專利名稱：：電磁波屏蔽層積體及使用了該層積體的顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及在基材上層積了多個層的電磁波屏蔽層積體及具備該電磁波屏蔽層積體的顯示裝置。
背景技術(shù)：
：從等離子顯示器(PDP)的發(fā)光面放射出電磁波。該電磁波會對其附近的電器產(chǎn)生影響，有時會導致誤操作。因此，已知以往以屏蔽電磁波為目的在發(fā)光面的前面設(shè)置于玻璃等基材上被覆了透明導電膜(電磁波屏蔽膜)的部件。此外，提出了以下的(1)(3)這樣的層積體。(l)從基材側(cè)開始交替層疊了總計2n+l(n為正整數(shù))層的含有1種以上的金屬的以氧化鋅為主成分的氧化物層和以銀為主成分的金屬層的層積體(參照專利文獻1)，(2)從基材側(cè)開始交替層疊了由氧化鈦形成的氧化物層和以銀為主成分的金屬層的層積體(參照專利文獻2)，(3)從基材側(cè)開始依次層疊了由氧化鈮形成的氧化物層、以銀為主成分的金屬層、由氧化銦-氧化錫形成的氧化物層、以銀為主成分的金屬層和由氧化鈮形成的氧化物層的層積體(參照專利文獻3)。通常要求該電磁波屏蔽膜具備高可見光透射率和低電阻值。氧化物層和金屬層交替層疊的電磁波屏蔽膜中，為了降低電阻值，已知有增加金屬層的層疊數(shù)或加厚金屬層的方法。專利文獻l:國際公開第98/13850號文本專利文獻2:日本專利特開2000-246831號公報專利文獻3:韓國專利申請公開第2003-93734號發(fā)明的揭示上述專利文獻l所述的現(xiàn)有技術(shù)中，為了改善金屬層的銀的耐濕性，在銀中添加了鈀。因此存在電阻值增大的問題。此外，如果為了降低電阻值而增加金屬層的層疊數(shù)，則存在可見光透射率下降的問題。此外，上述專利文獻2、3所述的現(xiàn)有技術(shù)中，作為氧化物層使用了折射率高的材料氧化鈦或氧化鈮。如果使用氧化鈦、氧化鈮這樣的折射率高的材料，則具有即使層疊數(shù)增加透過率的下降幅度也較小的優(yōu)點。但是，氧化鈦或氧化鈮與銀直接接觸的層積體存在耐濕性劣化的問題。通過在銀中加入鈀雖然可提高耐濕性，但有電阻值增大的問題。本發(fā)明鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，提供具有高可見光透射率的同時具有低電阻值及高耐濕性的低成本的電磁波屏蔽層積體及使用了該層積體的顯示裝置。本發(fā)明的電磁波屏蔽層積體是在透明基材上設(shè)置有電磁波屏蔽膜的電磁波屏蔽層積體，其特征在于，前述電磁波屏蔽膜從前述基材側(cè)開始依次具備由折射率在2.0以上的金屬氧化物形成的第1高折射率層、含有氧化鋅和氧化鈦作為主成分的第1氧化物層、以銀為主成分的導電層及由折射率在2.0以上的金屬氧化物形成的第2高折射率層。較好的是前述電磁波屏蔽膜在前述導電層和前述第2高折射率層之間具有第2氧化物層。較好的是前述第2氧化物層是以氧化鋅為主成分的層、以氧化銦和氧化錫為主成分的層、以氧化銦和氧化鈰為主成分的層或者以氧化錫為主成分的層。較好的是前述第1及第2高折射率層的至少一方為以氧化鈮或氧化鈦為主成分的層。較好的是前述導電層為由含有金及/或鉍的銀合金形成的層或由銀單體形成的層。較好的是從前述基材側(cè)開始層疊了3層以上的前述電磁波屏蔽膜。本發(fā)明的電磁波屏蔽層積體的另一形態(tài)是在透明基材上層疊了2層以上的電磁波屏蔽膜的電磁波屏蔽層積體，其特征在于，前述電磁波屏蔽膜從前述基材側(cè)開始依次具備由折射率在2.0以上的金屬氧化物形成的第1高折射率層、以氧化鋅和氧化鈦為主成分的第l氧化物層、以銀為主成分的導電層及由折射率在2.0以上的金屬氧化物形成的第2高折射率層，前述第1高折射率層和前述第2高折射率層的組成相同，在相鄰的前述電磁波屏蔽膜間直接連接的前述第1高折射率層和前述第2高折射率層是均一的1個層。較好的是前述各電磁波屏蔽膜在前述導電層和前述第2高折射率層間具有第2氧化物層。較好的是前述第1及第2高折射率層的至少一方為以氧化鈮或氧化鈦為主成分的層。本發(fā)明的顯示裝置的特征在于，具備用于顯示圖像的顯示畫面和被設(shè)置于該顯示畫面的目視側(cè)的本發(fā)明的電磁波屏蔽層積體。本發(fā)明的電磁波屏蔽層積體及顯示裝置是具有高可見光透射率的同時具有低電阻值及高耐濕性的低成本的電磁波屏蔽層積體及使用了該層積體的顯示裝置。附圖的簡單說明圖1為表示本發(fā)明的電磁波屏蔽層積體的一例的截面示意圖。圖2為表示等離子顯示器用保護板的一例的截面示意圖。圖3為表示實施例1、2及比較例1的等離子顯示器用保護板的透射光譜的圖。符號說明l為電磁波屏蔽層積體，2為基材，30為著色陶瓷層，31為第l高折射率層，32為第1氧化物層，33為導電層，34為第2氧化物層，35為第2高折射率層，40為防飛散膜，50為電極，60為保護膜，70為粘合劑層，IOO為電磁波屏蔽膜，200為一起成膜的高折射率層。實施發(fā)明的最佳方式〈電磁波屏蔽層積體>圖1為表示本發(fā)明的電磁波屏蔽層積體的一例的截面示意圖。為了便于說明，圖1中的電磁波屏蔽層積體l的各層的尺寸比與實際情況不同。該電磁波屏蔽層積體1中，在透明的基材2上設(shè)置有電磁波屏蔽膜100。本實施方式中，形成4層電磁波屏蔽膜IOO層疊的結(jié)構(gòu)。(基材)作為基材2的材質(zhì)，只要是平滑透明的能夠透射可見光線的材料即可。可例舉例如塑料、玻璃等。作為塑料，可例舉例如聚對苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、三乙酰纖維素、聚醚砜、聚甲基丙烯酸甲酯等。基材2的厚度可根據(jù)用途適當選擇。例如可以是膜狀也可以是板狀。此外，基材2可以是單層的結(jié)構(gòu)，也可以是多層的層積體?；?也可由粘合劑等貼附于另外的玻璃板、塑料板等而使用。例如薄膜狀的塑料基材2可貼附于另外的塑料板、玻璃板等，玻璃板的基材2可貼附于另外的玻璃板、塑料板等。(電磁波屏蔽膜)被設(shè)置于基材2上的各電磁波屏蔽膜100基本由第1高折射率層31、被設(shè)置于第1高折射率層31上的第1氧化物層32、被設(shè)置于第1氧化物層32上的導電層33、被設(shè)置于導電層33上的第2高折射率層35構(gòu)成。本實施方式中，還在導電層33和第2高折射率層35之間設(shè)置第2氧化物層34，各電磁波屏蔽膜100由第1高折射率層31、第1氧化物層32、導電層33、第2氧化物層34、第2高折射率層35構(gòu)成。(高折射率層)第1高折射率層31和第2高折射率層35由折射率在2.0以上的金屬氧化物構(gòu)成。該折射率較好為2.0以上2.7以下。由于第1高折射率層31和第2高折射率層35的折射率在2.0以上，所以即使增加電磁波屏蔽膜100的層疊數(shù)，也可維持高可見光透射率。本說明書中的折射率(n)是指波長550nm下的折射率。作為第1高折射率層31或第2高折射率層35的材料，可例舉例如氧化鈮(n:2.35)、氧化鈦(n:2.45)、氧化鉭(n:2.12.2)等。其中，優(yōu)選氧化鈮、氧化鈦，更好為氧化鈮。由于第1高折射率層31或第2高折射率層35是以氧化鈮或氧化鈦為主成分的層，所以水的滲透量減少，可使電磁波屏蔽膜100的耐濕性提高。第1高折射率層31或第2高折射率層35是以氧化鈮為主成分的層時，更有利于耐濕性的提高，所以特別理想。第1高折射率層31和第2高折射率層35雙方都是以氧化鈮為主成分的層時更為理想。第1高折射率層31較好的是層(100質(zhì)量％)中含有90質(zhì)量％以上的氧化鈮或氧化鈦，更好的是實質(zhì)上由氧化鈮或氧化鈦形成。第2高折射率層35較好的是層(100質(zhì)量％)中含有90質(zhì)量％以上的氧化鈮或氧化鈦，更好的是實質(zhì)上由氧化鈮或氧化鈦形成。此外，較好的是第1高折射率層31和第2高折射率層35的組成相同。第l高折射率層31和第2高折射率層35的組成相同時，相鄰的第1高折射率層和第2高折射率層可以是均一的1個層。此外，第1高折射率層31或第2高折射率層35可以是結(jié)晶質(zhì)的也可以是非晶態(tài)的。其中優(yōu)選非晶態(tài)。具體原因還不明確，第1高折射率層31或第2高折射率層35為非晶態(tài)的理由基于如下考慮。如果第1高折射率層31或第2高折射率層35為非晶態(tài)，則通過晶粒邊界的水的滲透減少，可使電磁波屏蔽膜100的耐濕性進一步提高。此外，如果第1高折射率層31為非晶態(tài)，則可減小構(gòu)成在第1高折射率層31的表面形成的第1氧化物層32的化合物(含有氧化鋅和氧化鈦為主成分的材料)的粒徑。如果構(gòu)成第l氧化物層32的化合物的粒徑減小，則可減小構(gòu)成在第1氧化物層32的表面形成的導電層33的物質(zhì)(銀)的粒徑。由于構(gòu)成導電層33的化合物的粒徑減小，所以晶粒邊界之間的接觸面積增加。其結(jié)果是，可減小導電層33的電阻。第1高折射率層31的物理膜厚較好為2050nm，更好為3040mn。第2高折射率層35的物理膜厚較好為2050nm，更好為3040nm。本實施方式中，由于形成在透明的基材2上層疊了4層電磁波屏蔽膜100的結(jié)構(gòu)，所以第2個疊層的電磁波屏蔽膜100中的第1高折射率層31直接被層疊于第1個疊層的電磁波屏蔽膜100中的第2高折射率層35上。這種情況下，第2高折射率層35和第1高折射率層31最好具有相同的組成。圖1中，各相鄰的第2高折射率層35和第1高折射率層31以作為均一的1個層的高折射率層200表示。相鄰的第2高折射率層和第1高折射率層為均一的1個層時，前述第2高折射率層和前述第1高折射率層合并在一起成膜以高折射率層200表示。此外，根據(jù)需要也可以通過2次以上的操作分別將第1高折射率層31和第2高折射率層35成膜。從降低可見光反射率，且擴大可獲得低反射率的波段區(qū)域的觀點考慮，第1個疊層的第1高折射率層31和最后1個疊層的第2高折射率層35的膜厚最好都小于高折射率層200的膜厚(l/2左右的厚度)。此外，為了調(diào)整包括基材在內(nèi)的整體的光學特性，最好適當調(diào)整各層的膜厚。2層以上的電磁波屏蔽膜100層疊時，被層疊的各電磁波屏蔽膜100中的第1高折射率層31的膜厚可以全部相同。此外，還可根據(jù)需要含有其它的與第1高折射率層31的厚度不同的高折射率層35。第2高折射率層35的情況與第1高折射率層31相同，所有的高折射率層35的膜厚可以相同，也可包含不同膜厚的第2高折射率層35。作為第1高折射率層31或第2高折射率層35的形成方法，可例舉例如使用金屬氧化物的還原性靶(非化學計量的靶，non—stoichiometrictarget)利用濺射法形成的方法，離子鍍敷法、蒸鍍法、CVD法等。其中，使用氧化鈮的還原性靶通過濺射法形成的方法可防止在導電層33上形成氧化鈮層時的導電層33的氧化，可高速且大面積地均一地形成，所以比較理想。這里所用的氧化鈮的還原性靶是指氧化鈮的相對于化學計量的組成缺乏氧的靶。具體來講是具有以式Nb^((Xx〈5)表示的組成的靶，更好的是具有導電性、通過DC濺射法可放電成膜的靶。此外，也可采用以金屬鈮為靶在氧氣氛下進行濺射的方法。使用還原性靶時，作為濺射氣體較好使用含有220體積％的氧化性氣體的惰性氣體。作為氧化性氣體，可例舉氧氣、一氧化氮、二氧化氮、一氧化碳、二氧化碳、臭氧等，通常使用氧氣。(第1氧化物層)第1氧化物層32是含有氧化鋅和氧化鈦作為主成分的層。第1氧化物層32較好的是層(100質(zhì)量％)中合計包含80質(zhì)量％以上的氧化鋅和氧化鈦，更好的是含有90質(zhì)量％以上，最好的是實質(zhì)上僅由氧化鋅和氧化鈦形成。作為第1氧化物層32的其它成分，可例舉鋅和鈦的復合氧化物。含有氧化鋅和氧化鈦為主成分的材料的結(jié)晶結(jié)構(gòu)與構(gòu)成導電層33的銀的結(jié)晶結(jié)構(gòu)相近，所以得出以下結(jié)論。通過使第1氧化物層32是含有氧化鋅和氧化鈦為主成分的層，與例如在氧化鈮形成的層的表面直接形成導電層33時相比，可維持第l氧化物層32和導電層33的結(jié)合性，銀的遷移被抑制。由于可維持結(jié)合性，所以可抑制水分侵入界面，使銀的耐濕性趨于良好。本發(fā)明的電磁波屏蔽膜100包含(由以氧化鋅為主成分的材料形成的)第2氧化物層34時，在由結(jié)晶性良好的銀形成的導電層33和(由以氧化鋅為主成分的材料形成的)第2氧化物層34的界面也同樣地可維持結(jié)合性，耐濕性變得更好。銀的遷移是指銀擴散凝集。如果銀凝集，則在耐濕性不佳的同時凝集的部分會白化，導致外觀劣化。第1氧化物層32中的鈦在鈦和鋅的合計(100原子％)中較好為150原子%，更好為520原子％。鈦在上述范圍內(nèi)，可獲得電阻值低且耐濕性良好的導電層33。第1氧化物層32的物理膜厚較好為130nm，更好為520nm。第1氧化物層32的膜厚如果在30nm以下，則不會有損鄰接的第1高折射率層31的效果，所以比較理想。2層以上的電磁波屏蔽膜100層疊時，層疊的各電磁波屏蔽膜100中的第l氧化物層32的膜厚可以全都相同。此外，根據(jù)需要可含有其它的與第2氧化物層34的厚度不同的第2氧化物層34。作為形成第1氧化物層32的方法，可例舉真空蒸鍍法、反應(yīng)性蒸鍍法、離子束輔助蒸鍍法、濺射法、離子鍍敷法等物理氣相析出法、等離子CVD法等化學氣相析出法等。其中，DC濺射法比較容易控制膜厚，即使在低溫基材上形成也可獲得利于實際使用的膜強度，易大面積化，如果使用所謂的流水線型設(shè)備，則易形成層積膜，所以比較理想。(第2氧化物層)第2氧化物層34是以金屬氧化物為主成分的層。第2氧化物層34的層(100質(zhì)量％)中較好含有50質(zhì)量％以上的金屬氧化物，更好的是含有80質(zhì)量％以上，最好的是含有90質(zhì)量％以上。也可以是實質(zhì)上由金屬氧化物形成的層。作為金屬氧化物，較好的是例如以氧化鋅為主成分的材料、以氧化鈦為主成分的材料、以氧化銦為主成分的材料等。第2氧化物層34為以氧化鋅為主成分的層時，與第l氧化物層32和由銀形成的導電層33的界面的情況相同，在由結(jié)晶性良好的銀形成的導電層33和以氧化鋅為主成分的第2氧化物層34的界面可維持結(jié)合性，耐濕性變得更好，所以比較理想。作為第2氧化物層34的材料，更好的是例如以氧化鈦、氧化鋅為主成分的含有氧化鈦的材料(以下稱為TZ0)、以氧化鋅為主成分的含有氧化鋁的材料(以下稱為AZ0)、以氧化鋅為主成分的含有氧化鎵的材料(以下稱為GZO)、以氧化銦為主成分的含有氧化錫(Sn02)的材料(以下稱為ITO)。其中，從氧化物層的耐久性方面考慮，較好的是TZO、AZO、GZO，TZO、AZO因為與銀的結(jié)晶結(jié)構(gòu)更相近，所以特別理想。第2氧化物層34由TZO形成時，第2氧化物層34中的鈦在鈦和鋅的合計(100原子％)中較好為150原子％，更好為520原子％。第2氧化物層34由AZO形成時，第2氧化物層34中的鋁在鋁和鋅的合計(100原子％)中較好為110原子％，更好為26原子％。第2氧化物層34由GZO形成時，第2氧化物層34中的鎵在鎵和鋅的合計(100原子％)中較好為0.510原子％，更好為27原子％。第2氧化物層34由ITO形成時，第2氧化物層34中的錫在錫和銦的合計(100原子％)中較好為150原子％，更好為540原子％。由氧化鋅單體形成的膜的內(nèi)部應(yīng)力大。內(nèi)部應(yīng)力如果較大，則第2氧化物層34易出現(xiàn)裂縫，水分容易從該部分滲入。通過使鈦在1原子％以上，鋁在l原子％以上或鎵在0.5原子％以上，可減小第2氧化物層34的內(nèi)部應(yīng)力，能夠減少裂縫產(chǎn)生的可能性。此外，通過使鈦在50原子％以下，鋁在10原子％以下，鎵在10原子％以下，可確保氧化鋅的結(jié)晶結(jié)構(gòu)。第2氧化物層34的物理膜厚較好為130nm，更好為520nm。2層以上的電磁波屏蔽膜100層疊時，被層疊的各電磁波屏蔽膜100中的第2氧化物層34的膜厚可以全部相同。此外，根據(jù)需要還可含有其它的與第2氧化物層34的厚度不同的第2氧化物層34。作為形成第2氧化物層34的方法，可例舉真空蒸鍍法、反應(yīng)性蒸鍍法、離子束輔助蒸鍍法、濺射法、離子鍍敷法等物理氣相析出法，等離子CVD法等化學氣相析出法等。其中，DC濺射法比較容易控制膜厚，即使在低溫基材上形成也可獲得利于實際使用的膜強度，易大面積化，如果使用所謂的流水線型設(shè)備，則易形成層積膜，所以比較理想。(導電層)導電層33是以銀為主成分的層。導電層33所含的全部金屬原子(IOO原子%)中，導電層33的銀含量較好在90原子％以上，更好在95原子％以上，特好在99原子％以上。作為以銀為主成分的材料，可例舉銀單體、在銀中混入了選自鈀、鉑、金、銥、銠、銅及鉍的至少l種金屬的合金。使銀的含量在前述范圍內(nèi)，即使導電層33的膜厚減小，也可降低電磁波屏蔽層積體1的電阻值。此外，即使電磁波屏蔽膜100的層疊數(shù)減少，也可降低電阻值，因此可獲得電阻值低且可見光透射率高的電磁波屏蔽層積體1。從減小電磁波屏蔽層積體1的電阻值的觀點考慮，導電層33最好是由銀單體形成的層。本發(fā)明的銀單體是指導電層33(100原子％)中含有99.9原子%以上的銀。從抑制銀的擴散而提高耐濕性的角度考慮，導電層33最好是由含有金及/或鉍的銀合金形成的層。為使電阻率達到4.5"Qcm以下，導電層33(100原子％)中的金及鉍的合計含量較好為0.21.5原子％。電磁波屏蔽層積體1的全部的導電層33的物理膜厚的合計膜厚例如在所得導電性層積體10的電阻值的目標為1.5Q/口時，較好為2560mn，更好為2550nra。電阻值的目標為1Q/口時，較好為3580nm，更好為3570nm。各導電層33的物理膜厚的合計膜厚按照導電層33的數(shù)目適當分配。導電層33的數(shù)目如果較多，則各導電層33的電阻率上升，所以為了降低電阻值，傾向于合計膜厚增加。1個導電層33的物理膜厚較好為520nm。各導電層33的物理膜厚可以相同也可以不同。即，層疊2層以上的電磁波屏蔽膜IOO時，被層疊的各電磁波屏蔽膜100中的導電層33的膜厚可以全都相同。此外，根據(jù)需要還可包含其它的與導電層33的厚度不同的導電層33。導電層33的形成可按照濺射法、蒸鍍法等各種方法完成。特別是從成膜速度快且可大面積形成厚度均一的均質(zhì)層的角度考慮，最好采用DC濺射法來形成。為了具有充分的電磁波屏蔽能，被層疊于基材2上的電磁波屏蔽膜100的層疊數(shù)較好為2層以上。通過層疊2層以上，可獲得充分的電磁波屏蔽能。更好的是層疊3層以上。另外，由于能夠維持高可見光透明度，所以電磁波屏蔽膜100的層疊數(shù)較好為8層以下?；谏鲜鲇^點，最好的層疊數(shù)是3層以上6層以下?！达@示裝置〉[實施方式1]作為顯示裝置，可例舉等離子顯示器(PDP)、液晶顯示裝置(LCD)、電致發(fā)光顯示器(ELD)、陰極管顯示裝置(CRT)、場致發(fā)射顯示器(FED)等。顯示裝置中，用于顯示圖像的顯示畫面的目視側(cè)通常由玻璃基板、塑料基板等透明基板構(gòu)成。本發(fā)明的顯示裝置具備用于顯示圖像的顯示畫面和被設(shè)置于顯示畫面的目視側(cè)的電磁波屏蔽層積體。作為電磁波屏蔽層積體，只要是本發(fā)明的電磁波屏蔽層積體即可，例如可使用圖1所示的電磁波屏蔽層積體1。電磁波屏蔽層積體也可用粘合劑等直接貼附于顯示畫面的目視側(cè)表面，也可以與顯示畫面保持一定間隙設(shè)置。此外，也可以在顯示畫面的目視側(cè)新設(shè)置由玻璃、塑料等形成的保護板，在保護板的目視側(cè)或顯示側(cè)直接貼附電磁波屏蔽層積體。另外，還可以在保護板的目視側(cè)或顯示側(cè)與前面板保持一定間隙而設(shè)置電磁波屏蔽層積體。此外，為了提高電磁波屏蔽能，還可在保護板貼附導電性網(wǎng)膜。導電性網(wǎng)膜可以是在透明膜上形成有由銅構(gòu)成的導電性網(wǎng)狀層的膜。通常在透明膜上貼合銅箔后加工成網(wǎng)狀而制得。銅箔可以是軋制銅、電解銅中的任一種，可采用公知的銅箔。銅箔可接受各種表面處理。作為表面處理，可例舉鉻酸鹽處理、粗面化處理、酸洗、鉻酸鋅處理等。銅箔的厚度較好為330ym，更好為520ym，特好為710iim。使銅箔的厚度在30nm以下，能夠縮短腐蝕時間，使該厚度在3nm以上，能夠提高電磁波屏蔽能。導電性網(wǎng)狀層的開口率較好為6095%，更好為6590%，特好為7085%。導電性網(wǎng)狀層的開口部的形狀為正三角形、正四角形、正六角形、圓形、長方形、菱形等。開口部最好形狀一致，且在面內(nèi)排列。開口部的尺寸較好是l邊或直徑為5200Mm，更好為10150um。使開口部的1邊或直徑在200ixm以下，可提高電磁波屏蔽能，使開口部的l邊或直徑在5tim以上，可減少對顯示裝置的圖像的影響。開口部以外的金屬部的寬度較好為550um。使金屬部的寬度在5"ra以上，加工變得容易，使該寬度在50wm以下，對顯示裝置的圖像的影響小。艮卩，開口部的排列間距較好為10250um。如果導電性網(wǎng)狀層的表面電阻低于必須值，則膜厚增加，無法充分確保開口部等，會對保護板的光學性能等造成不良影響。另一方面，如果導電性網(wǎng)狀層的表面電阻高于必須值，則無法獲得充分的電磁波屏蔽能。因此，導電性網(wǎng)狀層的表面電阻較好為0.0110Q/口，更好為0.012Q/口，特好為0.051Q/口。可以使用比開口部的l邊或直徑大5倍以上的電極，以開口部的排列間距的5倍以上的電極間隔，通過4端子法測定導電性網(wǎng)狀層的表面電阻。例如，如果是開口部為1邊100wm的正方形、介以金屬部的寬度20um規(guī)則地排列的導電性網(wǎng)狀層，則可以lmm的間隔排列直徑lmm的電極進行測定。或者，也可以將導電性網(wǎng)膜加工成長方形，在其長邊方向的兩端設(shè)置電極，測定其電阻R，由長邊方向的長度a和短邊方向的長邊b通過下式求得。表面電阻^RXb/a等。作為粘合劑的類型，較好為2液型或熱固化型。此外，粘合劑最好具備良好的耐化學品性。作為將銅箔加工成網(wǎng)狀的方法，可例舉光刻法。印刷法中，通過絲網(wǎng)印刷形成開口部的圖案。光刻法中，通過輥涂法、旋涂法、全面印刷法、轉(zhuǎn)印法等，在銅箔上形成光刻材料，通過曝光、顯影、蝕刻，形成開口部的圖案。作為形成導電性網(wǎng)狀層的其它方法，可例舉利用絲網(wǎng)印刷等印刷法形成開口部的圖案的方法。[實施方式2]本發(fā)明的顯示裝置由用于顯示圖像的顯示畫面和被設(shè)置于顯示畫面的目視側(cè)的表面的電磁波屏蔽膜構(gòu)成。這種情況下，顯示畫面的目視側(cè)的玻璃基板、塑料基板等透明基板成為本發(fā)明的電磁波屏蔽層積體的基材。作為該顯示裝置，可例舉-(1)電磁波屏蔽膜從顯示畫面的目視側(cè)的表面開始依次具備由折射率在2.0以上的金屬氧化物形成的第1高折射率層、含有氧化鋅和氧化鈦作為主成分的第1氧化物層、以銀為主成分的導電層及由折射率在2.0以上的金屬氧化物形成的第2高折射率層的顯示裝置，(2)該電磁波屏蔽膜在導電層和第2高折射率層之間具有第2氧化物層的顯示裝置，(3)該電磁波屏蔽膜的第1或第2高折射率層為以氧化鈮或氧化鈦為主成分的層的顯示裝置，(4)該電磁波屏蔽膜的導電層是由含有金及/或鉍的銀合金形成的層或由銀單體形成的層的顯示裝置，(5)該電磁波屏蔽膜從基材側(cè)開始層疊了3層以上的顯示裝置等。此外，作為電磁波屏蔽膜，例如可使用圖1所示的電磁波屏蔽膜100。這種情況下，在顯示屏的目視側(cè)的面上依次層疊第l高折射率層31、第l氧化物層32、導電層33、第2氧化物層34、第2高折射率層35。電磁波屏蔽膜可通過蒸鍍法、濺射法等直接形成于顯示畫面的目視側(cè)表面。實施例[實施例1]首先，通過利用離子束的干式洗滌實施作為基材2的厚100ym的聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜表面的洗滌。利用離子束的干式洗滌如下實施。S卩，在氬氣中混合約30%的氧，投入100W的電力，對基材2表面照射利用離子束源離子化得到的氬離子或氧離子。圖1所示的電磁波屏蔽層積體1通過反復進行以下的(i)(iv)的步驟制得。(i)在導入混合了5體積％氧氣的氬氣的同時使用氧化鈮靶[旭硝子陶瓷株式會社制，NBO]，在壓力O.73Pa、頻率50kHz、功率密度4.5W/cm2、反轉(zhuǎn)脈沖寬度2ysec的條件下實施脈沖濺射，在基材2表面形成厚度20nm的第1高折射率層31(1)((l)表示從基材2側(cè)開始的第1個疊層的電磁波屏蔽膜100中的層，以下，(2)、(3)、(4)同樣如此，表示第2個疊層，第3個疊層，第4個疊層)。(ii)在導入混合了15體積X氧氣的氬氣的同時使用TZ0靶[氧化鋅氧化鈦=85:15(質(zhì)量比)]，在壓力0.73Pa、頻率50kHz、功率密度0.34W/cm2、反轉(zhuǎn)脈沖寬度sec的條件下實施脈沖濺射，在第1高折射率層31(1)表面形成厚度15nm的第1氧化物層32(1)。利用tak夕7T4公司制ESCA5500測得第1氧化物層32(1)的鋅和鈦的合計(100原子％)中，鋅為85原子％，鈦為15原子％。(iii)在導入氬氣的同時使用摻雜了1.0質(zhì)量q/^金的銀合金靶，在壓力0.73Pa、頻率50kHz、功率密度2.3W/cm2、反轉(zhuǎn)脈沖寬度10wsec的條件下實施脈沖濺射，在第l氧化物層32(l)表面形成厚度10nm的導電層33(1)。利用7a"\夕7T<公司制ESCA5500測得導電層33的全部金屬原子(IOO原子％)中，銀為99原子％。(iv)在導入混合了2體積％氧氣的氬氣的同時使用TZO靶[氧化鋅氧化鈦=85:15(質(zhì)量比)]，在壓力0.73Pa、頻率50kHz、功率密度0.34W/cm2、反轉(zhuǎn)脈沖幅度2usec的條件下實施脈沖濺射，在導電層33(1)表面形成厚度15nm的第2氧化物層34(1)。利用7a",77<公司制ESCA5500測得第2氧化物層34(1)的鋅和鈦的合計(100原子％)中，鋅為85原子％，鈦為15原子％。此外，采用NationalElectrostatics公司生產(chǎn)的球鏈式靜電加速器3UH，通過盧瑟福背散射能譜(RBS:RutherfordBackscatteringSpectroscopy)在以下的條件下測定鋅和鈦的比例。離子束能2300keV，離子種He+，散射角170、100度，離子束入射角相對于試料面的法線為7度，試料電流30nA，離子束照射量40nC。這種情況下，第2氧化物層34(1)的鋅和鈦的合計(100原子。^)中，鋅為85原子％，鈦為15原子％。與上述(i)同樣，在第2氧化物層34(1)表面形成厚40nm的高折射率層200(第2高折射率層35(1)+第1高折射率層31(2))。與上述(ii)同樣，在高折射率層200表面形成厚15nm的第1氧化物層32(2)。與上述(iii)同樣，在第l氧化物層32(2)表面形成厚14nm的導電層33(2)。與上述(iv)同樣，在導電層33(2)表面形成厚15nm的第2氧化物層34(2)。與上述(i)同樣，在第2氧化物層34(2)表面形成厚40nm的高折射率層200(第2高折射率層35(2)+第1高折射率層31(3))。與上述(ii)同樣，在高折射率層200表面形成厚15nm的第1氧化物層32(3)。與上述(iii)同樣，在第l氧化物層32(3)表面形成厚14nm的導電層33(3)。與上述(iv)同樣，在導電層33(3)表面形成厚15nm的第2氧化物層34(3)。與上述(i)同樣，在第2氧化物層34(3)表面形成厚40nm的高折射率層200(第2高折射率層35(3)+第1高折射率層31(4))。與上述(ii)同樣，在高折射率層200表面形成厚15nm的第1氧化物層32(4)。與上述(iii)同樣，在第1氧化物層32(4)表面形成厚10nm的導電層33(4)。與上述(iv)同樣，在導電層33(4)表面形成厚15nm的第2氧化物層34(4)。與上述(i)同樣，在第2氧化物層34(4)表面形成厚20nm的第2高折射率層35(4)。對于以上制得的電磁波屏蔽層積體1，利用東京電色株式會社制色彩分析儀TC1800測得的視覺透射率(JISZ8701規(guī)定的刺激值Y)為69.6%，利用Nagy公司制渦電流型電阻測定器SRM12測得的薄膜電阻(表面電阻)為1.011Q/口。另外，按照以下步驟評價耐濕性。在耐濕性評價中使用了NaCl試驗。首先，在電磁波屏蔽層積體1的電磁波屏蔽膜100上滴下2質(zhì)量XNaCl水溶液luL后，使其干燥。然后，在電磁波屏蔽膜100上貼合附帶粘著材料(水，于，/公司制ADC2或有澤制作所株式會社制PTR2500，厚25um)的PET膜(厚100um)，于溫度60。C相對濕度90%的恒溫恒濕槽內(nèi)保存IOO小時后取出，剝?nèi)ET膜。用游標卡尺測定劣化剝離的部分的面積(劣化面積)。結(jié)果示于表l。圖2所示的PDP用保護板11按照以下步驟制作。首先，在電磁波屏蔽層積體1的基材2側(cè)的表面設(shè)置粘合劑層70(丙烯酸類粘合劑，厚25um)。按照規(guī)定尺寸切斷作為支承基體20的玻璃板，倒角，洗滌后，在玻璃板邊緣通過絲網(wǎng)印刷涂布著色陶瓷層用油墨，充分干燥，形成著色陶瓷層30。然后，將形成有著色陶瓷層30的支承基體20加熱至66(TC，風冷，實施玻璃強化處理。在支承基體20的著色陶瓷層30側(cè)介以上述粘合劑層70貼附電磁波屏蔽層積體1。然后，以保護電磁波屏蔽層積體1為目的，介以粘合劑層70(丙烯酸類粘合劑，厚25wra)在電磁波屏蔽層積體1的表面貼合保護膜60(旭硝子株式會社制，商品名ARCT0PCP21,厚100um)。但是，為了能夠取出電極，在電磁波屏蔽層積體1的邊緣部殘留有未貼合保護膜60的部分(電極形成部)。接著，采用尼龍網(wǎng)tt180，通過絲網(wǎng)印刷以乳劑厚度20nm在電極形成部涂布銀糊(太陽油墨制造株式會社制，商品名AF4810),在熱風循環(huán)爐中于85"C干燥35分鐘，獲得電極50。然后，在支承基體20的內(nèi)面(貼合了導電性層積體10的一側(cè)的相反側(cè)的面)，介以粘合劑層70(丙烯酸類粘合劑，厚25um)貼合作為防飛散膜40的聚氨酯類軟質(zhì)樹脂膜(旭硝子株式會社制，商品名ARCT0PURP2199，厚300um)。該聚氨酯類軟質(zhì)樹脂膜具有防反射性能。通常在聚氨酯類軟質(zhì)樹脂膜中添加著色劑，賦予色調(diào)修正、Ne光阻截性能，以實現(xiàn)色彩再現(xiàn)性的提高。但是，本實施例中由于不對色調(diào)修正和Ne光阻截性能進行評價，所以未著色。以上制得的PDP用保護板11中，從圖2的目視側(cè)利用東京電色株式會社制色彩分析儀TC1800測得的視覺透射率(JISZ8701規(guī)定的刺激值Y)為68.8%。此外，波長850nm的光線的透射率為1.0%。該PDP用保護板11的透射光譜示于圖3。[實施例2]除了將第1高折射率層31的厚度改為lOrnn、將第1氧化物層32的厚度改為25rnn、將第2氧化物層34的厚度改為25nm、將第2高折射率層35的厚度改為10nm、將高折射率層200(第2高折射率層35+第1高折射率層31)的厚度改為20mn以外，其它與實施例l同樣，制作電磁波屏蔽層積體l。對于實施例2的電磁波屏蔽層積體1，利用東京電色株式會社制色彩分析儀TC1800測得的視覺透射率(JISZ8701規(guī)定的刺激值Y)為67.7%，利用Nagy公司制渦電流型電阻測定器SRM12測得的薄膜電阻(表面電阻)為L005Q/口。另外，評價了耐濕性。結(jié)果示于表l。另外，除了改用實施例2的電磁波屏蔽層積體1以外，其它與實施例l同樣，制得圖2所示的PDP用保護板11。對于實施例2的PDP用保護板11，從圖2的目視側(cè)利用東京電色株式會社制色彩分析儀TC1800測得的視覺透射率(JISZ8701規(guī)定的刺激值Y)為67.0%。此外，波長850nm的光線的透射率為0.7。％。該PDP用保護板11的透射光譜示于圖3。[比較例1]除了未設(shè)置第1氧化物層32，直接在第1髙折射率層31或高折射率層200的表面形成導電層33，第l個疊層的高折射率層31(l)的厚度改為35mn，第2氧化物層34的厚度改為5nm，第4個疊層的第2高折射率層35(4)的厚度改為30nm，高折射率層200(第2高折射率層35+第1高折射率層31)的厚度改為55nm以外，其它與實施例1同樣，制得電磁波屏蔽層積體。對于比較例1的電磁波屏蔽層積體，利用東京電色株式會社制色彩分析儀TC1800測得的視覺透射率(JISZ8701規(guī)定的刺激值Y)為65.6%，利用Nagy公司制渦電流型電阻測定器SRM12測得的薄膜電阻(表面電阻)為1.163Q/口。另外，評價了耐濕性。結(jié)果示于表l。另外，除了改用比較例1的電磁波屏蔽層積體以外，其它與實施例1同樣，制得圖2所示的PDP用保護板。對于比較例1的PDP用保護板，從目視側(cè)利用東京電色株式會社制色彩分析儀TC1800測得的視覺透射率(JISZ8701規(guī)定的刺激值Y)為64.4%。此外，波長850nm的光線的透射率為1.1%。該PDP用保護板的透射光譜示于圖3。<table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table>產(chǎn)業(yè)上利用的可能性本發(fā)明的電磁波屏蔽層積體作為用于顯示裝置等的濾波器有用。這里引用了2005年2月25日提出申請的日本專利申請2005-050720號的說明書、權(quán)利要求書、附圖及摘要的全部內(nèi)容作為本發(fā)明的說明書的揭示。權(quán)利要求1.電磁波屏蔽層積體，它是在透明基材上設(shè)置有電磁波屏蔽膜的電磁波屏蔽層積體，其特征在于，前述電磁波屏蔽膜從前述基材側(cè)開始依次具備由折射率在2.0以上的金屬氧化物形成的第1高折射率層、含有氧化鋅和氧化鈦作為主成分的第1氧化物層、以銀為主成分的導電層及由折射率在2.0以上的金屬氧化物形成的第2高折射率層。2.如權(quán)利要求1所述的電磁波屏蔽層積體，其特征在于，前述電磁波屏蔽膜在前述導電層和前述第2高折射率層之間具有第2氧化物層。3.如權(quán)利要求2所述的電磁波屏蔽層積體，其特征在于，前述第2氧化物層是以氧化鋅為主成分的層、以氧化銦和氧化錫為主成分的層、以氧化銦和氧化鈰為主成分的層或者以氧化錫為主成分的層。4.如權(quán)利要求13中任一項所述的電磁波屏蔽層積體，其特征在于，前述第1及第2高折射率層的至少一方為以氧化鈮或氧化鈦為主成分的層。5.如權(quán)利要求14中任一項所述的電磁波屏蔽層積體，其特征在于，前述導電層為由含有金及/或鉍的銀合金形成的層或由銀單體形成的層。6.如權(quán)利要求15中任一項所述的電磁波屏蔽層積體，其特征在于，從前述基材側(cè)開始層疊了3層以上的前述電磁波屏蔽膜。7.電磁波屏蔽層積體，它是在透明基材上層疊了2層以上的電磁波屏蔽膜的電磁波屏蔽層積體，其特征在于，前述電磁波屏蔽膜從前述基材側(cè)開始依次具備由折射率在2.0以上的金屬氧化物形成的第1高折射率層、以氧化鋅和氧化鈦為主成分的第1氧化物層、以銀為主成分的導電層及由折射率在2.0以上的金屬氧化物形成的第2高折射率層，前述第1高折射率層和前述第2高折射率層的組成相同，在相鄰的前述電磁波屏蔽膜間直接連接的前述第1高折射率層和前述第2高折射率層是均一的1個層。8.如權(quán)利要求7所述的電磁波屏蔽層積體，其特征在于，前述各電磁波屏蔽膜在前述導電層和前述第2高折射率層間具有第2氧化物層。9.如權(quán)利要求7或8所述的電磁波屏蔽層積體，其特征在于，前述第1及第2高折射率層的至少一方為以氧化鈮或氧化鈦為主成分的層。10.顯示裝置，其特征在于，具備用于顯示圖像的顯示畫面和被設(shè)置于該顯示畫面的目視側(cè)的權(quán)利要求19中任一項所述的電磁波屏蔽層積體。全文摘要提供具有高可見光透射率的同時具有低電阻值及高耐濕性的低成本的電磁波屏蔽層積體及使用了該層積體的顯示裝置。該層積體是在透明基材2上設(shè)置有電磁波屏蔽膜100的電磁波屏蔽層積體1，電磁波屏蔽膜100從前述基材2側(cè)開始依次具備由折射率在2.0以上的金屬氧化物形成的第1高折射率層31、含有氧化鋅和氧化鈦作為主成分的第1氧化物層32、以銀為主成分的導電層33及由折射率在2.0以上的金屬氧化物形成的第2高折射率層35。文檔編號B32B9/00GK101124863SQ20068000549公開日2008年2月13日申請日期2006年2月23日優(yōu)先權(quán)日2005年2月25日發(fā)明者川崎正人,柳澤享,森本保,賦舩昌宏申請人:旭硝子株式會社