一種釹鐵硼永磁體存放箱的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種存放箱，尤其涉及一種釹鐵硼永磁體存放箱。
【背景技術(shù)】
[0002]目如，欽鐵棚是當(dāng)代磁性最強(qiáng)的永磁體，它不僅具有尚剩磁、尚矯頑力、尚磁能積、高性價(jià)比等優(yōu)點(diǎn)，而且容易加工成各種尺寸，特別適用于各種性能、小型化、輕型化的電子
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[0003]但是，現(xiàn)有的存放箱由于密封不好，導(dǎo)致釹鐵硼磁體腐蝕；另一方面，由于溫度過(guò)高而損壞釹鐵硼磁體。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型的目的就在于為了解決上述問(wèn)題而提供一種釹鐵硼永磁體存放箱。
[0005]本實(shí)用新型通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)上述目的：
[0006]本實(shí)用新型包括箱體，所述箱體包括真空箱、水冷層、屏蔽殼，所述水冷層設(shè)置于所述真空箱的外壁上，所述屏蔽殼設(shè)置于所述水冷層的外壁上，所述箱體的一側(cè)設(shè)置有箱至
ΠΠ O
[0007]進(jìn)一步，所述箱體的上端面上設(shè)置有抽真空閥口。
[0008]進(jìn)一步，所述箱體一側(cè)下端設(shè)置有放水口，所述放水口穿過(guò)所述屏蔽殼與所述水冷層連接。
[0009]進(jìn)一步，所述箱體一側(cè)下端設(shè)置有進(jìn)水口，所述進(jìn)水口穿過(guò)所述屏蔽殼與所述水冷層連接。
[0010]進(jìn)一步，所述箱蓋上設(shè)置有單向出氣閥和密封口，所述密封口環(huán)繞所述單向出氣閥設(shè)置。
[0011 ] 進(jìn)一步，所述箱蓋的四周設(shè)置有密封圈。
[0012]本實(shí)用新型的有益效果在于：
[0013]本實(shí)用新型提供一種釹鐵硼磁體的存放箱，其設(shè)置三層防護(hù)結(jié)構(gòu)，保證了釹鐵硼磁體不被損壞；本實(shí)用新型具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、性能穩(wěn)定和使用壽命較長(zhǎng)的優(yōu)點(diǎn)。
【附圖說(shuō)明】
[0014]圖I是本實(shí)用新型所述一種釹鐵硼永磁體存放箱的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015]圖2是本實(shí)用新型所述箱蓋的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0016]圖中：1_箱體、2-屏蔽殼、3-水冷層、4-真空箱、5-箱蓋、6-進(jìn)水口、7-密封圈、8-密封口、9-單向出氣閥、10-抽真空閥口、11-放水口。
【具體實(shí)施方式】
[0017]下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明：
[0018]如圖I和圖2所不：本實(shí)用新型包括箱體I，箱體I包括真空箱4、水冷層3、屏蔽殼2，水冷層3設(shè)置于真空箱4的外壁上，屏蔽殼2設(shè)置于水冷層3的外壁上，箱體I的一側(cè)設(shè)置有箱蓋5，箱體I的上端面上設(shè)置有抽真空閥口 10，箱體I 一側(cè)下端設(shè)置有放水口 11，放水口 11穿過(guò)屏蔽殼2與水冷層3連接，箱體I 一側(cè)下端設(shè)置有進(jìn)水口 6，進(jìn)水口 6穿過(guò)屏蔽殼2與水冷層3連接，箱蓋5上設(shè)置有單向出氣閥9和密封口 8，密封口 8環(huán)繞單向出氣閥9設(shè)置，箱蓋5的四周設(shè)置有密封圈7。
[0019]本領(lǐng)域技術(shù)人員不脫離本實(shí)用新型的實(shí)質(zhì)和精神，可以有多種變形方案實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型，以上所述僅為本實(shí)用新型較佳可行的實(shí)施例而已，并非因此局限本實(shí)用新型的權(quán)利范圍，凡運(yùn)用本實(shí)用新型說(shuō)明書(shū)及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)變化，均包含于本實(shí)用新型的權(quán)利范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種釹鐵硼永磁體存放箱，其特征在于：包括箱體，所述箱體包括真空箱、水冷層、屏蔽殼，所述水冷層設(shè)置于所述真空箱的外壁上，所述屏蔽殼設(shè)置于所述水冷層的外壁上，所述箱體的一側(cè)設(shè)置有箱蓋。2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種釹鐵硼永磁體存放箱，其特征在于：所述箱體的上端面上設(shè)置有抽真空閥口。3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種釹鐵硼永磁體存放箱，其特征在于：所述箱體一側(cè)下端設(shè)置有放水口，所述放水口穿過(guò)所述屏蔽殼與所述水冷層連接。4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種釹鐵硼永磁體存放箱，其特征在于：所述箱體一側(cè)下端設(shè)置有進(jìn)水口，所述進(jìn)水口穿過(guò)所述屏蔽殼與所述水冷層連接。5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種釹鐵硼永磁體存放箱，其特征在于：所述箱蓋上設(shè)置有單向出氣閥和密封口，所述密封口環(huán)繞所述單向出氣閥設(shè)置。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種釹鐵硼永磁體存放箱，其特征在于：所述箱蓋的四周設(shè)置有密封圈。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種釹鐵硼永磁體存放箱，包括箱體，所述箱體包括真空箱、水冷層、屏蔽殼，所述水冷層設(shè)置于所述真空箱的外壁上，所述屏蔽殼設(shè)置于所述水冷層的外壁上，所述箱體的一側(cè)設(shè)置有箱蓋。本實(shí)用新型提供一種釹鐵硼磁體的存放箱，其設(shè)置三層防護(hù)結(jié)構(gòu)，保證了釹鐵硼磁體不被損壞；本實(shí)用新型具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、性能穩(wěn)定和使用壽命較長(zhǎng)的優(yōu)點(diǎn)。
【IPC分類】B25H3/02
【公開(kāi)號(hào)】CN205148281
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520835516
【發(fā)明人】林敬霞, 陳西云, 王學(xué)中, 劉派, 張作恒
【申請(qǐng)人】北京祐林永磁材料有限公司
【公開(kāi)日】2016年4月13日
【申請(qǐng)日】2015年10月27日