專利名稱：：膜層結(jié)構(gòu)及使用該膜層結(jié)構(gòu)的電子裝置殼體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種膜層結(jié)構(gòu)及使用該膜層結(jié)構(gòu)的電子裝置殼體。
背景技術(shù)：
：隨著電子科技的高速發(fā)展，人們對手機的外觀品質(zhì)要求越來越高。現(xiàn)在有的手機廠商采用不容易導(dǎo)電的金屬錫，銦等作為鍍膜材料制成一層厚度較大的連續(xù)的金屬膜層，從而使手機的外殼及屏幕具有金屬質(zhì)感及鏡面效果。但由于連續(xù)的金屬膜層是一層導(dǎo)電薄膜，手機信號在通過此薄膜時被這層導(dǎo)電薄膜吸收，引起手機信號被遮蔽的問題。
發(fā)明內(nèi)容有鑒于此，有必要提供一具有鏡面效果并可有效避免信號被遮蔽的膜層結(jié)構(gòu)及使用該膜層結(jié)構(gòu)的電子裝置殼體。—種膜層結(jié)構(gòu)，用于附著在一基板上，其為一復(fù)合金屬膜層，所述膜層結(jié)構(gòu)由至少一層金屬膜與至少一層介質(zhì)膜交替堆疊而成，所述每層金屬膜均為不連續(xù)的凸塊狀結(jié)構(gòu)，所述介質(zhì)膜由不導(dǎo)電的材料制成?！N電子裝置殼體，其包括一基板及上述膜層結(jié)構(gòu)，所述膜層結(jié)構(gòu)附著在所述基板上。本發(fā)明的膜層結(jié)構(gòu)及使用該膜層結(jié)構(gòu)的電子裝置殼體，將每層金屬膜都制成不連續(xù)的凸塊狀結(jié)構(gòu)，且將金屬膜與介質(zhì)膜交替堆疊，從而使所述電子裝置殼體具有鏡面效果并可有效避免電子裝置發(fā)出的信號被所述膜層結(jié)構(gòu)遮蔽。圖1是本發(fā)明實施方式提供的膜層結(jié)構(gòu)的示意圖；圖2是圖1的膜層結(jié)構(gòu)的第一實施方式的光譜圖；圖3是圖1的膜層結(jié)構(gòu)的第二實施方式的光譜圖；圖4是圖1的膜層結(jié)構(gòu)的第三實施方式的光譜圖。具體實施例方式下面將結(jié)合附圖，對本發(fā)明作進一步的詳細說明。請參閱圖l，為本發(fā)明實施方式提供的電子裝置殼體100，其包括一基板IIO，一附著層120，一膜層結(jié)構(gòu)130及一保護層140。所述附著層120，膜層結(jié)構(gòu)130及保護層140依次堆疊在所述基板110上。所述基板IIO用于承載附著層120，膜層結(jié)構(gòu)130及保護層140。在本實施方式中，所述基板110為玻璃基板。所述膜層結(jié)構(gòu)130位于所述附著層120及保護層140之間。所述膜層結(jié)構(gòu)130為復(fù)合金屬膜層，其由至少一層金屬膜131及至少一層介質(zhì)膜132交替堆疊而成。所述介質(zhì)膜132由不導(dǎo)電的材料制成。由于鏡面效果與金屬的反射率有關(guān)，反射率越大，則鏡面效果越好。但每種金屬膜的反射率都有一個最大極限值。要使金屬膜的反射率達到這個最大極限值，每種金屬膜均對應(yīng)有一個厚度值。本實施方式就將這種厚度的金屬膜分割成多層，并在相鄰的兩層金屬膜之間填充介質(zhì)膜，這樣就可保證被分割后的金屬膜的反射率不變。但是由于連續(xù)的金屬膜具有導(dǎo)電性，即使相鄰的金屬膜之間被不導(dǎo)電的介質(zhì)膜分隔開，這樣的復(fù)合金屬膜層仍然會有導(dǎo)電性。根據(jù)金屬鍍膜的制程可知，在金屬鍍膜的過程中，會先形成多個不連續(xù)的凸塊狀結(jié)構(gòu)，隨著金屬膜厚度逐漸增加，此不連續(xù)的凸塊就會逐漸的相互連在一起，形成一個連續(xù)的金屬膜。不連續(xù)的凸塊狀的金屬膜不會導(dǎo)電，因此本實施方式的膜層結(jié)構(gòu)130的金屬膜131就采用這種不連續(xù)的凸塊狀結(jié)構(gòu)。以金屬鋁為例，經(jīng)實驗證明，鋁的最大極限反射率接近60%，此時鋁膜的厚度為30nm，且鋁膜的厚度為5nm時還是不連續(xù)的凸塊狀結(jié)構(gòu)，因此為了保證金屬膜為鋁膜的復(fù)合金屬膜層既有較好的鏡面效果又不會導(dǎo)電，同時又為了方便鍍膜的制程，就將30nm的鋁膜分割成6層，每層厚度均為5nm，然后在相鄰的鋁膜之間填充由二氧化硅制成的介質(zhì)膜，形成包括6層金屬膜及5層介質(zhì)膜的復(fù)合金屬膜層?？梢岳斫猓部蓪?0nm的鋁膜分成不相等的多層，每層的厚度越薄越好，比如第一層為lnm，第二層為2nm等，只要每層金屬膜為不連續(xù)的凸塊狀結(jié)構(gòu)即可。同時各金屬膜131可分別采用不同的金屬材料，比如第一層為鉻膜，第二層為鋁膜，第三層為銀膜等。可以理解，所述金屬膜131的材料不同，所得到的膜層結(jié)構(gòu)130的反射率不同。所述附著層120用于連接所述膜層結(jié)構(gòu)130與所述基板110。所述附著層120由不導(dǎo)電材料制成，且該不導(dǎo)電材料與基板IIO及膜層結(jié)構(gòu)130中的金屬膜131或介質(zhì)膜132均具有良好的粘著性。在本實施方式中，由于膜層結(jié)構(gòu)130的最內(nèi)層為金屬膜131，基板110為玻璃基板，且二氧化硅薄膜與金屬膜131及玻璃基板的粘著性均比較好，因此就采用二氧化硅薄膜作為附著層120?？梢岳斫猓襞c附著層120鄰接的金屬膜131或介質(zhì)膜132與所述基板110的粘著性比較好時，所述附著層120可省去。所述保護層140用于對膜層結(jié)構(gòu)130進行保護，防止所述膜層結(jié)構(gòu)130中的金屬膜131被空氣氧化。所述保護層140由不導(dǎo)電的材料制成，且該不導(dǎo)電材料與金屬膜131具有良好的粘著性。在本實施方式中，采用二氧化硅薄膜作為保護層140。可以理解，若所述復(fù)合金屬膜層130中遠離所述基板110的最外層為介質(zhì)膜，則所述保護層140也可省去。圖2所示為本發(fā)明的電子裝置殼體100的第一實施方式的光譜圖。本實施方式的電子裝置殼體100中，所述膜層結(jié)構(gòu)130包括6層金屬膜及5層介質(zhì)膜，且所述金屬膜131為5nm的鉻膜，介質(zhì)膜132為5nm的二氧化硅薄膜，所述附著層120及保護層140均為5nm的二氧化硅薄膜。表(一)為金屬鉻針對不同波長光線的折射率及消光系數(shù)。表(一)波長(nm)折射率消光系數(shù)4001.483.544501.994.224<table>tableseeoriginaldocumentpage5</column></row><table>由圖2可知，當(dāng)金屬膜為鉻膜時，所述電子裝置殼體100對可見光(波長范圍在400nm-700nm之間)的反射率接近60%，因此所述電子裝置殼體100的反射率較高，具有較好的鏡面效果。圖3所示為本發(fā)明的電子裝置殼體100的第二實施方式的光譜圖。本發(fā)明的電子裝置殼體100的第二實施方式與第一實施方式的主要區(qū)別在于，所述膜層結(jié)構(gòu)130中的金屬膜131為鋁膜。表(二)為金屬鋁針對不同波長的光線的折射率及消光系數(shù)。表(二)<table>tableseeoriginaldocumentpage5</column></row><table>由圖3可知，當(dāng)金屬膜為鋁膜時，所述電子裝置殼體100對可見光(波長范圍在400nm-700nm之間)的反射率大于80%，因此本實施方式的電子裝置殼體100的反射率較高，具有較好的鏡面效果。圖4所示為本發(fā)明的電子裝置殼體100的第三實施方式的光譜圖。本發(fā)明的電子裝置殼體100的第三實施方式與第一實施方式的主要區(qū)別在于，所述膜層結(jié)構(gòu)130中的金屬膜131為銀膜。表(三)為金屬銀針對不同波長的光線的折射率及消光系數(shù)。表(三)<table>tableseeoriginaldocumentpage6</column></row><table>由圖4可知，當(dāng)金屬膜為銀膜時，所述電子裝置殼體100對可見光(波長范圍在400nm-700nm之間)的反射率由50%到90%之間，因此所述電子裝置殼體100的反射率較高，具有較好的鏡面效果。本發(fā)明的電子裝置殼體100的第四實施方式與第一實施方式的主要區(qū)別在于，所述基板110為塑膠基板，且所述附著層120為一層底漆，所述保護層140為一層面漆。由于塑膠基板的材質(zhì)比較軟，必須采用較厚的附著層120及保護層140才可以保證整個電子裝置殼體100上的膜層結(jié)構(gòu)130的穩(wěn)定性，但是鍍較厚的膜層比較耗費時間，因此為了制程的方便，一般采用噴漆的方式來制作附著層120及保護層140。本發(fā)明的膜層結(jié)構(gòu)及使用該膜層結(jié)構(gòu)的電子裝置殼體，將每層金屬膜都制成不連續(xù)的凸塊狀結(jié)構(gòu)，且將金屬膜與介質(zhì)膜交替堆疊形成膜層結(jié)構(gòu)，從而可有效避免電子裝置發(fā)出的信號被所述膜層結(jié)構(gòu)遮蔽，并將具有鏡面效果的金屬膜的總厚度分割成多層，使該電子裝置殼體仍具有鏡面效果。同時所述膜層結(jié)構(gòu)的金屬膜可使用任何金屬，并不局限于不容易導(dǎo)電的金屬，使所述膜層結(jié)構(gòu)及使用該膜層結(jié)構(gòu)的電子裝置殼體的應(yīng)用范圍大大增加。可以理解的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思做出其它各種相應(yīng)的改變與變形，而所有這些改變與變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護范圍。權(quán)利要求一種膜層結(jié)構(gòu)，用于附著在一基板上，其為一復(fù)合金屬膜層，所述膜層結(jié)構(gòu)由至少一層金屬膜與至少一層介質(zhì)膜交替堆疊而成，所述每層金屬膜均為不連續(xù)的凸塊狀結(jié)構(gòu)，所述介質(zhì)膜由不導(dǎo)電的材料制成。2.如權(quán)利要求1所述的膜層結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述每層金屬膜為鉻膜，鋁膜及銀膜之3.如權(quán)利要求1所述的膜層結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述介質(zhì)膜為二氧化硅薄膜。4.一種利用如權(quán)利要求1所述的膜層結(jié)構(gòu)的電子裝置殼體，其還包括一基板，所述膜層結(jié)構(gòu)附著于所述基板上。5.如權(quán)利要求4所述的電子裝置殼體，其特征在于，所述電子裝置殼體還包括一附著層，所述附著層位于所述膜層結(jié)構(gòu)及基板之間，用于連接所述基板及復(fù)合金屬膜層。6.如權(quán)利要求5所述的電子裝置殼體，其特征在于，所述附著層由不導(dǎo)電的材料制成。7.如權(quán)利要求4所述的電子裝置殼體，其特征在于，所述電子裝置殼體還包括一保護層，所述保護層附著于所述膜層結(jié)構(gòu)上，用于對膜層結(jié)構(gòu)進行保護。8.如權(quán)利要求7所述的電子裝置殼體，其特征在于，所述保護層由不導(dǎo)電的材料制成。9.如權(quán)利要求5或7所述的電子裝置殼體，其特征在于，所述基板為玻璃基板或塑膠基板。10.如權(quán)利要求9所述的電子裝置殼體，其特征在于，所述基板為玻璃基板時，所述附著層為二氧化硅薄膜；所述基板為塑膠基板時，所述附著層為底漆。11.如權(quán)利要求9所述的電子裝置殼體，其特征在于，所述基板為玻璃基板時，所述保護層為二氧化硅薄膜；所述基板為塑膠基板時，所述保護層為面漆。全文摘要一種電子裝置殼體，其包括一基板及一膜層結(jié)構(gòu)。所述膜層結(jié)構(gòu)附著于所述基板上。所述膜層結(jié)構(gòu)為一復(fù)合金屬膜層，其由至少一層金屬膜與至少一層介質(zhì)膜交替堆疊而成，所述每層金屬膜為不連續(xù)的凸塊狀結(jié)構(gòu)，所述介質(zhì)膜由不導(dǎo)電材料制成。本發(fā)明的電子裝置殼體將每層金屬膜都制成不連續(xù)的凸塊狀結(jié)構(gòu)，且將金屬膜與介質(zhì)膜交替堆疊，從而使所述電子裝置殼體具有鏡面效果并可有效避免電子裝置發(fā)出的信號被所述膜層結(jié)構(gòu)遮蔽。文檔編號B32B9/04GK101716837SQ20081030479公開日2010年6月2日申請日期2008年10月9日優(yōu)先權(quán)日2008年10月9日發(fā)明者何侑倫,林君鴻,詹博文申請人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司;鴻海精密工業(yè)股份有限公司