人手感應(yīng)式干手機(jī)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于電子技術(shù)與監(jiān)控領(lǐng)域，是關(guān)于一種人手感應(yīng)式干手機(jī)。
【背景技術(shù)】
[0002]干手器是一種衛(wèi)浴間用于烘干雙手或者吹干雙手的潔具電熱器具，它常見(jiàn)有紅外線(xiàn)式自動(dòng)干手器、感應(yīng)式干手裝置和手動(dòng)干手器等類(lèi)型。它主要用于賓館、餐館、科研機(jī)構(gòu)、醫(yī)院、公共娛樂(lè)場(chǎng)所或家庭衛(wèi)生間等地方。
[0003]加熱型的干手器市場(chǎng)擁有量最大，通常其加熱功率比較大，多在1000W以上，而風(fēng)機(jī)功率一般為200W左右，這種干手器的典型特點(diǎn)是風(fēng)溫很高，依靠較高溫度的風(fēng)，把手上的水珠蒸發(fā)吹走，其優(yōu)點(diǎn)是噪音小，因此它受到了寫(xiě)字樓等需要安靜場(chǎng)所的青睞。經(jīng)過(guò)多種方案的試驗(yàn)，本實(shí)用新型所述的人手感應(yīng)式干手機(jī)利用感應(yīng)方式，并且使用雙向可控硅作為電加熱和風(fēng)機(jī)的功率驅(qū)動(dòng)元件，并輔以少量普通元器件實(shí)現(xiàn)了人手感應(yīng)式干手機(jī)電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、性能可靠、造價(jià)低廉的要求。
[0004]以下詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)用新型所述的人手感應(yīng)式干手機(jī)在實(shí)施過(guò)程中所涉及必要的、關(guān)鍵性技術(shù)內(nèi)容。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]發(fā)明目的及有益效果:加熱型的干手器市場(chǎng)擁有量最大，通常其加熱功率比較大，多在1000W以上，而風(fēng)機(jī)功率一般為200W左右，這種干手器的典型特點(diǎn)是風(fēng)溫很高，依靠較高溫度的風(fēng)，把手上的水珠蒸發(fā)吹走，其優(yōu)點(diǎn)是噪音小，因此它受到了寫(xiě)字樓等需要安靜場(chǎng)所的青睞。經(jīng)過(guò)多種方案的試驗(yàn)，本實(shí)用新型所述的人手感應(yīng)式干手機(jī)利用感應(yīng)方式，并且使用雙向可控硅作為電加熱和風(fēng)機(jī)的功率驅(qū)動(dòng)元件，并輔以少量普通元器件實(shí)現(xiàn)了人手感應(yīng)式干手機(jī)電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、性能可靠、造價(jià)低廉的要求。
[0006]電路工作原理:人手感應(yīng)式干手機(jī)由微波探測(cè)模塊ICl (內(nèi)部包括微波發(fā)射、低通濾波、選通放大等電路)、振蕩線(xiàn)圈L和天線(xiàn)TX組成。微波探測(cè)模塊ICl內(nèi)部振蕩電路產(chǎn)生約1000MHz的微波信號(hào)，通過(guò)天線(xiàn)TX輻射電磁波。
[0007]信號(hào)識(shí)別及放大電路由集成電路IC2(內(nèi)部包括電源穩(wěn)壓、選通放大、軟起動(dòng)、比較放大、延時(shí)驅(qū)動(dòng)等電路)、電解電容Cl和電位器RP組成。在干手機(jī)中的微波掃描探測(cè)區(qū)內(nèi)人手沒(méi)有進(jìn)入時(shí)，信號(hào)識(shí)別及放大集成電路IC2的控制輸出端O腳輸出低電平，NPN型晶體管BGl的發(fā)射極端為低電平，雙向可控硅BCR因無(wú)觸發(fā)而截止，使電加熱絲RL和風(fēng)機(jī)FJ處于無(wú)電的待機(jī)狀態(tài)。
[0008]當(dāng)人手在感應(yīng)式監(jiān)測(cè)控制裝置有效范圍內(nèi)時(shí)，其周?chē)臻g的磁場(chǎng)將會(huì)發(fā)生變化，天線(xiàn)TX將探測(cè)到人手移動(dòng)產(chǎn)生電磁場(chǎng)變化的信號(hào)反饋至微波探測(cè)模塊ICl進(jìn)行低通處理，使微波探測(cè)模塊ICl的信號(hào)輸出端O腳輸出低頻信號(hào)。由于微波探測(cè)模塊ICl輸出的電壓不足以推動(dòng)負(fù)載工作，所以信號(hào)須經(jīng)集成電路IC2做進(jìn)一步選通放大及延遲驅(qū)動(dòng)處理，接著從集成電路IC2的控制輸出端O腳輸出高電平。電路用NPN型晶體管BGl進(jìn)行高電平功率放大，NPN型晶體管BGl的發(fā)射極端為高電平，從而使電加熱和風(fēng)機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的雙向可控硅BCR被觸發(fā)，使電加熱絲RL和風(fēng)機(jī)FJ得電開(kāi)始工作。
[0009]技術(shù)方案:人手感應(yīng)式干手機(jī)，它包括220V交流電源、12V半波整流穩(wěn)壓電源、微波探測(cè)電路及天線(xiàn)TX、信號(hào)識(shí)別及放大電路、電平功率放大電路及電加熱和風(fēng)機(jī)驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于:
[0010]微波探測(cè)電路:它由微波探測(cè)模塊IC1、振蕩線(xiàn)圈L和天線(xiàn)TX組成，微波探測(cè)模塊ICl采用的型號(hào)為T(mén)WH9428，微波探測(cè)模塊ICl的Y腳接振蕩線(xiàn)圈L的一端和天線(xiàn)TX，微波探測(cè)模塊ICl的YO腳接振蕩線(xiàn)圈L的另一端，微波探測(cè)模塊ICl的VDD腳接電路正極VCC，微波探測(cè)模塊ICl的B腳接電解電容Cl的正極，微波探測(cè)模塊ICl的G腳和電解電容Cl的負(fù)極接電路地GND，微波探測(cè)模塊ICl的O腳接集成電路IC2的I腳；
[0011]在信號(hào)識(shí)別及放大電路中，集成電路IC2采用的型號(hào)為T(mén)WH9429，集成電路IC2的B腳接微波探測(cè)模塊ICl的B腳，集成電路IC2的I腳接微波探測(cè)模塊ICl的O腳，集成電路IC2的WO腳與W腳之間跨接電位器RP，集成電路IC2的VDD腳接電路正極VCC，集成電路IC2的G腳接電路地GND ；
[0012]電平功率放大電路:集成電路IC2的O腳通過(guò)電阻Rl接NPN型晶體管BGl的基極，NPN型晶體管BGl的集電極接電路正極VCC，NPN型晶體管BGl的發(fā)射極通過(guò)電阻R2接電路地GND ；
[0013]電加熱和風(fēng)機(jī)驅(qū)動(dòng)電路:它由電阻R3、雙向可控硅BCR、電加熱絲RL和風(fēng)機(jī)FJ組成，雙向可控硅BCR的控制極G通過(guò)電阻R3接NPN型晶體管BGl的集電極，雙向可控硅BCR的第一陽(yáng)極Tl接電加熱絲RL的一端和風(fēng)機(jī)FJ的一端，電加熱絲RL的另一端和風(fēng)機(jī)FJ的另一端接220V交流電源的火線(xiàn)端L ;雙向可控硅BCR的第二陽(yáng)極T2接電路地GND ;
[0014]12V半波整流穩(wěn)壓電源:它由降壓電容C3、泄放電阻R4及硅整流二極管D1、硅穩(wěn)壓二極管DW和電解電容C2、電解電容C3組成，硅穩(wěn)壓二極管DW的技術(shù)參數(shù)為12V，220V交流電源的火線(xiàn)端L接降壓電容C3的一端和泄放電阻R4的一端，降壓電容C3的另一端和泄放電阻R4的另一端接硅整流二極管Dl的正極，硅整流二極管Dl的負(fù)極接硅穩(wěn)壓二極管DW的負(fù)極和電解電容C2的正極，硅穩(wěn)壓二極管DW的正極和電解電容C2的負(fù)極接電路地GND ；
[0015]12V半波整流穩(wěn)壓電源的正極與電路正極VCC相連，12V半波整流穩(wěn)壓電源的負(fù)極與電路地GND及220V交流電源的零線(xiàn)端N相連。
【附圖說(shuō)明】
[0016]附圖1是本實(shí)用新型提供的人手感應(yīng)式干手機(jī)一個(gè)實(shí)施例的電路工作原理圖。
【具體實(shí)施方式】
[0017]按照附圖1所示的人手感應(yīng)式干手機(jī)電路工作原理圖和【附圖說(shuō)明】，并按照【實(shí)用新型內(nèi)容】所述的各部分電路中元器件之間連接關(guān)系，以及實(shí)施方式中所述的元器件技術(shù)參數(shù)要求和電路制作要點(diǎn)進(jìn)行實(shí)施即可實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型，以下結(jié)合實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型的相關(guān)技術(shù)作進(jìn)一步的描述。
[0018]元器件的技術(shù)參數(shù)及其選擇要求
[0019]ICl為微波探測(cè)模塊，選用的型號(hào)為T(mén)WH9428 ；
[0020]集成電路IC2為信號(hào)識(shí)別及放大電路，選用的型號(hào)為T(mén)WH9429 ;
[0021]BGl為NPN型晶體管，選用的型號(hào)有2SC8050、3DG8050、3DG12等；
[0022]BCR為雙向可控硅，采用的技術(shù)參數(shù)為450V、16A ；
[0023]Dl為硅整流二極管，選用的型號(hào)為1N4007 ；
[0024]Dff為硅穩(wěn)壓二極管，使用的技術(shù)參數(shù)為12V、功率為IW ;
[0025]RP選用實(shí)心電位器，其阻值為330ΚΩ ;
[0026]電阻Rl?R3使用RTX-1/8W型金屬膜電阻，電阻Rl的阻值2.2K Ω，電阻R2?R3采用1/8W金屬膜電阻，其阻值分別為6.5K Ω、22Κ Ω ;泄放電阻R4的阻值為620Κ Ω、功率為Iff ；
[0027]Cl選用耐壓為16V鋁殼電解電容，其容量為47 μ F ;C2為電解電容，使用的型號(hào)CD11-10，其容量為1000 μ/25V ;降壓電容C3的容量為0.68 μ F/450V滌綸電容；
[0028]RL為電加熱絲，使用的技術(shù)參數(shù)為220V、1600W ；
[0029]風(fēng)機(jī)使用串激電動(dòng)機(jī)和永磁電動(dòng)機(jī)，其技術(shù)參數(shù)為220V、180W。
[0030]電路制作要點(diǎn)及電路調(diào)試說(shuō)明
[0031]天線(xiàn)TX可選用6?8cm的裸銅線(xiàn)；
[0032]振蕩線(xiàn)圈L選用(2 0.68mm高強(qiáng)度漆包線(xiàn)在Φ 5mm木棒上平繞6?7匝制成；
[0033]因人手感應(yīng)式干手機(jī)的電路結(jié)構(gòu)比較簡(jiǎn)單，一般情況下只要選用的電子元器件性能完好，并按照說(shuō)明書(shū)附圖1中的元器件連接關(guān)系進(jìn)行焊接，物理連接線(xiàn)及焊接質(zhì)量經(jīng)過(guò)仔細(xì)檢查正確無(wú)誤后，本實(shí)用新型的電路只需要進(jìn)行簡(jiǎn)單地調(diào)試即可正常工作；
[0034]人手感應(yīng)的靈敏度可通過(guò)調(diào)節(jié)電位器RP的阻值，使人手感應(yīng)距離達(dá)到或超過(guò)0.5m，電路即告調(diào)試完成。
[0035]本實(shí)用新型的電路結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、元器件布局，以及它的外觀(guān)形狀設(shè)計(jì)及其尺寸大小等均不是本實(shí)用新型的關(guān)鍵技術(shù)，也不是本實(shí)用新型要求保護(hù)的關(guān)鍵性技術(shù)內(nèi)容，因不影響本實(shí)用新型具體實(shí)施過(guò)程和實(shí)用新型目的的實(shí)現(xiàn)，故不在說(shuō)明書(shū)中一一說(shuō)明。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種人手感應(yīng)式干手機(jī)，它包括220V交流電源、12V半波整流穩(wěn)壓電源、微波探測(cè)電路及天線(xiàn)TX、信號(hào)識(shí)別及放大電路、電平功率放大電路及電加熱和風(fēng)機(jī)驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于: 所述的微波探測(cè)電路由微波探測(cè)模塊IC1、振蕩線(xiàn)圈L和天線(xiàn)TX組成，微波探測(cè)模塊IC1采用的型號(hào)為T(mén)WH9428，微波探測(cè)模塊IC1的Y腳接振蕩線(xiàn)圈L的一端和天線(xiàn)TX，微波探測(cè)模塊IC1的Y0腳接振蕩線(xiàn)圈L的另一端，微波探測(cè)模塊IC1的VDD腳接電路正極VCC，微波探測(cè)模塊IC1的B腳接電解電容C1的正極，微波探測(cè)模塊IC1的G腳和電解電容C1的負(fù)極接電路地GND，微波探測(cè)模塊IC1的0腳接集成電路IC2的I腳； 所述的在信號(hào)識(shí)別及放大電路中，集成電路IC2采用的型號(hào)為T(mén)WH9429，集成電路IC2的B腳接微波探測(cè)模塊IC1的B腳，集成電路IC2的I腳接微波探測(cè)模塊IC1的0腳，集成電路IC2的W0腳與W腳之間跨接電位器RP，集成電路IC2的VDD腳接電路正極VCC，集成電路IC2的G腳接電路地GND ； 所述的電平功率放大電路中，集成電路IC2的0腳通過(guò)電阻R1接NPN型晶體管BG1的基極，NPN型晶體管BG1的集電極接電路正極VCC，NPN型晶體管BG1的發(fā)射極通過(guò)電阻R2接電路地GND ； 所述的電加熱和風(fēng)機(jī)驅(qū)動(dòng)電路由電阻R3、雙向可控硅BCR、電加熱絲RL和風(fēng)機(jī)FJ組成，雙向可控硅BCR的控制極G通過(guò)電阻R3接NPN型晶體管BG1的集電極，雙向可控硅BCR的第一陽(yáng)極T1接電加熱絲RL的一端和風(fēng)機(jī)FJ的一端，電加熱絲RL的另一端和風(fēng)機(jī)FJ的另一端接220V交流電源的火線(xiàn)端L ;雙向可控硅BCR的第二陽(yáng)極T2接電路地GND ; 所述的12V半波整流穩(wěn)壓電源由降壓電容C3、泄放電阻R4及硅整流二極管D1、硅穩(wěn)壓二極管DW和電解電容C2、電解電容C3組成，硅穩(wěn)壓二極管DW的技術(shù)參數(shù)為12V，220V交流電源的火線(xiàn)端L接降壓電容C3的一端和泄放電阻R4的一端，降壓電容C3的另一端和泄放電阻R4的另一端接硅整流二極管D1的正極，硅整流二極管D1的負(fù)極接硅穩(wěn)壓二極管DW的負(fù)極和電解電容C2的正極，硅穩(wěn)壓二極管DW的正極和電解電容C2的負(fù)極接電路地GND ；所述的12V半波整流穩(wěn)壓電源的正極與電路正極VCC相連，12V半波整流穩(wěn)壓電源的負(fù)極與電路地GND及220V交流電源的零線(xiàn)端N相連。
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型提供了一種人手感應(yīng)式干手機(jī)，其特征包括：220V交流電源、12V半波整流穩(wěn)壓電源、微波探測(cè)電路及天線(xiàn)TX、信號(hào)識(shí)別及放大電路、電平功率放大電路及電加熱和風(fēng)機(jī)驅(qū)動(dòng)電路；所述的微波探測(cè)電路由微波探測(cè)模塊IC1、振蕩線(xiàn)圈L和天線(xiàn)TX組成，微波探測(cè)模塊IC1采用的型號(hào)為T(mén)WH9428；所述的在信號(hào)識(shí)別及放大電路中，集成電路IC2采用的型號(hào)為T(mén)WH9429。本實(shí)用新型所述的人手感應(yīng)式干手機(jī)利用感應(yīng)方式，并且使用雙向可控硅作為電加熱和風(fēng)機(jī)的功率驅(qū)動(dòng)元件，并輔以少量普通元器件實(shí)現(xiàn)了人手感應(yīng)式干手機(jī)電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、性能可靠、造價(jià)低廉的要求。
【IPC分類(lèi)】A47K10/48
【公開(kāi)號(hào)】CN205053979
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520830998
【發(fā)明人】黃月華
【申請(qǐng)人】黃月華
【公開(kāi)日】2016年3月2日
【申請(qǐng)日】2015年10月24日