本公開涉及吸嘴。

背景技術(shù)：

以往，電子部件向電路基板的安裝利用具備裝配機(jī)的安裝裝置來進(jìn)行。首先，電子部件通過被裝配機(jī)所具備的吸嘴吸引而吸附于吸嘴的吸附面。然后，電子部件保持吸附狀態(tài)地被搬運(yùn)，并被向電路基板的規(guī)定位置安裝。此時(shí)，為了將電子部件向電路基板的規(guī)定位置準(zhǔn)確地安裝，安裝裝置具備用于掌握電子部件的形狀、電極的位置(以下，記載為電子部件的位置檢測(cè))的光學(xué)設(shè)備。

在此，光學(xué)設(shè)備是指照明裝置、ccd相機(jī)、與ccd相機(jī)連接的圖像解析裝置等。并且，光學(xué)設(shè)備對(duì)電子部件的位置檢測(cè)采用以下的方法來進(jìn)行。首先，從照明裝置向電子部件照射光。接著，由ccd相機(jī)接受來自電子部件的反射光。并且，由圖像解析裝置對(duì)ccd相機(jī)所接受到的反射光進(jìn)行解析。通過這一系列的方法，可進(jìn)行電子部件的位置檢測(cè)，進(jìn)行電子部件的位置修正等。

這樣，電子部件的位置檢測(cè)通過來自電子部件的反射光的解析來進(jìn)行。并且，電子部件具有白色系的色調(diào)，因此利用具有黑色系的色調(diào)的吸嘴。

例如，專利文獻(xiàn)1提出了材料自身具有黑色的色調(diào)的黑色氧化鋯強(qiáng)化氧化鋁陶瓷。

在先技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2013-56809號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本公開的吸嘴由氧化鋯質(zhì)陶瓷構(gòu)成，所述氧化鋯質(zhì)陶瓷具有包含氧化鋯的第一粒子和包含黑色成分的第二粒子，所述吸嘴具備吸附面和與該吸附面連通的吸引孔。所述吸附面形成為，對(duì)該吸附面進(jìn)行研磨加工而得到的測(cè)定面上的所述第二粒子所占的面積比率為17％以上且34％以下。另外，所述測(cè)定面的90μm²的面積的范圍內(nèi)的所述第二粒子的個(gè)數(shù)為150個(gè)以上且250個(gè)以下。

附圖說明

圖1是表示具備裝配機(jī)和光學(xué)設(shè)備的安裝裝置的結(jié)構(gòu)的一例的簡(jiǎn)要圖，所述裝配機(jī)具備本公開的吸嘴。

圖2示意性地表示本公開的吸嘴的一例，(a)為立體圖，(b)為縱剖視圖。

圖3是示意性地表示對(duì)本公開的吸嘴的吸附面進(jìn)行研磨加工而得到的測(cè)定面的一例的放大圖。

具體實(shí)施方式

最近，電子部件的小型化以及安裝的高密度化日益發(fā)展。與之相伴地，為了提高將電子部件向電路基板安裝的精度(安裝精度)，追求電子部件的位置檢測(cè)的精度提高。另外，伴隨電子部件的小型化，吸嘴的吸附面的面積也正在變小。這樣，若吸附面的面積變小，則陶瓷粒子的大小相對(duì)于吸附面的面積的比例變大。因而，對(duì)由陶瓷構(gòu)成的吸嘴更加要求不容易產(chǎn)生陶瓷粒子的脫落(以下記載為脫粒)。

本公開的吸嘴即使反復(fù)進(jìn)行電子部件的安裝拆卸(以下，稱作裝卸)脫粒也少，圖像識(shí)別中的電子部件的位置檢測(cè)精度高。因而，能夠提高電子部件向電路基板的安裝精度。

以下，參照附圖來詳細(xì)說明本公開的吸嘴。需要說明的是，對(duì)在附圖中具有同樣的結(jié)構(gòu)以及功能的部分標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記來進(jìn)行說明。另外，附圖是示意性地示出的圖，各圖中的各種構(gòu)造的尺寸以及位置關(guān)系等并沒有予以準(zhǔn)確地圖示。

首先，參照?qǐng)D1來說明用于將電子部件7向電路基板安裝的安裝裝置。安裝裝置包括：裝配機(jī)2，其具備吸嘴1；以及光學(xué)設(shè)備。并且，光學(xué)設(shè)備包括燈3、ccd相機(jī)4以及圖像解析裝置5。在此，燈3是用于朝向吸嘴1所吸附的電子部件7照射光的裝置。另外，ccd相機(jī)4是用于接受從電子部件7反射的反射光的裝置。并且，圖像解析裝置5是用于解析ccd相機(jī)4所接受到的反射光的裝置。需要說明的是，電子部件7排列于在安裝裝置的附近配置的托盤6。

接著，說明使用安裝裝置進(jìn)行的電子部件7的安裝方法。首先，裝配機(jī)2移動(dòng)到托盤6。接著，吸嘴1吸引托盤6上的電子部件7。并且，在將電子部件7吸附到吸嘴1的吸附面的狀態(tài)下，裝配機(jī)2移動(dòng)到ccd相機(jī)4上。接著，由燈3向電子部件7照射光。然后，由ccd相機(jī)4接受打到電子部件7的主體、電極并反射后的反射光。由圖像解析裝置5基于由ccd相機(jī)4接受到的反射光來進(jìn)行電子部件7的位置檢測(cè)。最后，基于電子部件7的位置信息，使吸附有電子部件7的吸嘴1移動(dòng)至電路基板(未圖示)的規(guī)定位置而將電子部件7安裝在電路基板上。

接著，參照?qǐng)D2來說明本公開的吸嘴1的一例。

圖2所示的例子的吸嘴1包括：圓筒部9，其在前端具有吸附面8；和圓錐部10，其形成為朝向圓筒部9而變細(xì)的尖細(xì)形狀，在與圓筒部9的吸附面8相反的一側(cè)具有凸部13。在此，吸附面8是用于通過吸引來吸附并保持電子部件7的面。并且，在吸嘴1上設(shè)置有吸引孔15，該吸引孔15從圓錐部10穿過圓筒部9并貫穿到吸附面8。

并且，吸嘴1也可以通過與固定于裝配機(jī)2的保持構(gòu)件11嵌合而安裝于裝配機(jī)2。圖2所示的例子的保持構(gòu)件11在中央具有用于與圓錐部10的凸部13嵌合的凹部14。另外，在凹部14的中心的與吸引孔15連通的位置設(shè)置有吸引孔12。并且，通過將保持構(gòu)件11的凹部14與圓錐部10的凸部13嵌合，由此能夠?qū)⑽?安裝于裝配機(jī)2。

并且，本公開的吸嘴1由氧化鋯質(zhì)陶瓷構(gòu)成，所述氧化鋯質(zhì)陶瓷具有包含氧化鋯的第一粒子和包含黑色成分的第二粒子。并且，對(duì)吸附面8進(jìn)行研磨加工而得到的測(cè)定面上的第二粒子所占的面積比率為17％以上且34％以下。而且，測(cè)定面的90μm²的面積的范圍內(nèi)的第二粒子的個(gè)數(shù)為150個(gè)以上且250個(gè)以下。需要說明的是，測(cè)定面是指，使用金剛石磨粒沿著吸嘴1的長(zhǎng)邊方向?qū)ξ矫?進(jìn)行0.1～5μm程度的鏡面研磨加工而得到的面。

另外，第二粒子所包含的黑色成分是在周期表中屬于第四族～第十族的元素的氧化物或復(fù)合氧化物，具有黑色的色調(diào)。例舉周期表中屬于第四族～第十族的元素的具體例，則可舉出鐵、鉻、鈷、錳、鎳、鈦。

在此，使用示意性地示出測(cè)定面的一例的放大圖即圖3，來說明第一粒子16以及第二粒子17。需要說明的是，在圖3中，為了避免圖的繁雜，省略了第一粒子16的粒子形狀的圖示。

圖3也可以說是示意性地表示在掃描型電子顯微鏡(sem)等中觀察測(cè)定面的狀態(tài)的圖。并且，第一粒子16呈白色系的色調(diào)。另一方面，第二粒子17呈黑色系的色調(diào)。因而，在目視中，能夠識(shí)別第一粒子16以及第二粒子17。另外，通過使用波長(zhǎng)分散型x線顯微分析儀(日本電子制jxa-8600m型)，能夠確認(rèn)第一粒子16以及第二粒子17的構(gòu)成成分。需要說明的是，第一粒子16包含氧化鋯，但除了氧化鋯以外，有時(shí)會(huì)檢測(cè)到鉿、穩(wěn)定化劑。

并且，在本公開的吸嘴1中，在測(cè)定面上，第二粒子17所占的面積比率為17％以上且34％以下，測(cè)定面的90μm²的面積的范圍內(nèi)的第二粒子17的個(gè)數(shù)為150個(gè)以上且250個(gè)以下。通過滿足這樣的結(jié)構(gòu)，由此即使反復(fù)進(jìn)行電子部件7的裝卸，脫粒也少。而且，本公開的吸嘴1通過采用反射率低的黑色的色調(diào)，由此圖像識(shí)別中的電子部件7的位置檢測(cè)的精度高。因而，本公開的吸嘴1能夠提高電子部件7向電路基板的安裝精度。

需要說明的是，在該測(cè)定面中的第二粒子17所占的面積比率超過34％時(shí)，氧化鋯質(zhì)陶瓷的機(jī)械強(qiáng)度降低，隨著反復(fù)進(jìn)行電子部件7的裝卸，在吸附面8上容易產(chǎn)生脫粒。并且，脫粒部分的反射率變高，因此無法提高圖像識(shí)別中的電子部件7的位置檢測(cè)的精度。另外，若測(cè)定面上的第二粒子17所占的面積比率小于17％，則吸附面8的亮度變高，無法提高圖像識(shí)別中的電子部件7的位置檢測(cè)的精度。

另外，即使在測(cè)定面上第二粒子17所占的面積比率為17％以上且34％以下，但在測(cè)定面的90μm²的面積的范圍內(nèi)的第二粒子17的個(gè)數(shù)超過250個(gè)時(shí)，也存在多個(gè)結(jié)晶粒徑小的第二粒子17。這樣，在存在多個(gè)結(jié)晶粒徑小的第二粒子17時(shí)，第二粒子17所吸收的光減少，來自吸附面8的反射光因第一粒子16的反射而變強(qiáng)，因此無法提高圖像識(shí)別中的電子部件7的位置檢測(cè)的精度。另外，即使在測(cè)定面上第二粒子17所占的面積比率為17％以上且34％以下，但在測(cè)定面的90μm²的面積的范圍內(nèi)的第二粒子17的個(gè)數(shù)小于150個(gè)時(shí)，也存在多個(gè)結(jié)晶粒徑大的第二粒子17。這樣，在存在多個(gè)結(jié)晶粒徑大的第二粒子17時(shí)，隨著反復(fù)進(jìn)行電子部件7的裝卸，在吸附面8上容易產(chǎn)生第二粒子17的脫粒，脫粒部分的反射率變高，因此無法提高圖像識(shí)別中的電子部件7的位置檢測(cè)的精度。

并且，測(cè)定面上的第二粒子17的面積比率以及個(gè)數(shù)例如可以采用以下的方法算出。首先，在測(cè)定面中選取任意的部位，使用sem以10000倍的倍率進(jìn)行觀察，拍攝面積為90μm²(例如橫向的長(zhǎng)度為11.5μm、縱向的長(zhǎng)度為7.8μm)的范圍。接著，制作出在該拍攝出的圖像中僅提取第二粒子17而得到的圖像。然后，應(yīng)用圖像解析軟件“a像くん”(注冊(cè)商標(biāo)、旭化成工程(株式會(huì)社)制，以后在記作圖像解析軟件“a像くん”的情況下，表示旭化成工程(株式會(huì)社)制的圖像解析軟件)的粒子解析這樣的方法來進(jìn)行圖像解析即可。需要說明的是，作為“a像くん”的解析條件，例如將粒子的亮度設(shè)為“暗”、將二值化的方法設(shè)為“自動(dòng)”即可。

另外，在本公開的吸嘴1中，也可以是，在測(cè)定面上，相鄰的第二粒子17的重心間距離的平均值為0.6μm以上且1.0μm以下。此處的重心間距離的平均值是指相鄰的第二粒子17的重心彼此的最短距離的平均值。即，重心間距離的平均值是表示第二粒子17彼此的分散程度的指標(biāo)。相鄰的第二粒子17的重心間距離的平均值為0.6μm以上且1.0μm以下時(shí)，吸附面8上的色斑所引起的反射光的不均、機(jī)械強(qiáng)度的不均得到抑制，因此能夠進(jìn)一步提高圖像識(shí)別中的電子部件7的位置檢測(cè)的精度。

另外，在本公開的吸嘴1中，也可以是，在測(cè)定面上，具有按當(dāng)量圓直徑計(jì)為0.6μm以上的粒徑的第二粒子17的個(gè)數(shù)的比例為25％以下。這樣，在具有按當(dāng)量圓直徑計(jì)為0.6μm以上的粒徑的第二粒子17的個(gè)數(shù)的比例為25％以下時(shí)，不容易發(fā)生脫粒的第二粒子17的個(gè)數(shù)少，因此能夠抑制電子部件7的裝卸的反復(fù)所引起的脫粒。需要說明的是，此處的當(dāng)量圓直徑是指與所觀察到的第二粒子17的面積相當(dāng)?shù)膱A的直徑。

并且，對(duì)于相鄰的第二粒子17的重心間距離的平均值以及具有按當(dāng)量圓直徑計(jì)為0.6μm以上的粒徑的第二粒子17的個(gè)數(shù)的比例，與求解測(cè)定面上的第二粒子17的面積比率以及個(gè)數(shù)時(shí)同樣，可以通過使用圖像解析軟件“a像くん”來求出。需要說明的是，對(duì)于相鄰的第二粒子17的重心間距離的平均值，應(yīng)用分散度計(jì)測(cè)這樣的方法即可。另一方面，具有按當(dāng)量圓直徑計(jì)為0.6μm以上的粒徑的第二粒子17的個(gè)數(shù)的比例應(yīng)用粒子解析這樣的方法即可。

另外，在本公開的吸嘴1中，也可以是，在吸附面8上，根據(jù)粗糙度曲線而求出的峰度rku大于3且為4.5以下。在此，峰度rku是表示表面的尖銳的尺度即峭度的指標(biāo)。并且，若峰度rku為3，則表示表面上的成為凸部的部分以及成為凹部的部分的峭度處于正態(tài)分布的狀態(tài)。另一方面，若峰度rku大于3，則成為凸部的部分以及成為凹部的部分的頂部成為尖銳的形狀。

并且，若在吸附面8上峰度rku大于3且為4.5以下，則成為凸部的部分以及成為凹部的部分的頂部成為尖銳的形狀，由此在成為凸部的部分以及成為凹部的部分的頂部處光不容易反射。因而，吸附面8的反射率變低，能夠進(jìn)一步提高圖像識(shí)別中的電子部件7的位置檢測(cè)的精度。

在此，吸附面8上的峰度rku可以依據(jù)jisb0601(2001)并使用市售的接觸式或非接觸式的表面粗糙度計(jì)來測(cè)定。作為測(cè)定條件，例如將測(cè)定長(zhǎng)度設(shè)定為0.05～2.5mm、將截止值設(shè)定為0.005～0.8mm、將掃描速度設(shè)定為0.03～1.5mm/秒即可。

另外，在本公開的吸嘴1中，也可以是，在吸附面8上，根據(jù)粗糙度曲線而求出的偏度rsk大于0。在此，偏度rsk是表示成為凸部的部分與成為凹部的部分的對(duì)稱性的指標(biāo)。并且，若偏度rsk大于0，則表示成為凹部的部分的區(qū)域比成為凸部的部分大。

這樣，若在吸附面8上偏度rsk大于0，則成為凹部的部分的區(qū)域大，因此光在成為凹部的區(qū)域內(nèi)效率良好地漫反射，能夠抑制光從吸附面8向外反射。因而，能夠更進(jìn)一步提高圖像識(shí)別中的電子部件7的位置檢測(cè)的精度。

需要說明的是，吸附面8上的偏度rsk與求解峰度rku時(shí)同樣，依據(jù)jisb0601(2001)并使用市售的接觸式或非接觸式的表面粗糙度計(jì)來測(cè)定即可。

另外，也可以是，在第一粒子16中，氧化鋯的正方晶以及立方晶的比率合計(jì)為80％以上。在滿足這樣的結(jié)構(gòu)時(shí)，吸嘴1的機(jī)械強(qiáng)度提高。需要說明的是，就該比率而言，可以進(jìn)行第一粒子16的x線衍射測(cè)定，使用測(cè)定出的氧化鋯的單斜晶(111)以及(11-1)的反射峰值強(qiáng)度、正方晶以及立方晶的(111)的反射峰值強(qiáng)度，并通過將單斜晶的(111)記作im(111)、將單斜晶的(11-1)記作im(11-1)、將正方晶的(111)記作it(111)、將立方晶的(111)記作ic(111)的下述的方程式來算出該比率。

(it(111)+ic(111))/(im(111)+im(11-1)+it(111)+ic(111))×100。

并且，為了調(diào)整氧化鋯的正方晶以及立方晶的比率，例如可以使用由氧化釔、氧化鈰、氧化鈣、氧化鎂中的至少任一方構(gòu)成的穩(wěn)定化劑。具體而言，為了使第一粒子16中的正方晶以及立方晶的比率合計(jì)為80％以上，可以在氧化鋯與穩(wěn)定化劑的合計(jì)100摩爾％中，使用2～8摩爾％左右的穩(wěn)定化劑來使氧化鋯穩(wěn)定化。

另外，第一粒子16的平均結(jié)晶粒徑也可以按當(dāng)量圓直徑計(jì)為0.5μm以下。在像這樣第一粒子16的平均結(jié)晶粒徑按當(dāng)量圓直徑計(jì)為0.5μm以下時(shí)，不容易發(fā)生脫粒。若第一粒子16的平均結(jié)晶粒徑按當(dāng)量圓直徑計(jì)為0.45μm以下，則更加不容易發(fā)生脫粒。

并且，如上所述，本公開的吸嘴1作為黑色成分而包含在周期表中屬于第四族～第十族的元素的氧化物或復(fù)合氧化物。并且，這些黑色成分具有導(dǎo)電性，因此本公開的吸嘴1的表面電阻值為10³～10¹¹ω，具有半導(dǎo)電性。因此，本公開的吸嘴1即使在吸嘴1通過高速移動(dòng)并與空氣摩擦而產(chǎn)生的靜電的作用下帶電，也能夠經(jīng)由保持構(gòu)件11和裝配機(jī)2而除去該靜電。另外，使吸附的電子部件7所帶有的靜電急速放出的情況少，因此能夠抑制電子部件7發(fā)生放電破壞。另外，能夠抑制在吸嘴1接近電子部件7時(shí)電子部件7因靜電的斥力而被吹飛的現(xiàn)象。

接著，說明本公開的吸嘴1的制造方法的一例。

首先，在包含穩(wěn)定化劑的氧化鋯粉末(以下，簡(jiǎn)記作氧化鋯粉末)與黑色成分粉末的合計(jì)100質(zhì)量份中，秤量62.2～81.1質(zhì)量份的平均粒徑為0.3～1.0μm的氧化鋯粉末，添加溶劑并使用球磨機(jī)、珠磨機(jī)等將其粉碎到平均粒徑成為0.2～0.5μm為止，將其作為第一漿料。

接著，混合氧化鐵粉末、氧化鉻粉末以及氧化鈦粉末，秤量18.9～37.8質(zhì)量份的平均粒徑為0.3～2.0μm的黑色成分粉末，添加溶劑并使用球磨機(jī)、珠磨機(jī)等而將其粉碎到平均粒徑成為0.1～0.5μm為止，將其作為第二漿料。需要說明的是，在此，作為黑色成分粉末的一例而使用了氧化鐵粉末、氧化鉻粉末以及氧化鈦粉末，但只要通過添加而使氧化鋯質(zhì)陶瓷呈黑色的色調(diào)即可，也可以使用氧化錳粉末、氧化鎳粉末。

另外，關(guān)于研磨所使用的球、珠，優(yōu)選使用不會(huì)發(fā)生磨損而給氧化鋯質(zhì)陶瓷的機(jī)械強(qiáng)度、色調(diào)帶來影響的材質(zhì)。例如，若為球，則優(yōu)選使用黑色系的陶瓷球，優(yōu)選使用由與氧化鋯質(zhì)陶瓷同樣或近似的組成的氧化鋯質(zhì)陶瓷構(gòu)成的球。

接著，通過向第一漿料以及第二漿料添加陰離子系的分散劑并在將它們混合之后由噴霧干燥機(jī)進(jìn)行噴霧干燥而形成為顆粒。在此，通過添加陰離子系的分散劑，能夠不使第二粒子17凝集而分散地存在。在上述的調(diào)配組成中，陰離子系的分散劑相對(duì)于氧化鋯粉末以及黑色成分粉末的合計(jì)100質(zhì)量份而添加0.1～1.0質(zhì)量份，由此能夠使吸附面8上的測(cè)定面的90μm²的面積的范圍內(nèi)的第二粒子17的個(gè)數(shù)為150個(gè)以上且250個(gè)以下。

接著，將該顆粒、熱塑性樹脂、蠟等放入拌合機(jī)并一邊加熱一邊混煉而得到壞土。并且，通過將所得到的壞土放入造粒機(jī)，由此能夠得到成為注射成形(注塑成形)用的原料的球團(tuán)。需要說明的是，作為向拌合機(jī)放入的熱塑性樹脂，可以使用乙烯乙酸乙烯酯共聚物、聚苯乙烯、丙烯酸系樹脂等。作為熱塑性樹脂的添加量，相對(duì)于氧化鋯粉末以及黑色成分粉末的合計(jì)100質(zhì)量份而添加10～25質(zhì)量份左右的熱塑性樹脂即可。另外，就使用拌合機(jī)進(jìn)行的混煉條件而言，將加熱溫度設(shè)定為100～170℃、將混煉時(shí)間設(shè)定為0.5～3小時(shí)即可。

并且，為了使測(cè)定面上的相鄰的第二粒子17的重心間距離的平均值為0.6μm以上且1.0μm以下，將使用拌合機(jī)進(jìn)行的混煉時(shí)間設(shè)定為1.0～2.0小時(shí)即可。

接著，通過將所得到的球團(tuán)放入注射成形機(jī)(注塑成形機(jī))并進(jìn)行注塑成形，從而在得到成形體之后，切斷多余的原料冷卻而固化成的流道。

在此，為了得到本公開的吸嘴1的形狀，基于通常的注塑成形法來制作可得到吸嘴1的形狀的成形模，將該成形模設(shè)置于注射成形機(jī)并進(jìn)行注塑成形即可。另外，該成形模的內(nèi)表面的表面性狀被轉(zhuǎn)印到成形體的表面，因此為了在吸附面上使峰度rku大于3且為4.5以下、或使偏度rsk大于0，使用在內(nèi)表面具有與之相應(yīng)的表面性狀的成形模來制作成形體即可。

接著，在對(duì)成形體進(jìn)行脫脂后，在大氣氣氛中，以1300～1500℃的溫度保持1～3小時(shí)而進(jìn)行燒成，由此能夠得到本公開的由氧化鋯質(zhì)陶瓷構(gòu)成的吸嘴1。

并且，為了使測(cè)定面上的具有按當(dāng)量圓直徑計(jì)為0.6μm以上的粒徑的第二粒子17的個(gè)數(shù)的比例為25％以下，以1300～1450℃以下的溫度進(jìn)行燒成即可。

實(shí)施例1

制作測(cè)定面上的第二粒子所占的面積比率以及個(gè)數(shù)不同的吸嘴，進(jìn)行了電子部件的位置檢測(cè)精度的確認(rèn)。

首先，準(zhǔn)備按質(zhì)量比為88∶10∶2混合了氧化鐵粉末、氧化鉻粉末、氧化鈦粉末的平均粒徑為1.1μm的黑色成分粉末，在氧化鋯粉末與黑色成分粉末的合計(jì)100質(zhì)量份中，以使黑色成分粉末的添加量成為表1所示的量的方式進(jìn)行了秤量。接著，添加溶劑即水，放入球磨機(jī)并進(jìn)行粉碎，由此得到了漿料。

另外，準(zhǔn)備平均粒徑為0.7μm的包含穩(wěn)定化劑的氧化鋯粉末，秤量出成為從氧化鋯粉末與黑色成分粉末的合計(jì)100質(zhì)量份減去表1所示的黑色成分粉末的添加量而得到的值的量。然后，添加溶劑即水，放入球磨機(jī)并進(jìn)行粉碎，由此得到了漿料。

接著，對(duì)向所得到的各漿料添加表1所示的量的陰離子系的分散劑而得到的物質(zhì)進(jìn)行混合，并通過噴霧干燥機(jī)進(jìn)行噴霧干燥，由此得到了顆粒。需要說明的是，表1的分散劑量以相對(duì)于氧化鋯粉末以及黑色成分粉末的合計(jì)量100質(zhì)量份的添加量進(jìn)行表示。并且，相對(duì)于氧化鋯粉末以及黑色成分粉末的合計(jì)100質(zhì)量份添加合計(jì)20質(zhì)量份的乙烯乙酸乙烯酯共聚物、聚苯乙烯、丙烯酸系樹脂以及蠟，并將它們與所得到的顆粒一起在拌合機(jī)中進(jìn)行了混煉。需要說明的是，作為混煉條件，一邊保持為約140℃的溫度一邊混煉0.5小時(shí)而制作了壞土。接著，將所得到的壞土放入造粒機(jī)而得到了成為注射成形用的原料的球團(tuán)。然后，將該球團(tuán)放入注射成形機(jī)，得到了成為吸嘴的成形體。

然后，將該成形體放入干燥機(jī)并進(jìn)行了干燥之后，在大氣氣氛中以1500℃的溫度保持約1小時(shí)來燒成，由此得到了燒結(jié)體。然后，使用金剛石磨粒沿著吸嘴的長(zhǎng)邊方向?qū)λ玫降奈斓臒Y(jié)體的吸附面進(jìn)行了1μm程度的鏡面研磨加工。

接著，在進(jìn)行了鏡面研磨加工處理的面即測(cè)定面中選取任意的部位，并使用sem以10000倍的倍率進(jìn)行觀察，拍攝了面積成為90μm²(橫向的長(zhǎng)度為11.5μm、縱向的長(zhǎng)度為7.8μm)的范圍的圖像。接著，制作出在該拍攝出的圖像中僅提取第二粒子而得到的圖像。然后，應(yīng)用圖像解析軟件“a像くん”的粒子解析這樣的方法來進(jìn)行圖像解析，由此算出了測(cè)定面上的第二粒子所占的面積比率和測(cè)定面的90μm²的面積的范圍內(nèi)的第二粒子的個(gè)數(shù)。

需要說明的是，作為“a像くん”的解析條件，將粒子的亮度設(shè)為“暗”，將二值化的方法設(shè)為“自動(dòng)”。

接著，進(jìn)行了電子部件的位置檢測(cè)精度的確認(rèn)。首先，經(jīng)由保持構(gòu)件而將各試樣即吸嘴安裝于裝配機(jī)，使用圖1所示的結(jié)構(gòu)的安裝裝置，從托盤取出0603類型(尺寸為0.6mm×0.3mm)的電子部件，針對(duì)各試樣進(jìn)行20萬次的安裝于模擬基板上的測(cè)試，求出了電子部件的位置偏移的產(chǎn)生率(產(chǎn)生次數(shù)/20萬次×100)。將結(jié)果表示在表1中。

[表1]

*在本發(fā)明的范圍外。

根據(jù)表1所示的結(jié)果，在吸嘴的測(cè)定面上的第二粒子的面積比率小于17％的試樣編號(hào)1、2中，位置偏移的產(chǎn)生率為0.70％以上。這是因?yàn)椋嚇泳幪?hào)1、2的吸附面的亮度高，因此吸附面的反射光強(qiáng)，圖像識(shí)別中的電子部件的位置檢測(cè)的精度低。另外，在吸嘴的測(cè)定面上的第二粒子的面積比率超過34％的試樣編號(hào)6、11中，位置偏移的產(chǎn)生率為0.50％以上。這是因?yàn)椋嚇泳幪?hào)6、11的機(jī)械強(qiáng)度低，因此在反復(fù)進(jìn)行20萬次的電子部件的裝卸中，在吸附面上產(chǎn)生脫粒，脫粒部分的反射率變高。

并且，在即使吸嘴的測(cè)定面上的第二粒子的面積比率為17％以上且34％以下但第二粒子的個(gè)數(shù)小于150個(gè)的試樣編號(hào)7中，位置偏移的產(chǎn)生率高達(dá)0.30％。這是因?yàn)?，在試樣編?hào)7的吸附面存在多個(gè)結(jié)晶粒徑大的第二粒子，因此在反復(fù)進(jìn)行20萬次的電子部件的裝卸中，吸附面的第二粒子發(fā)生脫粒，該脫粒部分的反射率變高。另外，在即使吸嘴的測(cè)定面上的第二粒子的面積比率為17％以上且34％以下但第二粒子的個(gè)數(shù)超過250個(gè)的試樣編號(hào)10中，位置偏移的產(chǎn)生率高達(dá)0.10％。這是因?yàn)?，在試樣編?hào)10的吸附面存在多個(gè)結(jié)晶粒徑小的第二粒子，因此由第二粒子吸收的光少，吸附面的反射光因第一粒子的反射而變強(qiáng)。

與此相對(duì)，在吸嘴的測(cè)定面上的第二粒子所占的面積比率為17％以上且34％以下且測(cè)定面的90μm²的面積的范圍內(nèi)的第二粒子的個(gè)數(shù)為150個(gè)以上且250個(gè)以下的試樣編號(hào)3～5、8、9中，位置偏移的產(chǎn)生率低至0.05％以下。這是因?yàn)椋嚇泳幪?hào)3～5、8、9即使反復(fù)進(jìn)行20萬次的電子部件的裝卸，脫粒也少，能夠通過反射率低的黑色的色調(diào)來提高圖像識(shí)別中的電子部件的位置檢測(cè)的精度。因而可知，通過將這樣的吸嘴利用于裝配機(jī)，能夠提高電子部件的安裝精度。

實(shí)施例2

接著，制作相鄰的第二粒子的重心間距離的平均值不同的試樣，進(jìn)行了電子部件的位置檢測(cè)精度的確認(rèn)。需要說明的是，作為制作方法，除了將拌合機(jī)的混煉時(shí)間設(shè)為表2所示的時(shí)間這點(diǎn)以外，其他與實(shí)施例1的試樣編號(hào)4的制作方法同樣。另外，試樣編號(hào)16是與實(shí)施例1的試樣編號(hào)4相同的試樣。

并且，采用與實(shí)施例1同樣的方法來進(jìn)行僅提取出第二粒子的圖像的制作，應(yīng)用圖像解析軟件“a像くん”的分散度計(jì)測(cè)這樣的方法來進(jìn)行圖像解析，由此算出了測(cè)定面上的相鄰的第二粒子的重心間距離的平均值。

接著，為了確認(rèn)電子部件的位置檢測(cè)精度，采用與實(shí)施例1同樣的方法而求出了電子部件的位置偏移的產(chǎn)生率。將結(jié)果表示在表2中。

[表2]

根據(jù)表2所示的結(jié)果，在吸嘴的測(cè)定面上相鄰的第二粒子的重心間距離的平均值為0.6～1.0μm的試樣編號(hào)13～15中，位置偏移的產(chǎn)生率低至0.008％以下。這是因?yàn)?，試樣編?hào)13～15的第二粒子在吸附面上分散地存在，吸附面的色斑、機(jī)械強(qiáng)度的不均少，能夠使圖像識(shí)別中的電子部件的位置檢測(cè)的精度更高。因而可知，通過將這樣的吸嘴利用于裝配機(jī)，能夠?qū)崿F(xiàn)更高的安裝精度。

實(shí)施例3

接著，制作具有按當(dāng)量圓直徑計(jì)為0.6μm以上的粒徑的第二粒子的個(gè)數(shù)的比例不同的試樣，并進(jìn)行了電子部件的位置檢測(cè)精度的確認(rèn)。需要說明的是，作為制作方法，除了將燒成溫度設(shè)為表3所示的溫度這點(diǎn)以外，其他與實(shí)施例2的試樣編號(hào)14的制作方法同樣。另外，試樣編號(hào)19是與實(shí)施例2的試樣編號(hào)14相同的試樣。

然后，采用與實(shí)施例1同樣的方法，進(jìn)行僅提取出第二粒子的圖像的制作，應(yīng)用圖像解析軟件“a像くん”的粒子解析這樣的方法來進(jìn)行圖像解析，由此算出了測(cè)定面上的具有按當(dāng)量圓直徑計(jì)為0.6μm以上的粒徑的第二粒子的個(gè)數(shù)的比例(存在比率)。

接著，為了確認(rèn)電子部件的位置檢測(cè)精度，采用與實(shí)施例1同樣的方法求出了電子部件的位置偏移的產(chǎn)生率。將結(jié)果表示在表3中。需要說明的是，在表3中，將測(cè)定面上的具有按當(dāng)量圓直徑計(jì)為0.6μm以上的粒徑的第二粒子的個(gè)數(shù)的比例僅表示為“比例”。

[表3]

根據(jù)表3所示的結(jié)果，在吸嘴的測(cè)定面上具有按當(dāng)量圓直徑計(jì)為0.6μm以上的粒徑的第二粒子的個(gè)數(shù)的比例為25％以下的試樣編號(hào)17、18中，位置偏移的產(chǎn)生率為0.003％以下這樣非常低的產(chǎn)生率。這是因?yàn)椋谠嚇泳幪?hào)17、18中，容易發(fā)生脫粒的第二粒子的個(gè)數(shù)少，因此即使反復(fù)進(jìn)行20萬次的電子部件的裝卸，也能夠抑制吸附面的第二粒子的脫粒。因而可知，通過將這樣的吸嘴利用與裝配機(jī)，能夠進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)更高的安裝精度。

實(shí)施例4

接著，制作在吸附面上根據(jù)粗糙度曲線而求出的峰度rku不同的試樣，進(jìn)行了電子部件的位置檢測(cè)精度的確認(rèn)。需要說明的是，作為制作方法，除了將設(shè)置于注射成形機(jī)的成形模的內(nèi)表面的表面性狀變更為使試樣成為表4所示的峰度rku這點(diǎn)以外，其他與實(shí)施例1的試樣編號(hào)4的制作方法同樣。另外，試樣編號(hào)20是與實(shí)施例1的試樣編號(hào)4相同的試樣。

并且，就各試樣的吸附面上的峰度rku而言，依據(jù)jisb0601(2001)并使用市售的非接觸式的表面粗糙度計(jì)來進(jìn)行了測(cè)定。作為測(cè)定條件，將測(cè)定長(zhǎng)度設(shè)定為0.25mm、將截止值設(shè)定為0.025mm、將掃描速度設(shè)定為0.3mm/秒。

接著，為了確認(rèn)電子部件的位置檢測(cè)精度，采用與實(shí)施例1同樣的方法而求出了電子部件的位置偏移的產(chǎn)生率。將結(jié)果表示在表4中。

[表4]

根據(jù)表4所示的結(jié)果，在吸嘴的吸附面上根據(jù)粗糙度曲線而求出的峰度rku大于3且為4.5以下的試樣編號(hào)21～24中，位置偏移的產(chǎn)生率低至0.008％以下。這是因?yàn)?，試樣編?hào)21～24的吸附面成為了反射率小的表面性狀，因此能夠提高圖像識(shí)別中的電子部件的位置檢測(cè)的精度。因而可知，通過將這樣的吸嘴利用于裝配機(jī)，能夠?qū)崿F(xiàn)更高的安裝精度。

實(shí)施例5

接著，制作在吸附面上根據(jù)粗糙度曲線而求出的偏度rsk不同的試樣，并進(jìn)行了電子部件的位置檢測(cè)精度的確認(rèn)。需要說明的是，作為制作方法，除了將設(shè)置于注射成形機(jī)的成形模的內(nèi)表面的表面性狀變更為使試樣成為表5所示的偏度rsk這點(diǎn)以外，其他與實(shí)施例4的試樣編號(hào)23的制作方法同樣。另外，試樣編號(hào)26是與實(shí)施例4的試樣編號(hào)23相同的試樣。

并且，以與實(shí)施例4相同的條件并使用市售的非接觸式的表面粗糙度計(jì)而測(cè)定了各試樣的吸附面的偏度rsk。

接著，為了確認(rèn)電子部件的位置檢測(cè)精度，采用與實(shí)施例1同樣的方法而求出了電子部件的位置偏移的產(chǎn)生率。將結(jié)果表示在表5中。

[表5]

根據(jù)表5所示的結(jié)果，在吸嘴的吸附面上根據(jù)粗糙度曲線而求出的偏度rsk大于0的試樣編號(hào)27～29中，位置偏移的產(chǎn)生率為0.004％以下這樣非常低的產(chǎn)生率。這是因?yàn)?，試樣編?hào)27～29的吸附面成為了反射率更小的表面性狀，因此能夠提高圖像識(shí)別中的電子部件的位置檢測(cè)的精度。因而可知，通過將這樣的吸嘴利用于裝配機(jī)，能夠進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)更高的安裝精度。

附圖標(biāo)記說明

1：吸嘴

2：裝配機(jī)

3：燈

4：ccd相機(jī)

5：圖像解析裝置

6：托盤

7：電子部件

8：吸附面

9：圓筒部

10：圓錐部

11：保持構(gòu)件

12：吸引孔

13：凸部

14：凹部

15：吸引孔

16：第一粒子

17：第二粒子