氧化物的器件結(jié)構(gòu)上除去SAM,以20秒的間隔進行去鈍化，以從TEOS基器件結(jié)構(gòu)上除去SAM。圖8A-8E提供了鈍化和清潔結(jié)果、以及在去除硬化光致抗蝕劑后去鈍化的另一個說明。圖8A是包括密集圖案化、高度摻雜(2xl015As離子cm—2;10keV注入能量)光致抗蝕劑層的器件表面在加工前的SEM。圖8B是在7CTC施用包含SAM的組合物30min后，圖8A密集圖案化表面的SEM，該組合物包括Cl3SiMe，示意成功和有效地去除(和鈍化)了硬化光致抗蝕劑。圖8C和8D是在50'C用NEt3:HF(l:3摩爾比)的DMSO組合物去鈍化2min后，圖8B器件表面的SEM。圖8C和8D的SEM圖像顯示在去鈍化過程中，不存在充分過蝕刻下面含硅層的任何證據(jù)(與圖8E的過蝕刻樣品相比)。本文教導(dǎo)的包含SAM的改進組合物可在一步或多步過程中有效地除去松散和硬化的光致抗蝕劑，而無需等離子蝕刻步驟，而且基本上不會過蝕刻下面的含硅層。因此，盡管本文已經(jīng)參考本發(fā)明的具體方面、特征和例示性實施方式描述了本發(fā)明，但將理解本發(fā)明的用途不限于此，但應(yīng)延伸至并包括許多其它方面、特征和實施方式。因此，希望將下列權(quán)利要求書相對廣泛地理解為包括在其精神和范圍內(nèi)的所有這些方面、特征和實施方式。權(quán)利要求1.一種包含自組裝單層(SAM)的組合物，其包括至少一種溶劑、至少一種催化劑、至少一種SAM組分和任選至少一種表面活性劑，其中所述包含SAM的組合物適合從其上具有松散和硬化光致抗蝕劑材料的微電子器件上除去所述光致抗蝕劑材料。2.權(quán)利要求1的包含SAM的組合物，其中包含SAM的液體組合物中SAM相對于催化劑的摩爾比范圍為約1:10至約5:1。3.權(quán)利要求1的包含SAM的組合物，其中SAM相對于溶劑的摩爾比范圍為約1:200至約1:50。4.權(quán)利要求1的包含SAM的組合物，其中所述溶劑包括選自下列的至少一種非極性溶劑甲苯、癸垸、十二垸、辛烷、戊垸、己烷、四氫呋喃CTHF)、二氧化碳及其混合物。5.權(quán)利要求4的包含SAM的組合物，還包括選自下列的另外的溶劑甲醇、乙醇、異丙醇、N-甲基-卩比咯垸酮、N-辛基-吡咯垸酮、N-苯基-吡咯烷酮、二甲亞砜(DMSO)、環(huán)丁砜、乳酸乙酯、乙酸乙酯、甲苯、丙酮、丁基卡必醇、單乙醇胺、丁內(nèi)酯、二甘醇胺、烷基氟化銨、7-丁內(nèi)酯、碳酸亞丁酯、碳酸亞乙酯、碳酸亞丙酯及其混合物。6.權(quán)利要求1的包含SAM的組合物，其中所述溶劑包括甲苯。7.權(quán)利要求1的包含SAM的組合物，其中所述溶劑包括稠密二氧化碳。8.權(quán)利要求1的包含SAM的組合物，其中所述SAM組分包括選自下列的硅烷:(RO)3SiX、(RO)2SiX2、(RO)SiX"(R)3SiX、(R)2SiX2和(R)SiXs，其中X-F、Cl、Br禾口I，并且R二甲基、乙基、丙基、丁基、辛基、癸基和十二烷基；其氟化衍生物；及其組合。9.權(quán)利要求1的包含SAM的組合物，其中所述SAM組分包括選自Cl3SiMe、Cl2SiMejnClSiMe3的烷基氯硅烷。10.權(quán)利要求1的包含SAM的組合物，其中所述催化劑包括選自下列的胺三甲胺、三乙胺、丁胺、吡啶及其組合。11.權(quán)利要求1的包含SAM的組合物，包括至少一種表面活性劑。12.權(quán)利要求11的包含SAM的組合物，其中所述表面活性劑包括選自下列的表面活性劑物質(zhì)氟烷基表面活性劑、聚乙二醇、聚丙二醇、聚乙二醇醚、聚丙二醇醚、羧酸鹽、十二烷基苯磺酸、十二垸基苯磺酸鹽、聚丙烯酸酯聚合物、二壬基苯基聚氧乙烯、硅氧垸聚合物、改性的硅氧烷聚合物、炔二醇、改性的炔二醇、垸基銨鹽、改性的垸基銨鹽及其組合。13.權(quán)利要求1的包含SAM的組合物，其中所述組合物包括甲苯、Cl3SiMe和三乙胺。14.權(quán)利要求1的包含SAM的組合物，其中所述微電子器件包括選自下列的制品半導(dǎo)體基底、平板顯示器和微電子機械系統(tǒng)(MEMS)。15.權(quán)利要求1的包含SAM的組合物，其中所述松散和硬化光致抗蝕劑材料包括選自下列的摻雜劑離子砷離子、硼離子、磷離子、銦離子和銻離子。16.權(quán)利要求1的包含SAM的組合物，其中所述至少一種SAM組分和所述至少一種催化劑以有效地同時鈍化所述微電子器件上的含硅層并從所述其上具有松散和硬化光致抗蝕劑材料的微電子器件除去所述材料的含量存在。17.權(quán)利要求16的包含SAM的組合物，其中所述含硅層包括選自下列的含硅化合物硅；二氧化硅；TEOS;氮化硅；含硅有機聚合物；含硅雜化有機/無機材料；有機硅酸鹽玻璃(OSG);氟化的硅酸鹽玻璃(FSG);摻碳的氧化物(CDO)玻璃；及其組合。18.權(quán)利要求7的包含SAM的組合物，其中所述二氧化碳是超臨界的。19.權(quán)利要求1的包含SAM的組合物，還包括光致抗蝕劑殘渣材料。20.權(quán)利要求19的包含SAM的組合物，其中所述光致抗蝕劑包括松散的光致抗蝕劑、硬化的光致抗蝕劑或其組合。21.權(quán)利要求20的包含SAM的組合物，其中所述光致抗蝕劑包括選自下列的離子硼離子、砷離子、磷離子、銦離子和銻離子。22.—種試劑盒，其在一個或多個容器內(nèi)包括含有SAM的組合物試劑，其中所述包含SAM的組合物包括至少一種溶劑、至少一種催化劑、至少一種SAM組分和任選至少一種表面活性劑，并且其中所述試劑盒適于形成如下包含SAM的組合物，所述包含SAM的組合物適合從其上具有松散和硬化光致抗蝕劑材料的微電子器件上除去所述光致抗蝕劑材料。23.—種從其上具有松散和硬化光致抗蝕劑材料的微電子器件上除去所述光致抗蝕劑材料的方法，所述方法包括使所述微電子器件與包含SAM的組合物在足夠的接觸條件下接觸足夠的時間，以從所述微電子器件至少部分除去所述光致抗蝕劑材料，其中所述包含SAM的組合物包括至少一種溶劑、至少一種催化劑、至少一種SAM組分和任選至少一種表面活性劑。24.權(quán)利要求23的方法，其中所述接觸的執(zhí)行時間為約1分鐘至約60分鐘。25.權(quán)利要求23的方法，其中所述接觸的執(zhí)行溫度為約30'C至約80。C范圍。26.權(quán)利要求23的方法，其中所述溶劑包括選自下列的至少一種溶劑甲苯、癸烷、辛垸、十二垸、戊垸、己垸、四氫呋喃(THF)、二氧化碳、甲醇、乙醇、異丙醇、N-甲基-吡咯垸酮、N-辛基-吡咯烷酮、N-苯基-吡咯烷酮、二甲亞砜(DMSO)、環(huán)丁砜、乳酸乙酯、乙酸乙酯、甲苯、丙酮、丁基卡必醇、單乙醇胺、丁內(nèi)酯、二甘醇胺、烷基氟化銨、7-丁內(nèi)酯、碳酸亞丁酯、碳酸亞乙酯、碳酸亞丙酯及其混合物；其中所述催化劑包括選自下列的胺三甲胺、三乙胺、丁胺、吡啶及其組合；并且其中所述SAM組分包括選自下列的硅烷(RO)3SiX、(RO)2SiX2、(RO)SiX3、(R)3SiX、(R)2SiX2和(R)SiX3，其中X=F、Cl、Br禾tU，并且R二甲基、乙基、丙基、丁基、辛基、癸基和十二烷基；其氟化衍生物；及其組合。27.權(quán)利要求23的方法，其中包含SAM的液體組合物中SAM相對于催化劑的摩爾比范圍為約1:10至約5:1，并且SAM相對于溶劑的摩爾比范圍為約1:200至約1:50。28.權(quán)利要求23的方法，其中所述微電子器件包括選自下列的制品半導(dǎo)體基底、平板顯示器和微電子機械系統(tǒng)(MEMS)。29.權(quán)利要求23的方法，其中所述松散和硬化光致抗蝕劑材料包括選自下列的摻雜劑離子砷離子、硼離子、磷離子、銦離子和銻離子。30.權(quán)利要求23的方法，其中所述接觸包括選自下列的過程將所述包含SAM的組合物噴霧到所述微電子器件表面上；在足夠體積的包含SAM的組合物中浸漬所述微電子器件；使所述微電子器件表面與用所述包含SAM的組合物飽和的另一種材料接觸；使所述微電子器件與循環(huán)的包含SAM的組合物接觸；使所述微電子器件與所述包含SAM的組合物的連續(xù)流接觸；和使所述微電子器件表面與靜態(tài)體積的所述包含SAM的組合物接觸連續(xù)的時間段。31.權(quán)利要求23的方法，還包括在與所述包含SAM的組合物接觸后，漂洗所述微電子器件。32.權(quán)利要求23的方法，其中所述至少一種SAM組分和所述至少一種催化劑以有效地同時鈍化所述微電子器件上的含硅層并從所述其上具有松散和硬化光致抗蝕劑材料的微電子器件上除去所述材料的含量存在。33.權(quán)利要求32的方法，其中所述含硅層包括選自下列的含硅化合物硅；二氧化硅；TEOS;氮化硅；含硅有機聚合物；含硅雜化有機/無機材料；有機硅酸鹽玻璃(OSG);氟化的硅酸鹽玻璃(FSG);摻碳的氧化物(CDO)玻璃；及其組合。34.權(quán)利要求32的方法，其中在形成SAM鈍化層后，所述下面含硅層具有的接觸角范圍為約60度至約120度。35.權(quán)利要求23的方法，還包括在從所述微電子器件至少部分除去所述光致抗蝕劑材料后，用去鈍化組合物從所述微電子器件上去除所述SAM鈍化層。36.權(quán)利要求35的方法，其中所述去鈍化組合物包括選自下列的化合物吡啶/HF絡(luò)合物、吡啶/HCl絡(luò)合物、吡啶/HBr絡(luò)合物、三乙胺/HF絡(luò)合物、三乙胺/HCl絡(luò)合物、三乙胺/甲酸絡(luò)合物、其過氧化物衍生物、濃HC1、氫氧化銨及其組合。37.權(quán)利要求23的方法，其中所述溶劑包括稠密二氧化碳。38.權(quán)利要求37的方法，其中所述接觸條件包括升高的壓力。39.權(quán)利要求38的方法，其中所述升高的壓力包括約1500psi至約4500psi的壓力范圍。40.權(quán)利要求37的方法，其中所述接觸時間范圍為約5分鐘至約30分鐘。41.權(quán)利要求37的方法，其中所述接觸條件包括約4(TC至約75°C范圍的溫度。42.—種從其上具有松散和硬化光致抗蝕劑材料的微電子器件上除去所述光致抗蝕劑材料的方法，所述方法包括使所述微電子器件與包含SAM的組合物接觸足夠的時間，以至少部分鈍化所述光致抗蝕劑材料下面的含硅層，并使所述微電子器件與包含蝕刻劑的去除組合物接觸，以從所述微電子器件至少部分除去所述光致抗蝕劑材料，其中所述包含SAM的組合物包括不含鹵化物的SAM組分。43.—種從其上具有松散和硬化光致抗蝕劑材料的微電子器件上除去所述光致抗蝕劑材料的方法，所述方法包括使所述微電子器件與包含SAM的組合物接觸足夠的時間，以從所述微電子器件至少部分除去所述光致抗蝕劑材料，其中所述包含SAM的組合物不含蝕刻劑組分。全文摘要本發(fā)明開發(fā)了一種方法和包含自組裝單層(SAM)的組合物，用于從微電子器件上除去松散和硬化的光致抗蝕劑材料。包含SAM的組合物包括至少一種溶劑、至少一種催化劑、至少一種SAM組分和任選至少一種表面活性劑。包含SAM的組合物可在一步工藝中有效地除去硬化的光致抗蝕劑材料，同時鈍化下面的含硅層。文檔編號C11D1/00GK101198683SQ200680021622公開日2008年6月11日申請日期2006年4月10日優(yōu)先權(quán)日2005年4月15日發(fā)明者帕梅拉·M·維辛廷,托馬斯·H·鮑姆,邁克爾·B·克贊斯基申請人:高級技術(shù)材料公司