專利名稱：配線基板、電光學(xué)裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及配線基板、電光學(xué)裝置及其制造方法背景技術(shù)在電致發(fā)光面板中，為了區(qū)劃相鄰的發(fā)光層形成凸起。在凸起的下面，形成配線。當(dāng)為了盡可能離開地配置2條配線，將它們配置在不同高度上多少偏移的位置上時(shí)，在其上形成的凸起成為左右非對(duì)稱的。結(jié)果，因?yàn)橥蛊鸬膬A斜成為左右非對(duì)稱的，所以各發(fā)光層的膜厚變得不均勻。這種情況，不限于電致發(fā)光面板，也存在于具有形成用于區(qū)劃多個(gè)功能層的凸起，在凸起下面通過多條配線的構(gòu)造的裝置中。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是減少凸起的左右非對(duì)稱性。
(1)與本發(fā)明有關(guān)的配線基板具有基板、設(shè)置在基板上方，用于區(qū)劃多個(gè)區(qū)域的凸起、和在上述凸起與上述基板之間形成的導(dǎo)電層和第1及第2配線，上述凸起包含上面和夾著上述上面的一對(duì)側(cè)面，上述一對(duì)側(cè)面對(duì)于上述基板傾斜對(duì)稱的角度。如果根據(jù)本發(fā)明，則因?yàn)橥蛊鸪蔀樽笥覍?duì)稱的，所以能夠在由凸起區(qū)劃的區(qū)域中形成均勻的膜。(2)在該配線基板上，上述第1配線形成在比上述第2配線更接近上述基板的位置上，使上述第1配線和第2配線在寬度方向上偏移地進(jìn)行配置，上述導(dǎo)電層形成在比上述第2配線更接近上述基板的位置上，使上述導(dǎo)電層和上述第2配線在寬度方向上偏移地進(jìn)行配置，
使上述導(dǎo)電層和上述第1配線分別具有在相反的寬度方向上從上述第2配線露出的部分地進(jìn)行配置。如果根據(jù)本發(fā)明，則因?yàn)閺牡?配線的兩側(cè)露出導(dǎo)電層和第1配線，所以能夠減少其上的凸起的左右非對(duì)稱性。
(3)在該配線基板上，上述導(dǎo)電層從上述第2配線露出的長(zhǎng)度與上述第1配線從上述第2配線露出的長(zhǎng)度也可以相等。
(4)在該配線基板上，也可以使上述第2配線，在上述一對(duì)側(cè)面間的方向上，通過上述凸起的中央地形成。
(5)在該配線基板上，上述凸起包含由無機(jī)材料構(gòu)成的第1凸起部分和由有機(jī)材料構(gòu)成的在上述第1凸起部分上面形成的第2凸起部分，也可以使上述第2配線，在上述一對(duì)側(cè)面間的方向上，通過上述第1和第2凸起部分的各自的中央地形成。
(6)在該配線基板上，也可以在上述基板上形成凹部，使上述導(dǎo)電層和上述第1配線配置在上述凹部?jī)?nèi)不超過上述基板表面的高度上。
(7)在該配線基板上，上述導(dǎo)電層也可以是電容的一個(gè)電極。
(8)在該配線基板上，上述第1和第2配線也可以分別是信號(hào)線和電源線。
(9)在該配線基板上，也可以上述第1配線構(gòu)成第1驅(qū)動(dòng)電路的一部分，上述導(dǎo)電層和上述第2配線構(gòu)成第2驅(qū)動(dòng)電路的一部分。
(10)與本發(fā)明有關(guān)的電光學(xué)裝置包含上述配線基板上、配置在由上述配線基板的上述凸起區(qū)劃的上述多個(gè)區(qū)域的各個(gè)區(qū)域中的功能層。
(11)電子設(shè)備也可以備有上述電光學(xué)裝置。
(12)與本發(fā)明有關(guān)的電光學(xué)裝置的制造方法包含能夠作成上述配線基板、和通過在由上述配線基板的上述凸起區(qū)劃的上述多個(gè)區(qū)域的各個(gè)區(qū)域中配置包含功能層材料的液體材料形成功能層的步驟。
如果根據(jù)本發(fā)明，則因?yàn)橥蛊鸪蔀樽笥覍?duì)稱的，所以即便使用液體材料也能夠形成均勻的功能層。


圖1是說明與本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)有關(guān)的電光學(xué)裝置的圖。
圖2是圖1的II-II線的截面圖。
圖3是凸起的平面圖。
圖4是表示半導(dǎo)體膜的圖。
圖5是說明位于由多層構(gòu)成的配線層的1個(gè)層中的配線圖案的圖。
圖6是說明位于由多層構(gòu)成的配線層的其它層中的配線圖案的圖。
圖7是說明與本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)有關(guān)的電光學(xué)裝置的工作的電路圖。
圖8是說明與本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)有關(guān)的電光學(xué)裝置的變形例的圖。
圖9是表示與本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)有關(guān)的電子設(shè)備的圖。
圖10是表示與本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)有關(guān)的電子設(shè)備的圖。
具體實(shí)施例方式
下面，我們參照

本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)。
圖1是說明與本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)有關(guān)的電光學(xué)裝置的圖。圖2是圖1的II-II線的截面圖。電光學(xué)裝置1也可以是顯示裝置(例如顯示面板)等的電光學(xué)裝置和存儲(chǔ)裝置。圖1所示的電光學(xué)裝置1是有機(jī)EL(Electroluminescence(電致發(fā)光))裝置(例如有機(jī)EL面板)。將配線基板(例如撓性面板))2安裝在電光學(xué)裝置1中，與電光學(xué)裝置1電連接。在這種安裝和電連接中，也可以使用各向異性導(dǎo)電膜和各向異性導(dǎo)電涂膠等的各向異性導(dǎo)電材料。所謂電連接也包含電接觸。在下面的說明中也將這兩者看作是相同的。在配線基板2上形成圖中未畫出的配線圖案和端子。將集成電路芯片(或者半導(dǎo)體芯片)3安裝在配線基板2上。集成電路芯片3也可以具有電源電路和控制電路等。在該安裝中也可以應(yīng)用TAB(TapeAutomated Bonding(帶自動(dòng)焊接))或COP(Chip On Film(在軟片上的芯片))，這種包裝形態(tài)也可以是TCP(Tape Carrier Package(帶載體包裝)?？梢詫⒕哂邪惭b了集成電路芯片3的配線基板2的電光學(xué)裝置1稱為電子模塊(例如液晶模塊和EL模塊等的顯示模塊)。
電光學(xué)裝置1具有基板10?；?0既可以是鋼性基板(例如玻璃基板、硅基板)，也可以是撓性基板(例如軟片基板)?；?0既可以具有光透過性，也可以具有遮光性。例如，也可以在底面發(fā)射(或背面發(fā)射)型的顯示裝置(例如有機(jī)EL面板)中，使用光透過性的基板10，從基板10一側(cè)取出光。也可以在頂面發(fā)射型的有機(jī)EL面板中，使用遮光性基板10。此外，基板10不限定于平板形狀，也可以是平板以外的形狀，包含能夠支持其它部件的元件。
基板10包含工作區(qū)域(例如顯示區(qū)域)12。也可以在工作區(qū)域12中，形成多個(gè)(例如m行n列(例如矩陣狀))的象素。在彩色顯示裝置上，1個(gè)彩色顯示用象素也可以由多個(gè)子象素(R、G、B)構(gòu)成。
也可以在基板10上設(shè)置1個(gè)或多個(gè)驅(qū)動(dòng)電路(例如掃描驅(qū)動(dòng)電路)14。驅(qū)動(dòng)電路14驅(qū)動(dòng)工作區(qū)域12中的工作(例如顯示工作)。也可以將一對(duì)驅(qū)動(dòng)電路14配置在鄰接工作區(qū)域12的兩個(gè)地方。也可以在基板10上設(shè)置輔助電路16。輔助電路16既可以是用于檢查工作區(qū)域12中的工作(例如顯示工作)是否正常的檢查電路，也可以是用于增加工作區(qū)域12中的工作速度(顯示速度)的預(yù)充電電路。驅(qū)動(dòng)電路14和輔助電路16的至少一方，既可以是在基板10上使用多晶硅膜等形成的，也可以是安裝在基板10上的集成電路芯片。此外，在基板10外部的集成電路芯片3也可以控制在工作區(qū)域12中的工作驅(qū)動(dòng)。
在基板10上設(shè)置多個(gè)工作元件20。設(shè)置了多個(gè)工作元件20的區(qū)域是工作區(qū)域12。在1個(gè)象素(例如子象素)上設(shè)置1個(gè)工作元件20。如圖2所示，多個(gè)工作元件20具有多個(gè)功能層22。多個(gè)功能層22也可以是多個(gè)發(fā)光色(例如紅、綠、藍(lán))的多個(gè)發(fā)光層。這時(shí)，各個(gè)功能層22是任何一個(gè)發(fā)光色的發(fā)光層。構(gòu)成作為功能層22的發(fā)光層的材料也可以是聚合體系材料或低分子系材料或復(fù)合地使用兩者的材料中的任何一種。作為功能層22的發(fā)光層由于流過電流而發(fā)光。作為功能層22的發(fā)光層也可以與發(fā)光色相應(yīng)，發(fā)光效率不同。此外，功能層22也可以通過配置包含功能層材料的液體材料(例如噴墨法等的液滴噴出法)形成。因?yàn)橥黄?0左右對(duì)稱，所以即便使用液體材料，也能夠形成均勻厚度的多個(gè)功能層22。
工作元件20也可以具有第1和第2緩沖層24、26中的至少一方。第1緩沖層24既可以是使到功能層22的空穴注入穩(wěn)定化的空穴注入層，也可以具有空穴注入層。第1緩沖層24也可以具有空穴輸送層。也可以將空穴輸送層設(shè)置在功能層22與空穴注入層之間。第2緩沖層26既可以是使到功能層22的電子注入穩(wěn)定化的電子注入層，也可以具有電子注入層。第2緩沖層26也可以具有電子輸送層。也可以將電子輸送層設(shè)置在功能層22與電子注入層之間。
相鄰的功能層22由突起30進(jìn)行區(qū)劃(電絕緣)。圖3是凸起的平面圖。凸起30區(qū)劃多個(gè)功能層22。凸起30也可以形成格子狀。使形成各個(gè)功能層22的區(qū)域下凹地形成凸起30。凸起30也可以由樹脂形成。
凸起30包含上面31和夾著上面31的一對(duì)側(cè)面33、35。如圖2所示，一對(duì)側(cè)面33、35對(duì)于基板10(例如它的表面)傾斜對(duì)稱的角度。即，對(duì)于基板10(例如它的表面)，一對(duì)側(cè)面33、35在上面31的一側(cè)(凸起30的內(nèi)部一側(cè))形成的角度α、β相等。
凸起30也可以包含第1凸起部分36。第1凸起部分36也可以由無機(jī)材料(例如，SIO2、SiNX)形成。第1凸起部分36也可以由多層(例如，為了連續(xù)地覆蓋全部第2配線62而形成的層的一部分和設(shè)置在各個(gè)第2配線62上的層)形成。凸起30也可以包含在第1凸起部分36的上面形成的第2凸起部分38。第2凸起部分38也可以由有機(jī)材料(例如丙烯等的有機(jī)樹脂)形成。
電光學(xué)裝置1具有多個(gè)第1電極32。各個(gè)第1電極32是用于向任何一個(gè)工作元件20供給電能量的電極。第1電極32也可以與工作元件20(例如第1緩沖層24(例如空穴注入層))接觸。
電光學(xué)裝置1具有多個(gè)或1個(gè)第2電極34。第2電極34是用于向工作元件20供給電能量的電極。第2電極34也可以與工作元件20(例如第2緩沖層26(例如電子注入層))接觸。第2電極34具有與第1電極32對(duì)置的部分。由多個(gè)第1電極32、多個(gè)或1個(gè)第2電極34構(gòu)成的一對(duì)電極至少夾著多個(gè)功能層22中的各個(gè)功能層。也可以將第2電極34配置在第1電極32的上方。
也可以在基板10上形成半導(dǎo)體膜40。圖4是半導(dǎo)體膜的平面圖。半導(dǎo)體膜40也可以由半導(dǎo)體材料(例如硅)形成。半導(dǎo)體膜40也可以具有單晶、多晶或非晶質(zhì)中的任何一種構(gòu)造。半導(dǎo)體膜40也可以是用眾所周知的低溫(例如600℃以下)的工藝形成的，所謂的低溫多晶硅膜或非晶硅膜。半導(dǎo)體膜40具有基極膜42。也可以使N型或P型的雜質(zhì)擴(kuò)散在基極膜42中。半導(dǎo)體膜40具有雜質(zhì)擴(kuò)散膜44。也可以將濃度比基極膜42高的雜質(zhì)注入雜質(zhì)擴(kuò)散膜44。雜質(zhì)擴(kuò)散膜44形成在基極膜42的區(qū)域內(nèi)。也可以通過將雜質(zhì)注入包含成為基極膜42的部分和成為雜質(zhì)擴(kuò)散膜44的部分的前驅(qū)膜中形成雜質(zhì)擴(kuò)散膜44。雜質(zhì)擴(kuò)散膜44的至少一部分既可以成為MOS FET的源極或漏極，也可以成為電容88(請(qǐng)參照?qǐng)D7)等的電子部件的電極。
電光學(xué)裝置1具有由多層構(gòu)成的配線層。圖5是說明位于由多層構(gòu)成的配線層的1個(gè)層中的配線圖案的圖。配線圖案50也可以通過絕緣層(例如，SIO2等的氧化膜)46(請(qǐng)參照?qǐng)D2)，形成在半導(dǎo)體膜40上。配線圖案50包含導(dǎo)電層52。也可以使導(dǎo)電層52通過絕緣層46，與半導(dǎo)體膜(例如它的雜質(zhì)擴(kuò)散膜44)對(duì)置地形成。導(dǎo)電層52既可以是電連接多個(gè)地方的配線，也可以是電極(或端子)，也可以一部分是配線另一部分是電極。導(dǎo)電層52也可以是電容88(請(qǐng)參照?qǐng)D7)的一個(gè)電極。導(dǎo)電層52，如圖2和圖3所示，形成在凸起30的下面。導(dǎo)電層52形成在一對(duì)功能層22之間。在顯示裝置中導(dǎo)電層52形成在象素之間。
配線圖案50包含第1配線54。第1配線54也可以與導(dǎo)電層52并列地延伸。第1配線54，如圖2和圖3所示，形成在凸起30的下面。使第1配線54通過一對(duì)功能層22之間地形成。在顯示裝置中，第1配線54通過象素之間。也可以使第1配線54與在它的長(zhǎng)度方向相鄰的第1配線54電連接，例如，構(gòu)成用于驅(qū)動(dòng)功能層22的信號(hào)線。又，在圖7中第1配線54作為信號(hào)線表示出來，但是第1配線54也可以是用于驅(qū)動(dòng)功能層22的掃描線或電源線。
圖6是說明位于由多層構(gòu)成的配線層的其它層中的配線圖案的圖。也可以在上述配線圖案50上，通過絕緣層56(請(qǐng)參照?qǐng)D2)，形成配線圖案60。配線圖案60包含第2配線62。第2配線62，如圖2和圖3所示，形成在凸起30的下面。也可以使第2配線62在凸起30的一對(duì)側(cè)面33、35之間的方向上通過凸起30的中央地形成。這時(shí)，凸起30從第2配線62到側(cè)面33的方向上露出的長(zhǎng)度(平面長(zhǎng)度)與從第2配線62到側(cè)面35的方向上露出的長(zhǎng)度(平面長(zhǎng)度)相等。進(jìn)一步，既可以使第2配線62在凸起30的一對(duì)側(cè)面33、35之間的方向上通過第1凸起部分36的中央地形成，也可以通過第2凸起部分38的中央地形成。這時(shí)，第1凸起部分36(或第2凸起部分38)從第2配線62到側(cè)面33的方向上露出的長(zhǎng)度(平面長(zhǎng)度)與從第2配線62到側(cè)面35的方向上露出的長(zhǎng)度(平面長(zhǎng)度)相等。
使第2配線62通過一對(duì)功能層22之間地形成。在顯示裝置中，第2配線62通過象素之間。第2配線62也可以是用于驅(qū)動(dòng)功能層22的電源線。又，在圖7中第2配線62作為電源線表示出來，但是第2配線62也可以是用于驅(qū)動(dòng)功能層22的掃描線或電源線。配線圖案60也可以具有在它的長(zhǎng)度方向連接相鄰的第1配線54的配線64。
如圖2所示，導(dǎo)電層52和第1及第2配線54、62并列地形成在凸起30的下面。第1配線54構(gòu)成相鄰(夾著并列的導(dǎo)電層52和第1及第2配線54、62地相鄰，以下相同)的功能層22、22的一方(例如第1功能層)的驅(qū)動(dòng)電路的一部分，導(dǎo)電層52構(gòu)成相鄰的功能層22、22的另一方(例如第2功能層)的驅(qū)動(dòng)電路的一部分。這時(shí)，第2配線62構(gòu)成相鄰的功能層22、22的另一方(例如第2功能層)的驅(qū)動(dòng)電路的一部分。并列的導(dǎo)電層52和第2配線62構(gòu)成同一功能層22的驅(qū)動(dòng)電路的一部分。
導(dǎo)電層52形成在比第2配線62低(接近基板10)的位置上。第1配線54形成在比第2配線62低(接近基板10)的位置上。如圖2和圖3所示，使第1和第2配線54、62在寬度方向上偏移地進(jìn)行配置。使導(dǎo)電層52和第2配線62在寬度方向上偏移地進(jìn)行配置。使導(dǎo)電層52和第1配線54分別具有在相反的寬度方向上從第2配線62露出的部分地進(jìn)行配置。導(dǎo)電層52從第2配線62露出的長(zhǎng)度L1也可以與第1配線54從第2配線62露出的長(zhǎng)度L2相等。
例如，當(dāng)將第1和第2配線54、62都配置在圖2中的右邊時(shí)，第2配線62的右端高度與位于它的右鄰的絕緣層56的高度之差變大，形成比第2配線62和絕緣層56上的絕緣膜大的凹凸。如果根據(jù)本實(shí)施形態(tài)，則通過使第1和第2配線54、62在寬度方向上偏移，使導(dǎo)電層52和第2配線62在寬度方向上偏移，能夠使第1和第2配線54、62和導(dǎo)電層52上的絕緣膜的凹凸變小，結(jié)果，能夠減少凸起30的左右非對(duì)稱性。
又，如果根據(jù)本實(shí)施形態(tài)，則因?yàn)閺牡?配線62的兩側(cè)，露出導(dǎo)電層52和第1配線54，所以能夠減少其上的凸起30的左右非對(duì)稱性。結(jié)果，能夠減少功能層22的膜厚的不均勻性。又，因?yàn)樵趯?dǎo)電層52的上方形成第2配線62，所以能夠使第2配線62離開第1配線54。而且，能夠使在第1和第2配線54、62之間形成的電容很小或者沒有該電容。
如圖1和圖2所示，電光學(xué)裝置1具有工作元件20的密封部件66。當(dāng)工作元件20的至少一部分由于水分和氧氣等容易惡化時(shí)，密封部件66能夠保護(hù)工作元件20。
圖7是說明與本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)有關(guān)的電光學(xué)裝置的工作的電路圖。電光學(xué)裝置1具有與圖7所示的電路對(duì)應(yīng)的元件。將該元件設(shè)置在每個(gè)工作元件20上。電路構(gòu)成(元件的連接狀態(tài))如圖7所示，我們省略對(duì)它的說明。在本實(shí)施形態(tài)中，向第1配線54供給信號(hào)電壓Vdata。信號(hào)電壓Vdata是與供給工作元件20的電流相應(yīng)的信號(hào)。向第2配線62供給電源電壓Vdd。將相互相反的選擇信號(hào)輸入到配線(掃描線)71、72。選擇信號(hào)是高電位的H信號(hào)或低電位的L信號(hào)。
在編程期間，將H信號(hào)輸入配線71，將L信號(hào)輸入配線72。而且，使開關(guān)元件80處于ON(接通)，與第1和第2配線54、62之間的電位差相應(yīng)，電流流過開關(guān)元件80、86。將與該電流相應(yīng)的開關(guān)元件86的控制電壓(開關(guān)元件86為MOS晶體管時(shí)的柵極電壓)存儲(chǔ)在電容88中。此外，電容88，如圖5所示，包含導(dǎo)電層52、雜質(zhì)擴(kuò)散膜44和兩者間的絕緣層46。
在工作期間(例如發(fā)光期間)，將L信號(hào)輸入配線71，將H信號(hào)輸入配線72。而且，使開關(guān)元件80、84處于OFF(斷開)，開關(guān)元件82處于ON，結(jié)果，在編程期間，由與存儲(chǔ)在電容88中的電荷相應(yīng)的控制電壓(開關(guān)元件86為MOS晶體管時(shí)的柵極電壓)控制開關(guān)元件86(例如使它處于ON)，與控制電壓相應(yīng)的電流從第2配線62通過開關(guān)元件86、82，流過工作元件20(或功能層22)。
圖8是說明與本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)有關(guān)的電光學(xué)裝置的變形例的圖。在該變形例中，在基板10上形成凹部(或刻入部分)112。凹部112能夠通過刻蝕形成。在凹部112內(nèi)形成導(dǎo)電層52和第1配線54。也可以在不超過基板110的表面的高度上(例如比凹部112的深度薄)形成導(dǎo)電層52和第1配線54。又，也在凹部112內(nèi)形成半導(dǎo)體膜40。也在凹部112的內(nèi)面上形成絕緣膜46。
也可以用絕緣膜156覆蓋導(dǎo)電層52和第1配線54。為了在凹部112中埋住導(dǎo)電層52和第1配線54周圍的空間地形成絕緣膜156。絕緣膜156也可以覆蓋導(dǎo)電層52和第1配線54。這時(shí)，絕緣膜156的上面也可以是與基板110或其上的絕緣膜46的表面的同一個(gè)面。通過這樣做，與導(dǎo)電層52和第1配線54的形狀(對(duì)于凸起30左右非對(duì)稱的形狀)無關(guān)，能夠使凸起30形成左右對(duì)稱的形狀。
其它的內(nèi)容與上述實(shí)施形態(tài)中說明的內(nèi)容相當(dāng)。如果根據(jù)圖8的變形例，則因?yàn)樵诎疾?12內(nèi)形成導(dǎo)電層52和第1配線54，所以可以使裝置薄型化。作為別的變形例，如果絕緣膜156的上面是與基板110或其上的絕緣膜46的表面的同一個(gè)面，則能夠使工作元件20與導(dǎo)電層52和第1配線54的至少一部分重合。因?yàn)槟軌蚴构ぷ髟?0的占有面積比圖2情形大，所以能夠?qū)崿F(xiàn)高亮度的電光學(xué)裝置。
作為具有與本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)有關(guān)的電光學(xué)裝置的電子設(shè)備，在圖9中表示了節(jié)點(diǎn)型個(gè)人計(jì)算機(jī)1000，在圖10中表示了便攜式電話2000。
本發(fā)明不限定于上述實(shí)施形態(tài)，可以進(jìn)行種種變形。例如，本發(fā)明包含與實(shí)施形態(tài)中說明的構(gòu)成實(shí)質(zhì)上相同的構(gòu)成(例如，功能、方法和結(jié)果相同的構(gòu)成，或目的和結(jié)果相同的構(gòu)成)。又，本發(fā)明包含置換實(shí)施形態(tài)中說明的構(gòu)成的非本質(zhì)的部分的構(gòu)成。又，本發(fā)明包含起著與實(shí)施形態(tài)中說明的構(gòu)成相同的作用效果的構(gòu)成或能夠達(dá)到相同目的的構(gòu)成。又本發(fā)明包含在實(shí)施形態(tài)中說明的構(gòu)成中附加眾所周知的技術(shù)的構(gòu)成。
權(quán)利要求
1.一種配線基板，其特征在于它具有基板、設(shè)置在基板上方，用于區(qū)劃多個(gè)區(qū)域的凸起、和在上述凸起與上述基板之間形成的導(dǎo)電層和第1及第2配線，上述凸起包含上面和夾著上述上面的一對(duì)側(cè)面，上述一對(duì)側(cè)面對(duì)于上述基板傾斜對(duì)稱的角度。
2.權(quán)利要求1所述的配線基板，其特征在于其中上述第1配線形成在比上述第2配線更接近上述基板的位置上，使上述第1配線和第2配線在寬度方向上偏移地進(jìn)行配置，上述導(dǎo)電層形成在比上述第2配線更接近上述基板的位置上，使上述導(dǎo)電層和上述第2配線在寬度方向上偏移地進(jìn)行配置，使上述導(dǎo)電層和上述第1配線分別具有在相反的寬度方向上從上述第2配線露出的部分地進(jìn)行配置。
3.權(quán)利要求2所述的配線基板，其特征在于其中上述導(dǎo)電層從上述第2配線露出的長(zhǎng)度與上述第1配線從上述第2配線露出的長(zhǎng)度相等。
4.權(quán)利要求2所述的配線基板，其特征在于其中使上述第2配線，在上述一對(duì)側(cè)面間的方向上，通過上述凸起的中央地形成。
5.權(quán)利要求4所述的配線基板，其特征在于其中上述凸起包含由無機(jī)材料構(gòu)成的第1凸起部分和由有機(jī)材料構(gòu)成的在上述第1凸起部分上面形成的第2凸起部分，使上述第2配線，在上述一對(duì)側(cè)面間的方向上，通過上述第1和第2凸起部分的各自的中央地形成。
6.權(quán)利要求4所述的配線基板，其特征在于其中在上述基板上形成凹部，使上述導(dǎo)電層和上述第1配線配置在上述凹部?jī)?nèi)不超過基板表面的高度上。
7.權(quán)利要求1到權(quán)利要求6中任何一項(xiàng)所述的配線基板，其特征在于其中上述導(dǎo)電層是電容的一個(gè)電極。
8.權(quán)利要求1到權(quán)利要求6中任何一項(xiàng)所述的配線基板，其特征在于其中上述第1和第2配線分別是信號(hào)線和電源線。
9.權(quán)利要求1到權(quán)利要求6中任何一項(xiàng)所述的配線基板，其特征在于其中上述第1配線構(gòu)成第1驅(qū)動(dòng)電路的一部分，上述導(dǎo)電層和上述第2配線構(gòu)成第2驅(qū)動(dòng)電路的一部分。
10.電光學(xué)裝置，其特征在于它具有基板、設(shè)置在基板上方，用于區(qū)劃多個(gè)區(qū)域的凸起、在上述凸起與上述基板之間形成的導(dǎo)電層和第1及第2配線，和配置在由上述凸起區(qū)劃的上述多個(gè)區(qū)域的各個(gè)區(qū)域中的功能層，上述凸起包含上面和夾著上面的一對(duì)側(cè)面，上述一對(duì)側(cè)面對(duì)于上述基板傾斜對(duì)稱的角度。
11.電光學(xué)裝置的制造方法，其特征在于它包含作成具有基板、設(shè)置在上述基板上方用于區(qū)劃多個(gè)區(qū)域的凸起、和在上述凸起與上述基板之間形成的導(dǎo)電層和第1及第2配線，上述凸起包含上面和夾著上述上面的一對(duì)側(cè)面，上述一對(duì)側(cè)面對(duì)于上述基板傾斜對(duì)稱的角度的配線基板的步驟、和通過在由上述配線基板的上述凸起區(qū)劃的上述多個(gè)區(qū)域的各個(gè)區(qū)域中配置包含功能層材料的液體材料形成功能層的步驟。
全文摘要
本發(fā)明涉及配線基板、電光學(xué)裝置及其制造方法。本發(fā)明減少凸起的左右非對(duì)稱性。配線基板有基板(10)、設(shè)置在基板(10)上方用于區(qū)劃多個(gè)區(qū)域的凸起(30)、并列地形成在凸起(30)與基板(10)之間的導(dǎo)電層(52)和第1及第2配線(54、62)。第1配線(54)形成在比第2配線(62)更接近基板(10)的位置上。使第1和第2配線(54、62)在寬度方向上偏移地進(jìn)行配置。導(dǎo)電層(52)形成在比第2配線(62)更接近基板(10)的位置上。使導(dǎo)電層(52)和第2配線(62)在寬度方向上偏移地進(jìn)行配置。使導(dǎo)電層(52)和第1配線(54)分別有在相反的寬度方向上從第2配線(62)露出的部分地進(jìn)行配置。
文檔編號(hào)B32B15/00GK1535078SQ2004100048
公開日2004年10月6日 申請(qǐng)日期2004年2月6日 優(yōu)先權(quán)日2003年2月6日
發(fā)明者青木幸司 申請(qǐng)人:精工愛普生株式會(huì)社