專利名稱：陶瓷疊層及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及陶瓷疊層及其制造方法，尤其涉及用于高頻電路的疊層陶瓷基板及其制造方法。
為了達(dá)到這一要求，有一種應(yīng)用提議，通過堆疊其上形成有電容器線路圖案的絕緣陶瓷基板和其上形成有電感器線路圖案的磁性陶瓷基板，使用這種高頻電路的疊層陶瓷基板來取代表面安裝有電容器和電感器的電路板，其中，基板內(nèi)包括有電容器和電感器。用這樣的陶瓷疊層來作為高頻電路板能夠?qū)崿F(xiàn)微型化和成型簡單化，現(xiàn)正在考慮將其商業(yè)化。
附圖7A是一種陶瓷疊層實(shí)施例的透視圖。從附圖7B可以看到，陶瓷疊層70是以這種方式制造，即將絕緣陶瓷疊層71和磁性陶瓷疊層73相互堆疊，然后用大約800-1300℃的高溫將其整體燒結(jié)在一起而成，絕緣陶瓷疊層71是由許多(圖示為三個(gè))其上分別地形成有構(gòu)成電容器的線路圖案71A、71B和71C的絕緣陶瓷層(基板)72A、72B和72C組成，磁性的陶瓷疊層73是由許多(圖示三個(gè))其上分別形成有構(gòu)成電感器的線路圖案73A、73B和73C的磁性陶瓷層(基板)74A、74B和74C組成。如由玻璃陶瓷制成的陶瓷層可以用作絕緣陶瓷層71A，71B和71C。如NiCLZn系鐵氧體可以用作磁性陶瓷層73A，73B和73C。
因?yàn)樘沾莎B層70本身包括電感器和電容器，所以它能減少用于表面安裝元件的電感器和電容器的數(shù)量。因此，用這種陶瓷疊層作為用于高頻電路的電路板能夠使高頻電路模塊小型化。
采用傳統(tǒng)技術(shù)制造的陶瓷疊層出現(xiàn)的問題如附圖8C所示。因?yàn)樵跓Y(jié)不同材料的堆疊陶瓷層以形成一個(gè)單一的陶瓷燒結(jié)體的過程當(dāng)中，絕緣陶瓷疊層和磁性陶瓷疊層之間的收縮系數(shù)有差異，陶瓷疊層80會產(chǎn)生一個(gè)彎曲。彎曲的程度取決于陶瓷層的種類和厚度、材料粉末和粘和劑的混合比率、原料粉末的粒徑和形狀及燒結(jié)條件等。
在陶瓷疊層80沒有彎曲的情況下，參見附圖8A，分別在相鄰陶瓷層81和82上形成的線路圖案83和84之間沒有電接觸的斷開。另一方面，在陶瓷疊層80出現(xiàn)彎曲的情況下，參見附圖8B，因?yàn)樘沾蓪?1和82彼此剝離，在相鄰陶瓷層81和82上形成的線路圖案83和84也會彼此分離。在這種情形下，線路阻抗的增高導(dǎo)致高頻電路模塊的性能的極大降低。進(jìn)而，如果彎曲增大，參見附圖8C，引起陶瓷疊層80出現(xiàn)破裂85，因此會大大減低產(chǎn)量。
特別地，本發(fā)明將提供一種通過堆疊具有不同熱收縮系數(shù)的陶瓷層，例如在每個(gè)絕緣陶瓷層和磁性陶瓷層上彼此疊加，而形成的沒有彎曲的陶瓷疊層，以及制造這種陶瓷疊層的方法。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的特征在于將金屬氧化物制成的中間層設(shè)于至少一對相鄰陶瓷層之間的邊界上。
根據(jù)這種構(gòu)造，由于陶瓷層是通過金屬氧化物的中間層彼此固定，其熱收縮系數(shù)間的差別比利用粉末燒結(jié)技術(shù)進(jìn)行接合的熱收縮系數(shù)間的差別小，同時(shí)中間層還作為絕緣層。由于這個(gè)原因，可獲得高穩(wěn)定性且成型簡單的陶瓷疊層。特別地，金屬氧化物通過氧原子與陶瓷層中含有的元素相接合。因此，比通過樹脂彼此連接在一起時(shí)這種陶瓷層相互之間接觸得更緊密，這樣以來，陶瓷疊層具有高防潮性能和高接觸性能。
進(jìn)一步，根據(jù)本發(fā)明，中間層位于凹陷區(qū)域處，該區(qū)域被陶瓷層的至少一個(gè)表面上形成的每一個(gè)線路圖案所環(huán)繞。
根據(jù)這種構(gòu)造，陶瓷層在相鄰陶瓷層的線路圖案相互接觸的位置電連接，并且在環(huán)繞線路圖案的凹處通過金屬氧化物中間層彼此機(jī)械接合(或固定)。由于這個(gè)原因，應(yīng)力比在全部形成連結(jié)層時(shí)小。在要使用電連接的地方能做到具有高可靠性的電連接，并且在要使用機(jī)械接合的地方能夠保證機(jī)械接合和交錯(cuò)線路圖案的絕緣。由此，可獲得成型簡單和可靠的陶瓷疊層。
優(yōu)選地，至少一對相鄰的陶瓷層具有不同的熱收縮系數(shù)。
優(yōu)選地，中間層由金屬醇鹽溶液的溶膠-凝膠反應(yīng)產(chǎn)生的金屬氧化物制成。
在這種情況下，中間層能在低溫下形成，并且通過對與兩個(gè)陶瓷層接觸的液體溶液進(jìn)行加熱而形成。金屬氧化物不出現(xiàn)在具有線路圖案的凸出位置處，但是有選擇性地出現(xiàn)在圍繞著凸處的凹處，即絕緣區(qū)域，因此，使用機(jī)械接合。由此可以實(shí)現(xiàn)成型簡單和可靠性的接合。
優(yōu)選地，中間層的厚度等于或小于每個(gè)線路圖案的厚度。
根據(jù)這種構(gòu)造，金屬氧化物不出現(xiàn)在具有線路圖案的凸處，但是選擇性地出現(xiàn)在圍繞著凸處的凹處，例如絕緣區(qū)域，因此，使用機(jī)械接合。由此，可以實(shí)現(xiàn)成型簡單和可靠性的接合。
優(yōu)選地，中間層的金屬氧化物是SiO2。
根據(jù)這種構(gòu)造，由于構(gòu)成中間層的金屬氧化物是良絕緣體，可以實(shí)現(xiàn)提高電特性的目的。
優(yōu)選地，本發(fā)明的特征在于中間層具有1.0-1.2g/cm3的密度。
優(yōu)選地，在相鄰陶瓷層之間的空隙內(nèi)填充有中間層。
根據(jù)這種構(gòu)造，在電連接的區(qū)域之外的其它區(qū)域完全填充有金屬氧化物，從而提供高性能的電連接。
優(yōu)選地，中間層在不影響線路圖案的位置形成。
優(yōu)選地，在相鄰的陶瓷層的相對表面上分別分布有線路圖案，通過兩個(gè)線路圖案間的接觸而形成至少一個(gè)接觸。
根據(jù)本發(fā)明的方法包括堆疊步驟，利用金屬醇鹽溶液堆疊至少兩個(gè)具有不同熱收縮系數(shù)的陶瓷層；和加熱處理步驟，在金屬醇鹽溶液產(chǎn)生溶膠-凝膠反應(yīng)的溫度下加熱陶瓷層，以便利用由溶膠-凝膠反應(yīng)產(chǎn)生的金屬氧化物所組成的中間層將陶瓷層彼此接合。
根據(jù)這種構(gòu)造，由于利用由金屬醇鹽溶液的溶膠-凝膠反應(yīng)產(chǎn)生的金屬氧化物所組成的中間層位于至少一對相鄰的陶瓷層之間，可以減小熱處理過程中陶瓷層的變形。因此，防止兩個(gè)陶瓷層間的熱收縮系數(shù)不同導(dǎo)致的陶瓷疊層的變形。從而，防止在具有不同熱收縮特性的磁性層和絕緣層之間或具有不同厚度的陶瓷層之間出現(xiàn)彎曲和剝離。
進(jìn)一步，由于構(gòu)成中間層的金屬氧化物，例如SiO2，通過氧元素與兩個(gè)陶瓷層中含有的元素相接合，陶瓷疊層的可靠性能，例如防潮性能，會得到提高。
優(yōu)選地，堆疊步驟是將通過金屬醇鹽溶液燒結(jié)的陶瓷層進(jìn)行堆疊。
由于燒結(jié)的陶瓷層被堆疊，在連接步驟中收縮系數(shù)的不同將導(dǎo)致陶瓷疊層彎曲。
優(yōu)選地，加熱步驟是在壓力下進(jìn)行。
在壓力下進(jìn)行加熱將在線路圖案彼此接觸的區(qū)域內(nèi)的金屬醇鹽溶液擠出，這樣金屬醇鹽溶液流動到周圍的凹處。如此可確保線路圖案間的接觸和高可靠性的接合。
優(yōu)選地，中間層的金屬氧化物是SiO2。
優(yōu)選地，加熱處理步驟是在400℃或更低的溫度下進(jìn)行。
進(jìn)一步，在不影響線路圖案的位置處形成中間層，以確保相鄰陶瓷層的線路圖案間的電連接。
從附

圖1A可以看到，一個(gè)陶瓷疊層10包括許多(該例為三個(gè))絕緣陶瓷層11A-11C和許多(該例為三個(gè))磁性陶瓷層13A-13C，它們利用由氧化硅制成的中間層1 5固定地相互堆疊。從附圖1B可以看到，在絕緣陶瓷層11A-11C上分別形成了主要組成電容器的預(yù)設(shè)線路圖案12A-12B，同時(shí)在絕緣陶瓷層13A-13C上分別形成了主要組成電感器的預(yù)設(shè)線路圖案14A-14C。應(yīng)當(dāng)注意到，所有的絕緣陶瓷層11A-11C和磁性陶瓷層13A-13C是基板。線路圖案12A-12B和14A-14C是利用已有的絲網(wǎng)印刷術(shù)形成的。
從附圖1B可以看到，陶瓷疊層10通過下面的方法來制造，在線路圖案12A-12B、14A-14C和作為中間層15的原材料的金屬醇鹽溶液薄層16A，16B，17A-17C在所有相鄰陶瓷層11A-11C和13A-13C間形成之后，堆疊所述的絕緣陶瓷層11A-11C和所述的磁性陶瓷層13A-13C并在大約200-400℃的溫度進(jìn)行熱處理。溫度在200-400℃的熱處理導(dǎo)致陶瓷層之間的金屬醇鹽溶液發(fā)生溶膠-凝膠反應(yīng)，由此形成中間層15。通過中間層15，相鄰的陶瓷層相互接合。
例如當(dāng)四甲氧基硅烷(Si(OC2H6)4)被用作金屬醇鹽溶液時(shí)，用下述水解平衡式表示溶膠-凝膠反應(yīng)
溶膠-凝膠反應(yīng)的結(jié)果產(chǎn)生穩(wěn)定的SiO2接合層(中間層)15。
該溶膠-凝膠反應(yīng)在大約200-400℃的低溫下進(jìn)行，該溫度比利用燒結(jié)法接合彼此堆疊的陶瓷層所需的燒結(jié)溫度(600℃或以上)要低得多。
因此，當(dāng)堆疊的生坯片被燒結(jié)時(shí)，在陶瓷疊層中不會產(chǎn)生彎曲。這避免這樣一個(gè)問題，即在相鄰陶瓷層上形成的線路圖案彼此分離并且在陶瓷層中產(chǎn)生破裂。
進(jìn)一步，作為溶膠-凝膠反應(yīng)產(chǎn)物的中間層15在不影響分別形成在絕緣陶瓷層11A-11C與磁性陶瓷層13A-13C上的線路圖案的位置處形成。由于這個(gè)原因，確保位于相鄰的陶瓷層上的線路圖案之間的電連接。
具有金屬氧化物的中間層15通過氧原子也和陶瓷層內(nèi)含有的元素相聯(lián)結(jié)。因此，這樣連接的陶瓷層比利用樹脂實(shí)現(xiàn)的相接合更加緊密，這樣提供防潮性能更好的陶瓷疊層。
形成中間層15的原材料可以是任何材料，只要其中包含有至少兩種可水解基團(tuán)的金屬元素的金屬醇鹽。例如，除了上述的四甲氧基硅烷外，含硅的金屬醇鹽包括四正丙氧基硅烷，四異丙氧基硅烷，四正丁氧基硅烷，四異丁氧基硅烷，苯基三乙氧基硅烷等。金屬醇鹽的硅原子(Si)也可被鈦(Ti)，鋯(Zr)，鋁(Al)，錫(Sn)或鋅(Zn)取代?？梢越Y(jié)合兩種或更多種的金屬醇鹽。
在附圖1的示例中，中間層15位于構(gòu)成陶瓷疊層10的所有陶瓷層的相鄰層之間。然而，中間層15可以位于至少一對相鄰的陶瓷層之間，例如，只位于具有不同熱收縮系數(shù)的絕緣陶瓷層11C和磁性陶瓷層13A之間。
在附圖1的示例中，由三層絕緣陶瓷層和三層磁性陶瓷層組成的六個(gè)陶瓷層被堆疊在一起而形成陶瓷疊層。當(dāng)然，實(shí)際上任何數(shù)量的片層都可以被堆疊在一起。
進(jìn)一步，附圖1中所示的線路圖案是概念性的，實(shí)際所采用的線路圖案并沒有被精確地圖示出來。第二具體實(shí)施例現(xiàn)參見附圖2A-2D，說明制造根據(jù)本發(fā)明所述的陶瓷疊層的方法。
首先，從附圖2A中可以看到，例如通過絲網(wǎng)印刷，預(yù)設(shè)的線路圖案22A-22D在每一片厚度為40-150μm的絕緣陶瓷層21A，21B與磁性陶瓷層21C，21D上分別地形成。在各個(gè)相鄰的陶瓷層21A-21D上的線路圖案22A-22D之間，暴露出每片陶瓷層21A-21D的部分表面，并且暴露的表面部分構(gòu)成每個(gè)線路圖案22A-22D的凹陷部分23。絕緣陶瓷層和磁性陶瓷層具有大約40-150μm的厚度，而線路圖案具有大約2-5μm的厚度。標(biāo)記H代表通孔。
從附圖2B中可以看到，絕緣陶瓷層21A，21B和磁性陶瓷層21C，21D被堆疊在一起形成一個(gè)陶瓷疊層20。在構(gòu)成陶瓷疊層20的陶瓷層21A-21D的相鄰片層之間，存在具有線路圖案22A-22D的區(qū)域和沒有線路圖案22A-22D的空隙23Q。
從附圖2C中可以看到，金屬醇鹽溶液24被澆在陶瓷疊層20的相鄰的陶瓷層間的每個(gè)空隙23Q內(nèi)。只有不具有線路圖案的空隙23Q內(nèi)才填充有金屬醇鹽溶液24。
陶瓷疊層20在200-400℃的溫度下以預(yù)設(shè)的時(shí)間被熱處理。在這一加熱處理過程中，通過溶膠-凝膠反應(yīng)填充在陶瓷疊層空隙23Q間的金屬溶液硬化。因此，從附圖2D中可以看到，金屬氧化物的中間層25形成。中間層25將陶瓷疊層20的相鄰的陶瓷層相互接合在一起。只有在沒有線路圖案22A-22D的空隙23Q處形成中間層25。因此，保證相鄰陶瓷層上的線路圖案之間的電連接。
附圖2中的示例是由兩層絕緣陶瓷層和磁性陶瓷層構(gòu)成的四層堆疊的陶瓷疊層。當(dāng)然，層數(shù)不應(yīng)僅限于四層。第三具體實(shí)施例下面將說明本發(fā)明的第三具體實(shí)施例。
附圖3是根據(jù)本發(fā)明第三具體實(shí)施例所述的陶瓷疊層的透視圖。一個(gè)陶瓷疊層30通過步驟4A至4D制造。
如上述第一和第二具體實(shí)施例所描述的，分別燒結(jié)磁性和絕緣陶瓷層，然后在其上印刷線路圖案。進(jìn)一步，堆疊陶瓷層并且通過金屬醇鹽溶液利用溶膠-凝膠技術(shù)將陶瓷層相互接合在一起。另一方面，在這個(gè)實(shí)施例中，一個(gè)絕緣陶瓷疊層與一個(gè)磁性陶瓷疊層在壓力下通過溶膠-凝膠技術(shù)被相互接合在一起，形成一個(gè)復(fù)合陶瓷疊層。在這種情況下，通過堆疊許多其上分別有多個(gè)線路圖案的絕緣生坯片，并且進(jìn)行燒結(jié)來制備絕緣陶瓷疊層。通過堆疊許多其上分別帶有多個(gè)線路圖案的磁性生坯片，并且進(jìn)行燒結(jié)來制備磁性陶瓷疊層。
特別的，首先，從附圖4A可以看到，例如利用絲網(wǎng)印刷技術(shù)，預(yù)設(shè)的線路圖案32A-32C和34A-34C分別在絕緣陶瓷層31A-31C和磁性陶瓷層33A-33C上形成。
絕緣陶瓷層31A-31C可以是例如鈦酸鋇陶瓷層，而磁性陶瓷層33A-33C可以是例如NiZn鐵氧體陶瓷層。
絕緣陶瓷層31A-31C上形成的線路圖案32A-32C組成主要由C(電容)原件構(gòu)成的電路，而在磁性陶瓷層33A-33C上形成的線路圖案34A-34C組成主要由L(電感)原件構(gòu)成的電路。
接下來，參見附圖4B，絕緣陶瓷層31A-31C堆疊形成一個(gè)絕緣陶瓷疊層31，磁性陶瓷層33A-33C堆疊形成一個(gè)磁性陶瓷疊層33。所述陶瓷疊層31和33在800-1600℃的高溫被燒結(jié)。
其后，參見附圖4C，金屬醇鹽溶液薄層35在絕緣陶瓷疊層31和磁性陶瓷疊層33間的結(jié)合平面(在圖示壓疊層33的上表面上形成)上形成，以便不影響線路圖案。參見附圖4D，堆疊絕緣陶瓷疊層31和磁性陶瓷疊層33，施加壓力并在大約200-400℃的溫度以預(yù)設(shè)的時(shí)間進(jìn)行加熱處理。
通過上述熱處理，通過溶膠-凝膠反應(yīng)在絕緣陶瓷疊層31和磁性陶瓷疊層33間的金屬醇鹽溶液變得堅(jiān)固，由此形成金屬氧化物中間層36。中間層36將陶瓷疊層30的絕緣陶瓷疊層31和磁性陶瓷疊層33相互接合在一起。由于所述的中間層36在沒有分布線路圖案32C和34A的位置處形成，確保了絕緣陶瓷疊層31和磁性陶瓷疊層33間的線路圖案32C和34A之間的電連接。
現(xiàn)參見附圖5，上述實(shí)施例的操作和效果將得到詳細(xì)說明。
在上面描述的實(shí)施例中，因?yàn)?，陶瓷疊層31的相鄰陶瓷層是在大約200-400℃的低溫下利用溶膠-凝膠反應(yīng)相互接合在一起的，防止由于陶瓷層間的熱收縮系數(shù)的不同造成的陶瓷疊層的變形，從而提供如附圖5A所示的沒有彎曲和剝離的陶瓷疊層50。附圖5A顯示了一個(gè)陶瓷疊層50，它是由具有相同厚度和不同熱收縮系數(shù)的一個(gè)絕緣陶瓷層51和一個(gè)磁性陶瓷層52通過金屬醇鹽溶液的溶膠-凝膠反應(yīng)形成的中間層53相互接合在一起所構(gòu)成。當(dāng)然，具有相同熱收縮系數(shù)的陶瓷層也可以被堆疊和集成，通過引入中間層53可獲得沒有彎曲和剝離的陶瓷疊層。
由于絕緣陶瓷層51和磁性陶瓷層52彼此接合的反應(yīng)是在上述低溫的條件下進(jìn)行，并且金屬醇鹽溶液構(gòu)成的中間層53介于絕緣陶瓷層51和磁性陶瓷層52間，減小組成絕緣片層的成份向磁性片層的擴(kuò)散和組成磁性片層的成份向絕緣片層的擴(kuò)散，由此可以提高陶瓷疊層31的性能。
金屬醇鹽溶液硬化所形成的中間層53具有如附圖5B所示的金屬氧化物結(jié)構(gòu)，如圖所示，中間層53也通過氧原子與絕緣陶瓷層51和磁性陶瓷層52內(nèi)含有的元素相接合。由于這個(gè)原因，在低溫下，中間層53具有比其它材料例如，樹脂，更可靠的防潮性能。
因?yàn)榫哂猩鲜鰞?yōu)點(diǎn)的陶瓷疊層能夠有電容器的寬范圍電容C和電感器的寬范圍電感L，通過減少作為表面安裝元件的電容器和電感器的數(shù)量，高頻電路模塊便能夠微型化。尤其是通過使用鐵電材料如鈦酸鋇作為絕緣陶瓷層51的材料，和使用高頻磁性材料如NiCuZn鐵酸鹽和鋇系六面體鐵氧體作為磁性陶瓷層53的材料，陶瓷疊層就可獲得比在采用鋁和玻璃陶瓷時(shí)更寬范圍的電容C值和電感L值，如此，進(jìn)一步微型化了高頻電路模塊。
附圖6A和6B是已經(jīng)實(shí)際制造出的陶瓷疊層的外形圖。每個(gè)陶瓷疊層63和64都是由鋇系六面體鐵氧體的磁性陶瓷層61和每一層都是普通LTC層的絕緣陶瓷材料層62相堆疊和結(jié)合所組成的結(jié)構(gòu)。
附圖6A顯示了通過傳統(tǒng)制造方法結(jié)合的磁性陶瓷層61和絕緣陶瓷層62所構(gòu)成的結(jié)構(gòu)，例如，通過在燒結(jié)溫度(900℃)加熱處理陶瓷材料。由于兩層之間熱特性(膨脹系數(shù)，收縮系數(shù)等)的不同，在加熱的過程當(dāng)中陶瓷疊層63產(chǎn)生彎曲和剝離，導(dǎo)致不能制出將不同種類陶瓷層相滿意結(jié)合的陶瓷疊層。
另一方面，當(dāng)相互堆疊磁性陶瓷層61和絕緣陶瓷層62時(shí)，二者間的接合平面上施加有金屬醇鹽溶液(四乙氧基硅烷和聚乙烯吡咯烷酮)，并且在一個(gè)熱板上在200℃的溫度下固化金屬醇鹽溶液，附圖6B示出這種合成結(jié)構(gòu)。由于沒有使用高溫處理，所以可以制出沒有彎曲和剝離的陶瓷疊層64。
在上述描述的具體實(shí)施例中，描述陶瓷層為不同種類材料，例如絕緣和磁性材料，的各種復(fù)合陶瓷疊層。然而，本發(fā)明也能應(yīng)用于陶瓷層采用相同材料的陶瓷疊層。即，本發(fā)明也能應(yīng)用于僅堆疊有數(shù)層絕緣陶瓷層或僅堆疊有數(shù)層磁性陶瓷層的絕緣陶瓷疊層。
從前面說明可以理解，根據(jù)本發(fā)明，至少一對相鄰的陶瓷層通過金屬氧化物層相互接合，優(yōu)選利用在低溫下的金屬醇鹽溶液的溶膠-凝膠反應(yīng)生成的金屬氧化物層相接合，避免因?yàn)閮蓚€(gè)陶瓷層間的熱收縮系數(shù)的不同產(chǎn)生的陶瓷疊層的變形，由此，提供了一種沒有彎曲和剝離的陶瓷疊層。
權(quán)利要求
1.一種陶瓷疊層，包括至少一對彼此相鄰的陶瓷層；和由金屬氧化物形成的中間層，所述金屬氧化物中間層位于所述陶瓷層的邊界之間。
2.如權(quán)利要求1所述的陶瓷疊層，其特征在于所述中間層位于被每一個(gè)線路圖案所包圍的凹陷區(qū)域內(nèi)，所述線路圖案在所述陶瓷層的至少一個(gè)表面上形成。
3.如權(quán)利要求1所述的陶瓷疊層，其特征在于至少一對所述的相鄰陶瓷層具有不同的熱收縮系數(shù)。
4.如權(quán)利要求1所述的陶瓷疊層，其特征在于所述中間層具有與每一個(gè)所述線路圖案相同或更薄些的厚度。
5.如權(quán)利要求1所述的陶瓷疊層，其特征在于所述中間層的金屬氧化物為SiO2。
6.如權(quán)利要求5所述的陶瓷疊層，其特征在于所述中間層具有1.0-1.2g/cm3的密度。
7.如權(quán)利要求1所述的陶瓷疊層，其特征在于在所述相鄰陶瓷層之間的空隙內(nèi)填充有所述的中間層。
8.如權(quán)利要求1所述的陶瓷疊層，其特征在于在所述相鄰陶瓷層的相對表面上分別具有線路圖案，并且通過兩個(gè)導(dǎo)線圖案間的接觸而形成至少一個(gè)接觸。
9.一種用于制造陶瓷疊層的方法，包括如下步驟通過金屬醇鹽溶液，堆疊至少兩個(gè)具有不同熱收縮系數(shù)的陶瓷層；和在所述金屬醇鹽溶液產(chǎn)生溶膠-凝膠反應(yīng)的溫度下，熱處理所述陶瓷層，以便通過由溶膠-凝膠反應(yīng)產(chǎn)生的金屬氧化物所構(gòu)成的中間層將所述陶瓷層彼此接合。
10.如權(quán)利要求9所述的制造陶瓷疊層的方法，其特征在于對所述陶瓷層進(jìn)行燒結(jié)。
11.如權(quán)利要求9所述的制造陶瓷疊層的方法，其特征在于在施加壓力的條件下進(jìn)行所述熱處理。
12.如權(quán)利要求9所述的制造陶瓷疊層的方法，其特征在于所述中間層的金屬氧化物為SiO2。
13.如權(quán)利要求9所述的制造陶瓷疊層的方法，其特征在于所述加熱處理是在400℃或更低的溫度下進(jìn)行。
全文摘要
為了不影響線路圖案(12A－12C)和(14A－14C)，在絕緣陶瓷層(11A－11C)和磁性陶瓷層(13A－13C)間形成了金屬醇鹽溶液薄膜。接著，絕緣陶瓷層(11A－11C)和磁性陶瓷層(13A－13C)被堆疊并在大約200－400℃的溫度下進(jìn)行加熱處理。所述熱處理導(dǎo)致了金屬醇鹽溶液的溶膠—凝膠反應(yīng)，由此產(chǎn)生中間層(15)。通過中間層(15)，相鄰的陶瓷層彼此接合。因?yàn)椋沾蓪永迷诖蠹s200－400℃低溫下進(jìn)行的溶膠—凝膠反應(yīng)而彼此接合，陶瓷層間的熱收縮系數(shù)的差異所導(dǎo)致的陶瓷疊層的變形得到了抑制。由此提供一種沒有彎曲和剝離的陶瓷疊層。
文檔編號B32B18/00GK1436032SQ031031
公開日2003年8月13日 申請日期2003年1月28日 優(yōu)先權(quán)日2002年1月28日
發(fā)明者吉川秀樹, 梅本卓史, 藏本慶一, 平野均 申請人:三洋電機(jī)株式會社