專利名稱：用于低飛行高度的設(shè)計(jì)界面的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及盤(pán)驅(qū)動(dòng)器系統(tǒng)的制造，并更具體地，此發(fā)明涉及在低飛行高度下提供增強(qiáng)性能的新盤(pán)表面屬性。
背景技術(shù)：
磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器存儲(chǔ)設(shè)備通常包括一個(gè)或多個(gè)薄膜磁盤(pán)，其各自具有至少一個(gè)包括多個(gè)磁存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的同心軌道的數(shù)據(jù)記錄表面；主軸馬達(dá)和主軸馬達(dá)控制器，用于支撐和以所選的RPM來(lái)旋轉(zhuǎn)盤(pán)；浮動(dòng)塊上形成的每記錄表面至少一個(gè)讀/寫(xiě)換能器(transducer)或“頭”，用于從記錄表面讀取信息，以及將信息寫(xiě)入到記錄表面；數(shù)據(jù)通道，用于處理讀/寫(xiě)的數(shù)據(jù)；可定位致動(dòng)器組件，用于在期望數(shù)據(jù)軌道的鄰近處支撐換能器；以及伺服系統(tǒng)，用于控制致動(dòng)器組件的移動(dòng)，以將換能器定位在期望軌道之上。
每個(gè)浮動(dòng)塊的一個(gè)表面通過(guò)撓性懸架(suspension)附接到致動(dòng)器臂上，并且，在相對(duì)邊上包括期望配置的氣承(air bearing)表面(ABS)，以提供令人滿意的飛行高度特性。隨著盤(pán)的旋轉(zhuǎn)，氣流進(jìn)入浮動(dòng)塊的前沿，并向其后沿的方向流動(dòng)。氣流對(duì)ABS生成正壓力，將浮動(dòng)塊抬升到記錄表面之上。通過(guò)氣墊(cushion of air)，浮動(dòng)塊在記錄表面之上保持標(biāo)稱飛行高度。
隨著在過(guò)去幾年中記錄密度和數(shù)據(jù)傳送速率的增加，諸如軌道寬度讀取和寫(xiě)入間隙、以及線圈尺寸的記錄設(shè)備中的臨界尺寸相應(yīng)減小。并且，氣承表面(ABS)和介質(zhì)之間的飛行高度已變得越來(lái)越小。作為參考，有40gb/in2容積(product)的記錄頭通常具有大約12納米的飛行高度。當(dāng)前的頭具有甚至更低的飛行高度，并且，期望飛行高度繼續(xù)減小。頭臨界尺寸和飛行高度的這種減小盡管對(duì)磁性能有好處，但也帶來(lái)了熱和機(jī)械可靠性方面的成本。具體地說(shuō)，由于在盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的操作期間頭和磁盤(pán)之間的低飛行高度，頭和盤(pán)之間斷續(xù)接觸率增加，導(dǎo)致盤(pán)表面的損壞以及頭元件的磨損。
為了幫助避免由斷續(xù)的頭-盤(pán)接觸引起的問(wèn)題，在驅(qū)動(dòng)器制造期間對(duì)盤(pán)加了潤(rùn)滑劑。盡管盤(pán)在制造期間被潤(rùn)滑劑覆蓋，以保護(hù)其不受這樣的斷續(xù)接觸的影響，但在驅(qū)動(dòng)器的操作期間，潤(rùn)滑劑最終會(huì)從盤(pán)表面耗盡。由于與來(lái)自盤(pán)的潤(rùn)滑劑副產(chǎn)品相關(guān)的問(wèn)題的緣故，已公開(kāi)了汽相潤(rùn)滑劑儲(chǔ)備系統(tǒng)(vaporphase lubricant reservoir system)，作為用于在盤(pán)上持續(xù)保持均勻潤(rùn)滑膜的裝置。然而，隨著飛行高度的減小，浮動(dòng)塊將易于接觸盤(pán)表面，并從而接觸潤(rùn)滑劑。已經(jīng)觀察到，浮動(dòng)塊后沿和自由潤(rùn)滑劑之間的相互作用可引起嚴(yán)重的不穩(wěn)定性，導(dǎo)致浮動(dòng)塊以其第二縱搖(pitch)固有頻率(對(duì)于當(dāng)前測(cè)試的浮動(dòng)塊而言大約300kHz)及大于5nm的幅度振蕩。對(duì)于可靠性目標(biāo)而言，這是嚴(yán)重的問(wèn)題。因此，期望通過(guò)改進(jìn)并穩(wěn)定浮動(dòng)塊和盤(pán)表面之間的間隙(clearance)以減小盤(pán)和浮動(dòng)塊之間顯著的潤(rùn)滑劑轉(zhuǎn)移，來(lái)減少潤(rùn)滑劑引起的浮動(dòng)塊振蕩。
同樣，盤(pán)粗糙度在較低的浮動(dòng)塊飛行高度下更成問(wèn)題。在具有更易于伸入到正常的浮動(dòng)塊操作范圍的最高隆起的情況下，無(wú)意的破壞性浮動(dòng)塊/盤(pán)接觸的可能性增加。浮動(dòng)塊飛行高度越低，來(lái)自這些不連續(xù)的損壞的風(fēng)險(xiǎn)越大。由此，要將盤(pán)制造為具有非常平滑的表面。當(dāng)前的盤(pán)沿著盤(pán)表面在10-100μm范圍內(nèi)測(cè)量具有大約2-4的表面粗糙度(標(biāo)準(zhǔn)偏差Rq)，而在100-1000μm范圍內(nèi)通常具有5?；蚋蟮奈⒂^波度(microwaviness)(標(biāo)準(zhǔn)偏差Wq)。
發(fā)明人發(fā)現(xiàn)這樣的平滑表面造成另一個(gè)問(wèn)題，即浮動(dòng)塊在盤(pán)表面上的靜態(tài)阻力(stiction)。靜態(tài)阻力是平滑表面粘到一起的趨勢(shì)。隨著盤(pán)的旋轉(zhuǎn)，在浮動(dòng)塊-盤(pán)接觸期間，靜態(tài)阻力效應(yīng)使得浮動(dòng)塊跳動(dòng)(bounce)，導(dǎo)致讀和寫(xiě)不穩(wěn)定。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，當(dāng)使用具有低Rq和低Wq的盤(pán)時(shí)，靜態(tài)阻力問(wèn)題更為普遍。
因此，需要能夠減小飛行高度，同時(shí)避免上文中提到的問(wèn)題的方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明通過(guò)提供一種在大約200微米和更高的尺度下具有低表面微觀波度(Wq)、而在小于約為承載用于寫(xiě)入到盤(pán)的頭的浮動(dòng)塊上的襯墊(pad)的長(zhǎng)度的尺度下具有高表面粗糙度(Rq)的磁盤(pán)，克服了上面描述的缺點(diǎn)和限制。
在一個(gè)實(shí)施例中，盤(pán)在小于約200微米的尺度下具有高表面粗糙度。在另一個(gè)實(shí)施例中，盤(pán)在小于約100微米的尺度下具有高表面粗糙度。
在另一個(gè)實(shí)施例中，盤(pán)在約500到1000微米之間的尺度下具有低表面微觀波度。
在另一個(gè)實(shí)施例中，盤(pán)在大約5微米或更小的尺度下具有低表面粗糙度。
優(yōu)選地，低表面微觀波度定義為盤(pán)表面形貌(topographical)特征在預(yù)先規(guī)定的尺度下大約3埃或更小的平均標(biāo)準(zhǔn)偏差。同樣優(yōu)選地，高表面粗糙度定義為盤(pán)表面形貌特征在預(yù)先規(guī)定的尺度下大約4.5?；蚋嗟钠骄鶚?biāo)準(zhǔn)偏差。
盤(pán)表面的獨(dú)特設(shè)計(jì)對(duì)于以距離盤(pán)表面大約5納米或更小的飛行高度飛行的浮動(dòng)塊的使用而言，是非常有優(yōu)勢(shì)的。
從下面結(jié)合附圖，作為示例說(shuō)明本發(fā)明的原理的詳細(xì)描述中，本發(fā)明的其它方面和優(yōu)點(diǎn)將變得清楚。


為了更全面地理解本發(fā)明的性質(zhì)和優(yōu)點(diǎn)，以及使用的優(yōu)選模式，應(yīng)當(dāng)參考下面與附圖相結(jié)合閱讀的詳細(xì)描述。
圖1是磁記錄盤(pán)驅(qū)動(dòng)器系統(tǒng)的簡(jiǎn)化圖。
圖2是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的圖1的盤(pán)驅(qū)動(dòng)器系統(tǒng)的部分頂視圖。
圖3是根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的浮動(dòng)塊未按比例的簡(jiǎn)化側(cè)視圖。
圖4是圖示測(cè)量頭-盤(pán)相互作用的出現(xiàn)的起飛壓強(qiáng)測(cè)試的測(cè)試結(jié)果的圖表。
圖5是圖示波長(zhǎng)范圍內(nèi)的幾個(gè)盤(pán)的粗糙度譜的特性的圖表。
具體實(shí)施例方式
下面的描述是當(dāng)前設(shè)想實(shí)施本發(fā)明的最佳實(shí)施例。此描述是為說(shuō)明本發(fā)明的一般原理的目的而作出的，而不意味著限制這里要求保護(hù)的創(chuàng)造性概念。
現(xiàn)在參照?qǐng)D1，其中示出了實(shí)施本發(fā)明的盤(pán)驅(qū)動(dòng)器100。如圖1所示，至少一個(gè)可旋轉(zhuǎn)磁盤(pán)112被支撐在主軸114上，并通過(guò)盤(pán)驅(qū)動(dòng)器馬達(dá)118旋轉(zhuǎn)。每個(gè)盤(pán)上的磁記錄呈盤(pán)112上的同心數(shù)據(jù)軌道(未示出)的環(huán)狀圖案的形式。
至少一個(gè)浮動(dòng)塊113定位于盤(pán)112附近，每個(gè)浮動(dòng)塊113支撐一個(gè)或多個(gè)磁讀/寫(xiě)頭121。當(dāng)盤(pán)旋轉(zhuǎn)時(shí)，浮動(dòng)塊113在盤(pán)表面122上徑向移入和移出，以便頭121可訪問(wèn)盤(pán)上記錄有期望數(shù)據(jù)的不同軌道。每個(gè)浮動(dòng)塊113通過(guò)懸架115附接到致動(dòng)器臂119。懸架115提供微小的彈力，使浮動(dòng)塊113偏向盤(pán)表面122。每個(gè)致動(dòng)器臂119附接到致動(dòng)器裝置127。圖1所示的致動(dòng)器裝置127可以是音圈馬達(dá)(VCM)。VCM包括可在固定磁場(chǎng)內(nèi)移動(dòng)的線圈，線圈移動(dòng)的方向和速度受由控制器129提供的馬達(dá)電流信號(hào)控制。
在盤(pán)存儲(chǔ)系統(tǒng)操作期間，盤(pán)112的旋轉(zhuǎn)在浮動(dòng)塊113和盤(pán)表面122之間產(chǎn)生氣承，其對(duì)浮動(dòng)塊施加向上的力或升力。由此，在正常操作期間，氣承抗衡懸架115的輕微彈力，并支撐浮動(dòng)塊113以基本上恒定的較小間隔脫離并且略高于盤(pán)表面。
通過(guò)由控制單元129生成的諸如訪問(wèn)控制信號(hào)和內(nèi)部時(shí)鐘信號(hào)的控制信號(hào)，在操作中控制盤(pán)存儲(chǔ)系統(tǒng)的各種組件。通常，控制單元129包括邏輯控制電路、存儲(chǔ)裝置和微處理器?？刂茊卧?29生成控制信號(hào)來(lái)控制各種系統(tǒng)操作，如線123上的驅(qū)動(dòng)馬達(dá)控制信號(hào)以及線128上的頭位置和搜尋控制信號(hào)。線128上的控制信號(hào)提供期望的電流配置(profile)，以最優(yōu)地將浮動(dòng)塊113移動(dòng)并定位到盤(pán)112上的期望的數(shù)據(jù)軌道。通過(guò)記錄通道125，將讀和寫(xiě)信號(hào)傳送到讀/寫(xiě)頭121，并從讀/寫(xiě)頭121傳送讀和寫(xiě)信號(hào)。
參照?qǐng)D2，其中示出了圖1的盤(pán)驅(qū)動(dòng)器100的頂視圖。盤(pán)驅(qū)動(dòng)器100具有盤(pán)組(disk pack)，其包括附在裝入外殼(housing)204中的主軸114上的多個(gè)堆疊的薄膜磁記錄盤(pán)112。裝載/卸載結(jié)構(gòu)206在盤(pán)組的外周處穩(wěn)定地固定到盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的外殼204的基板508上。旋轉(zhuǎn)致動(dòng)器組件包括多個(gè)致動(dòng)器臂210，其分別支撐鄰近盤(pán)112的浮動(dòng)塊113。每個(gè)致動(dòng)器臂210適當(dāng)?shù)卦谄淠┒司哂型怀?protrusion)或接頭(tab)212，用于在裝載/卸載操作期間嚙合裝載/卸載結(jié)構(gòu)206的斜面(ramp)214。汽相潤(rùn)滑劑儲(chǔ)備系統(tǒng)131放置在外殼204內(nèi)?？蓪?shí)施諸如在美國(guó)專利第4,789,913號(hào)和/或美國(guó)專利第6,580,585號(hào)中描述的系統(tǒng)的汽相潤(rùn)滑劑儲(chǔ)備系統(tǒng)131。通過(guò)引用將這些專利合并于此。
圖3示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的浮動(dòng)塊113。如圖所示，突出襯墊302定位在讀/寫(xiě)元件304之上。在整個(gè)結(jié)構(gòu)之上形成碳、SiNx等的涂層(overcoat)306。
上面對(duì)典型磁盤(pán)存儲(chǔ)系統(tǒng)的描述，以及圖1-3的附加圖示僅用于表示的目的。顯然，盤(pán)存儲(chǔ)系統(tǒng)可包含大量盤(pán)和致動(dòng)器，并且，每個(gè)致動(dòng)器可支撐多個(gè)浮動(dòng)塊。
發(fā)明人已描繪了為低飛行高度而設(shè)計(jì)的幾種磁記錄盤(pán)表面，并且發(fā)現(xiàn)，“混合”特性——較小波長(zhǎng)下的較高粗糙度和較低微觀波度提供最優(yōu)性能。相反，并且違反直覺(jué)的是，在具有較小波長(zhǎng)下的較低粗糙度和較低的微觀波度(即，較平滑的盤(pán)表面)的盤(pán)提供最差性能。
圖4圖解了測(cè)量頭-盤(pán)相互作用的出現(xiàn)的起飛壓強(qiáng)測(cè)試的結(jié)果，以及由此而引起的這種相互作用導(dǎo)致有關(guān)伺服難題的問(wèn)題、可重復(fù)偏出(RRO)問(wèn)題等的可能性。在圖4中，所有測(cè)量都通過(guò)以相同的浮動(dòng)塊在具有不同表面屬性的四個(gè)盤(pán)上大約5nm處飛行而進(jìn)行的，所述不同表面屬性是1)高Rq、低Wq；2)高Rq、低Wq；3)高Rq、高Wq；4)低Rq，低Wq。Rq是在小于大約200微米的尺度(scale)下測(cè)量的，而200微米大約是所使用的浮動(dòng)塊上的襯墊的尺寸。Wq是在大約200-1000微米的尺度下測(cè)量的。較低的Rq和Wq值對(duì)應(yīng)于較平滑的表面屬性。
繼續(xù)參照?qǐng)D4，隨著驅(qū)動(dòng)器中的環(huán)境壓強(qiáng)(ambient pressure)減小(X軸)，浮動(dòng)塊以越來(lái)越低的飛行高度飛行。在此情況下，通過(guò)放置于浮動(dòng)塊上或其附近的聲發(fā)射(AE)測(cè)量設(shè)備，使用聲發(fā)射(AE)來(lái)測(cè)量浮動(dòng)塊-盤(pán)接觸。理想的AE數(shù)小于大約0.02，以避免穩(wěn)定性問(wèn)題。例如，如果出現(xiàn)了過(guò)多浮動(dòng)塊-盤(pán)接觸，則浮動(dòng)塊趨向于彈起，而這會(huì)導(dǎo)致不穩(wěn)定。
直觀地，較平滑的盤(pán)表面應(yīng)當(dāng)允許浮動(dòng)塊更接近盤(pán)表面而不受干擾地飛行。然而發(fā)現(xiàn)，一旦已達(dá)到某個(gè)平滑度，則盤(pán)和浮動(dòng)塊之間的吸引力開(kāi)始起作用，從而導(dǎo)致靜態(tài)阻力問(wèn)題。如圖所示，在較低的表面粗糙度和微觀波度下，一旦環(huán)境壓強(qiáng)下降，浮動(dòng)塊便非常迅速地接觸盤(pán)表面。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在典型的小于大約5nm的機(jī)械間隔的低飛行高度的領(lǐng)域中，低飛行盤(pán)表面的優(yōu)良屬性的指標(biāo)是(a)較高的粗糙度以及(b)較低的微觀波度。
當(dāng)前的盤(pán)具有大約2-4的Rq，以及5?；蚋蟮腤q。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，對(duì)于總長(zhǎng)大約500μm而襯墊長(zhǎng)度大約200μm的浮動(dòng)塊而言，最理想的盤(pán)表面屬性是4.5及更高的Rq，以及減小到大約3?；蚋〉腤q。這些值通常適用于所有盤(pán)襯底，例如，玻璃、Al-Mg、聚合物等。同時(shí)注意，襯墊尺寸也減小，以幫助減小浮動(dòng)塊和盤(pán)的接觸面積。因此，理想的盤(pán)表面屬性可用襯墊尺寸標(biāo)度(scale)。
根據(jù)一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，盤(pán)表面在用于飛行高度調(diào)制的200μm-500μm及更大尺度(以浮動(dòng)塊全長(zhǎng)來(lái)定義此長(zhǎng)度尺度)下具有低微觀波度；在用于表面完整性如腐蝕和缺陷的5μm或更小尺度(以磁疇TPI和BPI來(lái)定義此長(zhǎng)度尺度)下具有低粗糙度；而在10到100μm的尺度(以ABS襯墊尺寸來(lái)定義此長(zhǎng)度尺度)下具有高粗糙度，以在偶然接觸期間，最小化浮動(dòng)塊ABS襯墊和盤(pán)之間的摩擦。
圖5中示出了波長(zhǎng)范圍內(nèi)的粗糙度譜的特性。通過(guò)由Candela Instruments制造的光學(xué)表面分析器(OSA)模型TS5100來(lái)測(cè)量粗糙度譜。OSA使用光偏轉(zhuǎn)技術(shù)來(lái)測(cè)量盤(pán)表面上的形貌特征。通過(guò)FFT算法獲得的傅立葉變換是對(duì)盤(pán)表面屬性的度量(measure)。
圖5的粗糙度譜是對(duì)如下四個(gè)盤(pán)表面的傅立葉變換1)高Rq、低Wq；2)高Rq、低Wq；3)高Rq、高Wq；4)低Rq、低Wq。波長(zhǎng)越小，則表面特征的幅度越小。如圖所示，在1000微米波長(zhǎng)處，可以看出，就波度(waviness)偏差而言，幾乎所有盤(pán)都具有相同的幅度。然而，在100微米下(大約襯墊的尺寸)，可以在各種表面之間看出差異。理想的盤(pán)表面屬性在較高波長(zhǎng)下具有低幅度，而在較小波長(zhǎng)下具有較高幅度，以避免靜態(tài)阻力問(wèn)題。
發(fā)明人還定義了ABS襯墊尺寸的尺度。這個(gè)10-100μm的ABS襯墊尺度和500μm-1000μm的飛行高度調(diào)制尺度均可在OSA上測(cè)量出。軌跡分析給出了下面的數(shù)(這是與圖5中的曲線相同的信息)表1類(lèi)型AFMRqmicroXAm Wq降落高度(來(lái)自壓強(qiáng))低 低 0.13nm0.3nm 4.3nm(-14kPa＝0.86atm)高 高 0.16nm0.4nm 3.9nm(-22kPa＝0.78atm)高 低 0.18nm0.35nm 2.75nm(-45kPa＝0.55atm)為創(chuàng)建具有高Rq和低Wq的理想組合的盤(pán)表面，設(shè)計(jì)人可調(diào)整制造參數(shù)來(lái)獲得理想的屬性。本領(lǐng)域中的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，如何獲得這里定義的表面屬性，因而將不提供對(duì)盤(pán)制造的進(jìn)一步的討論。
這里描述的新結(jié)構(gòu)提供下面的實(shí)際好處(a)提高的成品率(yield)對(duì)于具有5nm以下的機(jī)械飛行高度并近似接觸記錄的浮動(dòng)塊而言，由于減少了浮動(dòng)塊-盤(pán)接觸的可能性，所以可顯著地提高成品率。
(b)更好的間隙新盤(pán)表面應(yīng)當(dāng)基于具有本公開(kāi)中概述的屬性的盤(pán)的TOP信息而提供改進(jìn)大約2nm的間隙。當(dāng)多個(gè)界面(interface)以5-6nm左右飛行時(shí)，這很重要。
(c)顯著減小接觸界面的浮動(dòng)塊彈起(由平滑表面造成的靜態(tài)阻力)。該優(yōu)點(diǎn)差不多可以是具有低Rq和低Wq、和/或高Rq和高Wq的盤(pán)的50％或更好。
盡管上面已描述了各種實(shí)施例，但是應(yīng)當(dāng)理解，它們僅作為示例給出，而不是限制性的。因此，優(yōu)選實(shí)施例的寬度和范圍不應(yīng)受上述任何示范實(shí)施例的限制，而應(yīng)當(dāng)僅根據(jù)所附權(quán)利要求及其等價(jià)物來(lái)限定。
權(quán)利要求
1.一種磁盤(pán)，其在大約200微米和更高的尺度下具有低表面微觀波度，而在小于約為承載用于對(duì)盤(pán)寫(xiě)入的頭的浮動(dòng)塊上的襯墊的長(zhǎng)度的尺度下具有高表面粗糙度。
2.如權(quán)利要求1所述的磁盤(pán)，其中，該盤(pán)在小于約200微米的尺度下具有高表面粗糙度。
3.如權(quán)利要求1所述的磁盤(pán)，其中，該盤(pán)在小于約100微米的尺度下具有高表面粗糙度。
4.如權(quán)利要求1所述的磁盤(pán)，其中，該盤(pán)在約500到1000微米之間的尺度下具有低表面微觀波度。
5.如權(quán)利要求1所述的磁盤(pán)，其中，該盤(pán)在大約5微米或更小的尺度下具有低表面粗糙度。
6.如權(quán)利要求1所述的磁盤(pán)，其中，低表面微觀波度定義為盤(pán)表面形貌特征在預(yù)先規(guī)定的尺度下大約3?；蚋〉钠骄鶚?biāo)準(zhǔn)偏差。
7.如權(quán)利要求1所述的磁盤(pán)，其中，高表面粗糙度定義為盤(pán)表面形貌特征在預(yù)先規(guī)定的尺度下大約4.5埃或更多的平均標(biāo)準(zhǔn)偏差。
8.如權(quán)利要求1所述的磁盤(pán)，其中，浮動(dòng)塊以距離盤(pán)表面大約5納米或更小的飛行高度飛行。
9.一種磁盤(pán)，在大約200微米和更高尺度下，具有以盤(pán)表面形貌特征從峰到谷測(cè)量大約3埃或更小的平均距離定義的低表面微觀波度，而在小于約為承載用于對(duì)盤(pán)寫(xiě)入的頭的浮動(dòng)塊上的襯墊的長(zhǎng)度的尺度下，具有以盤(pán)表面形貌特征從峰到谷測(cè)量大約4.5?；蚋蟮钠骄嚯x定義的高表面粗糙度。
10.如權(quán)利要求9所述的磁盤(pán)，其中，該盤(pán)在小于約200微米的尺度下具有高表面粗糙度。
11.如權(quán)利要求9所述的磁盤(pán)，其中，該盤(pán)在小于約100微米的尺度下具有高表面粗糙度。
12.如權(quán)利要求9所述的磁盤(pán)，其中，該盤(pán)在約500和1000微米之間的尺度下具有低表面微觀波度。
13.如權(quán)利要求9所述的磁盤(pán)，其中，該盤(pán)在大約5微米或更小的尺度下具有低表面粗糙度。
14.如權(quán)利要求9所述的磁盤(pán)，其中，浮動(dòng)塊以距離盤(pán)表面大約5納米或更小的飛行高度飛行。
15.一種磁存儲(chǔ)系統(tǒng)，包括磁盤(pán)；至少一個(gè)頭，用于從磁介質(zhì)讀取或?qū)Υ沤橘|(zhì)寫(xiě)入用于支撐所述頭的浮動(dòng)塊，該浮動(dòng)塊具有襯墊；以及耦接到所述頭的控制單元，用于控制所述頭的操作；其中，所述盤(pán)在大約500微米和更高的尺度下具有低表面微觀波度，而在小于大約浮動(dòng)塊上的襯墊的長(zhǎng)度的尺度下具有高表面粗糙度。
全文摘要
一種磁盤(pán)，其在大約200微米和更高尺度下具有低表面微觀波度，而在小于約為用于對(duì)盤(pán)寫(xiě)入的浮動(dòng)塊上的襯墊的長(zhǎng)度的尺度下具有高表面粗糙度。
文檔編號(hào)B32B3/02GK1641752SQ200410094790
公開(kāi)日2005年7月20日 申請(qǐng)日期2004年11月18日 優(yōu)先權(quán)日2004年1月14日
發(fā)明者唐納德·R·吉利斯, 雷梅爾特·皮特, 維丹薩姆·拉曼, 萊因哈德·F·沃爾特 申請(qǐng)人:日立環(huán)球儲(chǔ)存科技荷蘭有限公司