專利名稱：真空機械手和晶片處理系統(tǒng)的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及微電子技術領域，特別涉及一種真空機械手和晶片處理系統(tǒng)。
背景技術：
隨著有源元件，例如互補金屬氧化物半導體(Complementary Metal Oxide Semiconductor,以下簡稱CM0S)晶體管的尺寸不斷縮小到次微米級，正如摩爾定律的預測，在高效率、高密度集成電路中的CMOS晶體管數(shù)量上升至幾千萬個。數(shù)量龐大的有源元件的信號集成需要多達十層以上高密度的金屬互連線，通常金屬互連線采用金屬鋁互連線，金屬互連線層間的絕緣介質(zhì)采用二氧化硅，然而上述金屬互連線會帶來電阻和寄生電容，并且上述電阻和寄生電容已經(jīng)成為限制高效率、高密度集成電路速度的主要因素。為解決上述問題，半導體工業(yè)的集成電路制造工藝中采用金屬銅互連線代替金屬鋁互連線作為金屬互連線，同時采用低介電常數(shù)介質(zhì)材料代替二氧化硅作為金屬互連線層間的絕緣介質(zhì)。金屬銅減少了金屬互連線層間的電阻，同時增強了電路穩(wěn)定性；低介電常數(shù)介質(zhì)材料減少了金屬互連線層間的寄生電容。而集成電路中的金屬材料通常是通過物理氣相沉積 (Physical Vapor D印osition，以下簡稱PVD)技術制備的。物理氣相沉積技術是半導體工業(yè)中最廣為使用的一類薄膜制造技術，泛指采用物理方法制備薄膜的薄膜制備工藝，其中， 濺射(Sputtering)沉積技術是一種重要的物理氣相沉積技術。而在集成電路制造行業(yè)中， 該濺射沉積技術指的是磁控濺射(Magnetron Sputtering)技術，該磁控濺射技術主要用于鋁、銅等金屬薄膜的沉積，以形成金屬接觸、金屬互連線等。在應用物理氣相沉積制程工藝對晶片進行處理時，需要將待處理的晶片從大氣環(huán)境中逐步傳送到反應腔室中進行工藝處理。將晶片從大氣環(huán)境傳送到反應腔室進行工藝處理的過程，需要一個由一系列的設備組成的晶片處理系統(tǒng)來完成。圖1為一種晶片處理系統(tǒng)的結(jié)構示意圖，圖2為圖1中真空機械手的結(jié)構示意圖，如圖1和圖2所示，該晶片處理系統(tǒng)為制造銅互連線的PVD設備。具體地，該晶片處理系統(tǒng)包括大氣傳輸裝置、負載鎖閉器(Load Lock) 3、傳輸腔室(Transport Chamber) 4、連接器(Pass Through) 5、連接器9和傳輸腔室6，其中大氣傳輸裝置包括前端開啟裝置(front-opening unified pod, 簡稱F0UP) 1、大氣傳輸單元(Equipment Frond-End Module，以下簡稱EFEM) 2，大氣傳輸單元2和傳輸腔室4通過負載鎖閉器3連接，傳輸腔室4和傳輸腔室6通過連接器5和連接器9連接。傳輸腔室4連接有四個反應腔室，傳輸腔室6連接有四個反應腔室。其中， 傳輸腔室4連接的反應腔室包括去氣腔室(Degas Chamber) 41、去氣腔室42、預清洗腔室 (Preclean Chamber)43和預清洗腔室44 ；傳輸腔室6連接的反應腔室包括鉭沉積腔室(Ta Chamber) 61、鉭沉積腔室62、銅沉積腔室(Cu Chamber) 63和銅沉積腔室64。傳輸腔室4還可以稱為緩沖腔室(Buffer Chamber)。傳輸腔室4中設置有真空機械手7，傳輸腔室5中設置有真空機械手8。以傳輸腔室4中的真空機械手7為例，真空機械手7包括固定底座 71以及設置于固定底座71上的二個機械手，該二個機械手分別為機械手72和機械手73， 且機械手72和機械手73在固定底座71所在的平面內(nèi)伸縮。機械手72包括四個機械手臂721和二個晶片托盤722。四個機械手臂721通過一固定底座71和多個轉(zhuǎn)動軸承723構成一可折疊伸縮的四邊形結(jié)構，且這種四邊形結(jié)構只能夠使四個機械手臂721平行于固定底座71所在的平面進行折疊，具體地，該四邊形結(jié)構的一頂點為固定底座71，即其中一對機械手臂721的一端分別與該固定底座71鉸接，并可在固定底座71所在的平面內(nèi)以固定底座71為中心進行旋轉(zhuǎn)，而另一對機械手臂721的一端分別通過一轉(zhuǎn)動軸承723鉸接于與轉(zhuǎn)動軸承723連接的一對機械手臂721的另一端，且該另一對機械手臂721的一端再分別通過一轉(zhuǎn)動軸承723鉸接于晶片托盤722上，晶片托盤722所在四邊形結(jié)構的頂點與固定底座71相對。晶片托盤722用于放置晶片。下面以真空機械手7為例對真空機械手對晶片的處理過程進行描述。機械手72 將晶片A從負載鎖閉器3中取出使晶片A位于傳輸腔室4中，并將晶片A放入去氣腔室41 中，由去氣腔室41對晶片A進行去氣處理；機械手73將晶片B從負載鎖閉器3中取出使晶片B位于傳輸腔室4中，并將晶片B放入去氣腔室42中，由去氣腔室42對晶片B進行去氣處理；去氣腔室41完成對晶片A的去氣處理之后，機械手72將晶片A從去氣腔室41中取出使晶片A位于傳輸腔室4中，并將晶片A放入預清洗腔室43中，由預清洗腔室43對晶片 A進行預清洗處理；去氣腔室42完成對晶片B的去氣處理之后，機械手73將晶片B從去氣腔室42中取出使晶片B位于傳輸腔室4中，并將晶片B放入預清洗腔室44中，由預清洗腔室44對晶片B進行預清洗處理；預清洗腔室43完成對晶片A預清洗處理之后，機械手72 將晶片A從預清洗腔室43中并將晶片A放入連接器9中；預清洗腔室44完成對晶片B預清洗處理之后，機械手73將晶片B從預清洗腔室44中并將晶片B放入連接器5中。而后再通過傳輸腔室6中的真空機械手8對晶片A和晶片B進行進一步處理，此處不再詳細描述。從上述真空機械手7對晶片進行處理的過程中可以看出，由于真空機械手7僅包括二個機械手，每次只能傳輸兩個晶片并使兩個反應腔室對晶片進行工藝處理過程，另兩個反應腔室空閑的時間則較長，降低了反應腔室的使用效率，從而導致了晶片的產(chǎn)出率低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種真空機械手和晶片處理系統(tǒng)，用以解決晶片的產(chǎn)出率低的問題。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種真空機械手，包括固定底座和設置于所述固定底座上的至少三個可伸縮的機械手，所述機械手的一端連接于所述固定底座上，所述機械手的另一端連接有托盤，且所述固定底座為所述機械手旋轉(zhuǎn)移動的中心。進一步地，所述機械手包括多個轉(zhuǎn)動軸承和至少一個機械手臂，所述機械手臂和所述固定底座通過所述轉(zhuǎn)動軸承連接，所述機械手臂和所述托盤通過所述轉(zhuǎn)動軸承連接。進一步地，所述機械手臂的數(shù)量為至少二個，至少二個所述機械手臂通過轉(zhuǎn)動軸承依次鉸接，以使至少二個所述機械手臂垂直于所述固定底座所在的平面進行折疊。進一步地，所述轉(zhuǎn)動軸承正方向轉(zhuǎn)動使所述機械手臂和所述固定底座之間的夾角、所述機械手臂之間的夾角以及所述機械手臂和所述托盤之間的夾角增加；或者所述轉(zhuǎn)動軸承反方向轉(zhuǎn)動使所述機械手臂和所述固定底座之間的夾角、所述機械手臂之間的夾角以及所述機械手臂和所述托盤之間的夾角減少。
進一步地，增加的所述機械手臂和所述固定底座之間的夾角、增加的所述機械手臂之間的夾角以及增加的所述機械手臂和所述托盤之間的夾角相同，以實現(xiàn)所述機械手的伸長。進一步地，減少的所述機械手臂和所述固定底座之間的夾角、減少的所述機械手臂之間的夾角以及減少的所述機械手臂和所述托盤之間的夾角相同，以實現(xiàn)所述機械手的縮短。進一步地，增加或者減少的所述機械手臂和所述固定底座之間的夾角、所述機械手臂之間的夾角以及所述機械手臂和所述托盤之間的夾角不同，以實現(xiàn)所述托盤的高度變化。進一步地，所述機械手的數(shù)量為四個。進一步地，所述機械手之間的夾角為90度。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種晶片處理系統(tǒng)，包括依次連接的大氣傳輸裝置、至少一個傳輸腔室和與所述傳輸腔室連接的多個反應腔室，所述傳輸腔室中設置有上述真空機械手。本發(fā)明具有以下有益效果本發(fā)明提供的真空機械手和晶片處理系統(tǒng)中，真空機械手包括固定底座和設置于固定底座上的至少三個可伸縮的機械手，機械手的一端連接于所述固定底座上，機械手的另一端連接有托盤，機械手在固定底座頂面所在的平面內(nèi)以固定底座為中心旋轉(zhuǎn)移動。本發(fā)明中的真空機械手包括至少三個機械手，增加了同時進行工藝處理的反應腔室的數(shù)量， 縮短了反應腔室的空閑時間，從而提高了反應腔室的使用效率，提高了晶片的產(chǎn)出率。


圖1為一種晶片處理系統(tǒng)的結(jié)構示意圖；圖2為圖1中真空機械手的結(jié)構示意圖；圖3為本發(fā)明實施例一提供的一種真空機械手的結(jié)構示意圖；圖4為圖3中真空機械手的側(cè)視圖；圖5為本發(fā)明實施例二提供的一種晶片處理系統(tǒng)的結(jié)構示意圖。
具體實施例方式為使本領域的技術人員更好地理解本發(fā)明的技術方案，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明提供的真空機械手和晶片處理系統(tǒng)進行詳細描述。圖3為本發(fā)明實施例一提供的一種真空機械手的結(jié)構示意圖，圖4為圖3中真空機械手的側(cè)視圖，如圖3和圖4所示，該真空機械手包括固定底座101和設置于固定底座 101上的至少三個可伸縮的機械手，機械手的一端連接于固定底座101上，機械手的另一端連接有托盤102，且所述固定底座為所述機械手旋轉(zhuǎn)移動的中心。本實施例中，可由設置于固定底座101上的電機帶動固定底座101轉(zhuǎn)動，從而使機械手在固定底座101頂面所在的平面內(nèi)以固定底座101為中心沿逆時針方向或者順時針方向旋轉(zhuǎn)平行移動。本實施例中，托盤102可用于放置晶片109。例如圖2和圖3中所示的為四個托盤103均放置有晶片109的情況。機械手的數(shù)量可以為三個以上，本實施例中，機械手的數(shù)量為四個，該四個機械手分別為機械手103、機械手104、機械手105和機械手106。優(yōu)選地，上述機械手之間的夾角為90度。本實施例中的機械手可包括多個轉(zhuǎn)動軸承107和至少一個機械手臂108，機械手臂108和固定底座101通過轉(zhuǎn)動軸承107連接，機械手臂108和托盤102通過轉(zhuǎn)動軸承107連接。機械手臂108的數(shù)量為至少二個，則至少二個機械手臂108通過轉(zhuǎn)動軸承107依次鉸接，以使至少二個所述機械手臂垂直于所述固定底座所在的平面進行折疊。優(yōu)選地，機械手臂108的數(shù)量為二個，本實施例以二個機械手臂為例進行描述。以機械手105為例，機械手105包括二個機械手臂108，一個機械手臂108與固定底座101通過轉(zhuǎn)動軸承107連接，另一個機械手臂108與托盤102通過轉(zhuǎn)動軸承107連接。本實施例中，轉(zhuǎn)動軸承107正方向轉(zhuǎn)動使機械手臂108和固定底座101之間的夾角、機械手臂108之間的夾角以及機械手臂108和托盤102之間的夾角增加；或者，轉(zhuǎn)動軸承108反方向轉(zhuǎn)動使機械手臂108和固定底座101之間的夾角、機械手臂108之間的夾角以及機械手臂108和托盤102之間的夾角減少。其中，若正方向為順時針方向時，則逆方向為逆時針方向；若正方向為逆時針方向時，則反方向為順時針方向。本實施例中，每個機械手均設置有電機，以帶動該機械手上的多個轉(zhuǎn)動軸承正方向或者反方向轉(zhuǎn)動。本實施例中，當機械手執(zhí)行托盤102在水平方向上向前伸的動作時，增加的機械手臂108和固定底座101之間的夾角、增加的機械手臂108之間的夾角以及增加的機械手臂108和托盤102之間的夾角是相同的，以實現(xiàn)機械手的伸長，從而實現(xiàn)托盤102向前伸。 本實施例中，當機械手執(zhí)行托盤102在水平方向上向后縮的動作時，減少的機械手臂108和固定底座101之間的夾角、減少的機械手臂108之間的夾角以及減少的機械手臂108和托盤102之間的夾角是相同的，以實現(xiàn)機械手的縮短，從而實現(xiàn)托盤102向后縮。本實施例中，當機械手執(zhí)行托盤102在垂直方向上升高或者降低的動作時，可以根據(jù)需要增加或者減少機械手臂108和固定底座101之間的夾角、機械手臂108之間的夾角以及機械手臂108和托盤102之間的夾角，增加或者減少的機械手臂108和固定底座101 之間的夾角、機械手臂108之間的夾角以及機械手臂108和托盤102之間的夾角是不同的， 從而實現(xiàn)托盤102的高度變化，即使托盤在垂直方向上升高或者降低。本實施例中，固定底座101還可以控制機械手之間的角度。具體地，可在固定底座 101上設置用于控制機械手之間角度的電機，通過該電機帶動機械手移動以改變機械手之間的角度。圖5為本發(fā)明實施例二提供的一種晶片處理系統(tǒng)的結(jié)構示意圖，如圖5所示，該晶片處理系統(tǒng)，包括依次連接的大氣傳輸裝置、至少一個傳輸腔室和與傳輸腔室連接的多個反應腔室，傳輸腔室中設置有真空機械手。本實施例中，大氣傳輸裝置可包括前端開啟裝置1和大氣傳輸單元2。例如本實施例中，傳輸腔室為二個，分別為傳輸腔室4和傳輸腔室6 ；傳輸腔室4 連接有四個反應腔室，傳輸腔室5連接有四個反應腔室。其中，傳輸腔室4連接的反應腔室包括去氣腔室41、去氣腔室42、預清洗腔室43和預清洗腔室44 ；傳輸腔室6連接的反應腔室包括鉭沉積腔室61、鉭沉積腔室62、銅沉積腔室63和銅沉積腔室64。傳輸腔室4還可以稱為緩沖腔室。本實施例中，傳輸腔室4中設置有真空機械手10，傳輸腔室6中設置有真空機械手 11。進一步地，本實施例中，該晶片處理系統(tǒng)還包括負載鎖閉器3、連接器5和連接器 9。傳輸腔室4和大氣傳輸單元2之間通過負載鎖閉器3連接，傳輸腔室4和傳輸腔室6通過連接器5和連接器9連接。本實施例中的真空機械手10和真空機械手11均可采用上述實施例一中的真空機械手，此處不再詳細描述。下面以一個具體的實例對晶片處理系統(tǒng)采用上述實施例一的真空機械手對晶片進行處理。傳輸腔室4中，真空機械手10的機械手103將晶片A從負載鎖閉器3中取出使晶片A位于傳輸腔室4中，并將晶片A放入去氣腔室41中，由去氣腔室41對晶片A進行去氣處理；真空機械手10的機械手104將晶片B從負載鎖閉器3中取出使晶片B位于傳輸腔室 4中，并將晶片B放入去氣腔室42中，由去氣腔室42對晶片B進行去氣處理；在去氣腔室 41和去氣腔室42對晶片進行去氣處理過程中，真空機械手10的機械手105將晶片C從負載鎖閉器3中取出使晶片C位于傳輸腔室4中，真空機械手10的機械手106將晶片D從負載鎖閉器3中取出使晶片D位于傳輸腔室4中；在去氣腔室41完成對晶片A的去氣處理過程之后，真空機械手10的機械手103將晶片A從去氣腔室41中取出使晶片A位于傳輸腔室 4中，真空機械手10的機械手105將晶片C從傳輸腔室4中放入去氣腔室41中，由去氣腔室41對晶片A進行去氣處理，機械手103將晶片A從傳輸腔室4中放入預清洗腔室43中， 由預清洗腔室43對晶片A進行預清洗處理；在去氣腔室42完成對晶片B的去氣處理過程之后，真空機械手10的機械手104將晶片B從去氣腔室42中取出使晶片B位于傳輸腔室 4中，真空機械手10的機械手106將晶片D從傳輸腔室4中放入去氣腔室42中，由去氣腔室42對晶片D進行去氣處理，真空機械手10的機械手104將晶片B從傳輸腔室4中放入預清洗腔室44中，由預清洗腔室44對晶片B進行預清洗處理；此時，去氣腔室41、去氣腔室42、預清洗腔室43和預清洗腔室44同時對晶片進行工藝處理。在預清洗腔室43完成對晶片A的預清洗處理過程之后，真空機械手10的機械手103將晶片A從預清洗腔室43中取出并將晶片A放入連接器9 ；在預清洗腔室44完成對晶片B的預清洗處理過程之后，真空機械手10的機械手104將晶片B從預清洗腔室44中取出并將晶片B放入連接器5中。傳輸腔室6中，真空機械手11的機械手103將晶片A從連接器9中取出使晶片A 位于傳輸腔室6中，并將晶片A放入鉭沉積腔室61，由鉭沉積腔室61對晶片A進行鉭沉積處理；真空機械手11的機械手104將晶片B從連接器5中取出使晶片B位于傳輸腔室6中， 并將晶片B放入鉭沉積腔室62，由鉭沉積腔室62對晶片B進行鉭沉積處理。此時，傳輸腔室4中，去氣腔室41完成對晶片C的去氣處理之后，真空機械手10 的機械手105將晶片C從去氣腔室41中取出使晶片C位于傳輸腔室4中，并將晶片C放入預清洗腔室43中，由預清洗腔室43對晶片C進行預清洗處理；去氣腔室42完成對晶片D 的去氣處理之后，真空機械手10的機械手106將晶片D從去氣腔室42中取出使晶片D位于傳輸腔室4中，并將晶片D放入預清洗腔室44中，由預清洗腔室44對晶片D進行預清洗處理。傳輸腔室4中，當預清洗腔室43和預清洗腔室44對晶片進行預清洗處理時，真空機械手10的機械手103將晶片E從負載鎖閉器3中取出使晶片E位于傳輸腔室4中，并將晶片E放入去氣腔室41中，由去氣腔室41對晶片E進行去氣處理；真空機械手10的機械手104將晶片F(xiàn)從負載鎖閉器3中取出使晶片F(xiàn)位于傳輸腔室4中，并將晶片F(xiàn)放入去氣腔室42中，由去氣腔室42對晶片F(xiàn)進行去氣處理。傳輸腔室4中，在預清洗腔室43完成對晶片C的預清洗處理過程之后，真空機械手10的機械手105將晶片C從預清洗腔室43中取出并將晶片C放入連接器9 ；在預清洗腔室44完成對晶片D的預清洗處理過程之后，真空機械手10的機械手106將晶片D從預清洗腔室44中取出并將晶片D放入連接器5中。而后，真空機械手10的機械手105將晶片G從負載鎖閉器3中取出使晶片G位于傳輸腔室4中；真空機械手10的機械手106將晶片H從負載鎖閉器3中取出使晶片H位于傳輸腔室4中。按照上述過程繼續(xù)對晶片進行工藝處理，直至完成對每一個晶片的工藝處理過程。上述晶片處理系統(tǒng)采用了本發(fā)明中的包括四個機械手的真空機械手，從上述對晶片進行處理過程的實例中可以看出，該真空機械手每次可傳輸四個晶片并使四個反應腔室同時對晶片進行工藝處理過程，與背景技術中提供的真空機械手相比可使同時進行工藝處理的反應腔室的數(shù)量提高一倍，極大的縮短了反應腔室的空閑時間，從而提高了反應腔室的使用效率，提高了晶片的產(chǎn)出率。并且與采用背景技術中提供的真空機械手的晶片處理系統(tǒng)進行的標準的工藝過程相比，工藝時間縮短了 50%。
背景技術：
中的真空機械手由于四個機械手臂通過一固定底座和多個轉(zhuǎn)動軸承構成一可折疊伸縮的四邊形結(jié)構，且這種四邊形結(jié)構只能夠使四個機械手臂平行于固定底座所在的平面進行折疊，因此該真空機械手所占用的空間較大，這就需要體積較大的傳輸腔室，從而導致整個晶片傳輸系統(tǒng)占地面積較大，而本發(fā)明中的真空機械手由于二個機械手臂是垂直于固定底座所在的平面進行折疊， 與背景技術相比，本發(fā)明中的真空機械手所占用的空間較小，導致需要的傳輸腔室的體積也較小，從而減少了整個晶片傳輸系統(tǒng)的占地面積。上述各實施例中，均以真空機械手包括四個機械手為例進行描述，在實際應用中還可根據(jù)需要增加機械手的數(shù)量，從而進一步提高反應腔室的使用效率，提高晶片的產(chǎn)出率。優(yōu)選地，機械手的數(shù)量還可以為六個或者八個。本發(fā)明上述實施例提供的真空機械手和晶片處理系統(tǒng)中，真空機械手包括固定底座和設置于固定底座上的至少三個可伸縮的機械手，機械手的一端連接于所述固定底座上，機械手的另一端連接有托盤，且所述固定底座為所述機械手旋轉(zhuǎn)移動的中心。本發(fā)明中的真空機械手包括至少三個機械手，增加了同時進行工藝處理的反應腔室的數(shù)量，縮短了反應腔室的空閑時間，從而提高了反應腔室的使用效率，提高了晶片的產(chǎn)出率。采用本發(fā)明提供的真空機械手完成對晶片的工藝處理過程，與標準的晶片處理系統(tǒng)相比，縮短了對晶片進行處理的工藝時間。本發(fā)明的技術方案中，對標準的物理氣相沉積工藝流程沒有改變，因此不會影響晶片的生產(chǎn)質(zhì)量，并且也無需針對物理氣相沉積的工藝流程進行特別的研發(fā)。可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領域內(nèi)的普通技術人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發(fā)明的保護范圍。
權利要求
1.一種真空機械手，其特征在于，包括固定底座和設置于所述固定底座上的至少三個可伸縮的機械手，所述機械手的一端連接于所述固定底座上，所述機械手的另一端連接有托盤，且所述固定底座為所述機械手旋轉(zhuǎn)移動的中心。
2.根據(jù)權利要求1所述的真空機械手，其特征在于，所述機械手包括多個轉(zhuǎn)動軸承和至少一個機械手臂，所述機械手臂和所述固定底座通過所述轉(zhuǎn)動軸承連接，所述機械手臂和所述托盤通過所述轉(zhuǎn)動軸承連接。
3.根據(jù)權利要求2所述的真空機械手，其特征在于，所述機械手臂的數(shù)量為至少二個， 至少二個所述機械手臂通過轉(zhuǎn)動軸承依次鉸接，以使至少二個所述機械手臂垂直于所述固定底座所在的平面進行折疊。
4.根據(jù)權利要求3所述的真空機械手，其特征在于，所述轉(zhuǎn)動軸承正方向轉(zhuǎn)動使所述機械手臂和所述固定底座之間的夾角、所述機械手臂之間的夾角以及所述機械手臂和所述托盤之間的夾角增加；或者所述轉(zhuǎn)動軸承反方向轉(zhuǎn)動使所述機械手臂和所述固定底座之間的夾角、所述機械手臂之間的夾角以及所述機械手臂和所述托盤之間的夾角減少。
5.根據(jù)權利要求3所述的真空機械手，其特征在于，增加的所述機械手臂和所述固定底座之間的夾角、增加的所述機械手臂之間的夾角以及增加的所述機械手臂和所述托盤之間的夾角相同，以實現(xiàn)所述機械手的伸長。
6.根據(jù)權利要求3所述的真空機械手，其特征在于，減少的所述機械手臂和所述固定底座之間的夾角、減少的所述機械手臂之間的夾角以及減少的所述機械手臂和所述托盤之間的夾角相同，以實現(xiàn)所述機械手的縮短。
7.根據(jù)權利要求3所述的真空機械手，其特征在于，增加或者減少的所述機械手臂和所述固定底座之間的夾角、所述機械手臂之間的夾角以及所述機械手臂和所述托盤之間的夾角不同，以實現(xiàn)所述托盤的高度變化。
8.根據(jù)權利要求1至7任一所述的真空機械手，其特征在于，所述機械手的數(shù)量為四個。
9.根據(jù)權利要求8所述的真空機械手，其特征在于，所述機械手之間的夾角為90度。
10.一種晶片處理系統(tǒng)，包括依次連接的大氣傳輸裝置、至少一個傳輸腔室和與所述傳輸腔室連接的多個反應腔室，其特征在于，所述傳輸腔室中設置有如權利要求1至9任一所述的真空機械手。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種真空機械手和晶片處理系統(tǒng)。該真空機械手包括固定底座和設置于所述固定底座上的至少三個可伸縮的機械手，所述機械手的一端連接于所述固定底座上，所述機械手的另一端連接有托盤，且所述固定底座為所述機械手旋轉(zhuǎn)移動的中心。本發(fā)明提供的真空機械手和晶片處理系統(tǒng)中，真空機械手包括固定底座和設置于固定底座上的至少三個可伸縮的機械手，機械手的一端連接于所述固定底座上，機械手的另一端連接有托盤，固定底座轉(zhuǎn)動以帶動機械手移動。本發(fā)明中的真空機械手包括至少三個機械手，增加了同時進行工藝處理的反應腔室的數(shù)量，縮短了反應腔室的空閑時間，從而提高了反應腔室的使用效率，提高了晶片的產(chǎn)出率。
文檔編號B25J9/08GK102569140SQ20101061064
公開日2012年7月11日 申請日期2010年12月17日 優(yōu)先權日2010年12月17日
發(fā)明者宗令蓓 申請人:北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司