專利名稱：用于電發(fā)光元件的材料和使用這種材料的電發(fā)光元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及能通過在元件上施加電場(chǎng)而發(fā)出熒光或磷光的電發(fā)光(EL)元件，其中在一對(duì)電極之間形成含有有機(jī)化合物的膜(以下稱為電發(fā)光(EL)膜)。具體說，本發(fā)明涉及在元件的一部分中使用導(dǎo)電性聚合物材料(用于電發(fā)光元件的材料)的電發(fā)光元件。
背景技術(shù)：
迄今為止，一直期望能有其中磷光體由具有諸如自發(fā)光、薄和輕、能高速響應(yīng)和直流低壓驅(qū)動(dòng)的特性的材料制成的電發(fā)光元件應(yīng)用于下一代平板顯示器，尤其是便攜式裝置的平版顯示器中。而且，其中的電發(fā)光元件以矩陣形式排布的發(fā)光器件提供寬視角。因此，這種發(fā)光器件被認(rèn)為在可見度上是傳統(tǒng)液晶顯示器件的一種超越。
電發(fā)光元件的發(fā)光機(jī)理如下。在電發(fā)光元件中，電發(fā)光膜夾在一對(duì)電極(陰極和陽極)之間。當(dāng)電極上施加電壓時(shí)，從陰極發(fā)射的電子與從陽極發(fā)射的空穴在電發(fā)光膜中的發(fā)光中心處復(fù)合，從而形成受激分子。因此，可以假設(shè)當(dāng)受激分子回到基態(tài)時(shí)，能量的釋放就導(dǎo)致發(fā)射光。已知有兩個(gè)不同的激發(fā)態(tài)，單激發(fā)態(tài)和三激發(fā)態(tài)。電發(fā)光可以由這兩種激發(fā)態(tài)產(chǎn)生。
在將這種發(fā)光器件用于便攜式裝置時(shí)，要求低能耗。因此，降低電發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電壓就是提出的重要挑戰(zhàn)。
按照慣例，作為降低驅(qū)動(dòng)電壓的技術(shù)之一，已嘗試在電極與電發(fā)光膜之間的邊界表面上形成緩沖層。該緩沖層可以是低分子量材料或高分子量材料(即聚合物材料)。在采用低分子量材料的情況下，更具體地說，已報(bào)導(dǎo)了可在電發(fā)光膜與陽極之間的邊界表面上形成采用以銅酞菁(Cu-Pc)和m-MTDATA為代表的稱為星芒(starburst)胺的高分子量芳基胺的緩沖層(文獻(xiàn)1Y.Shirota，Y.Kuwabara，H.Inada，T.Wakimoto，H.Nakada，Y.Yonemoto，S.Kawami和K.Imai，Appl.Phys.Lett.，65，pp.807(1994))。此外，這些材料每一種都具有比形成陽極的電極材料的功函高的HOMO能級(jí)，因而能使空穴發(fā)射屏障降低。
此外，在采用聚合物材料的情況下，用聚乙烯二氧噻吩(PEDOT)作為電發(fā)光膜與陽極之間的邊界表面的緩沖層已作為實(shí)施例報(bào)導(dǎo)(文獻(xiàn)2J.M.Bharathan和Y.YangAppl.Phys.Lett.，72，pp.2660(1998))。而且通常將PEDOT與聚苯乙烯磺酸鹽(PSS)摻雜，從而表現(xiàn)出能實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電聚合物功能的導(dǎo)電性。
此外，在采用聚合物材料的情況下，在電極上形成了由與電極有大的接觸面積的導(dǎo)電聚合物制成的緩沖層。從而能使通過緩沖層在電極上形成的發(fā)光層的附著力增加，可提高空穴發(fā)射效率，以降低驅(qū)動(dòng)電壓。
此外，最近還報(bào)導(dǎo)了一種方法，包括通過起路易斯酸作用的無機(jī)材料在作為聚合物材料提供的三苯胺衍生物上的作用形成自由陽離子，以制備導(dǎo)電性提高的層，用于與電極的邊界表面中(文獻(xiàn)3A.Yamamori，C.Adachi，T.Koyama和Y.Taniguchi，Appl.Phys.Lett.，72，pp.2147-2149(1998))。
與低分子量材料比較，聚合物材料容易進(jìn)行高耐熱性處理。因此，聚合物材料是形成緩沖層的優(yōu)選材料。在用PEDOT作為這種聚合物材料的情況下，用有機(jī)磺酸作為摻雜劑，以獲得導(dǎo)電性，使得用水作為溶劑成為必不可少的條件。
然而，我們知道，水的存在一般會(huì)明顯損壞電發(fā)光元件。為了提高電發(fā)光元件的可靠性，要求制備采用聚合物材料的緩沖層，而無需水作為溶劑。
此外，為了提供導(dǎo)電性聚合物材料，有一種采用無機(jī)材料作為摻雜劑的方法，如上所述。然而此時(shí)在工業(yè)上是不理想的，因?yàn)樾枰褂脤?duì)環(huán)境有害的諸如銻(Sb)的材料。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種用于電發(fā)光元件(以下稱為EL元件)的對(duì)環(huán)境無害的材料，該材料的緩沖層可不用水作為溶劑來形成，且該材料與緩沖層常用的聚合物材料不同。本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種電發(fā)光元件，它能通過使用電發(fā)光元件的材料而改善從電極的載流子發(fā)射性能，除提高了元件的可靠性外，還同時(shí)降低了元件的驅(qū)動(dòng)電壓。
為了解決上述問題，如圖1A所示，在包括第一電極101、緩沖層102、電發(fā)光(EL)膜103和第二電極104的電發(fā)光(EL)元件中，本發(fā)明的發(fā)明人已發(fā)現(xiàn)了使用一種新穎的導(dǎo)電材料作為第一電極101上形成的緩沖層102。該導(dǎo)電材料包括可溶于有機(jī)溶劑的聚合物化合物(所謂的共軛聚合物化合物)，在其主鏈或側(cè)鏈上有共軛鍵；以及可溶于有機(jī)溶劑的化合物，它對(duì)于該聚合物化合物有受體或供體性能。
制備本發(fā)明的緩沖層102的特征在于，用nonprotic或中性化合物作為具有受體或供體性能的可溶于有機(jī)溶劑的化合物。此外，共軛聚合物化合物可以是能溶解在有機(jī)溶劑中的任何化合物。具體而言，優(yōu)選的是采用氧化還原聚合物(氧化一還原聚合物)，通過摻入受體化合物或供體化合物，能形成具有高的陽極空穴發(fā)射性能的緩沖層，或形成具有高的陰極電子發(fā)射性能的緩沖層。
此外，可溶于有機(jī)溶劑的、在其主鏈或側(cè)鏈上有共軛鍵的上述聚合物化合物(共軛聚合物)包括其中的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元數(shù)(聚合度)為約2-20的低級(jí)聚合物(低聚物)。
此處，在本發(fā)明的緩沖層102中產(chǎn)生的反應(yīng)示于圖1B。當(dāng)緩沖層102由共軛聚合物與受體化合物(圖中簡(jiǎn)寫為受體)構(gòu)成時(shí)，該受體化合物從共軛聚合物中拉出電子。結(jié)果使共軛聚合物相當(dāng)于載流子(空穴)。此時(shí)，就是說，與緩沖層102接觸的電極變成了陽極。另一方面，當(dāng)緩沖層102由共軛聚合物與供體化合物(圖中簡(jiǎn)寫為供體)構(gòu)成時(shí)，該供體化合物給共軛聚合物提供電子。結(jié)果使共軛聚合物相當(dāng)于載流子(電子)。此時(shí)，就是說，與緩沖層102接觸的電極變成了陰極。
圖1C是說明緩沖層102由共軛聚合物與受體化合物構(gòu)成的的情況的示意圖。在這種情況下，第一電極(陽極)101從共軛聚合物中存在的受體能級(jí)(acceptorlevel)拉出電子，同時(shí)通過發(fā)射到緩沖層102中而給受體能級(jí)帶來空穴。此外，發(fā)射的空穴遷移到緩沖層102中的HOMO能級(jí)。隨后空穴遷移到電發(fā)光膜103中的HOMO能級(jí)。在此情況下，空穴從第一電極101到緩沖層102的遷移在很小的能級(jí)差下發(fā)生，使這種遷移很容易發(fā)生。此外，與從第一電極101直接發(fā)射比較，當(dāng)已發(fā)射的空穴從受體能級(jí)遷移到電發(fā)光膜103中的HOMO能級(jí)時(shí)，能級(jí)差得到釋放。因此，可提高第一電極的空穴發(fā)射性能。
圖1D是說明緩沖層102由共軛聚合物與供體化合物構(gòu)成的的情況的示意圖。在這種情況下，電子從第一電極(陰極)101發(fā)射到共軛聚合物中存在的供體能級(jí)。此外，已發(fā)射電子遷移到緩沖層102中的LUMO能級(jí)。隨后電子遷移到電發(fā)光膜103中的LUMO能級(jí)。在此情況下，電子從第一電極101到緩沖層102的遷移在很小的能級(jí)差下發(fā)生，使這種遷移很容易發(fā)生。此外，與從第一電極101直接發(fā)射比較，當(dāng)已發(fā)射電子從緩沖層102中的LUMO能級(jí)遷移到電發(fā)光膜103中的LUMO能級(jí)時(shí)，能級(jí)差得到釋放。因此，可提高第一電極101的電子發(fā)射性能。
根據(jù)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)，提供了用于電發(fā)光元件的材料，包括以下的結(jié)合在主鏈或側(cè)鏈上帶有共軛鍵的聚合物化合物；和至少一種選自具有受體性能的并分別用以下通式(1)到(7)表示的化合物。
(X1到X4氫原子、鹵素原子或氰基)[通式2] (X1和X2氫原子、鹵素原子或氰基) (X1到X4氫原子、鹵素原子或烷基Y1到Y(jié)2二氰基亞甲基或氰基亞氨基) [通式4] (n＝1到2)[通式5] (X1到X4氫原子或硝基Y氧原子或二氰基亞甲基) (n＝1到3)[通式7] (n＝0到1)根據(jù)本發(fā)明的另一種結(jié)構(gòu)，提供了用于電發(fā)光元件的材料，包括以下的結(jié)合在主鏈或側(cè)鏈上帶有共軛鍵的聚合物化合物；和至少一種選自具有供體性能的并分別用以下通式(8)到(11)表示的化合物。
(X1到X4S、Se或TeR1到R4氫原子或烷基，或R1和R2，或R3和R4可互相連接并形成亞烷基鏈或縮合的環(huán)) (X1到X8S、Se或TeR1到R4氫原子或烷基，或R1和R2，或R3和R4可互相連接并形成亞烷基鏈或烯屬雙鍵)[通式10] (X1到X4S、Se或Ten和m＝0到1)[通式11] (X1和X2S、Se或TeR1到R4氫原子、烷基、芳基n＝0到1)
根據(jù)本發(fā)明的另一種結(jié)構(gòu)，提供了一種帶有陽極、緩沖層、電發(fā)光層和陰極的電發(fā)光元件，其中與陽極接觸形成的緩沖層由用于電發(fā)光元件的材料構(gòu)成，且該材料包括以下的結(jié)合在其主鏈或側(cè)鏈上共軛的聚合物化合物；和至少一種選自具有受體性能并分別用以上通式(1)到(7)表示的化合物。
根據(jù)本發(fā)明的另一種結(jié)構(gòu)，提供了一種帶有陽極、緩沖層、電發(fā)光層和陰極的電發(fā)光元件，其中與陰極接觸形成的緩沖層由用于電發(fā)光元件的材料構(gòu)成，且該材料包括以下的結(jié)合在其主鏈或側(cè)鏈上共軛的聚合物化合物；和至少一種選自具有供體性能并分別用以上通式(8)到(11)表示的化合物。


在附圖中圖1A到1D是說明根據(jù)本發(fā)明的電發(fā)光(EL)元件的構(gòu)造示意圖；圖2A和2B是說明根據(jù)本發(fā)明在陽極側(cè)具有緩沖層的電發(fā)光(EL)元件的構(gòu)造示意圖；圖3A和3B是說明根據(jù)本發(fā)明在陰極側(cè)具有緩沖層的電發(fā)光(EL)元件的構(gòu)造示意圖；和圖4是說明對(duì)電發(fā)光元件的電特性的測(cè)量的曲線圖。
具體實(shí)施例方式
以下將參考附圖描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式。
現(xiàn)在參考附圖2A和2B，表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式1的電發(fā)光(EL)元件。在這種情況下，緩沖層202在第一電極201上形成。此外，在緩沖層202上，依次形成了電發(fā)光(EL)膜203和第二電極204。正如在本說明書中的“發(fā)明內(nèi)容”中已提及的，本發(fā)明具有其緩沖層202包括以下的結(jié)合的特征在其主鏈或側(cè)鏈上共軛的聚合物化合物(以下稱為共軛聚合物)；和至少一種選自具有受體性能的化合物，包括通式(1)表示的對(duì)苯醌衍生物；通式(2)表示的萘醌衍生物；通式(3)表示的四氰基醌二甲烷衍生物或二氰基醌二亞胺；通式(4)表示的化合物；通式(5)表示的化合物；通式(6)表示的化合物；和通式(7)表示的化合物。
此外，具有受體性能并由通式(1)到(7)表示的化合物的具體實(shí)例分別用以下化學(xué)式(A1)到(A8)表示。
(A1苯醌衍生物) 對(duì)苯醌 氯醌 DDQ(A2萘醌衍生物) 萘醌 2，3-二氯萘醌 2，3-二氰基萘醌(A3四氰基醌二甲烷衍生物)

(A4二氰基醌二亞胺衍生物) 2-(2，4，5，7-四硝基亞芴-9-基)-丙二腈

此外，在實(shí)施方式1的情況下，由于緩沖層202由具有受體性能的材料制成，第一電極201可作為陽極。此外，第一電極201是起陽極作用的電極，從而可優(yōu)選的由具有大功函的陽極材料形成。然而，并不是總需要用具有大功函的材料，因?yàn)榈谝浑姌O20 1的空穴發(fā)射性能可通過緩沖層202的形成得到提高。
然而，為了改善元件特性，用氧化銦錫(ITO)制成的透明導(dǎo)電膜作為陽極材料，以形成第一電極201(圖2B)。
其次，在第一電極201上形成緩沖層202。緩沖層202可用上述材料的結(jié)合制備。如圖2B所示，用翠綠亞胺基聚苯胺(以下稱為EB-PAni)作為共軛聚合物，并用四氰基醌二甲烷(以下稱為TCNQ)作為受體分子。此外，形成膜厚為20-50nm(優(yōu)選的30nm)的緩沖層202。而且，作為形成緩沖層202的方法，可采用涂覆法、旋涂法、噴涂法等。
然后，在緩沖層202上形成電發(fā)光膜203。電發(fā)光膜203可用單一材料形成，或形成由多種材料制成的多層結(jié)構(gòu)。
當(dāng)形成多層結(jié)構(gòu)的電發(fā)光膜203時(shí)，它可由具有不同作用的層結(jié)合構(gòu)成，例如空穴發(fā)射層、空穴傳輸層、光發(fā)射層，和空穴阻隔層(阻隔層)、電子傳輸層，和電子發(fā)射層，使得電發(fā)光膜203包括具有光發(fā)射性能的至少一層。
在實(shí)施方式1中，如圖2B所示，電發(fā)光膜203作為空穴傳輸層211與電子傳輸層212的多層結(jié)構(gòu)形成。具體而言，空穴傳輸層211用30nm膜厚的4，4’-雙[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]-二苯基(以下稱為α-NPD)制備，作為具有空穴傳輸性能的材料，而電子傳輸層212用50nm膜厚的三(8-quinolinolato)鋁(以下稱為Alq3)制備，作為具有電子傳輸性能的材料。此外，在這種多層結(jié)構(gòu)的情況下，用于形成電子傳輸層212的Alq3具有光發(fā)射性能。
然后在電發(fā)光膜203上形成第二電極204。此外，用具有小功函的陰極材料(特別是功函為3.5eV或更小的材料)制備第二電極204，以提供起到陰極作用的電極。在本文中，第二電極204可作為由單一材料形成的單層結(jié)構(gòu)，或作為由多種材料構(gòu)成的多層結(jié)構(gòu)來形成。在實(shí)施方式1中，如圖2B所示，描述了通過將膜厚2nm的氟化鋰(LiF)與膜厚100nm的鋁(Al)層壓形成陰極204。此時(shí)，形成具有兩種功能的電極就成為可能采用氟化鋰(LiF)的陰極204的功函降低和采用鋁(Al)使陰極204的電導(dǎo)率提高。此外，作為陰極材料，可不加限制地用具有較小功函的公知材料的任何組合來制備電極。
如上所述，不用水作為溶劑的緩沖層可用作為在其主鏈或側(cè)鏈上共軛的化合物(以下稱為共軛聚合物)與至少一種選自具有受體性能的化合物的結(jié)合提供的材料(電發(fā)光元件用材料)來制備，所述具有受體性能的化合物包括通式(1)表示的對(duì)苯醌衍生物；通式(2)表示的萘醌衍生物；通式(3)表示的四氰基醌二甲烷衍生物或二氰基醌二亞胺；通式(4)表示的化合物；通式(5)表示的化合物；通式(6)表示的化合物；和通式(7)表示的化合物。此外，由于這種緩沖層的形成能改善由電極(實(shí)施方式1中的陽極)的載流子(空穴)發(fā)射性能，因而可降低電發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電壓，同時(shí)保持其高可靠性。
現(xiàn)在參考附圖3A和3B，表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式2的電發(fā)光(EL)元件。在這種情況下，在第一電極301上形成緩沖層302。而且在緩沖層302上，依次形成了電發(fā)光(EL)膜303和第二電極304。本發(fā)明的特征在于，緩沖層302包括以下的結(jié)合在其主鏈或側(cè)鏈上共軛的聚合物化合物(以下稱為共軛聚合物)；和至少一種選自具有供體性能的化合物，包括通式(8)表示的化合物；通式(9)表示的化合物；通式(10)表示的化合物；和通式(11)表示的化合物。
此外，具有供體性能并由通式(8)到(11)表示的化合物的具體實(shí)例分別用以下化學(xué)式(D1)到(D4)表示。



而且在實(shí)施方式2的情況下，由于緩沖層302由具有供體性能的材料制成，第一電極301可作為陰極。此外，第一電極301是起陰極作用的電極，從而可優(yōu)選的由具有小功函的陰極材料形成。然而，并不是總需要用具有小功函的材料，因?yàn)榈谝浑姌O301的電子發(fā)射性能可通過緩沖層302的形成得到提高。
然而在這種情況下，形成的約120nm厚的鋁(Al)膜被用作陰極材料，以形成第一電極301(圖3B)。
其次，在第一電極301上形成緩沖層302。緩沖層302可用上述材料的結(jié)合制備。如圖3B所示，此處用EB-PAni作為共軛聚合物，并用四硫代富瓦烯(以下稱為TTF)作為供體聚合物。此外，形成膜厚為20-50nm(優(yōu)選的30nm)的緩沖層302。而且，作為形成緩沖層302的方法，可采用涂覆法、旋涂法、噴涂法等。
然后，在緩沖層302上形成電發(fā)光膜303。電發(fā)光膜303可用單一材料形成，或形成由多種材料制成的多層結(jié)構(gòu)。
當(dāng)形成多層結(jié)構(gòu)的電發(fā)光膜303時(shí)，它可由具有不同作用的層結(jié)合構(gòu)成，例如空穴發(fā)射層、空穴傳輸層、光發(fā)射層，和空穴阻隔層(阻隔層)、電子傳輸層，和電子發(fā)射層，使得電發(fā)光膜303包括具有光發(fā)射性能的至少一層。
在實(shí)施方式2中，如圖3B所示，電發(fā)光膜303作為電子傳輸層311、空穴傳輸層312和空穴發(fā)射層313的多層結(jié)構(gòu)形成。具體而言，電子傳輸層311用50nm膜厚的具有電子傳輸性能的材料Alq3制備；空穴傳輸層312用30nm膜厚的具有空穴傳輸性能的材料α-NPD來制備；而空穴發(fā)射層313用20nm膜厚的具有空穴發(fā)射性能的材料銅酞菁(以下稱為Cu-Pc)來制備。此外，在這種多層結(jié)構(gòu)的情況下，用于形成電子傳輸層311的Alq3具有光發(fā)射性能。
然后在電發(fā)光膜303上形成第二電極304。此外，用具有大功函的陽極材料(特別是功函為4.0eV或更高的材料)制備第二電極304，以提供起到陽極作用的電極。在本文中，第二電極304可作為由單一材料形成的單層結(jié)構(gòu)，或作為由多種材料構(gòu)成的多層結(jié)構(gòu)來形成。在實(shí)施方式2中，如圖3B所示，描述了通過層壓膜厚20nm的金(Au)形成第二電極304。此外，作為用作第二電極304的陽極材料，可不加限制地用具有較大功函的公知材料的任何組合來制備電極。
如上所述，不用水作為溶劑的緩沖層可用作為在其主鏈或側(cè)鏈上共軛的化合物(以下稱為共軛聚合物)與至少一種選自具有供體性能的化合物的結(jié)合提供的材料(電發(fā)光元件用材料)來制備，所述具有供體性能的化合物包括通式(8)表示的化合物；通式(9)表示的化合物；通式(10)表示的化合物；和通式(11)表示的化合物。此外，由于這種緩沖層的形成能改善由電極(實(shí)施方式2中的陰極)的載流子(電子)發(fā)射性能，因而可降低電發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電壓，同時(shí)保持其高可靠性。
在實(shí)施方式3中，描述了對(duì)本發(fā)明的電發(fā)光元件的電特性的測(cè)量。在該實(shí)施方式中，用于測(cè)量的電發(fā)光元件具有這樣的結(jié)構(gòu)，其中緩沖層與實(shí)施方式1中描述的陽極表面接觸。
而且為了比較采用本發(fā)明的材料的緩沖層的形成的效果與未采用本發(fā)明的材料的緩沖層的形成的效果之間的差別，在以下條件下制備了三種不同的電發(fā)光元件(1)不用緩沖層，(2)用Cu-PC作為緩沖層，和(3)采用本發(fā)明的緩沖層(EB-PAni+TCNQ)。分別測(cè)量其特性。
作為以上三種電發(fā)光元件，(1)不存在緩沖層時(shí)，通過一個(gè)接一個(gè)地依次層壓ITO(120nm)(陽極)/α-NPD(50nm)/Alq3(50nm)/CaF(2nm)/Al(100nm)(陰極)來制備元件；(2)在用Cu-Pc作為緩沖層的情況下，通過一個(gè)接一個(gè)地依次層壓ITO(120nm)(陽極)/Cu-PC(20nm)(緩沖層)/α-NPD(30nm)/Alq3(50nm)/CaF(2nm)/Al(100nm)(陰極)來制備元件；和(3)在采用本發(fā)明的緩沖層(EB-PAni+TCNQ)的情況下，通過一個(gè)接一個(gè)地依次層壓ITO(120nm)(陽極)/(EB-PAni+TCNQ)(約30nm)(緩沖層)/α-NPD(30nm)/Alq3(50nm)/CaF(2nm)/Al(100nm)(陰極)來制備元件。
測(cè)量結(jié)果如圖4所示。用本發(fā)明的緩沖層的電發(fā)光元件(3)與其他兩種比較，表現(xiàn)出最低的驅(qū)動(dòng)電壓。此外可以理解的是，采用本發(fā)明的緩沖層的電發(fā)光元件(3)的驅(qū)動(dòng)電壓低于采用Cu-Pc作為緩沖層的元件(2)，因?yàn)榈?1)項(xiàng)的緩沖層由于用聚合物膜形成而具有導(dǎo)電性(摻入受體)以及平整性，等等。
通過采用本發(fā)明的電發(fā)光元件用材料，與用普通聚合物材料形成緩沖層的情況不同，可形成不用水作為溶劑的緩沖層。而且在用本發(fā)明的電發(fā)光元件用材料形成的電發(fā)光元件中，能改善電極的載流子發(fā)射性能，并提高元件的可靠性，同時(shí)降低其驅(qū)動(dòng)電壓。
權(quán)利要求
1.電發(fā)光元件用材料，包括在其主鏈和側(cè)鏈的至少一個(gè)上含有共軛鍵的聚合物化合物；和以下通式(1)表示的化合物[通式1] (X1到X4氫原子、鹵素原子或氰基)。
2.電發(fā)光元件用材料，包括在其主鏈和側(cè)鏈的至少一個(gè)上含有共軛鍵的聚合物化合物；和以下通式(2)表示的化合物[通式2] (X1和X2氫原子、鹵素原子或氰基)。
3.電發(fā)光元件用材料，包括在其主鏈和側(cè)鏈的至少一個(gè)上含有共軛鍵的聚合物化合物；和以下通式(3)表示的化合物 (X1到X4氫原子、鹵素原子或烷基Y1到Y(jié)2二氰基亞甲基或氰基亞氨基)
4.電發(fā)光元件用材料，包括在其主鏈和側(cè)鏈的至少一個(gè)上含有共軛鍵的聚合物化合物；和以下通式(4)表示的化合物[通式4] (n＝1到2)。
5.電發(fā)光元件用材料，包括在其主鏈和側(cè)鏈的至少一個(gè)上含有共軛鍵的聚合物化合物；和以下通式(5)表示的化合物[通式5] (X1到X4氫原子或硝基Y氧原子或二氰基亞甲基)。
6.電發(fā)光元件用材料，包括在其主鏈和側(cè)鏈的至少一個(gè)上含有共軛鍵的聚合物化合物；和以下通式(6)表示的化合物[通式6] (n＝1到3)。
7.電發(fā)光元件用材料，包括在其主鏈和側(cè)鏈的至少一個(gè)上含有共軛鍵的聚合物化合物；和以下通式(7)表示的化合物[通式7] (n＝0到1)。
8.電發(fā)光元件用材料，包括在其主鏈和側(cè)鏈的至少一個(gè)上含有共軛鍵的聚合物化合物；和以下通式(8)表示的化合物[通式8] (X1到X4S、Se或TeR1到R4氫原子或烷基，或R1和R2，或R3和R4可互相連接并形成亞烷基鏈或縮合的環(huán))。
9.電發(fā)光元件用材料，包括在其主鏈和側(cè)鏈的至少一個(gè)上含有共軛鍵的聚合物化合物；和以下通式(9)表示的化合物[通式9] (X1到X8S、Se或TeR1到R4氫原子或烷基，或R1和R2，或R3和R4可互相連接并形成亞烷基鏈或烯屬雙鍵)。
10.電發(fā)光元件用材料，包括在其主鏈和側(cè)鏈的至少一個(gè)上含有共軛鍵的聚合物化合物；和以下通式(10)表示的化合物[通式10] (X1到X4S、Se或Ten和m＝0到1)。
11.電發(fā)光元件用材料，包括在其主鏈和側(cè)鏈的至少一個(gè)上含有共軛鍵的聚合物化合物；和以下通式(11)表示的化合物[通式11] (X1和X2S、Se或TeR1到R4氫原子、烷基、芳基n＝0到1)。
12.電發(fā)光元件，包括陽極；緩沖層；電發(fā)光層；和陰極，其中緩沖層與陽極接觸，且緩沖層含有電發(fā)光元件用材料，所述材料含有在其主鏈和側(cè)鏈的至少一個(gè)上含有共軛鍵的聚合物化合物；和以下通式(1)表示的化合物[通式1] (X1到X4氫原子、鹵素原子或氰基)。
13.電發(fā)光元件，包括陽極；緩沖層；電發(fā)光層；和陰極，其中緩沖層與陽極接觸，且緩沖層含有電發(fā)光元件用材料，所述材料含有在其主鏈和側(cè)鏈的至少一個(gè)上含有共軛鍵的聚合物化合物；和以下通式(2)表示的化合物[通式2] (X1和X2氫原子、鹵素原子或氰基)。
14.電發(fā)光元件，包括陽極；緩沖層；電發(fā)光層；和陰極，其中緩沖層與陽極接觸，且緩沖層含有電發(fā)光元件用材料，所述材料含有在其主鏈和側(cè)鏈的至少一個(gè)上含有共軛鍵的聚合物化合物；和以下通式(3)表示的化合物[通式3] (X1到X4氫原子、鹵素原子或烷基Y1到Y(jié)2二氰基亞甲基或氰基亞氨基)
15.電發(fā)光元件，包括陽極；緩沖層；電發(fā)光層；和陰極，其中緩沖層與陽極接觸，且緩沖層含有電發(fā)光元件用材料，所述材料含有在其主鏈和側(cè)鏈的至少一個(gè)上含有共軛鍵的聚合物化合物；和以下通式(4)表示的化合物[通式4] (n＝1到2)。
16.電發(fā)光元件，包括陽極；緩沖層；電發(fā)光層；和陰極，其中緩沖層與陽極接觸，且緩沖層含有電發(fā)光元件用材料，所述材料含有在其主鏈和側(cè)鏈的至少一個(gè)上含有共軛鍵的聚合物化合物；和以下通式(5)表示的化合物[通式5] (X1到X4氫原子或硝基Y氧原子或二氰基亞甲基)。
17.電發(fā)光元件，包括陽極；緩沖層；電發(fā)光層；和陰極，其中緩沖層與陽極接觸，且緩沖層含有電發(fā)光元件用材料，所述材料含有在其主鏈和側(cè)鏈的至少一個(gè)上含有共軛鍵的聚合物化合物；和以下通式(6)表示的化合物[通式6] (n＝1到3)。
18.電發(fā)光元件，包括陽極；緩沖層；電發(fā)光層；和陰極，其中緩沖層與陽極接觸，且緩沖層含有電發(fā)光元件用材料，所述材料含有在其主鏈和側(cè)鏈的至少一個(gè)上含有共軛鍵的聚合物化合物；和以下通式(7)表示的化合物[通式7] (n＝0到1)。
19.電發(fā)光元件，包括陽極；緩沖層；電發(fā)光層；和陰極，其中緩沖層與陰極接觸，且緩沖層含有電發(fā)光元件用材料，所述材料含有在其主鏈和側(cè)鏈的至少一個(gè)上含有共軛鍵的聚合物化合物；和以下通式(8)表示的化合物[通式8] (X1到X4S、Se或TeR1到R4氫原子或烷基，或R1和R2，或R3和R4可互相連接并形成亞烷基鏈或縮合的環(huán))。
20.電發(fā)光元件，包括陽極；緩沖層；電發(fā)光層；和陰極，其中緩沖層與陰極接觸，且緩沖層含有電發(fā)光元件用材料，所述材料含有在其主鏈和側(cè)鏈的至少一個(gè)上含有共軛鍵的聚合物化合物；和以下通式(9)表示的化合物[通式9] (X1到X8S、Se或TeR1到R4氫原子或烷基，或R1和R2，或R3和R4可互相連接并形成亞烷基鏈或烯屬雙鍵)。
21.電發(fā)光元件，包括陽極；緩沖層；電發(fā)光層；和陰極，其中緩沖層與陰極接觸，且緩沖層含有電發(fā)光元件用材料，所述材料含有在其主鏈和側(cè)鏈的至少一個(gè)上含有共軛鍵的聚合物化合物；和以下通式(10)表示的化合物[通式10] (X1到X4S、Se或Ten和m＝0到1)。
22.電發(fā)光元件，包括陽極；緩沖層；電發(fā)光層；和陰極，其中緩沖層與陰極接觸，且緩沖層含有電發(fā)光元件用材料，所述材料含有在其主鏈和側(cè)鏈的至少一個(gè)上含有共軛鍵的聚合物化合物；和以下通式(11)表示的化合物[通式11] (X1和X2S、Se或TeR1到R4氫原子、烷基、芳基n＝0到1)。
23.根據(jù)權(quán)利要求1到22的任何一個(gè)的電發(fā)光元件用材料，其中在其主鏈或側(cè)鏈上含有共軛鍵的聚合物化合物具有氧化還原性能。
24.根據(jù)權(quán)利要求1到22的任何一個(gè)的電發(fā)光元件用材料，其中在其主鏈或側(cè)鏈上含有共軛鍵的聚合物化合物包括翠綠亞胺基聚苯胺。
全文摘要
提供了一種電發(fā)光元件用材料，其中與緩沖層中常用的聚合物材料不同的是，緩沖層可不用水作為溶劑來形成，以及采用這種材料的電發(fā)光元件。根據(jù)本發(fā)明，在包括第一電極(101)、緩沖層(102)、電發(fā)光(EL)膜(103)和第二電極(104)的電發(fā)光(EL)元件中(如圖1A所示)，用第一電極(101)上形成的導(dǎo)電材料作為緩沖層(102)。該導(dǎo)電材料包括在其主鏈或側(cè)鏈上帶有共軛鍵的可溶于有機(jī)溶劑的聚合物化合物(所謂的共軛聚合物)；對(duì)于該聚合物化合物具有受體或供體性能的可溶于有機(jī)溶劑的化合物。
文檔編號(hào)B32B9/00GK1483784SQ03127778
公開日2004年3月24日 申請(qǐng)日期2003年7月29日 優(yōu)先權(quán)日2002年7月31日
發(fā)明者瀨尾哲史, 山崎寬子, 子 申請(qǐng)人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所