專利名稱：飾品或標牌的制作工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種飾品或標牌的制作工藝，可制成商標標牌、大蓋帽的帽徽、飾帶等。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)中，申請?zhí)枮?0112281.9的專利，其飾品或標牌的制作工藝，以多層的聚氯乙烯薄膜作為基材，所述的基材的上表面鋪有一層金屬箔，所述的金屬箔的上表面再覆蓋有保護膜，所述的基材、金屬箔、保護膜構(gòu)成復(fù)合膜，所述的復(fù)合膜用高頻熔接機或超聲波熔接機通過模具進行熱壓成型，由于采用聚氯乙烯薄膜作為保護膜，制造的飾品或標牌的耐磨性較差，光亮度不高，屬于亞光型的飾品或標牌，耐高溫與耐低溫性能不夠好，硬度變化受溫度影響較大，拉伸強度較低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的是提供一種飾品或標牌的制作工藝，提高飾品或標牌的光亮度。
本發(fā)明的技術(shù)方案是一種飾品或標牌的制作工藝，以至少為一層的聚氯乙烯或聚氨酯膜作為基材，所述的基材的上表面鋪有一層金屬箔，所述的金屬箔的上表面再覆蓋有保護膜，所述的基材、金屬箔、保護膜構(gòu)成復(fù)合膜，所述的復(fù)合膜用高頻熔接機或超聲波熔接機通過模具進行熱壓成型，所述的保護膜為聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜。
所述的保護膜為一層，所述的保護膜的外表面印有圖案或色彩。
所述的基材為多層薄膜，成型后，所述的基材被熔接成為一體。
所述的金屬箔與所述的保護膜通過膠水相連。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有以下優(yōu)點由于采用聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜作為保護膜，因此制造出來的飾品或標牌的耐磨性更好，光亮度高，使得飾品或標牌呈現(xiàn)明亮的金屬光澤，耐高溫與耐低溫性能好，因此在冬季和夏季其硬度變化小，并且拉伸強度高。
具體實施例方式
一種飾品或標牌的制作工藝，以至少一層聚氯乙烯或聚氨酯膜作為基材，基材的上面鋪有一層金屬箔，金屬箔可使用鋁箔、銅箔、金箔、銀箔等，金屬箔的上面再覆蓋有印有圖案的保護膜，該保護膜為聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜；所述的基材、金屬箔、保護膜構(gòu)成復(fù)合膜，所述的復(fù)合膜用高頻熔接機(一般頻率為20.7兆赫)或超聲波熔接機通過模具進行熱壓成型，所述的熱壓成型的溫度為攝氏110度至135度，所述的熱壓成型的時間為2至5秒。成型后，所述的作為基材的聚氯乙烯或聚氨酯膜被熔接成為一體。
所述的保護膜為一層，保護膜的外表面印有圖案或色彩。在對所述的保護膜印刷圖案前，先對需要印刷圖案的面進行表面脫脂處理，對保護膜表面脫脂處理的方法是用乙醇溶液對被印刷的表面進行擦洗，或者對薄膜加熱至攝氏50度至60度，或以1000伏左右的電暈進行處理，使得圖案或色彩能被印在保護膜的表面。保護膜與金屬箔之間通過膠水相連。
如果所述的金屬箔采用電化鋁箔，市場上的電化鋁箔的與基材相接觸的面上(即電化鋁的背面)涂有一層熱敏膠，在熱壓成型前，先在攝氏75度至110度溫度下對電化鋁箔和基材進行熱燙，使得降溫后電化鋁箔與基材膠合在一起。
所述的基材的底部還鋪有布料層，所述的布料層與所述的復(fù)合膜一起進行熱壓成型，熱壓成型后的基層滲入所述的布料層內(nèi)，使得所述的基材與所述的布料層連為一體。
所述的聚氯乙烯或聚氨酯膜的厚度為0.1至0.5毫米，所述的金屬箔的厚度為2絲至5絲。
權(quán)利要求
1.一種飾品或標牌的制作工藝，以至少為一層的聚氯乙烯或聚氨酯膜作為基材，所述的基材的上表面鋪有一層金屬箔，所述的金屬箔的上表面再覆蓋有保護膜，所述的基材、金屬箔、保護膜構(gòu)成復(fù)合膜，所述的復(fù)合膜用高頻熔接機或超聲波熔接機通過模具進行熱壓成型，其特征在于所述的保護膜為聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的飾品或標牌的制作工藝，其特征在于所述的保護膜為一層，所述的保護膜的外表面印有圖案或色彩。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的飾品或標牌的制作工藝，其特征在于所述的基材為多層薄膜，成型后，所述的基材被熔接成為一體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的飾品或標牌的制作工藝，其特征在于所述的金屬箔與所述的保護膜通過膠水相連。
全文摘要
一種飾品或標牌的制作工藝，以至少為一層的聚氯乙烯或聚氨酯膜作為基材，所述的基材的上表面鋪有一層金屬箔，所述的金屬箔的上表面再覆蓋有保護膜，所述的基材、金屬箔、保護膜構(gòu)成復(fù)合膜，所述的復(fù)合膜用高頻熔接機或超聲波熔接機通過模具進行熱壓成型，因采用聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜作為保護膜，制得的飾品或標牌的耐磨性更好，光澤度更高，耐高溫與耐低溫性能好，硬度變化受溫度影響小，拉伸強度高。
文檔編號B32B27/06GK1807091SQ2006100379
公開日2006年7月26日 申請日期2006年1月18日 優(yōu)先權(quán)日2006年1月18日
發(fā)明者薛培榮 申請人:薛培榮