專利名稱：：粘接片、接合方法及接合體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及粘接片、接合方法及接合體。
背景技術(shù)：
：目前，在將具備具有規(guī)定功能的功能性基板的粘接片與被粘接體(對(duì)向基板)接合時(shí)，多利用在功能性基板的一面設(shè)置由環(huán)氧系粘接劑、聚氨脂系粘接劑、硅系粘接劑等粘接劑構(gòu)成的接合膜，通過該接合膜將功能性基板與被粘接體接合的方法。通常，粘接劑不根據(jù)進(jìn)行接合的功能性基板及被粘接體的材質(zhì)而表示優(yōu)異的粘接性。因此，可以將由各種材料構(gòu)成的功能性基板和被粘接體進(jìn)行各種各樣的組合而粘接。即，不根據(jù)進(jìn)行接合的功能性基板及被粘接體的材質(zhì)，就能夠?qū)⒕邆涔δ苄曰宓恼辰悠c被粘接體粘接。在使用由這種粘接劑構(gòu)成的接合膜將粘接片與被粘接體粘接的情況下，預(yù)先準(zhǔn)備在功能性基板上設(shè)置有硬化前的接合膜的粘接片，在接合膜介于功能性基板和被粘接體之間的狀態(tài)下，使該粘接片與被粘接體接觸。其后，利用熱或光的作用使接合膜硬化(固化)，由此，將功能性基板及被粘接體粘接。但是，在使用了由這種粘接劑構(gòu)成的接合膜的接合中，存在以下問題。粘接強(qiáng)度低尺寸精度低由于硬化時(shí)間長(zhǎng)，因此粘接需要較長(zhǎng)時(shí)間在許多情況下，為了提高粘接強(qiáng)度，需要使用底涂劑，由此造成的成本和工時(shí)導(dǎo)致粘接工藝的高成本化、復(fù)雜化。另一方面，作為不經(jīng)由接合膜將功能性基板與被粘接體直接接合的方法，具有固體接合的方法(例如，參照專利文獻(xiàn)l)。根據(jù)這種固體接合，由于不需要形成接合膜，因此，可以將粘接片對(duì)被粘接體以高的尺寸精度進(jìn)行接合。但是，在固體接合中，存在以下問題。對(duì)進(jìn)行接合的功能性基板及被粘接體的材質(zhì)有限制*在接合工序中，伴有在高溫(例如，70080(TC程度)下的熱處理接合工序中的氣氛局限于負(fù)壓氣氛受這些問題的啟發(fā)，正在尋求開發(fā)一種粘接片，不根據(jù)供接合的功能性基板及被粘接體的材質(zhì)，就能以高的尺寸精度牢固地、且在低溫下高效地將具備功能性基板的粘接片與被粘接體接合。專利文獻(xiàn)l:(日本)特開平5-82404號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于，提供粘接片、接合方法及接合體，粘接片具備能夠以高的尺寸精度牢固地、且在低溫下高效地與被粘接體進(jìn)行接合的接合膜；接合方法能夠在低溫下高效地將這樣的粘接片和被粘接體接合；接合體由粘接片和被粘接體以高的尺寸精度牢固地接合而成且可靠性高。這樣目的可以通過下述的本發(fā)明實(shí)現(xiàn)。本發(fā)明提供一種粘接片，其特征在于，與被粘接體粘接使用，具有功能性基板，其具有規(guī)定功能；接合膜，其設(shè)置在該功能性基板的一面?zhèn)龋液薪饘僭?、與該金屬原子結(jié)合的氧原子、與所述金屬原子及所述氧原子中至少一方結(jié)合的脫離基，將能量賦予所述接合膜的至少局部區(qū)域，所述接合膜的表面附近存在的所述脫離基自所述金屬原子及所述氧原子中至少一方脫離，由此，在所述接合膜的表面的所述區(qū)域顯現(xiàn)與所述被粘接體的粘接性。由此，能夠制成具備接合膜的粘接片，該接合膜能夠以高的尺寸精度牢固地、且在低溫下高效地與被粘接體接合。在本發(fā)明的粘接片中，所述脫離基優(yōu)選在所述接合膜的表面附近偏在。由此，能夠?qū)雍夏ぷ罴训匕l(fā)揮作為金屬氧化物膜的功能。即，除作為接合膜的功能以外，可以對(duì)接合膜最佳地賦予作為導(dǎo)電性及透光性等特性優(yōu)異的金屬氧化物膜的功能。在本發(fā)明的粘接片中，所述金屬原子優(yōu)選為銦、錫、鋅、鈦、及銻中至少一種。將接合膜作成含有這些金屬原子的膜，由此，接合膜發(fā)揮優(yōu)異的導(dǎo)電性和透明性。在本發(fā)明的粘接片中，所述脫離基優(yōu)選為氫原子、碳原子、氮原子、磷原子、硫原子及鹵原子、或由這些原子構(gòu)成的原子團(tuán)中至少一種。這些脫離基在能量的賦予發(fā)生的結(jié)合/脫離的選擇性上比較優(yōu)異。因此，通過賦予能量，可以獲得比較簡(jiǎn)單地且均勻地進(jìn)行脫離的脫離基，可以將粘接片的粘接性更高級(jí)化。在本發(fā)明的粘接片中，所述接合膜優(yōu)選是將氫原子作為脫離基導(dǎo)入銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、銻錫氧化物(ATO)、含氟銦錫氧化物(FTO)、氧化鋅(ZnO)或二氧化鈦(Ti02)中而成的接合膜。如此構(gòu)成的接合膜其自身具有優(yōu)異的機(jī)械特性。另外，對(duì)多數(shù)材料表示特別優(yōu)異的粘接性。因此，這種接合膜可以與基板進(jìn)行特別牢固地粘接，并且，即使對(duì)對(duì)向基板也表示特別強(qiáng)的被粘接力，作為結(jié)果，可以將基板與對(duì)向基板牢固地接合。在本發(fā)明的粘接片中，所述接合膜中的金屬原子和氧原子的存在比優(yōu)選為3:7~7:3。由此，接合膜的穩(wěn)定性高，且能夠更牢固地將粘接片和被粘接體接合。本發(fā)明的粘接片，其特征在于，與被粘接體粘接使用，具有功能性基板，其具有規(guī)定功能；接合膜，其設(shè)置在該功能性基板的一面?zhèn)龋液薪饘僭?、由有機(jī)成分構(gòu)成的脫離基，將能量賦予所述接合膜的至少局部區(qū)域，所述接合膜的表面附近存在的所述脫離基自該接合膜脫離，由此在所述接合膜的表面的所述區(qū)域顯現(xiàn)與所述被粘接體的粘接性。由此，能夠制成具備接合膜的粘接片，其接合膜能夠以高的尺寸精度牢固地、且在低溫下高效地與被粘接體接合。在本發(fā)明的粘接片中，所述接合膜優(yōu)選以有機(jī)金屬材料為原材料且利用有機(jī)金屬化學(xué)氣相成長(zhǎng)法進(jìn)行成膜。利用這樣的方法，可以通過比較簡(jiǎn)單的工序進(jìn)行成膜，且成膜均勻膜厚的接合膜。在本發(fā)明的粘接片中，所述接合膜優(yōu)選在低還原性氣氛下進(jìn)行成膜。由此，可以在基板上形成純粹的金屬膜，且可以在使有機(jī)金屬材料中所含的有機(jī)物的一部分殘留的狀態(tài)下進(jìn)行成膜。即，可以形成作為接合膜及金屬膜雙方的特性都優(yōu)異的接合膜。在本發(fā)明的粘接片中，所述脫離基優(yōu)選殘留有所述有機(jī)金屬材料中所含的有機(jī)物的一部分。這樣，在成膜時(shí)，將殘留在膜中的殘留物用作脫離基進(jìn)行構(gòu)成，由此，不需要將脫離基導(dǎo)入已形成的金屬膜中，且可以通過比較簡(jiǎn)單的工序進(jìn)行成膜。在本發(fā)明的粘接片中，所述脫離基優(yōu)選以碳原子為必需成分，由含有氫原子、氮原子、磷原子、硫原子及鹵原子中至少一種的原子團(tuán)構(gòu)成。這些脫離基在能量的賦予發(fā)生的結(jié)合/脫離的選擇性上比較優(yōu)異。因此，通過賦予能量，可以獲得比較簡(jiǎn)單地且均勻地進(jìn)行脫離的脫離基，可以將功能性基板的粘接性更高級(jí)化。在本發(fā)明的粘接片中，所述脫離基優(yōu)選為烷基。由烷基構(gòu)成的脫離基化學(xué)穩(wěn)定性高，因此，具備烷基作為脫離基的接合膜耐風(fēng)化性及耐藥品性優(yōu)異。在本發(fā)明的粘接片中，所述有機(jī)金屬材料優(yōu)選為金屬絡(luò)合物。通過用金屬絡(luò)合物成膜接合膜，可以在殘留有金屬絡(luò)合物中所含的有機(jī)物的一部分的狀態(tài)下，可靠地形成接合膜。在本發(fā)明的粘接片中，所述金屬原子優(yōu)選為銅、鋁、鋅及鐵中至少一種。將接合膜作成含有這些金屬原子的膜，由此，接合膜發(fā)揮優(yōu)異的導(dǎo)電性。在本發(fā)明的粘接片中，所述接合膜中的金屬原子和碳原子的存在比優(yōu)選為3:7~7:3。將金屬原子和碳原子的存在比設(shè)定在所述范圍內(nèi)，由此，接合膜的穩(wěn)定性高，可以更牢固地將粘接片和被粘接體接合，另外，可以使接合膜發(fā)揮優(yōu)異的導(dǎo)電性。在本發(fā)明的粘接片中，所述接合膜優(yōu)選在其至少表面附近存在的所述脫離基自該接合膜脫離后，l產(chǎn)生活性鍵。由此，可以獲得基于化學(xué)性的結(jié)合可牢固地與被粘接體接合的粘接片。在本發(fā)明的粘接片中，所述活性鍵優(yōu)選為未結(jié)合鍵或羥基。由此，可特別牢固地與被粘接體接合。在本發(fā)明的粘接片中，所述接合膜的平均厚度優(yōu)選為11000nrn。由此，能夠防止接合粘接片和被粘接體的接合體的尺寸精度顯著降低，且能夠更牢固地將它們接合。在本發(fā)明的粘接片中，所述接合膜優(yōu)選成不具有流動(dòng)性的固體狀。由此，利用粘接片得到的接合體的尺寸精度與現(xiàn)有相比格外地高。另外，與現(xiàn)有相比，在短時(shí)間內(nèi)，可達(dá)到強(qiáng)固的接合。在本發(fā)明的粘接片中，所述功能性基板優(yōu)選具有撓性。由此，即使被粘接體的使粘接片粘接的面為彎曲面即不由平面構(gòu)成的面，也可以追隨該進(jìn)行粘接的面的形狀使粘接片變形。另外，即使在被粘接體成板狀且橫跨該被粘接體的表面和背面雙方將粘接片粘接的情況下，也可以通過彎曲將粘接片粘附在被粘接體的表面及背面雙方。在本發(fā)明的粘接片中，所述功能性基板優(yōu)選形成片狀。在本發(fā)明的粘接片中，所述功能性基板優(yōu)選被形成為圖案。在本發(fā)明的粘接片中，所述功能性基板優(yōu)選具有布線、電極、端子、電路、半導(dǎo)體電路、電波的收發(fā)信部、光學(xué)元件、顯示體及功能性薄膜中至少一種功能。可以使用具有如此功能的基板作為本發(fā)明的粘接片具備的功能性基板。在本發(fā)明的粘接片中，所述功能性基板的至少形成所述接合膜的部分優(yōu)選以硅材料、金屬材料或玻璃材料為主要材料構(gòu)成。由此，即使不實(shí)施表面處理也可以獲得足夠的接合強(qiáng)度。在本發(fā)明的粘接片中，對(duì)具備所述接合膜的所述一面優(yōu)選預(yù)先實(shí)施提高與所述接合膜的密合性的表面處理。由此，可以將功能性基板的表面凈化及活性化，且能夠提高接合膜和對(duì)向基板的接合強(qiáng)度。在本發(fā)明的粘接片中，所述表面處理優(yōu)選為等離子體處理。由此，為了形成接合膜，可以將功能性基板的表面特別地最佳化。在本發(fā)明的粘接片中，中間層優(yōu)選介于所述功能性基板和所述接合膜之間。由此，可以獲得可靠性高的接合體。在本發(fā)明的粘接片中，所述中間層優(yōu)選以氧化物系材料為主要材料構(gòu)成。由此，能夠特別提高功能性基板和接合膜之間的接合強(qiáng)度。本發(fā)明的接合方法，其特征在于，具有準(zhǔn)備工序，準(zhǔn)備本發(fā)明的粘接片和所述被粘接體；賦予能量的工序，對(duì)該粘接片具有的所述接合膜的至少局部區(qū)域賦予能量；獲得接合體的工序，將所述粘接片和所述被粘接體按照使所述接合膜和所述被粘接體密合的方式粘合。由此，能夠在低溫下高效地將粘接片和被粘接體接合。本發(fā)明的接合方法，其特征在于，具有-準(zhǔn)備本發(fā)明的粘接片和所述被粘接體的工序；將所述粘接片和所述被粘接體按照使所述接合膜和所述被粘接體密合的方式粘合，獲得層疊體的工序；通過對(duì)該層疊體中的所述接合膜的至少局部區(qū)域賦予能量，將所述粘接片和所述被粘接體接合，獲得接合體的工序。由此，能夠在低溫下高效地將粘接片和被粘接體接合。另外，在層疊體的狀態(tài)下，由于粘接片和被粘接體之間未接合，因此，在將粘接片和被粘接體重合后，可以容易地微調(diào)它們的位置。其結(jié)果是能夠提高接合膜的表面方向上的位置精度。在本發(fā)明的接合方法中，所述能量的賦予優(yōu)選利用對(duì)所述接合膜照射能量線的方法、加熱所述接合膜的方法、及將壓縮力賦予所述接合膜的方法中至少一個(gè)方法進(jìn)行。由此，可以比較簡(jiǎn)單地高效地對(duì)接合膜賦予能量。在本發(fā)明的接合方法中，所述能量線優(yōu)選為波長(zhǎng)126300nrn的紫外線。由此，由于賦予接合膜的能量量可以最佳化，因此，能夠使接合膜中的脫離基可靠地脫離。其結(jié)果是能夠防止接合膜的特性(機(jī)械特性、化學(xué)特性等)降低，且能夠在接合膜上顯現(xiàn)粘接性。在本發(fā)明的接合方法中，所述加熱的溫度優(yōu)選為25~100°C。由此，能夠可靠地防止接合體因熱而變質(zhì)、劣化，且能夠切實(shí)提高接合強(qiáng)度。在本發(fā)明的接合方法中，所述壓縮力優(yōu)選為0.210MPa。由此，能夠防止壓力過高對(duì)基板及被粘接體產(chǎn)生損傷等，且能夠切實(shí)提高接合體的接合強(qiáng)度。在本發(fā)明的接合方法中，所述能量的賦予優(yōu)選在大氣氣氛中進(jìn)行。由此，通過控制氣氛，不需要花費(fèi)工時(shí)及成本，可以更簡(jiǎn)單地進(jìn)行能量的賦予。在本發(fā)明的接合方法中，所述被粘接體優(yōu)選具有預(yù)先實(shí)施了提高與所述接合膜的密合性的表面處理的表面。所述粘接片優(yōu)選對(duì)實(shí)施了所述表面處理的表面按照所述接合膜密合的方式粘合。由此，能夠進(jìn)一步提高粘接片和被粘接體的接合強(qiáng)度。在本發(fā)明的接合方法中，所述被粘接體優(yōu)選預(yù)先具有表面，該表面具有選自官能團(tuán)、自由基、開環(huán)分子、不飽和鍵、鹵素及過氧化物構(gòu)成的組中的至少一種基團(tuán)或物質(zhì)，所述粘接片優(yōu)選對(duì)具有所述基團(tuán)或物質(zhì)的表面按照所述接合膜密合的方式粘合。由此，能夠充分提高粘接片和被粘接體的接合強(qiáng)度。在本發(fā)明的接合方法中，優(yōu)選還具有對(duì)所述接合體進(jìn)行提高其接合強(qiáng)度的處理。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)接合體的接合強(qiáng)度進(jìn)一步提高。在本發(fā)明的接合方法中，提高所述接合強(qiáng)度的處理的工序優(yōu)選利用對(duì)所述接合體照射能量線的方法、加熱所述接合體的方法、及將壓縮力賦予所述接合體的方法中至少一個(gè)方法進(jìn)行。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)接合體的接合強(qiáng)度進(jìn)一步提高。本發(fā)明的接合體，其特征在于，具有本發(fā)明的粘接片和被粘接體，將它們經(jīng)由所述接合膜粘接而成。由此，獲得粘接片和被粘接體以高的尺寸精度牢固地接合而成的可靠性高的接合體。圖1是用于說明本發(fā)明的粘接片的圖(立體圖)；圖2是表示本發(fā)明的粘接片具備的I構(gòu)成的接合膜的能量賦予前的狀態(tài)的局部放大圖3是表示本發(fā)明的粘接片具備的I構(gòu)成的接合膜的能量賦予后的狀態(tài)的局部放大圖4是示意性地表示成膜I構(gòu)成的接合膜時(shí)所用的成膜裝置的縱剖面圖5是表示圖4所示的成膜裝置具備的離子源構(gòu)成的示意圖；圖6是表示本發(fā)明的粘接片具備的II構(gòu)成的接合膜的能量賦予前的狀態(tài)的局部放大圖7是表示本發(fā)明的粘接片具備的II構(gòu)成的接合膜的能量賦予后的狀態(tài)的局部放大圖8是示意性地表示成膜II構(gòu)成的接合膜時(shí)所用的成膜裝置的縱剖面圖9是用于說明粘接片其它構(gòu)成的圖(立體圖)；圖10是用于說明用本發(fā)明的粘接片接合粘接片和被粘接體的接合方法之第一實(shí)施方式的圖(縱剖面圖)；圖11是用于說明用本發(fā)明的粘接片接合粘接片和被粘接體的接合方法之第一實(shí)施方式的圖(縱剖面圖)；圖12是用于說明用本發(fā)明的粘接片接合粘接片和被粘接體的接合方法之第二實(shí)施方式的圖(縱剖面圖)；圖13是用于說明用本發(fā)明的粘接片接合粘接片和被粘接體的接合方法之第三實(shí)施方式的圖(縱剖面圖)；圖14是用于說明用本發(fā)明的粘接片接合粘接片和被粘接體的接合方法之第四實(shí)施方式的圖(縱剖面圖)；圖15是表示使用本發(fā)明的接合體獲得的表面聲波元件的平面圖16是圖15所示的表面聲波元件的縱剖面圖17是表示使用本發(fā)明的接合體獲得的布線基板的分解立體圖。符號(hào)說明1、粘接片2、功能性基板25、上面3、3a、接合膜303、脫離基304、活性鍵3c、間隙35、表面350、規(guī)定區(qū)域4、被粘接體5、5b、5c、接合體6、掩模61、窗部200、成膜裝置211、室212、基板支架215、離子源216、靶217、靶支架219、氣體供給源220、第一擋板221、第二擋板230、排氣裝置231、排氣管線232、泵233、閥250、開口253、格網(wǎng)254、格網(wǎng)255、磁鐵256、離子發(fā)生室257、燈絲260、氣體供給裝置261、氣體供給管線262、泵263、閥264、儲(chǔ)氣罐410、布線基板412、電極413、絕緣基板414、引線415、電極416、導(dǎo)電層500、成膜裝置511、室512、基板支架521、擋板530、排氣裝置531、排氣管線532、泵533、閥560、有機(jī)金屬材料供給裝置561、氣體供給管線562、貯存槽563、閥564、泵565、儲(chǔ)氣罐570、氣體供給裝置571、氣體供給管線573、閥574、泵575、儲(chǔ)氣罐610、表面聲波元件620、基板621、基部622、底層623、壓電體層630、IDT(輸入側(cè)電極)631、電極指640、IDT(輸出側(cè)電極)641、電極指650、絕緣保護(hù)膜具體實(shí)施例方式下面，基于附圖所示的最佳實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明的粘接片、接合方法及接合體進(jìn)行詳細(xì)地說明。本發(fā)明的粘接片具備具有規(guī)定功能的功能性基板(以下，有時(shí)也簡(jiǎn)稱"基板")和設(shè)置于該功能性基板一面的接合膜，與被粘接體(對(duì)向基板)粘接(粘合)而使用。該粘接片具備的接合膜具有通過能量的賦予而進(jìn)行脫離的脫離基，通過對(duì)接合膜中至少局部區(qū)域的能量賦予，脫離基脫離，從而在該脫離基脫離的區(qū)域顯現(xiàn)與被粘接體(對(duì)向基板)的粘接性。具備具有這種特征的接合膜的粘接片可以高的尺寸精度牢固地、且在低溫下高效地與被粘接體接合。而且，通過使用這樣的粘接片，可以獲得基板和基板牢固地接合而成的可靠性高的接合體?！吹谝粚?shí)施方式〉首先，對(duì)本發(fā)明的粘接片、將該粘接片和被粘接體(對(duì)向基板)接合的接合方法(本發(fā)明的接合方法)、及具備本發(fā)明的粘接片的接合體的各第一實(shí)施方式進(jìn)行說明。圖1是用于說明本發(fā)明的粘接片的圖(立體圖)，圖2是表示本發(fā)明的粘接片具備的I構(gòu)成的接合膜的能量賦予前的狀態(tài)的局部放大圖，圖3是表示本發(fā)明的粘接片具備的I構(gòu)成的接合膜的能量賦予后的狀態(tài)的局部放大圖，圖4是示意性地表示成膜I構(gòu)成的接合膜時(shí)所用的成膜裝置的縱剖面圖，圖5是表示圖4所示的成膜裝置具備的離子源的構(gòu)成的示意圖，圖6是表示本發(fā)明的粘接片具備的I構(gòu)成的接合膜的能量賦予前的狀態(tài)的局部放大圖，圖7是表示本發(fā)明的粘接片具備的I構(gòu)成的接合膜的能量賦予后的狀態(tài)的局部放大圖，圖8是示意性地表示成膜I構(gòu)成的接合膜時(shí)所用的成膜裝置的縱剖面圖，圖9是用于說明粘接片其它構(gòu)成的圖(立體圖)，圖10及圖11是用于說明用本發(fā)明的粘接片接合粘接片和被粘接體的接合方法之第一實(shí)施方式的圖(縱剖面圖)。另外，在下面的說明中，將圖1~圖11中的上側(cè)稱為"上"，將下側(cè)稱為"下"。下面，首先對(duì)本發(fā)明的粘接片的第一實(shí)施方式進(jìn)行說明。在本實(shí)施方式中，如圖1所示，粘接片具有功能性基板2(也簡(jiǎn)稱"基板2")和設(shè)置在功能性基板上(一面)的接合膜3。該粘接片l經(jīng)由接合膜3將功能性基板2與被粘接體4粘接使用。功能性基板2具有規(guī)定功能，在將粘接片1與被粘接體4粘接時(shí)，發(fā)揮其功能。該基板2只要具有規(guī)定功能且具有支承接合膜3的程度的剛性，則由任何材料構(gòu)成都可以。具體而言，基板2的構(gòu)成材料例舉有聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)等聚烯烴、環(huán)狀聚烯烴、變性聚烯烴、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚苯乙烯、聚酰胺、聚酰亞胺、聚碳酸脂、聚-(4-甲基戊烯-l)、離聚物、丙烯酸樹脂、聚甲基丙烯酸甲脂、丙烯晴-丁二烯-苯乙烯共聚物(ABS樹脂)、'丙烯晴-苯乙烯共聚物(AS樹脂)、丁二烯-苯乙烯共聚物、聚甲醛、聚乙烯醇(PVA)、乙烯-乙烯醇共聚物(EVOH)、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇脂(PET)、聚荼二甲酸乙二醇脂、聚對(duì)苯二甲酸丁二醇脂(PBT)、聚對(duì)苯二甲酸環(huán)己垸對(duì)二甲醇酯(PCT)等聚脂、聚醚、聚醚酮(PEK)、聚醚醚酮(PEEK)、聚醚酰亞胺、聚縮醛(POM)、聚苯醚、變性聚苯撐氧、聚砜、聚醚砜、聚苯硫、多芳基化合物、芳香族聚脂(液晶聚合物)、聚四氟乙烯、聚偏二氟乙烯、其它氟系樹脂、苯乙烯系、聚烯烴系、聚氯乙烯系、聚氨脂系、聚脂系、聚酰胺系、聚丁二烯系、反式聚異戊二烯系、含氟橡膠系、氯化聚乙烯系等各種熱可塑性彈性體、環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、尿素樹脂、密胺甲醛樹脂、芳族聚酰胺系樹脂、不飽和聚脂、硅酮樹脂、聚氨脂等、或以這些為主的共聚物、混合物、聚合物合膠等樹脂系材料，F(xiàn)e、Ni、Co、Cr、Mn、Zn、Pt、Au、Ag、Cu、Pd、Al、w、Ti、V、Mo、Nb、Zr、Pr、Nd、Sm那樣的金屬、或含這些金屬的合金、碳素鋼、不銹鋼、銦錫氧化物(ITO)、砷化鎵那樣的金屬系材料，Si、Ge、InP、GaPN那樣的半導(dǎo)體系材料，單晶硅、多晶硅、非晶硅、聚硅那樣的硅系材料，硅酸玻璃(石英玻璃)、硅酸堿玻璃、鈉鈣玻璃、鉛(堿)玻璃、鋇玻璃、硼硅酸玻璃那樣的玻璃系材料，氧化鋁、氧化鋯、鐵素體、羥基磷灰石、氮化硅、氮化鋁、氮化硼、氮化鈦、碳化硅、碳化硼、碳化鈦、碳化鎢那樣的陶瓷系材料，石墨那樣的碳系材料，或?qū)⑦@些材料中一種或二種以上組合的復(fù)合材料等，另外，基板2也可以對(duì)其表面實(shí)施鍍鎳那樣的電鍍處理、鉻酸鹽光澤處理那樣的鈍態(tài)化處理、或氮化處理等。由以上那樣的材料構(gòu)成的基板2具有布線、電極、端子、電路、半導(dǎo)體電路、電波的收發(fā)信部、光學(xué)元件、功能性薄膜及顯示體中一個(gè)或兩個(gè)以上的功能。其中，作為電波的收發(fā)信部，例舉有具備例如RFID(RadioFrepoencyIdentification)電纜接頭的天線部等。作為光學(xué)元件，例舉有例如光學(xué)濾光器、反射鏡、半透明反射鏡、射束分裂器、偏振光板(偏光鏡)及透旋光板(透旋光鏡)等。作為功能性薄膜，例舉有例如相對(duì)于下述的被粘接體4的保護(hù)薄膜、防水薄膜、氣體阻擋薄膜、隔熱薄膜(隔熱層)、傳熱薄膜(傳熱層散熱器)、用于調(diào)節(jié)色調(diào)的薄膜及用于調(diào)節(jié)滑動(dòng)性(摩擦系數(shù))薄膜等。在本實(shí)施方式中，如圖1所示，基板2的形狀成片狀(板狀〉。成這種形狀的基板2能夠比較容易地與被粘接體4進(jìn)行粘接(粘附)。另外，該基板2優(yōu)選具有撓性。由此，即使被粘接體4的粘接粘接片1面不由彎曲的平面構(gòu)成，也能夠使粘接片追隨該進(jìn)行粘接的面的形狀變形。另外，被粘接體4成板狀，即使在將粘接片1橫跨該被粘接體4的表面和背面雙方進(jìn)行粘接的情況下，也能夠?qū)⒄辰悠琹通過彎曲粘附在被粘接體4的表面及背面雙方。另外，具有撓性的基板2也可以具有塑性變形、或具有彈性變形任一種，但優(yōu)選具有彈性變形。由此，例如，即使作為被粘接體4在粘接粘接片l后重復(fù)變形使用，粘接片1也不會(huì)產(chǎn)生疲勞破壞，也能對(duì)應(yīng)被粘接體4的形狀進(jìn)行變形。另外，在基板2具有撓性的情況下，基板2的平均厚度不作特別限定，但優(yōu)選0.0110mm程度，更優(yōu)選0.13mm程度。接合膜3在將粘接片1與被粘接體4粘接時(shí)，位于功能性基板2和被粘接體(對(duì)向基板)4之間，且承擔(dān)這些基板2和被粘接體4的接合。通過該接合膜3相對(duì)于其至少局部區(qū)域即平面看的接合膜的全面或局部區(qū)域的能量的賦予，接合膜3的表面附近存在的脫離基303進(jìn)行脫離(參照?qǐng)D2)。并且，這種接合膜3通過脫離基303的脫離，在其表面的賦予能量的區(qū)域顯現(xiàn)與被粘接體4的粘接性。在本發(fā)明的粘接片l中，主要在該接合膜3的構(gòu)成方面具有特征，具體而言，作為接合膜3，采用下面那種第I或第II的構(gòu)成。下面，分別對(duì)i及n構(gòu)成的接合膜3進(jìn)行詳述。I-首先，I構(gòu)成的接合膜3設(shè)置在基板2上，且含有金屬原子、與該金屬原子結(jié)合的氧原子、與這些金屬原子及氧原子中至少一方結(jié)合的脫離基303(參照?qǐng)D2)。換言之，可以說接合膜3將脫離基303導(dǎo)入由金屬氧化物構(gòu)成的金屬氧化物膜。這種接合膜3當(dāng)賦予能量時(shí)，脫離基303自接合膜3(金屬原子及氧原子中至少一方)脫離，如圖3所示，在接合膜3的至少表面35的附近產(chǎn)生活性鍵304。并且，由此在接合膜3表面顯現(xiàn)粘接性。表現(xiàn)這樣的粘接性時(shí)，具備接合膜3的粘接片1對(duì)被粘接體4以高的尺寸精度牢固地高效地可接合。另外，接合膜3為由金屬原子、與該金屬原子結(jié)合的氧原子構(gòu)成的膜，即脫離基303與金屬氧化物結(jié)合的膜，因此，為難以變形的強(qiáng)固的膜。因此，接合膜3自身尺寸精度高，且可將粘接片1與被粘接體4粘接。即使在下述的接合體5中，也可獲得尺寸精度高的接合體。另外，接合膜3為不具有流動(dòng)性的固體狀。因此，與至今使用的具有流動(dòng)性的液體狀或粘液狀(半固體狀)的粘接劑相比，粘接層(接合膜3)的厚度及形狀幾乎沒有變化。因而，用粘接片1獲得的接合體5的尺寸精度與現(xiàn)有相比格外地高。另外，由于不需要粘接劑的硬化所需要的時(shí)間，因此，在短時(shí)間內(nèi)可達(dá)到強(qiáng)固的接合。另外，在本發(fā)明中，在將接合膜3作成I構(gòu)成的膜的情況下，接合膜3優(yōu)選具有導(dǎo)電性。由此，在下述的接合體5中，可以將接合膜3作為電連接功能性基板2和被粘接體4的端子使用。另外，接合膜3優(yōu)選具有透光性。由此，可以將本發(fā)明的接合體5應(yīng)用在光學(xué)元件等的需要透光性的領(lǐng)域。另外，脫離基303只要至少在接合膜3的表面35附近存在即可，可以在接合膜3的大致整體存在，也可以在接合膜3的表面35附近偏在。另外，通過脫離基303在接合膜3的表面35附近偏在的構(gòu)成，可以對(duì)接合膜3最佳地發(fā)揮作為金屬氧化物膜的功能。即，在接合膜3上，除作為接合膜的功能之外，也取得能夠最佳地賦予作為導(dǎo)電性及透光性等特性優(yōu)異的金屬氧化物膜的功能的優(yōu)點(diǎn)。按照最佳地發(fā)揮以上那種接合膜3的功能的方式選擇金屬原子。具體而言，作為金屬原子，不作特別限定，例舉有例如Li、Be、B、Na、Mg、Al、K、Ca、Sc、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Cd、In、Sn、Sb、Cs、Ba、La、Hf、Ta、W、Ti及Pb等。其中，優(yōu)選In(銦)、Sn(錫)、Zn(鋅)、Ti(鈦)及Sb(銻)中一種或?qū)煞N以上組合使用。將接合膜3作成含有這些金屬原子的膜，即作成將脫離基303導(dǎo)入含有這些金屬原子的金屬氧化物的膜，由此接合膜3發(fā)揮優(yōu)異的導(dǎo)電性和透明性。更具體而言，作為金屬氧化物，例舉有例如銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、銻錫氧化物(ATO)、含氟銦錫氧化物(FTO)、氧化鋅(ZnO)及二氧化鈦(Ti02)等。另外，作為金屬氧化物，在使用銦錫氧化物(ITO)的情況下，銦和錫的原子比(銦/錫比)優(yōu)選99/1-80/20，更優(yōu)選97/3~85/15。由此，能夠更顯著地發(fā)揮上述的效果。另外，接合膜3中的金屬原子和氧原子的存在比優(yōu)選3:7~7:3程度，更優(yōu)選4:6~6:4程度。將金屬原子和氧原子的存在比設(shè)定在上述范圍內(nèi)，由此能夠提高接合膜3的穩(wěn)定性，且能夠?qū)⒄辰悠?和被粘接體4更牢固地接合。另外，如上所述，脫離基303自金屬原子及氧原子中至少一方脫離，由此進(jìn)行作用以使接合膜3上產(chǎn)生活性鍵。因此，在通過對(duì)脫離基303賦予能量而比較簡(jiǎn)單地且均勻地進(jìn)行脫離的脫離基未賦予能量時(shí)，以不脫離的方式可靠地與接合膜3結(jié)合是最佳的選擇。從這樣的觀點(diǎn)看，對(duì)于脫離基303，最佳地使用氫原子、碳原子、磷原子、硫黃原子及鹵原子、或由這些原子構(gòu)成的原子團(tuán)中至少一種。這樣的脫離基303在能量的賦予發(fā)生的結(jié)合/脫離的選擇性上比較優(yōu)異。因此，這種脫離基303能充分滿足上述的需要性，能夠?qū)⒄辰悠?的粘接性作成更高級(jí)。另外，作為由上述各原子構(gòu)成的原子團(tuán)(基)，例舉有例如甲(垸)基、乙(烷)基那樣的烷基、甲氧基、乙氧基那樣的垸氧基、羧基、氨基及磺酸基等。在以上那樣的各原子及原子團(tuán)中，在I構(gòu)成的接合膜3中，脫離基303也特別優(yōu)選氫原子。由氫原子構(gòu)成的脫離基303化學(xué)穩(wěn)定性高，因此，具備氫原子作為脫離基303的接合膜3耐風(fēng)化性及耐藥品性優(yōu)異?？紤]以上的情況時(shí)，作為接合膜3，最好選擇將氫原子作為脫離基303導(dǎo)入銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、銻錫氧化物(ATO)、含氟銦錫氧化物(FTO)、氧化鋅(ZnO)及二氧化鈦(Ti02)的金屬氧化物。這樣的構(gòu)成的接合膜3其自身具有優(yōu)異的機(jī)械特性。另外，對(duì)許多材料顯示特別優(yōu)異的粘接性。因此，這種接合膜3能夠與基板2特別牢固地粘接，并且即使對(duì)被粘接體4也表現(xiàn)特別強(qiáng)的粘附力，其結(jié)果是能夠?qū)⒒?和被粘接體4牢固地接合。另夕卜，接合膜3的平均厚度優(yōu)選11000nm程度，更優(yōu)選2~800nm程度。通過使接合膜3的平均厚度在上述范圍內(nèi)，能夠防止接合粘接片l和被粘接體4的接合體5的尺寸精度顯著降低，且能夠更牢固地將它們接合。艮口，在接合膜3的平均厚度低于上述下限值的情況下，可能不能獲得足夠的接合強(qiáng)度。另一方面，在接合膜3的平均厚度超過上述上限值的情況下，接合體5的尺寸精度可能會(huì)顯著降低。另外，只要接合膜3的平均厚度在上述范圍內(nèi)，即可確保接合膜3上的某程度的形狀追隨性。因此，例如在基板2的接合面(與接合膜3鄰接的面)內(nèi)存在有凹凸的情況下，也能夠使接合膜3以根據(jù)其凹凸的高度而追隨凹凸的形狀的方式粘附。其結(jié)果是接合膜3能夠吸收凹凸且能夠緩和產(chǎn)生于其表面的凹凸的高度。而且，在將粘接片1和被粘接體4粘合時(shí)，能夠提高接合膜3對(duì)被粘接體4的密合性。另外，上述那樣的形狀追隨性的程度隨著接合膜3的厚度越厚越顯著。因此，為了充分確保形狀追隨性，只要使接合膜3的厚度盡量厚即可。如上所述的接合膜3在接合膜3的大致整體存在脫離基303的情況下，例如I一A在含有構(gòu)成脫離基303的原子成分的氣氛下，利用物理性氣相成膜法，可以通過將含有金屬原子和氧原子的金屬氧化物材料進(jìn)行成膜而形成。另外，在脫離基在接合膜3的表面35附近偏在的情況下，例如I一B成膜含有金屬原子和上述氧原子的金屬氧化物膜后，可以通過將脫離基303導(dǎo)入含于該金屬氧化物膜的表面附近的金屬原子及氧原子中至少一方而形成。下面，對(duì)用I一A及I一B的方法成膜接合膜3的情況進(jìn)行詳述。I一A:在I一A的方法中，如上所述，接合膜3在含有構(gòu)成脫離基303的原子成分的氣氛下，利用物理性氣相成膜法(PVD法)，通過將含有金屬原子和氧原子的金屬氧化物材料進(jìn)行成膜而形成。這樣，只要為使用PVD法的構(gòu)成，則在使金屬氧化物材料向基板2漸近時(shí)，能夠比較容易地將脫離基303導(dǎo)入金屬原子及氧原子中至少一方，因此，能夠?qū)⒚撾x基303遍及接合膜3的大致整體而導(dǎo)入。另外，根據(jù)PVD法，能夠高效地成膜致密且均質(zhì)的接合膜3。由此，用PVD法成膜的接合膜3能與被粘接體4特別牢固地接合。另外，用PVD法成膜的接合膜3能比較長(zhǎng)時(shí)間地維持賦予能量而活性化的狀態(tài)。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)接合體5的制造過程的簡(jiǎn)化、有效化。另外，作為PVD法，例舉有真空蒸鍍法、濺射法、離子鍍膜法、激光燒蝕沉積法等，但其中優(yōu)選采用濺射法。根據(jù)濺射法，不會(huì)割斷金屬原子和氧原子的結(jié)合，在含有構(gòu)成脫離基303的原子成分的氣氛中，能夠撞擊出金屬氧化物的粒子。并且，在撞擊出金屬氧化物的粒子的狀態(tài)下，可以使其與含有構(gòu)成脫離基303的原子成分的氣體接觸，因此，能夠更圓滑地進(jìn)行脫離基303導(dǎo)入金屬氧化物(金屬原子或氧原子)。下面，作為由PVD法成膜接合膜3的方法，以利用濺射法(離子束濺射鍍膜法)成膜接合膜3的情況為代表進(jìn)行說明。首先，為了說明接合膜3的成膜方法，先對(duì)在基板2上利用離子束濺射鍍膜法成膜接合膜3時(shí)所使用的成膜裝置200進(jìn)行說明。圖4所示的成膜裝置200按照離子束濺射鍍膜法的接合膜3的形成在室(裝置)內(nèi)進(jìn)行的方式進(jìn)行構(gòu)成。具體而言，成膜裝置200具有室(真空室)211、基板支架(成膜對(duì)象保持部)212、離子源(離子供給部)215、靶支架(靶保持部)217，其中，基板支架(成膜對(duì)象保持部)212設(shè)置在該室211內(nèi)保持基板2(成膜對(duì)象物)；離子源(離子供給部)215設(shè)置在室211內(nèi)向室211內(nèi)照射離子束B;靶支架(靶保持部)217保持通過照射離子束B使含有金屬原子和氧原子的金屬氧化物(例如，ITO)產(chǎn)生的靶(金屬氧化物材料)216。另外，室211具有供給含有構(gòu)成脫離基303的原子成分的氣體(例如，氫氣)的氣體供給裝置260、在室211內(nèi)進(jìn)行排氣并控制壓力的排氣裝置230。另外，在本實(shí)施方式中，基板支架212安裝在室211的天井部。該基板支架212可轉(zhuǎn)動(dòng)。由此，能夠以均質(zhì)且均勻的厚度成膜接合膜3。如圖5所示，離子源(離子槍)215具有形成有開口(照射口)250的離子發(fā)生室256、設(shè)置在離子發(fā)生室256內(nèi)的燈絲257、格網(wǎng)253、254、設(shè)置在離子發(fā)生室256的外側(cè)的磁鐵255。另外，如圖4所示，向其內(nèi)部供給氣體(濺射用氣體)的氣體供給源219與離子發(fā)生室256連接。在該離子源215中，在離子發(fā)生室256內(nèi)，在自氣體供給源219供給氣體的狀態(tài)下，將燈絲257通電加熱時(shí)，自燈絲257發(fā)射電子，被發(fā)射的電子通過磁鐵255的磁場(chǎng)進(jìn)行運(yùn)動(dòng)并與供給于離子發(fā)生室256內(nèi)的氣體分子碰撞。由此，氣體分子進(jìn)行離子化。該氣體的離子I+利用格網(wǎng)253和格網(wǎng)254之間的電壓梯度從離子發(fā)生室256內(nèi)引出并進(jìn)行加速，經(jīng)由開口250作為離子束B自離子源215發(fā)射(照射)。自離子源215照射的離子束B與靶216的表面碰撞并從靶216上撞擊出粒子(濺射粒子)。該靶216由上述的金屬氧化物材料構(gòu)成。在該成膜裝置200中，離子源215以其開口位于室211內(nèi)的方式固定(設(shè)置)于室211的側(cè)壁。另外，離子源215也可以構(gòu)成為配置在遠(yuǎn)離室211的位置，通過連接部與室211連接，但是，通過作成本實(shí)施方式那樣的構(gòu)成，能夠?qū)崿F(xiàn)成膜裝置200的小型化。另外，離子源215的設(shè)置方式為其開口250向與基板支架212不同的方向，在本實(shí)施方式中，向室211的底部側(cè)。另外，離子源215的設(shè)置個(gè)數(shù)不局限于一個(gè)，也可以作成多個(gè)。通過設(shè)置多個(gè)離子源215，可以使接合膜3的成膜速度更快。另外，在耙支架217及基板支架212的附近分別配設(shè)有能夠覆蓋它們的第一擋板220及第二擋板221。這兩個(gè)擋板220、221分別用于防止靶216、基板2及接合膜3暴露于無用的氣氛等。另外，排氣裝置230由泵232、將泵232和室211連通的排氣管線231、設(shè)置在排氣管線中途的閥233構(gòu)成，可以將室211內(nèi)減壓到要求的壓力。另外，氣體供給裝置260由儲(chǔ)氣罐264、氣體供給管線261、泵262、閥263構(gòu)成，其中，儲(chǔ)氣罐264貯存含有構(gòu)成脫離基303的原子成分的氣體(例如，氫氣)；氣體供給管線261將該氣體自儲(chǔ)氣罐264導(dǎo)入室211;泵262設(shè)置在氣體供給管線261的中途，可將含有構(gòu)成脫離基303的原子成分的氣體供給到室211內(nèi)。用如上構(gòu)成的成膜裝置200，如下所述，在基板2上形成接合膜3。首先，準(zhǔn)備功能性基板2，將該基板2搬入成膜裝置200的室211內(nèi)且安裝(固定)在基板支架212上。接著，通過使排氣裝置230工作即在使泵232工作的狀態(tài)下開啟閥233，使室211內(nèi)成為負(fù)壓狀態(tài)。該負(fù)壓的程度(真空度)不作特別限定，但優(yōu)選為1X10—7~1X10—4Torr程度，更優(yōu)選為1X10—6~1X10—5Torr程度。另外，通過使氣體供給裝置260工作即在使泵262工作的狀態(tài)下開啟閥263，向室211內(nèi)供給含有構(gòu)成脫離基303的原子成分的氣體。由此，能夠?qū)⑹覂?nèi)設(shè)為含有這樣的氣體的氣氛下(氫氣氣氛下)。含有構(gòu)成脫離基303的原子成分的氣體的流量?jī)?yōu)選為l-100ccm程度，更優(yōu)選為1060ccm程度。由此，能夠可靠地將脫離基303導(dǎo)入金屬原子和氧原子中至少一方。另外，室211內(nèi)的溫度只要在25。C以上即可，但優(yōu)選為25-100。C程度。通過設(shè)定在這樣的范圍內(nèi)，能夠高效地進(jìn)行金屬原子或氧原子與含有上述原子成分的氣體的反應(yīng)，能夠可靠地將含有上述原子成分的氣體導(dǎo)入金屬原子及氧原子。接著，打開第二擋板221，再使第一擋板220成為開的狀態(tài)。在該狀態(tài)下，將氣體導(dǎo)入離子源215的離子發(fā)生室256內(nèi)，并且對(duì)燈絲257通電并進(jìn)行加熱。由此，從燈絲257上發(fā)射電子，通過氣體分子與該發(fā)射的電子碰撞，氣體分子進(jìn)行離子化。該氣體的離子I+利用格網(wǎng)253和格網(wǎng)254進(jìn)行加速，從離子源215發(fā)射且與由陰極材料構(gòu)成的靶216碰撞。由此，從靶216上撞擊出金屬氧化物(例如，ITO)的粒子。這時(shí)，室211內(nèi)為包含含有構(gòu)成脫離基303的原子成分的氣體的氣氛下(例如，氫氣氣氛下)，因此，在室211內(nèi)，脫離基303導(dǎo)入撞擊出的粒子所包含的金屬原子及氧原子內(nèi)。而且，通過導(dǎo)入有該脫離基303的金屬氧化物粘附在基板2上，形成接合膜3。另外，在本實(shí)施方式中說明的離子束濺射鍍膜法中，在離子源215的離子發(fā)生室256內(nèi)，進(jìn)行放電且產(chǎn)生電子e_，但該電子e—利用格網(wǎng)253進(jìn)行屏蔽，從而防止向室211內(nèi)發(fā)射。另外，由于離子束B的照射方向(離子源215的開口250)朝向靶216(與室211的底部側(cè)不同的方向)，因此，能夠更可靠地防止在離子發(fā)生室256內(nèi)產(chǎn)生的紫外線照射到已成膜的接合膜3上，且能夠可靠地防止在接合膜3的成膜中導(dǎo)入的脫離基303脫離。如上所述，能夠遍及厚度方向的大致整體而成膜存在有脫離基303的接合膜3。I一B:另外，在I一B的方法中，接合膜3通過成膜含有金屬原子和氧原子的金屬氧化物膜后將脫離基303導(dǎo)入該金屬氧化物膜的表面附近所包含的金屬原子及氧原子中至少一方而形成。根據(jù)這樣的方法，可以用比較簡(jiǎn)單的工藝，使脫離基303在偏在的狀態(tài)下導(dǎo)入金屬氧化物膜的表面附近，能夠形成作為接合膜及金屬氧化物膜這雙方的特性優(yōu)異的接合膜3。在此，金屬氧化物膜用任何方法成膜都可以，可以利用例如PVD法(物理性的氣相成膜法)、CVD法(化學(xué)性的氣相成膜法)、離子體聚合法那樣的各種氣相成膜法及各種液相成膜法等成膜，但其中優(yōu)選利用PVD法成膜。根據(jù)PVD法，能夠高效地成膜致密且均質(zhì)的金屬氧化物膜。另外，作為PVD法，例舉有真空蒸鍍法、濺射法、離子鍍膜法及激光燒蝕沉積法，但其中優(yōu)選使用濺射法。根據(jù)濺射法，由于能夠在氣氛中撞擊出金屬氧化物的粒子并供給到基板2上，因此，能夠成膜特性優(yōu)異的金屬氧化物膜。另外，作為將脫離基303導(dǎo)入金屬氧化物膜的表面附近的方法，使用有各種方法，例舉有例如I一B1:在含有構(gòu)成脫離基303的原子成分的氣氛下，將金屬氧化物膜進(jìn)行熱處理(退火)的方法；I一B2:離子注入法等，但其中特別優(yōu)選I一B1的方法。根據(jù)I一B1的方法，能夠比較容易地將脫離基303選擇性地導(dǎo)入金屬氧化物膜的表面附近。另外，通過適當(dāng)設(shè)定實(shí)施熱處理時(shí)的氣氛溫度及處理時(shí)間等處理?xiàng)l件，能夠可靠地進(jìn)行導(dǎo)入的脫離基303的量、還有導(dǎo)入脫離基303的金屬氧化物膜的厚度的控制。下面，以利用濺射法(離子束濺射鍍膜法)將金屬氧化物膜成膜，然后，通過在含有構(gòu)成脫離基303的原子成分的氣氛下將獲得的金屬氧化物膜進(jìn)行熱處理而獲得接合膜3的情況為代表進(jìn)行說明。另外，用I一B的方法成膜接合膜3時(shí)也使用有和用I一A的方法成膜接合膜3時(shí)所使用的成膜裝置200相同的成膜裝置，因此，省略關(guān)于成膜裝置的說明。首先，準(zhǔn)備功能性基板2。而后，將該基板2搬入成膜裝置200的室211內(nèi)且安裝(固定)在基板支架212上。接著，通過使排氣裝置230工作，即在使泵232工作的狀態(tài)下打開閥233，而使室211內(nèi)成為負(fù)壓狀態(tài)。該負(fù)壓的程度(真空度)不作特別限定，但優(yōu)選為1X10—7~1X10—4Toit程度，更優(yōu)選為lX10_6~lX10_5Torr程度。另外，此時(shí)，使加熱裝置工作，將室211內(nèi)進(jìn)行加熱。室211內(nèi)的溫度只要在25'C以上即可，但優(yōu)選為2510(TC程度。通過設(shè)定在這樣的范圍內(nèi)，能夠成膜膜密度高的金屬氧化物膜。接著，打開第二擋板221，再使第一擋板220成為開的狀態(tài)。在該狀態(tài)下，將氣體導(dǎo)入離子源215的離子發(fā)生室256內(nèi)，并且對(duì)燈絲257通電并進(jìn)行加熱。由此，從燈絲257上發(fā)射電子，通過氣體分子與該發(fā)射的電子碰撞，氣體分子進(jìn)行離子化。該氣體的離子I+利用格網(wǎng)253和格網(wǎng)254進(jìn)行加速，且從離子源215發(fā)射且與由陰極材料構(gòu)成的靶216碰撞。由此，從靶216上撞擊出金屬氧化物(例如，ITO)的粒子且粘附在基板2上，從而形成含有金屬原子和與該金屬原子結(jié)合的氧原子的金屬氧化物膜。另外，在本實(shí)施方式中說明的離子束濺射鍍膜法中，在離子源215的離子發(fā)生室256內(nèi)，進(jìn)行放電且產(chǎn)生電子e—，但該電子f利用格網(wǎng)253進(jìn)行屏蔽，從而防止向室211內(nèi)發(fā)射。另外，由于離子束B的照射方向(離子源215的開口250)朝向靶216(與室211的底部側(cè)不同的方向)，因此，能夠更可靠地防止在離子發(fā)生室256內(nèi)產(chǎn)生的紫外線照射到已成膜的接合膜3上，且能夠可靠地防止在接合膜3的成膜中導(dǎo)入的脫離基303脫離。其次，在打開第二擋板221的狀態(tài)下，關(guān)閉第一擋板220。在該狀態(tài)下，使加熱裝置工作，將室211內(nèi)進(jìn)行加熱。室211內(nèi)的溫度設(shè)定為向金屬氧化物膜的表面可高效地導(dǎo)入脫離基303的溫度，優(yōu)選為10060(TC程度，更優(yōu)選15030(TC程度。通過設(shè)定在這樣的范圍內(nèi)，在下道工序中，不會(huì)使基板2及金屬氧化物膜變質(zhì)、劣化，能夠?qū)⒚撾x基303高效地導(dǎo)入金屬氧化物膜的表面。接著，使氣體供給裝置260工作，即在使泵262工作的狀態(tài)下打開閥263，由此將含有構(gòu)成脫離基303的原子成分的氣體供給到室211內(nèi)。由此，可以將室211內(nèi)作成含有這樣的氣體的氣氛下(氫氣氣氛下)。這樣，在上道工序中，在加熱室211內(nèi)的狀態(tài)下，當(dāng)將室211內(nèi)作成含有構(gòu)成脫離基303的原子成分的氣體的氣氛下(例如，氫氣氣氛下)時(shí)，將脫離基303導(dǎo)入金屬氧化物膜的表面附近存在的金屬原子及氧原子中至少一方，從而形成接合膜3。含有構(gòu)成脫離基303的原子成分的氣體的流量?jī)?yōu)選為l-100ccm程度，更優(yōu)選為1060ccm程度。由此，能夠可靠地將脫離基303導(dǎo)入到金屬原子及氧原子中至少一方。另外，在上述工序中，室211內(nèi)優(yōu)選維持通過使排氣裝置230工作進(jìn)行調(diào)節(jié)的負(fù)壓狀態(tài)。由此，能夠更圓滑地進(jìn)行脫離基303對(duì)金屬氧化物膜的表面附近的導(dǎo)入。另外，仍然維持上述工序的負(fù)壓狀態(tài)，在本工序中，通過將室211內(nèi)作成負(fù)壓的構(gòu)成，節(jié)省再次進(jìn)行負(fù)壓的工時(shí)，因此，也得到能夠?qū)崿F(xiàn)削減成膜時(shí)間及成膜成本等這種優(yōu)點(diǎn)。該負(fù)壓的程度(真空度)不作特別限定，但優(yōu)選為1X10—7~1X10—4TOit程度，更優(yōu)選為1X10—61X10—5Torr程度。另外，實(shí)施熱處理的時(shí)間優(yōu)選為15~120分鐘程度，更優(yōu)選為30~60分鐘程度。根據(jù)導(dǎo)入的脫離基303的種類等也不同，但通過將實(shí)施熱處理的條件(室211內(nèi)的溫度、真空度、氣體流量、處理時(shí)間)設(shè)定在上述范圍內(nèi)，能夠選擇性地將脫離基303導(dǎo)入金屬氧化物膜的表面附近。如上所述，能夠成膜脫離基303在表面35附近偏在的接合膜3。II-其次，1I構(gòu)成的接合膜3設(shè)置在基板2上且含有金屬原子和由有機(jī)成分構(gòu)成的脫離基303(參照?qǐng)D6)。這種接合膜3在賦予能量時(shí)，脫離基303從接合膜3中至少表面35附近脫離，如圖7所示，活性鍵304在接合膜3中至少表面35附近產(chǎn)生。而且，由此粘接性表現(xiàn)在接合膜3的表面。當(dāng)表現(xiàn)這樣的粘接性時(shí)，具備接合膜3的粘接片1可對(duì)被粘接體4以高的尺寸精度牢固地高效地接合。另外，接合膜3為含有金屬原子和由有機(jī)成分構(gòu)成的脫離基303的膜，即為有機(jī)金屬膜，因此成為難變形的強(qiáng)固的膜。因此，接合膜3自身尺寸精度高，即使在將粘接片1與被粘接體4粘接而獲得的下述的接合體5中也可獲得尺寸精度高的接合體。這種接合膜3成不具有流動(dòng)性的固體狀。.因此，與至今所使用的具有流動(dòng)性的液體狀或粘液狀(半固體狀)的粘接劑相比，粘接層(接合膜3)厚度及形狀幾乎沒有變化。因而，用粘接片獲得的接合體5尺寸精度與現(xiàn)有相比，格外地高。另外，因不需要粘接劑硬化需要的時(shí)間，所以可在短時(shí)間內(nèi)牢固地粘合。另外，在本發(fā)明中，在將接合膜3作成II構(gòu)成的膜的情況下，接合膜3優(yōu)選具有導(dǎo)電性。由此，在下述的接合體中，可以將接合膜3作為將功能性基板2和被粘接體4進(jìn)行電連接的端子等使用。以最佳地發(fā)揮作為以上那種接合膜3的功能的方式選擇金屬原子及脫離基303。具體而言，作為金屬原子，例舉有例如Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、各種鑭系元素、各種錒系元素那樣的過渡金屬元素、Li、Be、Na、Mg、Al、K、Ca、Zn、Ga、Rb、Sr、Cd、In、Sn、Sb、Cs、Ba、Ti、Pd、Bi、Po那種典型金屬元素等。在此，過渡金屬元素在過渡金屬元素間只存在最外層電子數(shù)不同的差異，因此，物理性類似。而且，通常，過渡金屬硬度及熔點(diǎn)高且電傳導(dǎo)性及熱傳導(dǎo)性高。因此，用過渡金屬元素作金屬原子的情況下，能夠進(jìn)一步提高接合膜3所表現(xiàn)的粘接性。另外，與此同時(shí)，能夠進(jìn)一步提高接合膜3的導(dǎo)電性。另外，在將Cu、Al、Zn及Fe中的一種或兩種以上組合用作金屬原子的情況下，接合膜3發(fā)揮優(yōu)異的導(dǎo)電性。另外，在用下述的有機(jī)金屬化學(xué)氣相成長(zhǎng)法成膜接合膜3的情況下，將含有這些金屬的金屬絡(luò)合物等作原材料用，能夠比較容易且成膜均勻的膜厚的接合膜3。另外，如上所述，脫離基303通過自接合膜3脫離，在接合膜3上作用以使活性鍵產(chǎn)生。因此，在通過對(duì)脫離基303賦予能量而比較簡(jiǎn)單地且均勻地脫離的未賦予能量時(shí)，與接合膜3可靠地結(jié)合以使其不脫離是最佳的選擇。具體而言，在II構(gòu)成的接合膜3中，最好選擇以碳原子為必需成分，且含有氫原子、氮原子、磷原子、硫原子及鹵原子中至少一種的原子團(tuán)作為脫離基。這樣的脫離基303在賦予能量的結(jié)合/脫離的選擇性上比較優(yōu)異。因此，這樣的脫離基303能充分滿足上述的必需性，能夠?qū)⒄辰悠琹的粘接性作成更高級(jí)。更具體而言，作為原子團(tuán)(基)，例舉有例如甲(垸)基、乙(烷)基那樣的烷基、甲氧基、乙氧基那樣的烷氧基、除羧基之外，上述烷基的末端以異氰酸鹽基、氨基及磺酸基等作終端的基。在上述的原子團(tuán)中，脫離基303特別優(yōu)選烷基，由烷基構(gòu)成的脫離基303化學(xué)穩(wěn)定性高，因此，具備垸基作脫離基303的接合膜3耐風(fēng)化性及耐藥品性優(yōu)異。另外，在如此構(gòu)成的接合膜3中，金屬原子和氧原子的存在比優(yōu)選為3:7~7:3程度，更優(yōu)選為4:66:4程度。通過設(shè)定金屬原子和氧原子的存在比以使其達(dá)到上述范圍內(nèi)，可以提高接合膜3的穩(wěn)定性，且能夠?qū)⒄辰悠?和被粘接體4更牢固地接合。另外，能夠使接合膜3發(fā)揮優(yōu)異的導(dǎo)電性。另外，接合膜3的平均厚度優(yōu)選為11000nm程度，更優(yōu)選為50800nrn程度。通過使接合膜3的平均厚度在上述范圍內(nèi)，能夠防止將粘接片1和被粘接體4接合的接合體5的尺寸精度顯著降低，且能夠據(jù)此而牢固地接艮P，在接合膜3的平均厚度低于上述下限值的情況下，可能得不到足夠的接合強(qiáng)度。另一方面，在接合膜3的平均厚度大于上述上限值的情況下，接合體5的尺寸精度有可能會(huì)顯著降低。另外，只要接合膜3的平均厚度在上述范圍內(nèi)，即可在接合膜3上確保某程度的形狀追隨性。因此，例如，即使在基板2的接合面(與接合膜3鄰接的面)內(nèi)存在有凹凸的情況下，也能夠以按照其凹凸的高度而追隨凹凸的形狀的方式粘附接合膜3。其結(jié)果是接合膜3能夠吸收凹凸且能夠緩和產(chǎn)生于其表面的凹凸的高度。并且，在粘接片1和被粘接體4粘合時(shí)，能夠提高接合膜3與被粘接體4的密合性。另外，上述那種形狀追隨性的程度隨著接合膜3的厚度越厚越顯著。因此，為了充分確保形狀追隨性，只要使接合膜3的厚度盡量厚即可。如上所述的接合膜3用任何方法成膜都可以，例舉有例如II一A:在由金屬原子構(gòu)成的金屬膜上，將含有脫離基(有機(jī)成分)303的有機(jī)物賦予金屬膜的大致整體而形成接合膜3的方法，II一B:在由金屬原子構(gòu)成的金屬膜上，將含有脫離基(有機(jī)成分)303的有機(jī)物選擇性地賦予(化學(xué)修飾)金屬膜的表面附近而形成接合膜3的方法，II一C:以具有金屬原子和含有脫離基303的有機(jī)物的有機(jī)金屬材料為原材料，用有機(jī)金屬化學(xué)氣相成長(zhǎng)法形成接合膜3的方法。其中優(yōu)選利用II一C的方法成膜接合膜3。根據(jù)這樣的方法，能夠以比較簡(jiǎn)單的工序形成均勻的膜厚的接合膜。下面，以利用II—C的方法即以具有金屬原子和含有脫離基303的有機(jī)物的有機(jī)金屬材料為原材料，用有機(jī)金屬化學(xué)氣相成長(zhǎng)法形成接合膜3的方法而獲得接合膜3的情況為代表進(jìn)行說明。首先，為了說明接合膜3的成膜方法，先對(duì)成膜接合膜3時(shí)所使用的成膜裝置500進(jìn)行說明。圖8所示的成膜裝置500的構(gòu)成方式為在室511內(nèi)進(jìn)行有機(jī)金屬化學(xué)氣相成長(zhǎng)法(以下，有時(shí)也簡(jiǎn)稱為"MOCVD法")的接合膜3的形成。具體而言，成膜裝置500具有室(真空室)511、設(shè)置在該室511內(nèi)保持基板2(成膜對(duì)象物)的基板支架(成膜對(duì)象物保持部)512、將氣化或霧化的有機(jī)金屬材料供給到室511內(nèi)的有機(jī)金屬材料供給裝置560、供給用于將室511內(nèi)作成低還原性氣氛下的氣體的氣體供給裝置570、進(jìn)行室511內(nèi)的排氣并控制壓力的排氣裝置130、加熱基板支架512的加熱裝置(未圖示)。在本實(shí)施方式中，基板支架512安裝在室511的底部。該基板支架512通過電動(dòng)機(jī)的工作可轉(zhuǎn)動(dòng)。由此，能夠在基板2上以均質(zhì)且均勻的厚度成膜接合膜。另外，在基板支架512的附近分別配設(shè)有能夠覆蓋這些的擋板521。該擋板521用于防止基板2及接合膜3暴露于不需要的氣氛等中。有機(jī)金屬材料供給裝置560與室511連接。該有機(jī)金屬材料供給裝置560由貯存槽562、儲(chǔ)氣罐565、氣體供給管線561、泵564、閥563構(gòu)成，其中，貯存槽562貯存固體狀的有機(jī)金屬材料；儲(chǔ)氣罐565貯存向室511內(nèi)輸送氣化或霧化的有機(jī)金屬材料的載體氣體；氣體供給管線561將載體氣體和氣化或霧化的有機(jī)金屬材料導(dǎo)入室511內(nèi)；泵564設(shè)置在氣體供給管線561的中途。在如此構(gòu)成的有機(jī)金屬材料供給裝置560中，貯存槽562具有加熱裝置，通過該加熱裝置的工作，可以將固體狀的有機(jī)金屬材料加熱氣化。因此，在開啟閥563的狀態(tài)下，當(dāng)使泵564工作將載體氣體自儲(chǔ)氣罐565供給到貯存槽562內(nèi)時(shí)，與該載體氣體一起氣化或霧化的有機(jī)金屬材料通過供給管561供給到室511內(nèi)。另外，作為載體氣體，不作特別限定，最佳地使用氮?dú)狻鍤饧昂獾?。另外，在本?shí)施方式中，氣體供給裝置570與室511連接。氣體供給裝置570由儲(chǔ)氣罐575、氣體供給管線571、泵574及閥573構(gòu)成，其中，儲(chǔ)氣罐575貯存用于使室511內(nèi)成為低還原性氣氛下的氣體；氣體供給管線571將用于成為上述低還原性氣氛下的氣體導(dǎo)入室511內(nèi)；泵574設(shè)置在氣體供給管線571的中途。在如此構(gòu)成的氣體供給裝置570中，在打開閥573的狀態(tài)下，當(dāng)使泵574工作時(shí)，用于成為上述低還原性氣氛下的氣體從儲(chǔ)氣罐575經(jīng)由供給管571供給到室511內(nèi)。通過如此構(gòu)成氣體供給裝置570，能夠使室511內(nèi)可靠地對(duì)有機(jī)金屬材料設(shè)為低還原的氣氛。其結(jié)果是在以有機(jī)金屬材料為原材料且用MOCVD法成膜接合膜3時(shí)，在殘留有有機(jī)金屬材料所含的有機(jī)成分中至少一部分作為脫離基303狀態(tài)下，成膜接合膜3。作為使室511內(nèi)成為低還原性氣氛下的氣體，不作特別限定，例舉有例如氮?dú)饧昂?、氬、氙那樣的惰性氣體等，可以將其中一種或兩種以上組合使用。另外，在用下述的2、4—戊二酮(《>夕y、才冬一卜)一銅(II)及{Cu(hfac)(VTMS)}等分子結(jié)構(gòu)中含有氧原子的材料作為有機(jī)金屬材料的情況下，優(yōu)選在用于成為低還原性氣氛下的氣體中添加氫氣。由此，可以提高相對(duì)于氧原子的還原性，且可以按照在接合膜中不殘留有多余的氧原子的方式成膜接合膜3。其結(jié)果是該接合膜3其膜中的金屬氧化物的存在率低，且可發(fā)揮優(yōu)異的導(dǎo)電性。另外，在用上述的氮?dú)?、氬氣及氦氣中至少一種作為載體氣體的情況下，在該載體氣體中，也可以發(fā)揮作為用于成為低還原性氣氛下的氣體的功能。另外，排氣裝置530由泵532、排氣管線531、閥533構(gòu)成，其中，排氣管線531將泵532和室511連通；閥533設(shè)置在排氣管線531的中途，能夠?qū)⑹?11內(nèi)減壓到要求的壓力。用上述構(gòu)成的成膜裝置500，利用MOCVD法，如下所述，在基板2上形成接合膜3。首先，準(zhǔn)備功能性基板2。并且，將該基板搬入成膜裝置500的室511內(nèi)且安裝(固定)在基板支架512上。接著，使排氣裝置530工作，即在使泵532工作的狀態(tài)下開啟閥533，由此使室511內(nèi)成為負(fù)壓狀態(tài)。該負(fù)壓的程度(真空度)不作特別限定，但優(yōu)選為1X10—7~1X10—4Torr程度，更優(yōu)選為1X10—6~1X10_5Torr程度。另外，使氣體供給裝置570工作，即在使泵574工作的狀態(tài)下開啟閥573，由此向室511內(nèi)供給用于成為低還原氣氛下的氣體，從而使室511內(nèi)成為低還原氣氛下。由此，氣體供給裝置570的上述氣體的流量不作特別限定，但優(yōu)選0.110sccm程度，更優(yōu)選0.55sccm程度。另外，此時(shí)使加熱裝置工作，加熱基板支架512?；逯Ъ?12的溫度根據(jù)形成的接合膜3的種類即形成接合膜3時(shí)所用的原材料的種類也稍有不同，但優(yōu)選8(TC30(TC程度，更優(yōu)選10(TC275。C程度。通過設(shè)定在如此范圍內(nèi)，能夠由有機(jī)金屬材料成膜具有優(yōu)異的粘接性的接合膜3。接著，使擋板521成為開的狀態(tài)。并且，使貯存固體狀有機(jī)金屬材料的貯存槽562具備的加熱裝置工作，由此在使有機(jī)金屬材料氧化的狀態(tài)下，使泵564工作，同時(shí)打開閥563，由此將氣化或霧化的有機(jī)金屬材料和載體氣體一起導(dǎo)入室內(nèi)。這樣，在上述工序中，在加熱基板支架512的狀態(tài)下，在向室511內(nèi)供給氣化或霧化的有機(jī)金屬材料時(shí)，在基板2上加熱有機(jī)金屬材料，由此，在殘留有有機(jī)金屬材料中所含的有機(jī)物的一部分的狀態(tài)下，能夠在基板2上形成接合膜3。艮P，根據(jù)MOCVD法，只要按照殘留有有機(jī)金屬材料中所含的有機(jī)物的一部分的方式形成含有金屬原子的膜，就能夠在基板2上形成該有機(jī)物的一部分作為脫離基303發(fā)揮功能的接合膜3。作為用于這種MOCVD法的有機(jī)金屬材料，不作特別限定，例舉有例如2、4—戊二酮一銅(11)、3(8-喹啉)鋁(Alq3)、3(4-甲基-8喹啉)鋁(III)(Alq2)、(8-羥基喹啉)鋅(Znq2)、酞青銅、Cu(六氟乙酰乙酰)、(乙烯三甲基硅烷)(Cu(hfac)(VTMS)}、Cu(六氟乙酰乙酰)(2-甲基-l-己烯-3-鹽){Cu(hfac)(MHY)}、Cu(全氟乙酰乙酰)(乙烯三甲基硅烷)(Cu(hfac)(VTMS)}、Cu(全氟乙酰乙酰)(2-甲基-1-己烯-3-鹽)(Cu(hfac)(MHY))那樣的金屬絡(luò)合物、三甲基鉀、三甲基鋁、二乙鋅那樣的垸基金屬及其衍生物等。其中，作為有機(jī)金屬材料，優(yōu)選金屬絡(luò)合物。通過使用金屬絡(luò)合物，能夠在殘留有金屬絡(luò)合物中所含有機(jī)物的一部分的狀態(tài)下，可靠地形成接合膜3。另外，在本實(shí)施方式中，通過使氣體供給裝置570工作，使室511內(nèi)成為低還原性氣氛下，但是，在這種氣氛下，不會(huì)在基板2上形成純粹的金屬膜，而是可以在殘留有有機(jī)金屬材料中所含的有機(jī)物的一部分的狀態(tài)下進(jìn)行成膜。即，能夠形成作為接合膜及金屬膜雙方的特性都優(yōu)異的接合膜3。氣化或霧化的有機(jī)金屬材料的流量?jī)?yōu)選0.1~100ccm程度，更優(yōu)選0.560ccm程度。由此，能夠在以均勻的膜厚且殘留有有機(jī)金屬材料中所含的有機(jī)物的一部分的狀態(tài)下，成膜接合膜3。如上所述，在成膜接合膜3時(shí)，通過將殘留在膜中的殘留物作為脫離基303的構(gòu)成，可以不需要將脫離基導(dǎo)入已形成的金屬膜等，能夠以比較簡(jiǎn)單的工序成膜接合膜3。另外，可以使殘留在有機(jī)金屬材料形成的接合膜3中的上述有機(jī)物的全部作為脫離基303發(fā)揮功能，也可以使其一部分作為脫離基303發(fā)揮功能。如上所述能夠在功能性基板2上成膜接合膜3。另外，在基板2的至少需形成接合膜3的區(qū)域，為了利用上述方法形成接合膜3，優(yōu)選先根據(jù)基板2的構(gòu)成材料，預(yù)先實(shí)施提高基板2和接合膜3的密合性的表面處理。作為這樣的表面處理，例舉有例如濺射處理、噴丸處理那樣的物理性的表面處理、用氧等離子體、氮等離子體等的等離子體處理，電暈放電處理、酸浸處理、電子線照射處理、紫外線照射處理、臭氧暴露處理那樣的化學(xué)性的表面處理、或使這些組合的處理等。通過實(shí)施這樣的處理，能夠凈化基板2的需形成接合膜3的區(qū)域，同時(shí)使該區(qū)域活性化。由此，能夠提高接合膜3和基板2的接合強(qiáng)度。另外，通過在這些表面處理中也使用等離子體處理，而形成接合膜3，因此，尤其能夠?qū)⒒?的表面最佳化。另外，在實(shí)施表面處理的基板2的表面由樹脂材料(高分子材料)構(gòu)成的情況下，尤其適合使用電暈放電處理、氮等離子體處理等。另外，即使根據(jù)基板2的構(gòu)成材料實(shí)施上述那樣的表面處理，接合膜3的接合強(qiáng)度也可充分提高。作為獲得這種效果的基板2的構(gòu)成材料，例舉有例如以上述那樣的各種金屬系材料、各種硅系材料、各種玻璃系材料等為主要材料的材料。由這種材料構(gòu)成的基板2其表面由氧化膜覆蓋，比較活性的高的羥基與該氧化膜的表面結(jié)合。因此，在使用由這種材料構(gòu)成的基板2時(shí)，即使不實(shí)施上述那樣的表面處理，也能夠牢固地將粘接片1(接合膜3)與被粘接體4接合。另外，該情況下，也可以由上述那樣的材料不構(gòu)成基板2的整體，只要至少形成接合膜3的區(qū)域的表面附近由上述那樣的材料構(gòu)成即可。另外，也可以在基板2的至少需形成接合膜3的區(qū)域，預(yù)先形成中間層以代替表面處理。該中間層具有任何功能都可以，不作特別限定，但優(yōu)選具有例如提高與接合膜3的密合性的功能、緩沖性(緩沖功能)、緩和應(yīng)力集中的功能、成膜接合膜3時(shí)促進(jìn)接合膜3的膜成長(zhǎng)的功能(強(qiáng)化層)、保護(hù)接合膜3的功能(壁壘層)等。通過這種中間層，能夠?qū)⒒?和接合膜3粘合，且能夠得到可靠性高的接合體。作為該中間層的構(gòu)成材料，例舉有例如鋁、鈦、鎢、銅及其合金等金屬系材料、金屬氧化物、金屬氮化物、硅氧化物那樣的氧化物系材料、金屬氮化物、硅氮化物那樣的氮化物系材料、石墨、類鉆石碳膜那樣的碳系材料、硅垸耦合劑、硫真趕系化合物、金屬醇鹽、金屬鹵素化合物那樣的自行組織化膜材料、樹脂系粘接劑、樹脂薄膜、敷層材料、各種橡膠材料、各種彈性體那樣的樹脂系材料等，可以將它們中的一種或兩種以上組合使用。另外，在由該各種材料構(gòu)成的中間層中，尤其根據(jù)由氧化物構(gòu)成的中間層，能夠提高基板2和接合膜3之間的接合強(qiáng)度。如上所述能夠制造功能性基板2的一面?zhèn)染邆浣雍夏?的粘接片1。另外，粘接片1除其形狀成上述那樣的板狀(片狀)的情況外，也可以成帶狀及標(biāo)簽狀，另外，也可以形成為圖案以使其成為梳齒形狀(參照?qǐng)D9)。成圖9所示的梳齒形狀的粘接片除事先準(zhǔn)備成梳齒形狀的功能性基板2后，通過在該基板2上形成接合膜3可以獲得之外，將上述的板狀粘接片通過用各種蝕刻法形成為圖案而獲得。另外，形成為圖案的形狀不局限于梳齒形狀，可以作成L字形狀、U字形狀、框狀及S形狀等任意形狀。下面，對(duì)本實(shí)施方式的粘接片的接合方法進(jìn)行說明。本實(shí)施方式的接合方法具有準(zhǔn)備工序，其準(zhǔn)備粘接片；使接合膜活性化的工序，其通過對(duì)粘接片的接合膜賦予能量使脫離基自接合膜中脫離而使接合膜活性化；獲得接合體的工序，其準(zhǔn)備被粘接體(對(duì)向基板)，使粘接片具備的接合膜與被粘接體密合而將粘接片與被粘接體粘合。下面，對(duì)本實(shí)施方式的接合方法的各工序依次進(jìn)行說明。(1)首先，用上述的方法準(zhǔn)備粘接片l(本發(fā)明的粘接片)(參照?qǐng)D10(a))。〔2)其次，對(duì)粘接片1的接合膜3的表面35賦予能量。在此，將能量賦予接合膜3后，在接合膜3中，脫離基303的結(jié)合鍵斷開并自接合膜3的表面35附近脫離，在脫離基303脫離后，活性鍵在接合膜3的表面35附近產(chǎn)生。由此，在接合膜3的表面35顯現(xiàn)與被粘接體4的粘接性。這種狀態(tài)的粘接片1與被粘接體4基于化學(xué)性的結(jié)合可牢固地接合。在此，對(duì)接合膜3賦予的能量用任何方法賦予都可以，例舉有例如對(duì)接合膜3照射能量線的方法、加熱接合膜3的方法、將壓縮力(物理性的能量)賦予接合膜3)的方法、將接合膜3暴露于等離子體(賦予等離子能量)的方法、將接合膜3暴露于臭氧氣體(賦予化學(xué)性的能量)的方法。其中，在本實(shí)施方式中，作為對(duì)接合膜3賦予能量方法，尤其優(yōu)選對(duì)接合膜3照射能量線的方法。該方法能夠比較簡(jiǎn)單地高效地對(duì)接合膜3賦予能量，因此，作為賦予能量方法是最佳的。其中，作為能量線，例舉有例如紫外線、激光那樣的光、X線、Y線、電子線、離子束那樣的粒子線等及、或?qū)⑦@些能量線進(jìn)行兩種以上組合。在這些能量線中，尤其優(yōu)選使用波長(zhǎng)126~300nm程度的紫外線(參照?qǐng)D10(b))。利用該范圍內(nèi)的紫外線，所賦予的能量可以最佳化，因此，能夠使接合膜3中的脫離基303可靠地脫離。由此，能夠防止接合膜3的特性(機(jī)械性特性、化學(xué)性特性等)降低且在接合膜3上可靠地表現(xiàn)粘接性。另外，利用紫外線，可以在短時(shí)間內(nèi)進(jìn)行使大范圍均勻地處理，因此，能夠高效地進(jìn)行脫離基303的脫離。另外，對(duì)紫外線而言，具有可以利用UV燈等簡(jiǎn)單的設(shè)備使其產(chǎn)生的優(yōu)點(diǎn)。再有，紫外線的波長(zhǎng)優(yōu)選126200nm程度。另外，在利用UV燈的情況下，其輸出根據(jù)接合膜3的面積不同而不同，優(yōu)選lmW/cm2lW/cm2程度，更優(yōu)選5mW/cm2~50mW/cm2程度。另外，在該情況下，UV燈和接合膜3的間距優(yōu)選33000mm程度，更優(yōu)選101000mm程度。另外，照射紫外線的時(shí)間優(yōu)選能夠?qū)⒔雍夏?的表面35附近的脫離基303脫離的程度的時(shí)間，即對(duì)接合膜3不照射必要以上的紫外線的程度的時(shí)間。由此，能夠有效地防止接合膜3變質(zhì)、劣化。具體而言，雖然根據(jù)紫外線的光量、接合膜3的構(gòu)成材料等不同而稍有不同，但優(yōu)選0.530分鐘程度，更優(yōu)選110分鐘程度。另外，紫外線可以長(zhǎng)時(shí)間地連續(xù)照射，也可以間歇性(脈沖狀)地照射。另一方面，作為激光，例舉有例如激元激光器的脈沖振蕩激光(脈沖激光)、碳酸氣體激光、半導(dǎo)體激光的連續(xù)振蕩激光等。其中，優(yōu)選使用脈沖激光。在脈沖激光中，在接合膜3的照射激光的部分，難以時(shí)效性地蓄積熱量，因此，能夠可靠地防止蓄積的熱量造成的接合膜3的變質(zhì)、劣化。即利用脈沖激光，能夠防止蓄積的熱量的影響遍布接合膜3的內(nèi)部。另外，脈沖激光的脈沖幅度在考慮熱量影響時(shí)，優(yōu)選盡可能地短。具體而言，脈沖幅度優(yōu)選lps(皮可秒)以下，更優(yōu)選500fs(飛母托秒)以下。只要使脈沖幅度在上述范圍內(nèi)，就能夠可靠地控制隨著激光照射而產(chǎn)生在接合膜3的熱量的影響。另外，脈沖幅度小于上述范圍內(nèi)程度的脈沖激光叫做"飛母托秒激光"。另外，激光的波長(zhǎng)不作特別限定，但例如優(yōu)選2001200nm程度，更優(yōu)選4001000nm程度。另外，激光的峰值輸出在脈沖激光的情況下，根據(jù)脈沖幅度不同而不同，優(yōu)選0.110W程度，更優(yōu)選15W程度。另外，脈沖激光的重復(fù)頻率優(yōu)選0.1~100kHz程度，更優(yōu)選110kHz程度。將脈沖激光的頻率設(shè)定在上述范圍內(nèi)，由此照射激光的部分的溫度顯著上升而能夠?qū)⒚撾x基303從接合膜3的表面35附近可靠地切斷。另外，這種激光的各種條件優(yōu)選適當(dāng)調(diào)節(jié)，以使照射激光的部分的溫度優(yōu)選常溫(室溫)60(TC程度，更優(yōu)選20060(TC程度，進(jìn)一步優(yōu)選300400。C程度。由此，照射激光的部分的溫度顯著上升而能夠?qū)⒚撾x基303從接合膜3上可靠地切斷。另外，照射到接合膜3的激光在將其焦點(diǎn)與接合膜3的表面重合的狀態(tài)下，優(yōu)選沿該表面35進(jìn)行掃描。由此，由激光照射而產(chǎn)生的熱量局部性地蓄積在表面35附近。其結(jié)果是能夠使接合膜3的表面35存在的脫離基303選擇性地進(jìn)行脫離。另外，能量線相對(duì)于接合膜3的照射在任何氣氛中進(jìn)行都可以，具體而言，例舉有大氣、氧氣那樣的氧化性氣體氣氛、氫氣那樣的還原性氣體氣氛、氮?dú)?、氬氣那樣的惰性氣體氣氛、或?qū)⑦@些氣氛減壓的負(fù)壓(真空)氣氛等，其中，尤其優(yōu)選在大氣氣氛中進(jìn)行。由此，通過控制氣氛，不需要消耗工時(shí)及成本，且能夠更簡(jiǎn)單地進(jìn)行能量線的照射。這樣，根據(jù)照射能量線的方法，可容易地進(jìn)行對(duì)接合膜3的表面35附近選擇性地賦予能量，因此，能夠防止例如能量的賦予造成的基板2及接合膜3的變質(zhì)、劣化即粘接片1的變質(zhì)、劣化。另外，根據(jù)照射能量線的方法，可以高精度且簡(jiǎn)單地調(diào)節(jié)賦予的能量的大小。因此，可調(diào)節(jié)自接合膜3脫離的脫離基303的脫離量。通過如此調(diào)節(jié)脫離基303的脫離量，能夠容易地控制粘接片1和被粘接體4之間的接合強(qiáng)度。艮P，通過增大脫離基303的脫離量，可在接合膜3的表面35附近產(chǎn)生更多的活性鍵，因此，能夠進(jìn)一步提高接合膜3表現(xiàn)的粘接性。另一方面，通過減少脫離基303的脫離量，可減少產(chǎn)生于接合膜3的表面35附近的活性鍵，且能夠抑制接合膜3表現(xiàn)的粘接性。另外，為了調(diào)節(jié)賦予的能量的大小，只要調(diào)節(jié)例如能量線的種類、能量線的輸出、能量線的照射時(shí)間等條件即可。另外，根據(jù)照射能量線的方法，在短時(shí)間內(nèi)能夠賦予大的能量，因此，能夠更高效地進(jìn)行能量的賦予。在此，如圖2及圖6所示，賦予能量前的接合膜3在其表面35附近具有脫離基303。當(dāng)對(duì)這樣的接合膜303賦予能量時(shí)，脫離基303(在圖2中為氫原子，在圖6中為甲基)自接合膜3脫離。由此，如圖3及圖7所示，在接合膜3的表面35附近產(chǎn)生活性鍵304且被活性化。其結(jié)果是在接合膜3的表面表現(xiàn)粘接性。在此，在本說明書中，所謂接合膜3"被活性化"的狀態(tài)，就是如上所述，接合膜3的表面35及內(nèi)部的脫離基303脫離，在接合膜3的構(gòu)成原子中，除產(chǎn)生未被終端化的結(jié)合鍵(以下也稱"未結(jié)合鍵"或"懸空鍵"。)的狀態(tài)之外，該未結(jié)合鍵利用羥基(OH基)被終端化的狀態(tài)，還包含這兩種狀態(tài)混合的狀態(tài)，而稱接合膜3"被活性化"的狀態(tài)。因此，如圖3及圖7所示，所謂活性鍵304，就是指未結(jié)合鍵(懸空鍵)或未結(jié)合鍵利用羥基被終端化。只要這種活性鍵304存在，即可與被粘接體4進(jìn)行特別強(qiáng)固的接合。另外，例如，在大氣氣氛中對(duì)接合膜3照射能量線，由此大氣中的水分將未結(jié)合鍵終端化，因而，容易生成后者的狀態(tài)(未結(jié)合鍵利用羥基被終端化的狀態(tài))。另外，在本實(shí)施方式中，對(duì)在將粘接片1與被粘接體4粘接(粘合)前預(yù)先對(duì)粘接片1的接合膜3賦予能量線的情況進(jìn)行了說明，但是，這樣的能量賦予也可以在將粘接片1和被粘接體4粘合(重合)時(shí)、或粘合(重合)后進(jìn)行。另外，對(duì)這種情況在下述的第二實(shí)施方式中進(jìn)行說明。(3)下面，準(zhǔn)備被粘接體(另一被粘接體)4。并且，如圖10(c)所示，使被活性化的接合膜3和被粘接體4密合并使粘接片1與被粘接體4接觸。由此，在上述工序〔2)中，接合膜3相對(duì)于被粘接體4所表現(xiàn)的粘接性，因此，接合膜3和被粘接體4進(jìn)行化學(xué)性地結(jié)合，且粘接片l與被粘接體4粘接，從而得到圖ll(d)所示的接合體5。在如此得到的接合體5中，不是像現(xiàn)有接合方法中所使用的粘接劑那樣主要基于拉樁效果那樣的物理性結(jié)合的粘合，而是基于在共價(jià)鍵那樣的短時(shí)間內(nèi)產(chǎn)生的強(qiáng)固的化學(xué)性結(jié)合而接合粘接片1和被粘接體4。因此，接合體5可以在短時(shí)間內(nèi)形成，且極難剝離，也難以產(chǎn)生粘合不均等。另外，根據(jù)獲得使用這種粘接片1得到的接合體5的方法，不需要像現(xiàn)有固體接合那樣在高溫(例如，70(TC以上)下的熱處理，因此，也能夠供接合由耐熱性低的材料構(gòu)成的基板2及被粘接體4。另外，由于經(jīng)由接合膜3接合基板2和被粘接體4，因此具有不受基板2及被粘接體4的構(gòu)成材料的制約的優(yōu)點(diǎn)。由以上可知，根據(jù)本發(fā)明，可以分別擴(kuò)大基板2及被粘接體4的各構(gòu)成材料的范圍。另外，在固體接合中，由于不經(jīng)由接合膜，因此，在基板2和被粘接體4之間的熱膨脹率方面差別大的情況下，基于其差，應(yīng)力易集中于接合合界面，可能會(huì)產(chǎn)生剝離，但是，在接合體(本發(fā)明的接合體)5中，利用接合膜3，應(yīng)力集中被緩和，能夠可靠地抑制或防止剝離產(chǎn)生。在此，粘接粘接片1的被粘接體4和基板2同樣，也可以由任何材料構(gòu)成。具體而言，被粘接體4可由與基板2的構(gòu)成材料相同的材料構(gòu)成。另外，被粘接體4不局限于圖IO所示的板狀，也可以為塊狀(塊狀)、棒狀。但是，被粘接體4的構(gòu)成材料可以與基板2不同，也可以相同，但優(yōu)選被粘接體4的各熱膨脹率與基板2大致相等的材料。只要基板2和被粘接體4的各熱膨脹率大致相等，在將粘接片1和被粘接體4粘合時(shí)，在其接合界面上，伴隨熱膨脹的應(yīng)力就難以產(chǎn)生。其結(jié)果是，在最終得到的接合體5中，能夠可靠防止產(chǎn)生剝離等麻煩。另外，如下所述，即使在基板2和被粘接體4的各熱膨脹率彼此不同的情況下，也優(yōu)選將粘接片1和被粘接體4粘合時(shí)的條件如下進(jìn)行最佳化。由此，能夠以高的尺寸精度牢固地接合粘接片1和被粘接體4。艮P，在基板2和被粘接體4的熱膨脹率彼此不同的情況下，優(yōu)選在盡可能地低溫下進(jìn)行。通過在低溫下進(jìn)行，可以實(shí)現(xiàn)產(chǎn)生于接合界面的熱應(yīng)力進(jìn)一步降低。具體而言，根據(jù)基板2和被粘接體4的熱膨脹率之差，優(yōu)選在基板2及被粘接體4的溫度為255(TC程度的狀態(tài)下將粘接片1與被粘接體4粘合，更優(yōu)選在254(TC程度的狀態(tài)下進(jìn)行粘合。只要在這樣的溫度范圍內(nèi)，即使基板2和被粘接體4的熱膨脹率之差較大，也能夠充分降低產(chǎn)生于接合界面上的熱應(yīng)力。其結(jié)果是能夠可靠抑制或防止接合體5的撓曲及剝離等產(chǎn)生。另外，在該情況下，尤其推薦在具體的基板2和被粘接體4的熱膨脹系數(shù)之差大于5xl(TS/K的情況下，如上所述，在盡可能地低溫下進(jìn)行接合。另外，基板2和被粘接體4優(yōu)選剛性彼此不同。由此，能夠更牢固地接合粘接片1和被粘接體4。在供與上述的被粘接體4的粘接片1接合的區(qū)域，和基板2同樣，優(yōu)選在根據(jù)被粘接體4的構(gòu)成材料進(jìn)行接合前，預(yù)先實(shí)施提高被粘接體4和接合膜3的密合性的表面處理。由此，更能夠提高粘接片1和被粘接體4接合強(qiáng)度。另外，作為表面處理，可以使用與對(duì)基板2實(shí)施的上述那樣的表面處理同樣的處理。另外，即使根據(jù)被粘接體4的構(gòu)成材料實(shí)施上述那樣的表面處理，也可充分提高粘接片1和被粘接體4的接合強(qiáng)度。在得到這種效果的被粘接體4的構(gòu)成材料方面，可以使用與上述的基板2的構(gòu)成材料同樣的材料即各種金屬材料、各種硅系材料、各種玻璃系材料等。另外，在供與被粘接體4的粘接片1接合的區(qū)域具有以下的基團(tuán)及物質(zhì)的情況下，即使實(shí)施上述那樣的表面處理，也能夠充分提高粘接片l和被粘接體4的接合強(qiáng)度。作為這樣的基及物質(zhì)，例舉有選自由例如氫原子、羥基、硫趕基、羧基、氨基、硝基、咪唑基那樣的官能團(tuán)、原子團(tuán)、開環(huán)分子、雙重鍵、三重鍵那樣的不飽和鍵、F、Cl、Br、I那樣的鹵素、過氧化物構(gòu)成的組中的至少一種基團(tuán)或物質(zhì)。具有這樣的基團(tuán)或物質(zhì)的表面能夠?qū)崿F(xiàn)粘接片1相對(duì)于接合膜3的接合強(qiáng)度進(jìn)一步提高。另外，適當(dāng)選擇并進(jìn)行上述那樣的各種表面處理，以獲得具有這樣的基團(tuán)或物質(zhì)的表面，由此可以獲得可與粘接片1特別牢固地接合的被粘接體4。另外，在供與被粘接體4的粘接片1接合的區(qū)域，優(yōu)選預(yù)先形成具有提高與接合膜3的密合性的功能的中間層以代替表面處理。由此，經(jīng)由這樣的中間層將粘接片l和被粘接體4接合，可以獲得接合強(qiáng)度更高的接合體5。在這樣的中間層的構(gòu)成材料方面，可以使用與形成于上述基板2的中間層的構(gòu)成材料同樣的材料。在此，在本工序中，對(duì)接合粘接片1和被粘接體4的機(jī)理進(jìn)行說明。例如，在以供與被粘接體4的粘接片1粘合的區(qū)域露出羥基的情況為例進(jìn)行說明時(shí)，在本工序中，在按照粘接片1的接合膜3與被粘接體4接觸的方式將它們粘合時(shí)，粘接片1的接合膜3的表面35存在的羥基和被粘接體4的上述區(qū)域存在的羥基利用氫鍵彼此聯(lián)系，且在羥基彼此之間產(chǎn)生引力。推測(cè)利用其引力接合粘接片1和被粘接體4。另外，利用該氫鍵彼此聯(lián)系的羥基彼此根據(jù)溫度條件等隨著脫水縮合從表面起切斷。其結(jié)果是在粘接片1和被粘接體4的接觸界面上，結(jié)合有羥基的結(jié)合鍵彼此結(jié)合。由此推測(cè)粘接片1和被粘接體4被更牢固地接合。另外，在上述工序(2)中被活性化的接合膜3的表面其活性狀態(tài)必然會(huì)時(shí)效性地緩和。因此，優(yōu)選在上述工序(2)結(jié)束后，盡可能早地進(jìn)行本工序(3)。具體而言，在上述工序(2)結(jié)束后，優(yōu)選在60分鐘以內(nèi)進(jìn)行本工序(3)，更優(yōu)選在5分鐘以內(nèi)進(jìn)行。只要在這樣的時(shí)間內(nèi)，接合膜3的表面保持足夠的活性狀態(tài)，因此，在本工序中，將粘接片l(接合膜3)粘合在被粘接體4上時(shí)，就能夠在它們之間獲得足夠的接合強(qiáng)度。換言之，活性化前的接合膜3在具備脫離基303的狀態(tài)下為化學(xué)性較穩(wěn)定的膜，且耐風(fēng)化性優(yōu)異。因此，活性化前的接合膜3適合長(zhǎng)期保存。因此，大量地制造或購(gòu)入那樣的粘接片1(具備接合膜3的基板2)并保存，在本工序進(jìn)行粘合之前，只要對(duì)僅需要的個(gè)數(shù)進(jìn)行上述工序(2)中記載的能量賦予，從接合體5的制造效率的觀點(diǎn)看，即可提高效率。如上所述，能夠得到圖11(d)所示的接合體(本發(fā)明的接合體)5。另外，在圖11(d)中，以覆蓋粘接片1的接合膜3的全面的方式重合被粘接體4，但它們的相對(duì)位置也可以彼此錯(cuò)開。即，也可以按照被粘接體4從接合膜3突出的方式重合粘接片1和被粘接體4。這樣獲得的接合體5其基板2和被粘接體4之間的接合強(qiáng)度優(yōu)選為5MPa(50kgf/cm2)以上，更優(yōu)選為lOMPa(100kgf/cm2)以上，具有這種接合強(qiáng)度的接合體5可以充分防止其剝離。并且，如下所述，在用接合體5構(gòu)成例如表面聲波元件的情況下，可以獲得耐用性優(yōu)異的表面聲波元件。另外，根據(jù)本發(fā)明的粘接片1，能夠高效地制作以上述那樣大的接合強(qiáng)度接合基板2和被粘接體4的接合體5。另外，在直接接合現(xiàn)有硅基板彼此的固體接合中，即使使供接合的基板的表面活性化，其活性狀態(tài)在大氣中也只能維持?jǐn)?shù)秒數(shù)十秒的極短時(shí)間。因此，存在不能充分確保在表面進(jìn)行活性化之后，粘合進(jìn)行接合的兩個(gè)基板等作業(yè)中所需要的時(shí)間這個(gè)問題。與之相對(duì)，根據(jù)本發(fā)明，能夠較長(zhǎng)時(shí)間地保持活性狀態(tài)。因此，能夠充分確保粘合作業(yè)所需要的時(shí)間，且能夠提高粘合作業(yè)的效率。另外，推測(cè)之所以能夠較長(zhǎng)時(shí)間地保持活性狀態(tài)，原因是由有機(jī)成分構(gòu)成的脫離基303脫離的活性化狀態(tài)穩(wěn)定化。另外，在獲得接合體5〔3)時(shí)或得到接合體5之后，也可以根據(jù)需要對(duì)該接合體5(粘接片1和被粘接體4的層疊體)進(jìn)行下面三個(gè)工序((4A)、(4B)、〔4C))中至少一個(gè)工序(提高接合體5的接合強(qiáng)度的工序)。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)接合體5的接合強(qiáng)度的進(jìn)一步提高?！?A〕在本工序中，如圖11(e)所示，對(duì)得到的接合體5沿基板2和被粘接體4彼此接近的方向進(jìn)行加壓。由此，接合膜3的表面分別與基板2的表面及被粘接體4的表面更接近，能夠進(jìn)一步提高接合體5的接合強(qiáng)度。另外，通過對(duì)接合體5加壓，擠緊接合體5中的接合界面殘留的間隙，能夠擴(kuò)大接合面積。由此，能夠再次提高接合體5的接合強(qiáng)度。此時(shí)，加壓接合體5時(shí)的壓力在接合體5不受損傷的程度的壓力中，優(yōu)選盡可能高的壓力。由此，可以與該壓力成正比的方式提高接合體5的接合強(qiáng)度。另外，該壓力只要根據(jù)基板2及被粘接體4的各構(gòu)成材料及各厚度、接合強(qiáng)度等條件進(jìn)行適當(dāng)調(diào)節(jié)即可。具體而言，優(yōu)選根據(jù)基板2及被粘接體4的各構(gòu)成材料及各厚度等不同而稍不同的0.210MPa程度，更優(yōu)選15MPa程度。由此，能夠切實(shí)提高接合體5的接合強(qiáng)度。另外，該壓力即使大于上述上限值也可以，但可能會(huì)根據(jù)基板2及被粘接體4的各構(gòu)成材料的不同，對(duì)基板2及被粘接體4產(chǎn)生損傷。另外，加壓的時(shí)間不作特別限定，但優(yōu)選10秒30分鐘程度。還有，加壓的時(shí)間只要根據(jù)加壓時(shí)的壓力適當(dāng)變更即可。具體而言，即使加壓接合體5時(shí)的壓力越高越縮短加壓的時(shí)間，也能夠?qū)崿F(xiàn)接合強(qiáng)度的提高。〔4B〕在本工序中，如圖11(e)所示，對(duì)得到的接合體5進(jìn)行加熱。由此，能夠進(jìn)一步提高接合體5的接合強(qiáng)度。此時(shí)，加熱接合體5時(shí)的溫度只要比室溫高且低于接合體5的耐熱溫度即可，不作特別限定，但優(yōu)選25'C10(TC程度，更優(yōu)選50'C10(TC程度。只要在這樣的范圍內(nèi)加熱即可可靠防止接合體5因熱而變質(zhì)、劣化，且能夠切實(shí)提高接合強(qiáng)度。另外，加熱時(shí)間不作特別限定，但優(yōu)選130分鐘程度。另外，在進(jìn)行上述工序〔4A)、〔4B)的雙方的情況下，優(yōu)選將它們同時(shí)進(jìn)行。即，如圖11(e)所示，優(yōu)選對(duì)接合體5加壓且加熱。由此，可以成倍地發(fā)揮加壓的效果和加熱的效果，能夠特別提高接合體5的接合強(qiáng)度?！?C)在本工序中，如圖11(f)所示，對(duì)得到的接合體5照射紫外線。由此，能夠使形成于接合膜3和基板2及被粘接體4之間的化學(xué)鍵增加，能夠分別提高基板2及被粘接體和接合膜3之間的接合強(qiáng)度。其結(jié)果是能夠特別提高接合體5的接合強(qiáng)度。此時(shí)，照射的紫外線的條件只要和上述工序〔2)所示的紫外線的條件同等即可。另外，進(jìn)行本工序(4C)時(shí)，基板2及被粘接體4中任一方需要具有透光性。并且，從具有透光性的基板側(cè)照射紫外線，由此能夠可靠地對(duì)接合膜3照射紫外線。通過進(jìn)行上述的工序，能夠容易地實(shí)現(xiàn)接合體5的接合強(qiáng)度進(jìn)一步提咼°(第二實(shí)施方式)下面，對(duì)本發(fā)明的粘接片、接合該粘接片和被粘接體的接合方法(本發(fā)明的接合方法)及具備本發(fā)明的粘接片的接合體的各第二實(shí)施方式進(jìn)行說明。圖12是用于說明用本發(fā)明的粘接片接合該粘接片和被粘接體的接合方法的第二實(shí)施方式的圖(縱剖面圖)。另外，在以下的說明中，將圖12中的上側(cè)稱為"上"，將下側(cè)稱為"下"。下面，對(duì)第二實(shí)施方式的接合方法進(jìn)行說明，但以與上述第一實(shí)施方式的不同點(diǎn)為中心進(jìn)行說明，關(guān)于同樣的事項(xiàng)，省略其說明。本實(shí)施方式的接合方法在將粘接片1與被粘接體4重合(接觸)后，對(duì)接合膜3賦予能量，將粘接片1與被粘接體4粘接，除此之外，與上述第一實(shí)施方式相同。艮P，本實(shí)施方式的接合方法具有準(zhǔn)備工序，其準(zhǔn)備本發(fā)明的粘接片1;重合工序，其準(zhǔn)備被粘接體(對(duì)向基板)4，然后按照粘接片l具備的接合膜3和被粘接體4密合的方式使兩者重合；獲得接合體5的工序，其對(duì)重合后的層疊體中的接合膜3賦予能量，從而使接合膜3活性化，由此，將粘接片1與被粘接體4接合而成接合體5。下面，對(duì)本實(shí)施方式的接合方法的各工序依次進(jìn)行說明?！?)首先，與上述第一實(shí)施方式同樣，準(zhǔn)備粘接片1(參照?qǐng)D12(a))?！?)其次，如圖12(b)所示，準(zhǔn)備被粘接體4，然后按照接合膜3的表面35和被粘接體4密合(接觸)的方式將粘接片1和被粘接體4重合而獲得層疊體。另外，在該層疊體的狀態(tài)中，由于粘接片l和被粘接體4之間未接合，因此可以調(diào)節(jié)粘接片1相對(duì)于被粘接體4的相對(duì)位置。由此，在粘接片1和被粘接體4重合后，可以容易地微調(diào)兩者的位置。其結(jié)果是能夠提高接合膜3的表面35方向上的位置精度。(3)接著，如圖12(c)所示，對(duì)層疊體中的接合膜3賦予能量。對(duì)接合膜3賦予能量后，在接合膜3上顯現(xiàn)與被粘接體4的粘接性。由此，接合粘接片1和被粘接體4而獲得接合體5(參照?qǐng)D12(d))。在此，賦予接合膜3的能量用任何方法都可以，但用例如上述第一實(shí)施方式中例舉的方法進(jìn)行賦予。另外，在本實(shí)施方式中，作為對(duì)接合膜3賦予能量的方法，尤其優(yōu)選使用對(duì)接合膜3照射能量線的方法、加熱接合膜3的方法、及將壓縮力(物理性的能量)賦予接合膜3的方法中至少一種方法。這些方法能夠比較簡(jiǎn)單且高效地對(duì)接合膜3賦予能量，因此，作為能量賦予方法是最佳的。其中，作為對(duì)接合膜3照射能量線的方法，可以使用與上述第一實(shí)施方式相同的方法。另外，在該情況下，能量線透過基板2或被粘接體4照射到接合膜3。因此，基板2或被粘接體4中照射能量線側(cè)的基板由具有透光性的基板構(gòu)成。另一方面，在通過加熱接合膜3對(duì)接合膜3賦予能量的情況下，優(yōu)選將加熱溫度設(shè)定為25℃10℃程度，更優(yōu)選設(shè)定為5℃10℃程度。只要以該范圍的溫度加熱，即可可靠地防止基板2或被粘接體4因熱而變質(zhì)、劣化，且能夠可靠地使接合膜3活性化。另外，加熱時(shí)間只要是能夠?qū)⒔雍夏?的脫離基303脫離的程度的時(shí)間即可，具體而言，只要加熱溫度在上述范圍內(nèi)，優(yōu)選130分鐘。另外，接合膜3用任何方法加熱都可以，可以用如下各種方法進(jìn)行加熱使用加熱器的方法、照射紅外線的方法、與火焰接觸的方法等。另外，在用照射紅外線的方法的情況下，基板2或被粘接體4優(yōu)選由具有光吸收性的材料構(gòu)成。由此，照射紅外線的基板2或被粘接體4進(jìn)行高效放熱。其結(jié)果是能夠高效地加熱接合膜3。另外，在用使用加熱器的方法或與火焰接觸的方法的情況下，基板2或被粘接體4中接觸加熱器或火焰?zhèn)鹊幕鍍?yōu)選由傳熱性優(yōu)異的材料構(gòu)成。由此，能夠高效地經(jīng)由基板2或被粘接體4對(duì)接合膜3傳熱，且能夠高效地加熱接合膜3。另外，在通過將壓縮力賦予接合膜3而對(duì)接合膜3賦予能量的情況下，沿粘接片1和被粘接體4彼此接近的方向，優(yōu)選以0.210MPa程度的壓力進(jìn)行壓縮，更優(yōu)選以15MPa程度的壓力進(jìn)行壓縮。由此，只進(jìn)行壓縮即可簡(jiǎn)單地對(duì)接合膜3賦予適度的能量，且在接合膜3上顯現(xiàn)與被粘接體4足夠的粘接性。另外，該壓力也可以大于上述上限值，但因基板2和被粘接體4的各構(gòu)成材料可能會(huì)對(duì)基板2及被粘接體4產(chǎn)生損傷等。另外，賦予壓縮力的時(shí)間不作特別限定，但優(yōu)選10秒30分鐘程度。另外，賦予壓縮力的時(shí)間只要根據(jù)壓縮力的大小進(jìn)行適當(dāng)變更即可。具體而言，壓縮力的大小越大，可以越縮短賦予壓縮力的時(shí)間。如上所述，可以將粘接片1與被粘接體4粘接而獲得接合體5?！吹谌龑?shí)施方式〉下面，對(duì)本發(fā)明的粘接片、接合該粘接片和被粘接體的接合方法(本發(fā)明的接合方法)及具備本發(fā)明的粘接片的接合體的各第三實(shí)施方式進(jìn)行說明。圖13是用于說明用本發(fā)明的粘接片接合粘接片和被粘接體的接合方法的第三實(shí)施方式的圖(縱剖面圖)。另外，在以下的說明中，將圖13中的上側(cè)稱為"上"，將下側(cè)稱為"下"。下面，對(duì)第三實(shí)施方式的接合方法進(jìn)行說明，但以與上述第一實(shí)施方式或上述第二實(shí)施方式的不同點(diǎn)為中心進(jìn)行說明，關(guān)于同樣的事項(xiàng)，省略其說明。本實(shí)施方式的接合方法通過選擇性地僅使接合膜3的局部的規(guī)定區(qū)域活性化，而在上述規(guī)定區(qū)域350中將粘接片1與被粘接體4進(jìn)行部分性地粘接(粘合)，除此之外，與上述第一實(shí)施方式相同。艮P，本實(shí)施方式的接合方法具有準(zhǔn)備工序，其準(zhǔn)備本發(fā)明的粘接片1;活性化工序，其對(duì)粘接片1的接合膜3并選擇性地對(duì)局部的規(guī)定區(qū)域賦予能量而選擇性地使上述規(guī)定區(qū)域350活性化；獲得接合體5b的工序，其準(zhǔn)備被粘接體(對(duì)向基板)4，然后按照粘接片1具備的接合膜3和被粘接體4密合的方式將兩者粘合，在上述規(guī)定區(qū)域350中，將粘接片l與被粘接體4部分性地接合而成接合體5b。下面，依次對(duì)本實(shí)施方式的接合方法的各工序進(jìn)行說明?！?〕首先，準(zhǔn)備粘接片l(本發(fā)明的粘接片)(參照?qǐng)D13(a))。(2〕其次，如圖13(b)所示，對(duì)粘接片1的接合膜3的表面35中局部的規(guī)定區(qū)域350選擇性地賦予能量。賦予能量后，在接合膜3中，在規(guī)定區(qū)域350中，圖2及圖6所示的脫離基303自接合膜3脫離。并且，在脫離基303脫離后，在規(guī)定區(qū)域350中，如圖3及圖7所示，在接合膜3的表面35附近產(chǎn)生活性基304，接合膜3被活性化。由此，在接合膜3的規(guī)定區(qū)域350中顯現(xiàn)與被粘接體4的粘接性，另一方面，在接合膜3的規(guī)定區(qū)域350以外的區(qū)域，該粘接性未完全顯現(xiàn)或者即使顯現(xiàn)也認(rèn)作幾乎不顯現(xiàn)。這種狀態(tài)的粘接片1在規(guī)定區(qū)域350中可與被粘接體4部分性地粘接。在此，賦予接合膜3的能量用任何方法都可以，但用例如上述第一實(shí)施方式中例舉的方法進(jìn)行賦予。另外，在本實(shí)施方式中，作為對(duì)接合膜3賦予能量的方法，尤其優(yōu)選使用對(duì)接合膜3照射能量線的方法。該方法能夠比較簡(jiǎn)單且高效地對(duì)接合膜3賦予能量，因此，作為能量賦予方法是最佳的。另外，在本實(shí)施方式中，作為能量線，尤其優(yōu)選使用激光、電子線那樣的定向性高的能量線。只要是這樣的能量線，即可向目標(biāo)方向照射，由此能夠選擇性地且簡(jiǎn)單地對(duì)規(guī)定區(qū)域照射能量線。另外，即使是定向性低的能量線，只要是覆蓋(隱藏)接合膜3的表面35中需照射能量線的規(guī)定區(qū)域350以外的區(qū)域進(jìn)行照射，也能夠選擇性地對(duì)規(guī)定區(qū)域350照射能量線。具體而言，如圖13(b)所示，只要在接合膜3的表面35的上方設(shè)置具有窗部61的掩模6，且經(jīng)由掩模6照射能量線即可，其窗部61小城與需照射能量線的規(guī)定區(qū)域350的形狀對(duì)應(yīng)的形狀。只有這樣，選擇性地對(duì)規(guī)定區(qū)域350照射能量線才能容易地進(jìn)行。〔3)接著，如圖13(c)所示，準(zhǔn)備被粘接體(對(duì)向基板)4。并且，按照選擇性地使規(guī)定區(qū)域350活性化的接合膜3和被粘接體4密合的方式將粘接片1和被粘接體4粘合。由此，獲得圖13(d)所示的接合體5b。如此得到的接合體5b不是接合基板2和被粘接體4的對(duì)向面整體，而是只部分性地接合局部區(qū)域(規(guī)定區(qū)域350)。并且，該接合時(shí)，只控制對(duì)接合膜3賦予能量的區(qū)域，由此能夠簡(jiǎn)單地選擇粘合的區(qū)域。由此，通過控制例如使粘接片1的接合膜3活性化的區(qū)域(在本實(shí)施方式中，規(guī)定區(qū)域350)的面積，能夠容易地調(diào)節(jié)接合體5b的接合強(qiáng)度。其結(jié)果是獲得例如能夠容易地分離粘合后的部位的接合體5b。另外，通過適當(dāng)控制圖13(d)所示的粘接片1和被粘接體4的接合部(規(guī)定區(qū)域350)的面積及形狀，能夠緩和產(chǎn)生于接合部的應(yīng)力的局部集中。由此，即使在例如基板2和被粘接體4之間熱膨脹率之差大的情況下，也能夠可靠地接合粘接片1和被粘接體4。另外，在接合體5b中，粘接片1和被粘接體4的間隙中，在進(jìn)行接合后的規(guī)定區(qū)域350以外的區(qū)域產(chǎn)生微小的間隙(殘留有)。因此，通過適當(dāng)調(diào)節(jié)該規(guī)定區(qū)域350的形狀，能夠容易地在粘接片1和被粘接體4之間形成例如閉空間及通路等。另外，如上所述，通過控制粘接片1和被粘接體4的接合部(規(guī)定區(qū)綿350)的面積，可調(diào)節(jié)接合體5b的接合強(qiáng)度，同時(shí)可調(diào)節(jié)分離接合體5t時(shí)的強(qiáng)度(可裂強(qiáng)度)。從這樣的觀點(diǎn)出發(fā)，在制作可容易分離的接合體5b時(shí)，接合體5b的接合強(qiáng)度優(yōu)選人工可容易分離的程度的大小。由此，在分離接合體5b時(shí)，可以不用裝置等簡(jiǎn)單地進(jìn)行。如上所述，可以獲得接合體5b。另外，得到接合體5b后，也可以根據(jù)需要對(duì)該接合體5b進(jìn)行上述第一實(shí)施方式的工序(4A)、(4B〕及〔4C)中至少一道工序。此時(shí)，在接合體5b的接合膜3和被粘接體4的界面中規(guī)定區(qū)域350以外的區(qū)域(非接合區(qū)域)產(chǎn)生微小間隙(殘留有)。因此，在對(duì)接合體5b加壓且加熱時(shí)，優(yōu)選在規(guī)定區(qū)域350以外的區(qū)域且在未接合接合膜3和被粘接體4的條件下進(jìn)行。另外，在考慮上述事項(xiàng)進(jìn)行上述第一實(shí)施方式的工序〔4A〕、(4B)及〔4C)中至少一道工序的時(shí)，優(yōu)選對(duì)規(guī)定區(qū)域350選擇性地進(jìn)行這些工序。由此，能夠防止在規(guī)定區(qū)域350以外的區(qū)域接合接合膜3和被粘接體4?！吹谒膶?shí)施方式〉下面，對(duì)本發(fā)明的粘接片、接合該粘接片和被粘接體的接合方法(本發(fā)明的接合方法)、及具備本發(fā)明的粘接片的接合體的各第四實(shí)施方式進(jìn)行說明。圖14是用于說明用本發(fā)明的粘接片接合粘接片和被粘接體的接合方法的第四實(shí)施方式的圖(縱剖面圖)。另外，在以下的說明中，將圖14中的上側(cè)稱為"上"，將下側(cè)稱為"下"。下面，對(duì)第四實(shí)施方式的接合方法進(jìn)行說明，但以與上述第一實(shí)施方式上述第三實(shí)施方式的不同點(diǎn)為中心進(jìn)行說明，關(guān)于同樣的事項(xiàng)，省略其說明。本實(shí)施方式的接合方法通過選擇性地僅在基板2的上面25中局部的規(guī)定區(qū)域350中形成接合膜3a，而在上述規(guī)定區(qū)域350中將粘接片1與被粘接體4進(jìn)行部分性地接合，除此之外，與上述第一實(shí)施方式相同。艮P，本實(shí)施方式的接合方法具有準(zhǔn)備工序，準(zhǔn)備基板2和只形成于基板2上的局部的規(guī)定區(qū)域350的具有接合膜3a的粘接片1;活性化工序，其對(duì)粘接片1的接合膜3a賦予能量使接合膜3a活性化；獲得接合體5c的工序，其準(zhǔn)備被粘接體(對(duì)向基板)4，然后按照粘接片1具備的接合膜3a和被粘接體4密合的方式將兩者粘合，經(jīng)由接合膜3a將粘接片1與被粘接體4接合而成。下面，依次對(duì)本實(shí)施方式的接合方法的各工序進(jìn)行說明。(1)首先，如圖14(a)所示，在基板2的上面25的上方設(shè)置形成與規(guī)定區(qū)域350的形狀對(duì)應(yīng)的形狀的具有窗部61的掩模6。其次，經(jīng)由掩模6在基板2的上面25成膜接合膜3a。例如，如圖14(a)所示，經(jīng)由掩模6成膜接合膜3a，由此選擇性地在規(guī)定區(qū)域350形成接合膜3a?！?)接著，如圖14(b)所示，對(duì)接合膜3a賦予能量。由此，在粘接片1中，在接合膜3a上顯現(xiàn)與被粘接體4的粘接性。另外，在本工序中，在賦予能量時(shí)，也可以選擇性地對(duì)接合膜3a賦予能量，也可以對(duì)含有接合膜3a的基板2的上面25整體賦予能量另外，賦予接合膜3a的能量用任何方法都可以，但用例如上述第一實(shí)施方式中例舉的方法進(jìn)行賦予?！?)接著，如圖14(c)所示，準(zhǔn)備被粘接體(對(duì)向基板)4。并且，按照接合膜3a和被粘接體4密合的方式將粘接片1和被粘接體4粘合。由此，獲得圖14(d)所示的接合體5c。如此得到的接合體5c不是將基板2和被粘接體4的對(duì)向面整體接合，而是只部分性地接合局部區(qū)域(規(guī)定區(qū)域350)。并且，形成接合膜3a時(shí)只控制形成區(qū)域，由此能夠簡(jiǎn)單地選擇接合的區(qū)域。由此，通過控制例如形成接合膜3a區(qū)域(規(guī)定區(qū)域350)的面積，能夠容易地調(diào)節(jié)接合體5c的接合強(qiáng)度。其結(jié)果是獲得例如能夠容易地分離粘合后的部位的接合體5c。另外，通過適當(dāng)控制圖14(d)所示的粘接片1和被粘接體4的接合部(規(guī)定區(qū)域350)的面積及形狀，能夠緩和產(chǎn)生于接合部的應(yīng)力的局部集中。由此，即使在例如基板2和被粘接體4之間熱膨脹率之差大的情況下，也能夠可靠地接合粘接片1和被粘接體4。另外，在接合體5c的基板2和被粘接體4之間，在規(guī)定區(qū)域350以外的區(qū)域形成有相當(dāng)于接合膜3a的厚度的間距3c(參照?qǐng)D14(d))。因此，通過適當(dāng)調(diào)節(jié)規(guī)定區(qū)域350的形狀及接合膜3a的厚度，能夠在粘接片1和被粘接體4之間容易地形成要求形狀的閉空間及通路等。如上所述，可以獲得接合體5c。另外，得到接合體5c后，也可以根據(jù)需要對(duì)該接合體5c進(jìn)行上述第一實(shí)施方式的工序〔4A)、〔4B)及(4C)中至少一道工序。使用上述各實(shí)施方式的粘接片1的接合方法能夠適用于將粘接片1與各種被粘接體4接合的情況。作為由這種粘接片1與被粘接體4的接合獲得的構(gòu)件(接合體)，例舉有例如晶體管、二極管、存儲(chǔ)器那樣的半導(dǎo)體元件、晶體振子、表面聲波元件那樣的壓電元件、反射鏡、光學(xué)透鏡、衍射(光)柵、光學(xué)濾光器那樣的光學(xué)元件、太陽(yáng)能電池那樣的光電變換元件、半導(dǎo)體基板和搭載于半導(dǎo)體基板的半導(dǎo)體元件、絕緣性基板和布線或電極、噴墨式記錄頭、微型電抗器、微型鏡那樣的MEMS(MicroElectroMechanicalSystems)部件、壓力傳感器、加速度傳感器那樣的傳感器部件、半導(dǎo)體元件及電子部件的封裝部件、磁記錄介質(zhì)、光磁記錄介質(zhì)、光記錄介質(zhì)那樣的記錄介質(zhì)、液晶顯示元件、有機(jī)EL元件、電泳顯示元件那樣的顯示元件用部件、燃料電池用部件等。人表面聲波元件〉在此，對(duì)將本發(fā)明的接合體應(yīng)用于表面聲波元件(SAW設(shè)備)情況的實(shí)施方式進(jìn)行說明。圖15是表示使用本發(fā)明的接合體得到的表面聲波元件的平面圖；圖16是圖15所示的表面聲波元件的縱剖面圖。另外，在下面的說明中，將圖16中的上側(cè)稱為"上"，將下側(cè)稱為"下"。圖15及圖16所示的表面聲波元件610為橫向型結(jié)構(gòu)的表面聲波元件，具有至少表面附近具有壓電性的基板620、設(shè)置在基板620上的輸入用的IDT630及輸出用的IDT640、設(shè)置在各IDT630、640的上面的絕緣保護(hù)膜650?；?20的構(gòu)成為在基部621上依次層疊有底層622及壓電體層623。作為基部621的構(gòu)成材料，例舉有例如Si、GaSi、SiGa、GaAs、STC、InP那樣的各種半導(dǎo)體材料、各種玻璃材料、各種陶瓷材料、聚酰亞胺、聚碳酸脂那樣的各種樹脂材料等?；?21的平均厚度不作特別限定，但優(yōu)選0.05lmm程度，更優(yōu)選0.10.8mm程度。另外，基部621不僅由單層構(gòu)成，也可以由多個(gè)層的層疊體構(gòu)成，此時(shí)，各層可以將上述的材料任意組合使用。底層622具有設(shè)定(規(guī)定)在壓電體層623中被勵(lì)振的表面聲波的特性(條件)的功能。作為該特性，例舉有例如振動(dòng)頻率、振幅、傳播速度等。通過設(shè)置底層622且適當(dāng)設(shè)定其構(gòu)成材料，可以將表面聲波的特性設(shè)定為要求的特性。作為該底層622的構(gòu)成材料，優(yōu)選以例如金剛石、硅、藍(lán)寶石、晶體、鉭酸鋰、鈮酸鉀、鈮酸鋰中至少一種為主的材料，尤其以金剛石、藍(lán)寶石、鉭酸鋰、鈮酸鉀中至少一種為主的材料是最佳的。由此，能夠有助于以對(duì)無線LAN及光纜通信等高速通信領(lǐng)域的應(yīng)用為目的要求的表面聲波的高頻化。底層622的平均厚度不作特別限定，但優(yōu)選l~20pm程度，更優(yōu)選31(Him程度，再優(yōu)選35^m程度。另外，底層622不僅可以由單層構(gòu)成，而且也可以根據(jù)作為目的的表面聲波的特性，由多個(gè)層的層疊體構(gòu)成。還有，底層622也可以根據(jù)需要設(shè)置，也可以省略。壓電體層623作為表面聲波的傳播介質(zhì)發(fā)揮功能。作為壓電體層623的構(gòu)成材料，優(yōu)選以氧化鋅、氮化鋁、鉭酸鋰、鈮酸鋰、鈮酸鉀中至少一種為主的材料。由這種材料構(gòu)成壓電體層623，由此可以獲得高頻且溫度特性優(yōu)異的表面聲波元件610。另外，壓電體層623的平均厚度不作特別限定，但優(yōu)選例如0.015pm程度，更優(yōu)選0.12pm程度。再有，對(duì)于基板620而言，可以使用單層構(gòu)成的基板以代替多層構(gòu)成的基板。IDT(輸入側(cè)電極)630將電壓附加于壓電體層623，并具有使表面聲波在壓電體層623勵(lì)振的功能，另一方面，IDT(輸出側(cè)電極)640具有檢測(cè)傳播壓電體層623的表面聲波且將表面聲波變換為電信號(hào)并輸出到外部的功能。因此，向IDT630輸入驅(qū)動(dòng)電壓后，在壓電體層623中勵(lì)振表面聲波，濾波功能產(chǎn)生的特定頻帶的電信號(hào)自IDT640輸出。各IDT630、640分別由具有電極指631、641的成梳齒形狀的一對(duì)梳齒電極構(gòu)成，通過調(diào)節(jié)梳齒電極的電極指631、641的寬度、間距、厚度等，可以將表面聲波的振動(dòng)頻率特性設(shè)定為要求的特性。作為各IDT(基材)630、640的構(gòu)成材料，分別例舉有例如Al、Cu、W、Mo、Ti、Au、Y、Pb、Sc或含有它們的合金等，且可以將它們中的一種或兩種以上組合使用。絕緣保護(hù)膜650防止異物附著在IDT630、640，且防止通過異物的電極指631、641間的短路。該絕緣保護(hù)膜650以彼此大致相同的形狀且大致相等的面積的方式，形成在IDT(梳齒電極)630、640的上面。在該表面聲波元件610中，絕緣保護(hù)膜650及IDT630、640分別由功能性基板2及接合膜3構(gòu)成。如此構(gòu)成的表面聲波元件610可以通過如下方式進(jìn)行制造將分別對(duì)應(yīng)絕緣保護(hù)膜650及IDT630、640的形狀的功能性基板2及具備接合膜3的粘接片1與基板(被粘接體)620粘接。通過這樣的構(gòu)成，在表面聲波傳播的路線上，從絕緣保護(hù)膜650到基板620沒有材質(zhì)變化，在該路線上的材質(zhì)變化實(shí)際上只是從電極指631、641到基板620的變化。因此，可以抑制材質(zhì)變化引起的表面聲波的反射及該反射造成的能量損失，且獲得高的輸出效率?！床季€基板〉另外，對(duì)將本發(fā)明的接合體應(yīng)用于布線基板時(shí)的實(shí)施方式進(jìn)行說明。圖17是表示使用本發(fā)明的接合體得到的布線基板的立體圖。圖17所示的布線基板410具有絕緣基板413、配設(shè)在絕緣基板413上的電極412、引線414、以與電極412對(duì)向的方式設(shè)置在引線414的一端的電極415、電性接合電極412和電極415的導(dǎo)電層416。在該布線基板410中，電極415及導(dǎo)電層416分別由功能性基板2及接合膜3構(gòu)成。在如此構(gòu)成的布線基板410中，可以通過如下方式進(jìn)行制造將分別對(duì)應(yīng)電極415及導(dǎo)電層416的形狀的功能性基板2及具備接合膜3的粘接片1與電極412粘接。在如此制造的布線基板410中，電極412、415之間由導(dǎo)電層416進(jìn)行牢固地接合，可以可靠地防止各電極412、415之間的層間剝離等，并且可以獲得可靠性高的布線基板410。另外，導(dǎo)電層416將電極415及導(dǎo)電層416接合，并且還承擔(dān)將各電極412、415之間導(dǎo)通的功能。導(dǎo)電層416即使非常薄也發(fā)揮足夠的接合力。因此，可以將各電極412、415之間的間隙進(jìn)一步減小，能夠?qū)崿F(xiàn)各電極412、415之間的電阻成分(接觸阻力)的降低。其結(jié)果是能夠進(jìn)一步提高各電極412、415之間的導(dǎo)電性。另外，如上所述，導(dǎo)電層416能夠以高的精度容易地控制其厚度。由此，布線基板410其尺寸精度更高，且還能夠容易地控制各電極412、415之間的導(dǎo)電性。以上，基于圖示的實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明的粘接片、接合方法及接合體進(jìn)行了說明，但是，本發(fā)明不局限于這些。例如，本發(fā)明的接合方法也可以將上述各實(shí)施方式中任意一種或兩種以上進(jìn)行組合。另外，在本發(fā)明的接合方法中，也可以根據(jù)需要追加一道以上的任意目的的工序。(實(shí)施例)下面，對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例進(jìn)行說明。再有，在下面中，以評(píng)價(jià)粘接片具備的接合膜相對(duì)于被粘接體的接合強(qiáng)度等特性為目的，以經(jīng)由接合膜接合各種基板和各種對(duì)向基板的情況為例進(jìn)行評(píng)價(jià)。(實(shí)施例1A)首先，準(zhǔn)備長(zhǎng)20mmX寬20mmX平均厚度lmm的單晶硅基板作為基板，準(zhǔn)備長(zhǎng)20mmX寬20mmX平均厚度lmm的玻璃基板作為對(duì)向基板。接著，將單晶硅基板收納在圖4所示的成膜裝置200的室211內(nèi)，進(jìn)行氧等離子體的表面處理。其次，在進(jìn)行表面處理后的面上，用離子束濺射法成膜氫原子導(dǎo)入ITO中的接合膜(平均厚度100nm)。再有，成膜條件如下所示。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage54</formula>〈離子束濺射法的成膜條件〉*靶室的達(dá)到真空度，成膜時(shí)室內(nèi)的壓力氫氣的流量室內(nèi)的溫度離子束的加速電壓對(duì)離子發(fā)生室側(cè)格網(wǎng)的附加電壓對(duì)室側(cè)格網(wǎng)的附加電壓離子束電流供給離子發(fā)生室的氣體種類處理時(shí)間如此成膜的接合膜由氫原子導(dǎo)入靶構(gòu)成，且含有金屬原子(銦及錫)、與該金屬原子結(jié)合的氧原子、與上述金屬原子及上述氧原子中至少一方結(jié)合的脫離基(氫原子)。由此得到在單晶硅基板上形成有接合膜的本發(fā)明的粘接片。接著，在如下所示的條件下，對(duì)得到的接合膜照射紫外線?！醋贤饩€照射條件〉氮?dú)?0。C大氣壓(100kPa)172nm5分鐘另一方面，對(duì)玻璃基板(對(duì)向基板)的一面進(jìn)行氧等離子的表面處理。接著，在照射紫外線l分鐘后，以接合膜的照射紫外線的面和玻璃基板的實(shí)施表面處理的面接觸的方式，將單晶硅基板和玻璃基板重合，由此得到接合體。接著，對(duì)得到的接合體以3MPa進(jìn)行加壓，且以80'C進(jìn)行加熱，然后保持15分鐘。由此實(shí)現(xiàn)接合體的接合強(qiáng)度的提高。(實(shí)施例2A)氣氛氣體的成分氣氛氣體的溫度氣氛氣體的壓力紫外線的波長(zhǎng)-紫外線的照射時(shí)間:將加壓且加熱接合體時(shí)的加熱溫度從80'C變更到25'C以得到接合體，除此之外，與上述實(shí)施例1A同樣。(實(shí)施例3A13A)將基板的構(gòu)成材料及對(duì)向基板的構(gòu)成材料分別變更為表1所示的材料以得到接合體，除此之外，與上述實(shí)施例1A同樣。(實(shí)施例14A)首先，與上述實(shí)施例1A同樣，準(zhǔn)備單晶硅基板和玻璃基板(基板及對(duì)向基板)，且分別進(jìn)行氧等離子體的表面處理。其次，與上述實(shí)施例1A同樣，在硅基板的進(jìn)行表面處理的面上成膜接合膜。由此得到粘接片。接著，以粘接片的接合膜和玻璃基板的進(jìn)行表面處理的面接觸的方式，將粘接片和玻璃基板重合。并且，在如下所示的條件下，對(duì)重合后的各基板照射紫外線?！醋贤饩€照射條件〉氣氛氣體的成分氮?dú)鈿夥諝怏w的溫度2(TC氣氛氣體的壓力大氣壓(100kPa)紫外線的波長(zhǎng)172nm，紫外線的照射時(shí)間5分鐘由此，接合各基板以獲得接合體。接著，對(duì)得到的接合體以3MPa進(jìn)行加壓，且以8(TC進(jìn)行加熱，然后保持15分鐘。由此實(shí)現(xiàn)接合體的接合強(qiáng)度的提高。(實(shí)施例15A)首先，準(zhǔn)備長(zhǎng)20mmX寬20mmX平均厚度lmm的單晶硅基板作為基板，準(zhǔn)備長(zhǎng)20mmX寬20mmX平均厚度lmm的不銹鋼基板作為對(duì)向基板。接著，將單晶硅基板收納在圖4所示的成膜裝置200的室211內(nèi)，進(jìn)行氧等離子體的表面處理。其次，在進(jìn)行表面處理后的面上，成膜氫原子導(dǎo)入ITO中的接合膜(平均厚度100nm)。再有，成膜條件如下所示?！措x子束濺射法的成膜條件〉靶ATO室的達(dá)到真空度2X10_6Torr成膜時(shí)室內(nèi)的壓力-1X10—3Torr氫氣的流量60sccm室內(nèi)的溫度20°C離子束的加速電壓600V對(duì)離子發(fā)生室側(cè)格網(wǎng)的附加電壓+400V對(duì)室側(cè)格網(wǎng)的附加電壓一200V離子束電流200mA供給離子發(fā)生室的氣體種類-Kr氣體處理時(shí)間20分鐘接著，在如下所示的條件下，對(duì)得到的接合膜照射紫外線。再有，照射紫外線的區(qū)域在形成于硅基板的接合膜的表面中為周緣部的寬度3mm的框狀區(qū)域?！醋贤饩€照射條件〉氣氛氣體的成分氮?dú)鈿夥諝怏w的溫度20°C*氣氛氣體的壓力大氣壓(100kPa)紫外線的波長(zhǎng)172nm，紫外線的照射時(shí)間5分鐘接著，和硅基板同樣，也對(duì)不銹鋼基板進(jìn)行氧等離子的表面處理。接著，將硅基板和不銹鋼基板按照接合膜的照射紫外線的面和不銹鋼基板的進(jìn)行表面處理的面接觸的方式重合，由此得到接合體。接著，對(duì)得到的接合體以3MPa進(jìn)行加壓，且以8(TC進(jìn)行加熱，然后保持15分鐘。由此，實(shí)現(xiàn)接合體的接合強(qiáng)度的提高。(實(shí)施例16A)將加熱的溫度從80'C變更到25'C以得到接合體，除此之外，與上述實(shí)施例15A同樣。(實(shí)施例17A19A)將基板的構(gòu)成材料及對(duì)向基板的構(gòu)成材料分別變更為表2所示的材料以得到接合體，除此之外，與上述實(shí)施例15A同樣。(實(shí)施例1B)首先，準(zhǔn)備長(zhǎng)20mmX寬20mmX平均厚度lmm的單晶硅基板作為基板，準(zhǔn)備長(zhǎng)20mmX寬20mmX平均厚度lmm的玻璃基板作為對(duì)向基板。接著，將單晶硅基板收納在圖4所示的成膜裝置200的室211內(nèi)，進(jìn)行氧等離子體的表面處理。其次，在進(jìn)行表面處理后的面上，用離子束濺射法成膜平均厚度1OOnm的ITO膜作為金屬氧化物膜。再有，成膜條件如下所示。〈離子束濺射法的成膜條件〉.靶ITO室的達(dá)到真空度2X10_6Torr，成膜時(shí)室內(nèi)的壓力1X10—3Torr室內(nèi)的溫度20。C離子束的加速電壓600V對(duì)離子發(fā)生室側(cè)格網(wǎng)的附加電壓+400V對(duì)室側(cè)格網(wǎng)的附加電壓一200V離子束電流200mA供給離子發(fā)生室的氣體種類-Kr氣體處理時(shí)間20分鐘接著，在如下所示的條件下，對(duì)得到的金屬氧化物膜實(shí)施熱處理，并將氫原子導(dǎo)入金屬氧化物膜(ITO膜)的表面附近，由此形成接合膜。再有，熱處理的條件如下所示。〈熱處理的條件〉熱處理時(shí)室內(nèi)的壓力1X10—3Torr氫氣的流量60sccm.室內(nèi)的溫度20'C*處理時(shí)間60分鐘如上那樣成膜的接合膜由氫原子導(dǎo)入ITO膜的表面附近進(jìn)行構(gòu)成，且含有金屬原子(銦及錫)、與該金屬原子結(jié)合的氧原子、與上述金屬原子及上述氧原子中至少一方結(jié)合的脫離基(氫原子)。由此得到在單晶硅基板上形成有接合膜的本發(fā)明的粘接片。接著，在如下所示的條件下，對(duì)得到的接合膜照射紫外線。〈紫外線照射條件〉，紫外線的照射時(shí)間5分鐘另一方面，對(duì)玻璃基板(對(duì)向基板)的單面進(jìn)行氧等離子的表面處理。接著，在照射紫外線l分鐘后，將單晶硅基板和玻璃基板按照接合膜的照射紫外線的面和玻璃基板的實(shí)施表面處理的面接觸的方式重合。由此得到接合體。接著，對(duì)得到的接合體以3MPa進(jìn)行加壓，且以80'C進(jìn)行加熱，然后保持15分鐘。由此實(shí)現(xiàn)接合體的接合強(qiáng)度的提高。(實(shí)施例2B)將加壓且加熱接合體時(shí)的加熱溫度從80'C變更到25°C以得到接合體，除此之外，與上述實(shí)施例1B同樣。(實(shí)施例3B13B)將基板的構(gòu)成材料及對(duì)向基板的構(gòu)成材料分別變更為表3所示的材料以得到接合體，除此之外，與上述實(shí)施例1B同樣。(實(shí)施例14B)首先，與上述實(shí)施例1B同樣，準(zhǔn)備單晶硅基板和玻璃基板(基板及對(duì)向基板)，且分別進(jìn)行氧等離子的表面處理。其次，與上述實(shí)施例1B同樣，在硅基板的進(jìn)行表面處理的面上成膜接合膜。由此得到粘接片。接著，將粘接片和玻璃基板按照粘接片的接合膜和玻璃基板的進(jìn)行表面處理的面接觸的方式重合。并且，在如下所示的條件下，對(duì)重合后的各基板照射紫外線?！醋贤饩€照射條件〉*氣氛氣體的成分大氣(空氣)氣氛氣體的成分氣氛氣體的溫度氣氛氣體的壓力紫外線的波長(zhǎng)大氣壓(100kPa)氣氛氣體的溫度20°C氣氛氣體的壓力大氣壓(100kPa)紫外線的波長(zhǎng)172nm，紫外線的照射時(shí)間5分鐘由此，接合各基板以得到接合體。接著，對(duì)得到的接合體以3MPa進(jìn)行加壓，且以8(TC進(jìn)行加熱，然后保持15分鐘。由此，實(shí)現(xiàn)接合體的接合強(qiáng)度的提高。(實(shí)施例15B)首先，準(zhǔn)備長(zhǎng)20mmX寬20mmX平均厚度lmm的單晶硅基板作為基板，準(zhǔn)備長(zhǎng)20mmX寬20mmX平均厚度lmm的不銹鋼基板作為對(duì)向基板。接著，將單晶硅基板收納在圖4所示的成膜裝置200的室211內(nèi)，進(jìn)行氧等離子體的表面處理。其次，在進(jìn)行表面處理后的面上，成膜平均厚度100nm的ATO膜作為金屬氧化物膜。再有，成膜條件如下所示?！措x子束濺射法的成膜條件〉靶ATO室的達(dá)到真空度2X10—6Torr成膜時(shí)室內(nèi)的壓力1X10_3Torr室內(nèi)的溫度20°C離子束的加速電壓600V對(duì)離子發(fā)生室側(cè)格網(wǎng)的附加電壓+400V對(duì)室側(cè)格網(wǎng)的附加電壓一200V離子束電流200mA供給離子發(fā)生室的氣體種類Kr氣體處理時(shí)間20分鐘接著，在如下所示的條件下，對(duì)在基板上得到的金屬氧化物膜實(shí)施熱處理，并將氫原子導(dǎo)入金屬氧化物膜(ATO膜)的表面附近，由此形成接合膜。再有，熱處理的條件如下所示?！礋崽幚淼臈l件〉熱處理時(shí)室內(nèi)的壓力lX10_3Torr氫氣的流量60sccm*室內(nèi)的溫度150°C.處理時(shí)間60分鐘接著，在如下所示的條件下，對(duì)在基板上得到的接合膜照射紫外線。再有，照射紫外線的區(qū)域?yàn)樵诠杌迳闲纬傻慕雍夏さ谋砻嬷兄芫壊康膶挾?mm的框狀區(qū)域?！醋贤饩€照射條件〉氣氛氣體的成分氣氛氣體的溫度氣氛氣體的壓力大氣(空氣)20。C大氣壓(100kPa)紫外線的波長(zhǎng)172nm，紫外線的照射時(shí)間5分鐘接著，和硅基板同樣，也對(duì)不銹鋼基板進(jìn)行氧等離子體的表面處理。接著，將硅基板和不銹鋼基板按照接合膜的照射紫外線的面和不銹鋼基板的進(jìn)行表面處理的面接觸的方式重合，由此得到接合體。接著，對(duì)得到的接合體以3MPa進(jìn)行加壓，且以80'C進(jìn)行加熱，然后保持15分鐘。由此，實(shí)現(xiàn)接合體的接合強(qiáng)度的提高。(實(shí)施例16B)將加熱的溫度從8(TC變更到25。C以得到接合體，除此之外，與上述實(shí)施例15B同樣。(實(shí)施例17B、18B、19B)將基板的構(gòu)成材料及對(duì)向基板的構(gòu)成材料分別變更為表4所示的材料以得到接合體，除此之外，與上述實(shí)施例15B同樣。(實(shí)施例1C)首先，準(zhǔn)備長(zhǎng)20mmX寬20mmX平均厚度lmm的單晶硅基板作為基板，準(zhǔn)備長(zhǎng)20mmX寬20mmX平均厚度lmm的玻璃基板作為對(duì)向基板。接著，將單晶硅基板收納在圖8所示的成膜裝置500的室511內(nèi)，進(jìn)行氧等離子體的表面處理。其次，在進(jìn)行表面處理后的面上，以2、4-戊二酮一銅(II)為原材料，用MOCVD法成膜平均厚度100nm的接合膜。再有，成膜條件如下所示?！闯赡l件〉室內(nèi)的氣氛氣有機(jī)金屬材料(原材料)霧化的有機(jī)金屬材料的流:載體氣體載體氣體的流量氫氣的流量室的達(dá)到真空度成膜時(shí)室內(nèi)的壓力基板支架的溫度-處理時(shí)間氮?dú)?氫氣2、4一戊二酮一銅(II)lsccm氮?dú)?00sccm0.2sccm2X10—6TorrlX10_3Torr275°C10分鐘以上那樣成膜的接合膜殘留有有機(jī)物的一部分，其有機(jī)物含有銅原子作為金屬原子，含有2、4一戊二酮一銅(II)作為脫離基。由此，獲得單晶硅基板上形成有接合膜的本發(fā)明的粘接片。接著，在如下所示的條件下，對(duì)得到的接合膜照射紫外線。〈紫外線照射條件〉氮?dú)?0。C大氣壓U00kPa)172nm5分鐘另一方面，對(duì)玻璃基板(對(duì)向基板)的單面進(jìn)行氧等離子的表面處理。接著，在照射紫外線1分鐘后，將單晶硅基板和玻璃基板按照接合膜的照射紫外線的面和玻璃基板的實(shí)施表面處理的面接觸的方式重合。由此得到接合體。接著，對(duì)得到的接合體以10MPa進(jìn)行加壓，且以12(TC進(jìn)行加熱，然后保持15分鐘。由此，實(shí)現(xiàn)接合體的接合強(qiáng)度的提高。(實(shí)施例2C)將加壓且加熱接合體時(shí)的加熱溫度從120'C變更到25X:以得到接合體，除此之外，與上述實(shí)施例1C同樣。氣氛氣體的成分氣氛氣體的溫度氣氛氣體的壓力紫外線的波長(zhǎng)紫外線的照射時(shí)間:(實(shí)施例3C13C)將基板的構(gòu)成材料及對(duì)向基板的構(gòu)成材料分別變更為表5所示的材料以得到接合體，除此之外，與上述實(shí)施例1C同樣。(實(shí)施例14C)首先，與上述實(shí)施例1C同樣，準(zhǔn)備單晶硅基板和玻璃基板(基板及對(duì)向基板)，且分別進(jìn)行氧等離子的表面處理。其次，與上述實(shí)施例1C同樣，在硅基板的進(jìn)行表面處理的面上成膜接合膜。由此得到粘接片。接著，將粘接片和玻璃基板按照粘接片的接合膜和玻璃基板的進(jìn)行表面處理的面接觸的方式重合。并且，在如下所示的條件下，對(duì)重合后的各基板照射紫外線?！醋贤饩€照射條件〉氣氛氣體的成分氮?dú)鈿夥諝怏w的溫度20°C*氣氛氣體的壓力大氣壓(100kPa)紫外線的波長(zhǎng)172nm，紫外線的照射時(shí)間5分鐘由此，接合各基板以獲得接合體。接著，對(duì)得到的接合體以10MPa進(jìn)行加壓，且以80'C進(jìn)行加熱，然后保持15分鐘。由此，實(shí)現(xiàn)接合體的接合強(qiáng)度的提高。(實(shí)施例15C)首先，準(zhǔn)備長(zhǎng)20mmX寬20mmX平均厚度lmm的單晶硅基板作為基板，準(zhǔn)備長(zhǎng)20mmX寬20mmX平均厚度lmm的不銹鋼基板作為對(duì)向基板。接著，將硅基板收納在圖8所示的成膜裝置500的室511內(nèi)，進(jìn)行氧等離子體的表面處理。其次，在進(jìn)行表面處理后的面上，以2、4一戊二酮一銅(II)為原材料，用MOCVD法成膜平均厚度100nm的接合膜作為金屬氧化物膜。再有，成膜條件如下所示?！闯赡l件〉，室內(nèi)的氣氛氣氮?dú)?氫氣有機(jī)金屬材料(原材料)霧化的有機(jī)金屬材料的流量:載體氣體-載體氣體的流量氫氣的流量室的達(dá)到真空度成膜時(shí)室內(nèi)的壓力基板支架的溫度處理時(shí)間2、4—戊二酮一銅(II)lsccm500sccm0.2sccm2X10—6TorrlX10_3Torr275°C10分鐘接著，在如下所示的條件下，對(duì)在基板上得到的接合膜照射紫外線。再有，照射紫外線的區(qū)域?yàn)樵诠杌迳闲纬傻慕雍夏さ谋砻嬷兄芫壊康膶挾?mm的框狀區(qū)域?！醋贤饩€照射條件〉氣氛氣體的成分-氣氛氣體的溫度-'氣氛氣體的壓力紫外線的波長(zhǎng)，紫外線的照射時(shí)間:氮?dú)?0°C大氣壓(100kPa)172nrn5分鐘接著，和硅基板同樣，也對(duì)不銹鋼基板進(jìn)行氧等離子的表面處理。接著，將硅基板和不銹鋼基板按照接合膜的照射紫外線的面和不銹鋼基板的進(jìn)行表面處理的面接觸的方式重合，由此獲得接合體。接著，對(duì)得到的接合體以lOMPa進(jìn)行加壓，且以12(TC進(jìn)行加熱，然后保持15分鐘。由此，實(shí)現(xiàn)接合體的接合強(qiáng)度的提高。(實(shí)施例16C)將加熱的溫度從12(TC變更到80'C以得到接合體，除此之外，與上述實(shí)施例15C同樣。(實(shí)施例17C、18C、19C)將基板的構(gòu)成材料及對(duì)向基板的構(gòu)成材料分別變更為表6所示的材料以得到接合體，除此之外，與上述實(shí)施例15C同樣。(比較例1~3)分別以表5所示的材料為基板的構(gòu)成材料及對(duì)向基板的構(gòu)成材料，用能量系粘接劑將各基材間粘接以獲得接合體，除此之外，與上述實(shí)施例1C同樣。(比較例4~6)以表5所示的材料為基板的構(gòu)成材料及對(duì)向基板的構(gòu)成材料，用Ag糊將各基材間粘接以得到接合體，除此之外，與上述實(shí)施例1C同樣。(比較例7~9)以表6所示的材料為基板的構(gòu)成材料及對(duì)向基板的構(gòu)成材料，在周緣部的寬度為3mm的框狀區(qū)域中，用能量系粘接劑將各基材間進(jìn)行部分性地粘接以得到接合體，除此之外，與上述實(shí)施例1C同樣。2、接合體的評(píng)價(jià)2.1接合強(qiáng)度(可裂強(qiáng)度)的評(píng)價(jià)對(duì)由各實(shí)施例1A14A、各實(shí)施例1B14B、各實(shí)施例1C14C、及各比較例16得到的接合體，分別測(cè)定接合強(qiáng)度。接合強(qiáng)度的測(cè)定通過如下方式進(jìn)行將各功能性基板剝離時(shí)，測(cè)定剝下之前的強(qiáng)度。并且，按照以下的標(biāo)準(zhǔn)評(píng)價(jià)接合強(qiáng)度?！唇雍蠌?qiáng)度的評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)〉◎:10MPa(100kgf/cm2)以上〇5MPa(100kgf/cm2)~10MPa(100kgf/cm2)△:IMPa(100kgf/cm2)~5MPa(100kgf/cm2)X:IMPa(100kgf/cm2)以下2.2尺寸精度的評(píng)價(jià)對(duì)由各實(shí)施例及各比較例得到的接合體，分別測(cè)定厚度方向的尺寸精度。尺寸精度的測(cè)定通過如下方式進(jìn)行測(cè)定正方形接合體的各角部的厚度，算出四個(gè)部位的厚度的最大f和最小值之差。并且，按照以下的標(biāo)準(zhǔn)對(duì)該差進(jìn)行評(píng)價(jià)?！闯叽缇鹊脑u(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)〉〇10pm以下X:lOpm以上2.3耐藥品性的評(píng)價(jià)在以下的條件下，將由各實(shí)施例及各比較例得到的接合體在保持80°C的噴墨打印機(jī)用墨水(二-乂>社制，"HQ4")中浸漬三周。其后，將各功能性基板剝離，斷定墨水是否浸入接合界面。并且，按照以下的標(biāo)準(zhǔn)對(duì)其結(jié)果進(jìn)行評(píng)價(jià)。〈耐藥品性的評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)〉未全浸入〇僅角部浸入沿邊緣部浸入X:浸入內(nèi)側(cè)2.4電阻率的評(píng)價(jià)對(duì)由各實(shí)施例12A、13A、12B、13B、12C、13C、及各比較例5、6得到的層疊體，分別測(cè)定接合部分的電阻率。并且，按照以下的標(biāo)準(zhǔn)對(duì)測(cè)定的電阻率進(jìn)行評(píng)價(jià)?！措娮杪实脑u(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)〉〇1x10—3Q'cm以下X:1x10—3Q'cm以上2.5形狀變化的評(píng)價(jià)對(duì)由各實(shí)施例15A19A、各實(shí)施例15B19B、各實(shí)施例15C-19C及各比較例79得到的接合體，測(cè)定每個(gè)接合體接合前后的形狀變化。具體而言，在粘合前后，測(cè)定接合體的撓曲量，且按照以下的標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行評(píng)價(jià)?！磽锨康脑u(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)〉在粘合前后，撓曲量幾乎不變化〇在粘合前后，撓曲量稍有變化在粘合前后，撓曲量變化較大X:在粘合前后，撓曲量變化大表1表6表示以上2.1~2.5的各表評(píng)價(jià)結(jié)果。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage66</column></row><table>※PET:聚對(duì)苯二甲酸乙二醇脂PI:聚酰亞胺表2<table>tableseeoriginaldocumentpage66</column></row><table>表3<table>tableseeoriginaldocumentpage67</column></row><table>※PET:聚對(duì)苯二甲酸乙二醇脂PI:聚酰亞胺表4<table>tableseeoriginaldocumentpage67</column></row><table>表5<table>tableseeoriginaldocumentpage68</column></row><table>表6<table>tableseeoriginaldocumentpage69</column></row><table>PI:聚酰亞胺表1表6表明，由各實(shí)施例獲得的接合體在接合強(qiáng)度、尺寸精度、耐藥品性及電阻率中任一項(xiàng)中，都表示優(yōu)異的特性。另外，由各實(shí)施例獲得的接合體其撓曲量的變化比由各比較例獲得的接合體還小。另一方面，由各比較例獲得的接合體其耐藥品性不充分。另外，斷定尺寸精度特別低。還有，電阻率高。權(quán)利要求1、一種粘接片，其特征在于，與被粘接體粘接使用，具有具有規(guī)定功能的功能性基板；接合膜，其設(shè)于該功能性基板的一面?zhèn)?，且含有金屬原子、與該金屬原子結(jié)合的氧原子、與所述金屬原子及所述氧原子中至少一方結(jié)合的脫離基，將能量賦予所述接合膜的至少局部區(qū)域，在所述接合膜的表面附近存在的所述脫離基從所述金屬原子及所述氧原子中至少一方脫離，由此，在所述接合膜的表面的所述區(qū)域顯現(xiàn)與所述被粘接體的粘接性。2、如權(quán)利要求1所述的粘接片，其中，所述脫離基在所述接合膜的表面附近偏在。3、如權(quán)利要求1或2所述的粘接片，其中，所述金屬原子為銦、錫、鋅、鈦、及銻中至少一種。4、如權(quán)利要求1所述的粘接片，其中，所述脫離基為氫原子、碳原子、氮原子、磷原子、硫原子及鹵原子、或由這些各原子構(gòu)成的原子團(tuán)中至少一種。5、如權(quán)利要求1所述的粘接片，其中，所述接合膜是將氫原子作為脫離基導(dǎo)入銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、銻錫氧化物(ATO)、含氟銦錫氧化物(FTO)、氧化鋅(ZnO)或二氧化鈦(Ti02)中而成的接合膜。6、如權(quán)利要求1所述的粘接片，其中，所述接合膜中的金屬原子和氧原子的存在比為3:77:3。7、一種粘接片，其特征在于，與被粘接體粘接使用，具有具有規(guī)定功能的功能性基板；接合膜，其設(shè)于該功能性基板的一面?zhèn)?，且含有金屬原子、由有機(jī)成分構(gòu)成的脫離基，將能量賦予所述接合膜的至少局部區(qū)域，在所述接合膜的表面附近存在的所述脫離基從該接合膜脫離，由此，在所述接合膜的表面的所述區(qū)域顯現(xiàn)與所述被粘接體的粘接性。8、如權(quán)利要求7所述的粘接片，其中，所述接合膜以有機(jī)金屬材料為原材料且利用有機(jī)金屬化學(xué)氣相成長(zhǎng)法進(jìn)行成膜。9、如權(quán)利要求8所述的粘接片，其中，所述接合膜在低還原性氣氛下成膜。10、如權(quán)利要求8或9所述的粘接片，其中，所述脫離基是所述有機(jī)金屬材料中所含的有機(jī)物的一部分殘留而成的。11、如權(quán)利要求8所述的粘接片，其中，所述脫離基以碳原子為必需成分，由含有氫原子、氮原子、磷原子、硫原子及鹵原子中至少一種的原子團(tuán)構(gòu)成。12、如權(quán)利要求ll所述的粘接片，其中，所述脫離基為垸基。13、如權(quán)利要求8所述的粘接片，其中，所述有機(jī)金屬材料為金屬絡(luò)合物。14、如權(quán)利要求7所述的粘接片，其中，所述金屬原子為銅、鋁、鋅及鐵中的至少一種。15、如權(quán)利要求7所述的粘接片，其中，所述接合膜中的金屬原子和碳原子的存在比為3:7~7:3。16、如權(quán)利要求1或7所述的粘接片，其中，所述接合膜在至少表面附近存在的所述脫離基從該接合膜脫離后，產(chǎn)生活性鍵。17、如權(quán)利要求16所述的粘接片，其中，所述活性鍵為未結(jié)合鍵或羥基。18、如權(quán)利要求1或7所述的粘接片，其中，所述接合膜的平均厚度為11000nm。19、如權(quán)利要求1或7所述的粘接片，其中，所述接合膜形成為不具有流動(dòng)性的固體狀。20、如權(quán)利要求1或7所述的粘接片，其中，所述功能性基板具有撓性。21、如權(quán)利要求1或7所述的粘接片，其中，所述功能性基板形成為片狀。22、如權(quán)利要求1或7所述的粘接片，其中，所述功能性基板被形成為圖案。23、如權(quán)利要求1或7所述的粘接片，其中，所述功能性基板具有布線、電極、端子、電路、半導(dǎo)體電路、電波的收發(fā)信部、光學(xué)元件、顯示體及功能性薄膜中至少一種功能。24、如權(quán)利要求1或7所述的粘接片，其中，所述功能性基板的至少形成所述接合膜的部分以硅材料、金屬材料或玻璃材料為主材料構(gòu)成。25、如權(quán)利要求1或7所述的粘接片，其中，對(duì)具備所述接合膜的所述一面預(yù)先實(shí)施提高與所述接合膜的密合性的表面處理。26、如權(quán)利要求25所述的粘接片，其中，所述表面處理為等離子體處理。27、如權(quán)利要求1或7所述的粘接片，其中，在所述功能性基板和所述接合膜之間設(shè)有中間層。28、如權(quán)利要求27所述的粘接片，其中，所述中間層以氧化物系材料為主材料而構(gòu)成。29、一種接合方法，其特征在于，具有準(zhǔn)備權(quán)利要求1~28中任一項(xiàng)所述的粘接片和所述被粘接體的工序；對(duì)該粘接片所具有的所述接合膜的至少局部區(qū)域賦予能量的工序；以使所述接合膜和所述被粘接體密合的方式，將所述粘接片和所述被粘接體粘合，獲得接合體的工序。30、一種接合方法，其特征在于，具有準(zhǔn)備權(quán)利要求1~28中任一項(xiàng)所述的粘接片和所述被粘接體的工序；以使所述接合膜和所述被粘接體密合的方式，將所述粘接片和所述被粘接體粘合，獲得層疊體的工序；通過對(duì)該層疊體中的所述接合膜的至少局部區(qū)域賦予能量，將所述粘接片和所述被粘接體接合，獲得接合體的工序。31、如權(quán)利要求29或30所述的接合方法，其中，所述能量的賦予通過對(duì)所述接合膜照射能量線的方法、加熱所述接合膜的方法以及將壓縮力賦予所述接合膜的方法中至少一個(gè)方法進(jìn)行。32、如權(quán)利要求31所述的接合方法，其中，所述能量線為波長(zhǎng)126300nm的紫外線。33、如權(quán)利要求31或32所述的接合方法，其中，所述加熱的溫度為25100C。34、如權(quán)利要求31所述的接合方法，其中，所述壓縮力為0.210MPa。35、如權(quán)利要求31所述的接合方法，其中，所述能量的賦予在大氣氣氛中進(jìn)行。36、如權(quán)利要求29或30所述的接合方法，其中，所述被粘接體具有預(yù)先實(shí)施了提高與所述接合膜的密合性的表面處理的表面，所述粘接片以相對(duì)于實(shí)施了所述表面處理的表面使所述接合膜密合的方式粘合。37、如權(quán)利要求29或30所述的接合方法，其中，所述被粘接體具有預(yù)先具有從官能團(tuán)、自由基、開環(huán)分子、不飽和鍵、鹵素及過氧化物中選出的至少一種基團(tuán)或物質(zhì)的表面，所述粘接片以相對(duì)于具有所述基團(tuán)或物質(zhì)的表面使所述接合膜密合的方式粘合。38、如權(quán)利要求29或30所述的接合方法，其中，還具有對(duì)所述接合體進(jìn)行提高其接合強(qiáng)度的處理的工序。39、如權(quán)利要求38所述的接合方法，其中，所述進(jìn)行提高接合強(qiáng)度的處理的工序通過對(duì)所述接合體照射能量線的方法、加熱所述接合體的方法以及將壓縮力賦予所述接合體的方法中至少一個(gè)方法進(jìn)行。40、一種接合體，其特征在于，具有權(quán)利要求1~28中任一項(xiàng)所述的粘接片和被粘接體，將它們經(jīng)由所述接合膜接合而成。全文摘要本發(fā)明提供一種粘接片、接合方法及接合體，粘接片具備接合膜，接合膜能夠以高的尺寸精度牢固地、且在低溫下高效地與被粘接體接合；接合方法能在低溫下高效地將這樣的粘接片和被粘接體接合；接合體的可靠性高，將粘接片和被粘接體以高的尺寸精度牢固地接合而成。本發(fā)明的粘接片具有功能性基板(2)和接合膜(3)，與被粘接體(4)粘接而使用。該粘接片具備的接合膜(3)通過對(duì)其至少局部區(qū)域賦予能量，使表面(35)附近存在的脫離基脫離，由此，在接合膜(3)的表面(35)可顯現(xiàn)與被粘接體(4)的粘接性。文檔編號(hào)B32B37/00GK101391497SQ20081014899公開日2009年3月25日申請(qǐng)日期2008年9月22日優(yōu)先權(quán)日2007年9月21日發(fā)明者五味一博申請(qǐng)人:精工愛普生株式會(huì)社