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散裝ic電子元件用華夫盤的制作方法

文檔序號:2308525閱讀:2896來源:國知局
專利名稱:散裝ic電子元件用華夫盤的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及一種產(chǎn)品生產(chǎn)周轉(zhuǎn)箱,尤其是一種電子元器件生產(chǎn)周轉(zhuǎn)用品,具體地說是一種散裝IC電子元件華夫盤。
技術(shù)背景隨著SMT行業(yè)貼片機技術(shù)的迅猛發(fā)展,貼片速度與貼片精度要求越來越高,元器件集成化程度越來越集中,元器件由多品種小規(guī)格向集成化小形化發(fā)展.而且現(xiàn)今各個電子公司自己采購I C元器件,自己進行程序制作與燒制,導(dǎo)致大量的管狀元件,編帶元件成為散狀元件。在當(dāng)前的電子制造行業(yè)中,多數(shù)貼片機廠家也都有專門針對管裝I C元器件而制作的震動送料器,但是這些送料器在使用過程中不是很理想,很容易造成品質(zhì)不良或器件損耗較高這樣一些影響貼裝的問題存在.由于現(xiàn)在貼片機行業(yè)逐漸向高速化發(fā)展,而生產(chǎn)過程中也需要高速貼裝滿足生產(chǎn)需要,但是在這樣一些條件下,生產(chǎn)的高速化也就存在諸如上述所說的影響貼裝的問題發(fā)生,管裝電子器件的小規(guī)格集成化所帶來的體積小、重量輕、厚度薄的特點對這些貼片機廠家所設(shè)計制造的震動送料器提出了更高的要求,取料過程中的震動將器件翻轉(zhuǎn),震動產(chǎn)生的震力不夠,取料失敗所帶來的拋料動作,灌裝器件的煩瑣與頻繁度.這些影響產(chǎn)品品質(zhì),生產(chǎn)效率和增加生產(chǎn)員工勞動強度等種種問題的存在讓制造企業(yè)付出的成本也有所提高.例如產(chǎn)品不良率的提升,機器生產(chǎn)過程中效率得不到提高,在前兩者的問題上還增加了 I C器件的損耗提高。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型的目的是針對貼片機無法吸附散狀I(lǐng)C元件,使用震動料架會產(chǎn)生拋料率高,材料翻轉(zhuǎn),IC引腳變形,灌裝IC元件頻繁,生產(chǎn)效率低下I C元件容易被靜電擊穿等問題,設(shè)計出的一種既能提高生產(chǎn)效率,降低工作強度,減低靜電對I C元器件影響,大幅度減少產(chǎn)品品質(zhì)不良率的散裝IC電子元件用華夫盤。本實用新型的技術(shù)方案是—種散裝IC電子元件用華夫盤,它包括長方形本體1,其特征是所述的長方形本體I中設(shè)有多個平面IC元件方形凹槽2,長方形本體I的背面設(shè)有條狀防變形凹槽3,所述的平面IC元件方形凹槽2的四角設(shè)有圓弧結(jié)構(gòu)4,長方形本體I的一角上設(shè)有華夫盤標(biāo)記
IC方向缺口 5。所述的平面IC元件方形凹槽2四角的圓弧結(jié)構(gòu)4的圓弧半經(jīng)為O . 8 ±0.16毫米。所述的條狀防變形凹槽3的長度為I 5 ±1.5厘米,寬度為4. 5 ±0.45毫米,深度不低于I . 5 ±0. 3毫米,且相鄰的條狀防變形凹槽3錯列排布。所述的華夫盤標(biāo)記I C方向缺口 5為一在華夫盤右上角橫向斜切的三毫米缺口。[0011]所述的平面IC元件方形凹槽2四周之間的間距為2 ±0.2毫米。本實用新型的有益效果是本實用新型有利于提高生產(chǎn)效率,在同樣板型,相同設(shè)備的生產(chǎn)過程中可提高
30%的日產(chǎn)量。本實用新型有利于減少產(chǎn)品不良率的發(fā)生,據(jù)初部統(tǒng)計,使用華夫盤進行貼裝不良率下降85%以上。本實用新型可至少減少每班次停機上料時間30分鐘左右,大大降低了操作人員勞動強度,減少出錯概率。本實用新型結(jié)構(gòu)簡單,方便操作,價格低廉,易于實現(xiàn)。

圖I是本實用新型的正視結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本實用新型的后視結(jié)構(gòu)示意圖。圖3是本實用新型的平面IC元件方形凹槽的局部放大示意圖。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖和實施例對本實用新型作進一步的說明。如圖1-3所示。一種散裝IC電子元件用華夫盤,利用環(huán)氧板F R 4 7制造而成,它包括長方形本體1,所述的長方形本體I中設(shè)有多個平面IC元件方形凹槽2,長方形本體I的背面設(shè)有條狀防變形凹槽3 (如圖2所示),所述的平面IC元件方形凹槽2的四角設(shè)有圓弧結(jié)構(gòu)4 (圖3),長方形本體I的一角上設(shè)有華夫盤標(biāo)記I C方向缺口 5,如圖I所示。所述的華夫盤背面防變形凹槽3能有效的防止因華夫盤本體変形而導(dǎo)致的IC元件水平放置時,高度起伏不定,位置偏差較大而影響吸附精度不良的發(fā)生。華夫盤標(biāo)記I C方向缺口5能夠幫助操作人員簡單的掌握I C上料方向,杜絕因上料方向錯誤導(dǎo)致的品質(zhì)問題。平面IC元件方形凹槽四角的圓弧結(jié)構(gòu)4能夠幫助操作人員的方便擺放,拾取I C元件,減少勞動強度,降低IC元件的不良損耗。方形凹槽之間標(biāo)準(zhǔn)間距,能夠在制作P C B板子程序時形成通一標(biāo)準(zhǔn),減少程序制作時的工序,必免程序錯誤。各部分的具體尺寸可為所述的平面IC元件方形凹槽2四角的圓弧結(jié)構(gòu)4的圓弧半經(jīng)為O . 8 ±0.16毫米。所述的條狀防變形凹槽3的長度為I 5 ±1.5厘米,寬度為4. 5 ±0.45毫米,深度不低于I . 5 ±0. 3毫米,且相鄰的條狀防變形凹槽3錯列排布。所述的華夫盤標(biāo)記I C方向缺口 5為一在華夫盤右上角橫向斜切的三毫米缺口。所述的平面IC元件方形凹槽2四周之間的間距為2 ±0. 2毫米。實用新型未涉及部分均與現(xiàn)有技術(shù)相同或可采用現(xiàn)有技術(shù)加以實現(xiàn)。
權(quán)利要求1.一種散裝IC電子元件用華夫盤,它包括長方形本體(1),其特征是所述的長方形本體(I)中設(shè)有多個平面IC元件方形凹槽(2),長方形本體(I)的背面設(shè)有條狀防變形凹槽(3),所述的平面IC元件方形凹槽(2)的四角設(shè)有圓弧結(jié)構(gòu)(4),長方形本體(I)的一角上設(shè)有華夫盤標(biāo)記I C方向缺口( 5 )。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的散裝IC電子元件用華夫盤,其特征是所述的平面IC元件方形凹槽(2)四角的圓弧結(jié)構(gòu)(4 )的圓弧半經(jīng)為O · 8 ±0. 16毫米。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的散裝IC電子元件用華夫盤,其特征是所述的條狀防變形凹槽(3)的長度為I 5 ±1.5厘米,寬度為4. 5 ±0.45毫米,深度不低于I . 5±0.3毫米,且相鄰的條狀防變形凹槽(3 )錯列排布。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的散裝IC電子元件用華夫盤,其特征是所述的華夫盤標(biāo)記IC方向缺口( 5 )為一在華夫盤右上角橫向斜切的三毫米缺口。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的散裝IC電子元件用華夫盤,其特征是所述的平面IC元件方形凹槽(2)四周之間的間距為2 ±0. 2毫米。
專利摘要一種散裝IC電子元件用華夫盤,它包括長方形本體(1),其特征是所述的長方形本體(1)中設(shè)有多個平面IC元件方形凹槽(2),長方形本體(1)的背面設(shè)有條狀防變形凹槽(3),所述的平面IC元件方形凹槽(2)的四角設(shè)有圓弧結(jié)構(gòu)(4),長方形本體(1)的一角上設(shè)有華夫盤標(biāo)記IC方向缺口(5)。本實用新型解決了散狀I(lǐng)C元件無法機貼,管狀IC元件用翻斗料架材料耗損較多的問題,散裝IC電子元件華夫盤同時具有結(jié)構(gòu)簡單,方便操作,價格低廉,易于實現(xiàn)等優(yōu)點。
文檔編號B25H3/06GK202428432SQ201120514999
公開日2012年9月12日 申請日期2011年12月12日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月12日
發(fā)明者趙玖榮 申請人:南京熊貓電子制造有限公司
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